CN108227373A - 用于压印光刻的流体滴落方法和装置 - Google Patents

Abstract

公开了一种用于压印光刻的流体滴落方法和装置。该装置可以包括：包含流体分配端口的流体分配系统；台；以及逻辑元件。逻辑元件可以被配置为确定流体滴图案；传送用于在第一遍期间将可成形材料分配到基板上的信息，其中基板和流体分配端口在平移方向上相对于彼此移动；传送用于在除平移方向之外的另一方向上相对于彼此偏移基板和流体分配端口的信息；并且传送用于在第二遍期间将可成形材料分配到基板上的信息。可以使用该装置执行产生流体滴图案的方法。

Description

用于压印光刻的流体滴落方法和装置

技术领域

本公开涉及压印光刻，并且更具体地涉及用于压印光刻应用的流体滴构图。

背景技术

压印光刻装置和工艺在电子器件制造中在半导体晶片上形成纳米级图案方面是有用的。这样的装置和工艺可以包括使用流体分配系统，用于使用诸如流体滴分配之类的技术将可成形材料(例如，诸如树脂或抗蚀剂之类的可聚合材料)沉积到晶片上。分配的材料与具有所需图案特征的压印模板(或模具)接触，然后固化，从而在晶片上形成构图层。模板特征填充率和相关缺陷部分地取决于模板图案特征密度和方向以及滴图案布置，其包括流体滴间距。

传统的流体分配系统允许对液滴间间隔进行一些调整，然而，它们通常具有限制这种调整的程度的限制。流体分配系统包括具有流体分配端口间距的流体分配端口，流体分配端口间距确定与流体分配端口间距相同的方向上的流体滴间距。因此，在不更换流体分配头的情况下，没有或以有限的能力来调整流体分配端口间距。因此，继续存在对滴图案工艺的行业需求，其可更精细地调节并且不受分配器限制的限制。

发明内容

一方面，一种装置可以用于压印光刻工艺。用于压印光刻的装置可以包括：

具有流体分配端口的流体分配系统；

台，其中台、流体分配端口、或者台和流体分配端口的组合适于使基板和流体分配端口相对于彼此移动；以及

逻辑元件，被配置为：

确定用于将可成形材料分配到基板上的流体滴图案；

传送用于在第一遍期间将可成形材料分配到基板上以形成用于压印场的流体滴图案的第一部分的信息，其中基板和流体分配端口在平移方向上相对于彼此移动；

传送用于在除了所述平移方向之外的另一方向上相对于彼此偏移基板和流体分配端口的信息，其中，所述装置被配置成在执行用于在第一遍期间分配可成形材料的指令之后偏移流体分配端口；并且

传送用于在第二遍期间将可成形材料分配到基板上以形成用于压印场的流体滴图案的第二部分的信息，其中，所述装置被配置为在执行相对于彼此偏移基板和流体分配端口的指令之后在第二遍期间分配可成形材料。

在一个实施例中，相对于彼此偏移基板和流体分配端口的信息不包括在平移方向上偏移基板和流体分配端口的信息。

在另一个实施例中，相对于彼此偏移基板和流体分配端口的信息还包括在平移方向上相对于彼此偏移基板和流体分配端口的信息。

在特定实施例中，

流体分配系统还被配置为以预设的频率分配可成形材料的流体滴，以便当基板和流体分配端口沿着平移方向以预设的速度相对于彼此移动时获得以预设最小间距在基板上间隔开的滴；

在第一遍、第二遍或者第一遍和第二遍中的每一遍期间分配可成形材料的信息包括用于分配可成形材料以使得平移方向上的流体滴间距是预设最小间距或预设最小间距的整数倍的特定信息；以及

相对于彼此偏移基板和流体分配端口的信息包括特定信息，在该特定信息中在平移方向上使基板和流体分配端口相对于彼此偏移是对于平移偏移距离执行的，该平移偏移距离是预设最小间距的非整数倍。

在另一个实施例中，流体分配端口被配置为沿着基本上垂直于平移方向的线以对应的间距分配流体滴，并且，用于在另一个方向上相对于彼此偏移基板和流体分配端口的信息是针对作为所述对应的间距的非整数倍的偏移距离执行的。

在另一个实施例中，用于在第一遍期间将可成形材料分配到基板上的信息包括用于沿着下落边缘禁区(drop edge exclusion)的Y1线分配可成形材料的流体滴的信息，并且用于在第二遍期间将可成形材料分配到基板上的信息包括用于沿着下落边缘禁区的Y2线分配可成形材料的流体滴的信息。

在另一方面，可以使用一种方法来产生用于压印光刻工艺的基板流体滴图案。所述方法可包括：

提供具有流体分配端口的流体分配系统；

确定用于将可成形材料分配到基板上的虚拟流体滴图案；

在第一遍期间，将可成形材料分配到基板上以形成用于压印场的基板流体滴图案的第一部分，其中基板流体滴图案对应于虚拟流体滴图案，并且基板和流体分配端口在平移方向上相对于彼此移动；

在除了所述平移方向之外的另一方向上相对于彼此偏移基板和流体分配端口，其中，相对于彼此偏移基板和流体分配端口是在第一遍期间分配可成形材料之后执行的；以及

在第二遍期间，将可成形材料分配到基板上以形成用于压印场的基板流体滴图案的第二部分，其中在第二遍期间分配可成形材料是在相对于彼此偏移基板和流体分配端口之后执行的。

在一个实施例中，流体分配端口被配置为沿着基本上垂直于平移方向的线以对应的间距分配流体滴，并且，相对于彼此偏移基板和流体分配端口包括在其他方向上使基板和流体分配端口相对于彼此偏移作为所述对应的间距的非整数倍的偏移距离。

在另一个实施例中：

提供流体分配系统还包括提供具有流体分配端口的流体分配系统，该流体分配端口被配置为沿着基本上垂直于平移方向的线以对应的间距分配流体滴，该流体分配系统还被配置为以预设的频率分配可成形材料的流体滴，以便当基板和流体分配端口沿着基本上垂直于所述线的平移方向以预设的速度相对于彼此移动时获得以预设最小间距在基板上间隔开的滴；

确定虚拟流体滴图案包括：

确定用于将可成形材料分配到基板上的预定义的流体滴图案，所述预定义的流体滴图案部分地基于压印光刻模板的图案，并且，其中，所述预定义的流体滴图案表示当基板和流体分配端口沿着横向方向以预定速度相对于彼此移动时以预设最小间距或其整数倍在基板上间隔开的流体滴；以及

基于所述预定义的流体滴图案来确定调整的流体滴图案，其中，所述调整的流体滴图案表示以预设最小间距的非整数倍间隔开的流体滴，并且所述调整的流体滴图案是虚拟的流体滴图案；

所述方法还包括确定基板和流体分配端口相对于彼此的调整速度以产生在第一遍和第二遍期间形成的基板流体滴图案，其中在第一遍、第二遍、或者第一遍和第二遍中的每一遍期间调整速度不同于预设速度；以及

在第一遍、第二遍或者第一遍和第二遍中的每一遍期间，在平移方向上以调整速度相对于彼此移动基板和流体分配端口，并且以预设的频率通过流体分配端口分配可成形材料。

另一方面，可以使用一种方法来制造物品。所述方法可包括：

提供具有流体分配端口的流体分配系统；

确定用于将可成形材料分配到基板上的流体滴图案；

在第一遍期间将可成形材料分配到基板上以形成用于压印场的流体滴图案的第一部分，其中基板和流体分配端口在平移方向上相对于彼此移动；

在除了所述平移方向之外的另一方向上相对于彼此偏移基板和流体分配端口，其中，相对于彼此偏移基板和流体分配端口是在第一遍期间分配可成形材料之后执行的；

在第二遍期间，将可成形材料分配到基板上以形成用于压印场的流体滴图案的第二部分，其中在第二遍期间分配可成形材料是在相对于彼此偏移基板和流体分配端口之后执行的；

使可成形材料与具有表面的模板接触；以及

固化可成形材料以形成与模板的表面对应的层。

附图说明

实施例通过举例的方式被图示，并不限于附图。

图1包括与下落边缘禁区的X方向和Y方向对准线匹配的流体滴图案。

图2包括与下落边缘禁区的X2和Y2对准线不匹配的流体滴图案。

图3包括示例性压印光刻系统的简化侧视图。

图4包括具有构图层的图3所示的基板的简化横截面图。

图5包括流体分配系统的简化俯视图，该流体分配系统包括流体分配端口和沉积在基板表面上的示例性滴图案。

图6和图7包括形成物品的示例性方法的流程图，其包括产生流体滴图案。

图8包括根据实施例的包括在单遍之后形成的基板流体滴图案的一部分的表面的简化俯视图。

图9包括根据实施例的在另一遍期间形成基板流体滴图案的另一部分之后的图8的表面的简化俯视图。

图10包括在压印期间的基板和压印光刻模板的图示。

图11包括根据另一个实施例的调整后的基板流体滴图案的简化俯视图。

图12包括根据另一实施例的形成物品的示例性方法的流程图，其包括产生流体滴图案。

图13包括根据另一个实施例的包括在单遍之后形成的基板流体滴图案的一部分的表面的简化俯视图。

图14包括根据另一个实施例的包括在第二遍之后形成的基板流体滴图案的一部分的表面的简化俯视图。

本领域技术人员认识到，为了简单和清楚起见，图中的元件被图示，并且不一定按比例绘制。例如，为了帮助提高对本发明实施例的理解，附图中的一些元件的尺寸可能相对于其他元件被放大。

具体实施方式

提供以下结合附图的描述以帮助理解在此公开的教导。以下讨论的重点将在于教导的具体实现方式和实施例。提供这个重点是为了帮助描述教导，不应该被解释为对教导的范围或适用性的限制。

流体滴图案可以指物理上存在或将存在的实际图案或者可以是流体滴图案的计算机生成表示的虚拟图案。术语“基板流体滴图案”是指形成在基板上的流体滴的特定实际图案。“调整后的流体滴图案”是指特定的虚拟滴图案，并且在一个实施例中，这种虚拟液滴图案可以对应于当使用调整后的流体滴图案时产生的基板流体滴图案。

术语“间距”旨在表示从特征的中心到下一个相邻特征的中心的距离。对于流体滴图案，间距是从滴的中心到下一个相邻滴的中心的距离。在笛卡尔坐标中，二维图案(从俯视图或平面图看到的图案)可以在X方向上具有与在X方向上测量的特征的中心之间的距离相对应的间距(X方向上的间距)，并且在Y方向上具有与在Y方向上测量的特征的中心之间的距离相对应的间距(Y方向上的间距)。X方向间距可以与Y方向间距相同或不同。

如本文所使用的，速度和运动可以在相对基础上进行描述。例如，对象A和对象B相对于彼此移动。这样的术语旨在涵盖对象A正在移动而对象B没有正在移动；对象A没有正在移动而对象B正在移动；对象A和B都正在移动。

除非另有定义，本文中使用的所有技术术语和科学术语具有与本发明所属技术领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。材料、方法和示例仅是说明性的而不是限制性的。就本文未描述的程度而言，关于具体材料和处理行为的许多细节是常规的，并且可以在压印和光刻技术领域内的教科书和其它来源中找到。

在压印光刻中，需要以受控方式分配可成形材料，以确保适当量的可成形材料被分配在基板上的正确位置和面密度。最靠近压印场边缘的流体滴的中心被放置成使得在压印操作期间适量的可成形材料可以流向压印场的边缘。如果流体滴太靠近边缘，则可成形材料的一部分可能流过压印光刻模板的边缘，并且可成形材料的这一部分在固化操作期间可能导致挤出缺陷。挤出缺陷可能粘附在光刻模板上并导致在下一个压印场中印出挤出缺陷。如果流体滴离边缘太远，则可能会发生模板特征的不完全填充。这种缺陷被称为“非填充”缺陷，并转化为图案转移时特征的损失。挤出缺陷和非填充缺陷是不希望的。

下落边缘禁区(DEE)是指基板流体滴图案周围的禁区以在压印场的边缘附近获得适量的可成形材料，这降低了以下可能性：(1)可成形材料将流过压印光刻模板的边缘，和(2)将发生非填充缺陷。图1示出了具有适当的DEE的理想化的基板流体滴图案。压印场可以沿着X方向和Y方向的笛卡尔坐标表示。沿着最靠近左侧的列的流体滴的中心位于距离左侧边缘的距离为X1的线上，并且沿着最靠近右侧的列的流体滴的中心位于距离右侧边缘的距离为X2的线上。沿着最靠近压印场底部的列的流体滴的中心位于距离底部边缘的距离为Y1的线上，并且沿着最靠近压印场顶部的列的流体滴的中心位于距离顶部边缘的距离为Y2的线上。这样的线在这里被称为DEE的X1线，X2线，Y1线和Y2线。在图1中，流体滴在X方向和Y方向中的每一个方向上具有均匀的间距。

在实践中，适当的DEE很难获得。图2包括其中基板流体滴图案具有沿着X1和Y1线的流体滴中心但不具有沿着DEE的X2和Y2线的流体滴中心的图示。图2中的基板流体滴图案与图1相比沿着压印场的顶部和右侧边缘的非填充缺陷的风险显著更高。如果多余的行或列在图2中以相同的间距沿着压印场的顶部或右侧分配，则可成形材料将太靠近压印场的边缘。这样的基板流体滴图案具有明显更高的风险，即可成形材料将流过光刻压印模板的边缘并导致挤出缺陷。

关于X方向，流体分配头(以及操作它的控制软件)具有可以限制流体分配系统的灵活性的预设参数(以下称为“预设”)。流体分配头具有预设的发射频率和流体分配头可以按照所述预设而移动的预设速度。如本文中所使用的“预设最小间距”是当基板和流体分配端口以预设速度相对于彼此移动时以预设的发射频率分配的两个紧邻的滴的中心之间的距离，在如图3所示的实施例中，该距离是在X方向上。软件控制难以具有预设最小间距的非整数倍。因此，可以基于相应的X-Y网格上的位置仅仅产生有限数量的流体滴图案。因此，软件控制仅仅确定预设最小间距的几乎严格整数倍。但是，图2中的X1和X2线之间的距离可能是预设最小间距的非整数倍。因此，流体分配系统形成不太理想的滴图案。

在本说明书中，在此解决了引起流体分配端口间距的问题的解决方案。在图2中，流体分配口间距是在Y方向上。流体分配端口和基板可以在分配可成形材料的不同遍之间相对于彼此偏移。本说明书将简要介绍一些问题和解决方案，以使流体滴中心沿DEE的X1，X2，Y1和Y2线分配。

在结合附图阅读本说明书之后，关于装置和方法的细节将被更好地理解。下面的描述意在说明实施例而不是限制在所附权利要求中限定的本发明的范围。

参照附图，特别是参照图3，根据本文描述的实施例的光刻系统10可以用于在基板12上形成立体(relief)图案。基板12可以耦合到基板卡盘14。如图所示，基板卡盘14是真空吸盘；然而，在其他实施例中，基板卡盘14可以是包括真空、针型、凹槽型、静电、电磁等的任何卡盘。示例性的卡盘在美国专利No.6,873,087中有描述，其全部内容通过引用并入本文中。基板12和基板卡盘14可进一步由台16支撑。台16可提供沿X、Y或Z方向的平移或旋转运动。台16、基板12和基板卡盘14也可以定位在基座(未示出)上。

与基板12间隔开的是模板18。模板18可以包括具有第一侧和第二侧的主体，一侧具有从其向基板12延伸的台面20。台面20有时被称为模子20。在一个实施例中，模板18可以被形成为不具有台面20。

可以由包括熔融二氧化硅、石英、硅、有机聚合物、硅氧烷聚合物、硼硅酸盐玻璃、氟碳聚合物、金属、硬化蓝宝石、其他类似材料或其任何组合的这类材料形成模板18或模子20。模板18和模子20可以包括单件结构。可替换地，模板18和模子20可以包括耦接在一起的分开的部件。如图所示，构图表面22包括由间隔开的凹陷24和凸起26限定的特征。本公开不旨在限于这种构造(例如，平面表面)。构图表面22可以限定形成待形成在基板12上的图案的基础的任何原始图案。在另一个实施例中，构图表面22可以是空白的，也就是说，构图表面22不具有任何凹陷或凸起。

模板18可以耦接到卡盘28上。卡盘28可以被构造为真空、销式、凹槽式、静电式、电磁式或其他类似的卡盘类型。示例卡盘在美国专利No.6,873,087中被进一步描述。在一个实施例中，卡盘28可以耦接到压印头30，使得卡盘28或压印头30可以便于模板18的移动。

光刻系统10还可以包括流体分配系统32，用于将可成形材料34沉积在基板12上。例如，可成形材料可以包括可聚合材料，如树脂。可以使用诸如流体滴分配、旋涂、浸涂、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、薄膜沉积、厚膜沉积或其组合之类的技术将可成形材料34以一层或多层的形式定位在基板12上。根据设计考虑事项，可成形材料34可以在模子20和基板12之间限定期望体积之前或之后分配在基板12上。例如，可成形材料34可以包括如美国专利No.7,157,036和美国专利No.8,076,386中所述的单体混合物，这两篇文献全部以引用方式并入本文。

参照图3和图4，光刻系统10还可以包括能量源38，能量源38沿着路径42耦合到直接能量40。压印头30和台16可以被配置成将模板18和基板12定位为与路径42重叠。光刻系统10可以由与台16、压印头30、流体分配系统32或源38通信的逻辑元件54来调节，并且可以在可选地存储在存储器56中的计算机可读程序上操作。

在一个实施例中，压印头30、台16、或者压印头30和台16二者都改变模子20与基板12之间的距离，以在其间限定由可成形材料34填充的期望体积。例如，压印头30可以向模板19施加力，使得模子20接触基板12上的可成形材料34。在用可成形材料34填充期望的体积之后，源38可以产生能量40，例如紫外线辐射，使得可成形材料34按照基板12的表面44和基板12上的限定构图层46的构图表面22的形状固化或交联。构图层46可以包括图示为凸起50和凹陷52的特征，其中凸起50具有厚度t₁，凹陷52对应于具有作为残留层厚度(RLT)的厚度t₂的残留层。

在低缺陷密度下的高产量是压印光刻工艺中的重要考虑因素。当采用将可成形材料施加到基板12的滴分配方法时，压印处理循环通常包括(1)将可成形材料的流体滴分配(或沉积)在基板表面上，(2)使模板与流体滴接触，使得流体扩散并填充模板构图表面的形貌，(3)固化(例如，光固化)流体，以及(4)从基板12分离模板，在基板表面上留下固化的可成形材料层，其具有模板图案的立体图像。在基板表面上分配可成形材料的流体滴并适当填充模板18的图案是压印循环时间以及吞吐量的主要贡献者。特定的模板图案可能需要基板12相对于压印头30的多次通过。也就是说，基板12和压印头30必须多次相对于彼此平移。例如，当模板具有致密特征图案时，或者对于要求相邻的滴被放置得更靠近在一起的特定图案，多遍分配是常见的。根据本文描述的一个或多个实施例，描述了减少分配时间的方法和系统。

在分配期间，从流体分配系统32分配可成形材料的流体滴以在基板表面44上形成流体滴的图案。可以确定流体滴图案，使得表面上的流体滴的总体积与所需流体滴图案的总体积匹配。除了匹配所需流体滴图案的总体积之外，可能希望匹配所需流体滴图案的局部体积。因此，可以在需要更大体积的可成形材料的基板12的区域中分配更大体积的流体。

可用的喷墨系统可被调整以分配体积在0.1至10微微升(pL)或更大的范围内的可成形材料流体滴，其中0.9pL为示例性流体滴体积。流体滴可以通过压印头30和基板12相对于彼此的一遍或多遍形成的图案分配。示例性图案包括：矩形，网格图案，菱形图案，另一种合适的图案或其任何组合。

参照图5，流体分配系统32可以包括流体分配端口302。如图所示，流体分配系统32包括六个流体分配端口302a、302b、302c、302d、302e和302f；然而，流体分配端口302的数量可以小于或大于六个，例如，至少两个流体分配端口，至少三个流体分配端口，至少四个流体分配端口，至少五个流体分配端口，至少十个流体分配口或至少二十个流体分配端口。在一个实施例中，流体分配端口302可以包括一组的至少三个流体分配端口(例如流体分配端口302a，302b和302c)。流体分配端口302被配置为沿着基本上垂直于平移方向的线304以对应的间距分配流体滴310。在可成形材料的传统分配操作中，Y方向间距由相邻流体分配端口的中心之间的距离和相对于压印场的取向来确定。

流体分配系统32和位于其下方(例如，在基板12或基板卡盘14上)的表面306可以沿平移方向(由箭头308示出)相对于彼此移动。包括流体滴310a和310b的流体滴可以从流体分配端口302以行和列的形式分配到表面306上。

流体分配头(以及操作它的控制软件)具有可以限制流体分配系统的灵活性的预设参数(以下称为“预设”)。流体分配头具有预设的发射频率，该预设的发射频率被编程为当基板12在X方向上以预设的扫描速度平移时产生预设最小间距(在所示实施例中为X方向间距)。软件控制难以具有预设最小间距的非整数倍。因此，可以基于相应的X-Y网格上的位置仅仅产生有限数量的流体滴图案。因此，软件控制仅仅确定预设最小间距的几乎严格整数倍。例如，流体分配系统可以在X方向上具有35微米的预设最小间距。对于基于整数的流体滴图案，对于X方向上的流体滴间距，可允许的整数值包括35微米、70微米、105微米等。

对装置的流体分配口间距和所述预设的限制可能形成不太理想的滴图案。基板12和流体分配端口302相对于彼此的初始对准允许最靠近压印场边缘的流体滴的中心沿着DEE的X1和Y1线布置。问题在于获得沿着DEE的X2和Y2线的流体滴中心，如图2所示。

如下面将更详细地描述的，流体滴图案可以在至少两遍之间形成，其中，在两遍之间，当基板和流体分配端口相对于彼此移动时，基板和流体分配端口302在除了平移方向308之外的方向上相对于彼此偏移。在一个实施例中，该方向可以基本上垂直于平移方向308。在如关于图6至图11所图示和描述的第一组实施例中，基板和流体分配端口302沿平移方向308移动以在平移方向上产生作为该间距的非整数倍的流体滴间距。在如关于图12至图14所示和描述的另一实施例中，基板和流体分配端口302沿平移方向308移动，以在平移方向上产生作为预设最小间距或其整数倍的流体滴间距。在分配可成形材料的各个遍之间，流体分配端口302可沿平移方向308偏移平移偏移距离并在另一方向(例如，在基本上垂直于平移方向308的方向上)偏移另一偏移距离。偏移距离可以是对应的间距的非整数倍。在另一个实施例中，另一方向不需要基本上垂直于平移方向308。如本文所使用的，基本上垂直是指垂直的±10°范围，并且，基本上平行是指平行的±10°范围。

如关于图6至图11所描述的方法可以用来在一遍期间提供沿着DEE的X1、X2和Y1线的流体滴的中心，并且在随后的遍期间提供沿着DEE的Y2线的流体滴的中心。关于图6中的处理流程提供了关于偏移的更多细节。

关于DEE的X2线，装置的所述预设可提供在X方向上具有预设最小间距的预定义的流体滴图案，其可通过调整基板12的平移速度(X方向)而呈现为调整后的流体分配图案。在一个实施例中，软件控制可以确定具有预设最小间距的最佳基于整数的流体滴图案，然后可以与流体分配系统的发射频率相结合地将台、流体分配头或两者设置为平移速度，以获得与调整后的流体滴图案相对应的基板流体滴图案，其与(在进行平移速度的调整之前)预设的滴图案相比更接近理想的滴图案。调整后的流体滴图案是基于预设最小间距的非整数倍。关于调整后的流体滴图案的更多细节参照图7提供。

根据这里描述的实施例，图6包括可用于形成压印光刻工艺的基板流体滴图案的方法的流程图。针对图3中的装置10和图5中的流体分配端口302来描述该方法。该方法可以由包括流体分配系统、台和逻辑元件的压印光刻装置执行。在一个实施例中，流体分配系统具有沿线布置的流体分配端口302。流体分配系统还可以被配置为以预设的频率分配可成形材料的流体滴，从而获得以预设最小间距的基板12上的间隔开的流体滴。台16、流体分配端口302或平台16与流体分配端口302的组合可以适于在平移方向308上相对于彼此移动。平移方向308可以基本上垂直于线304。逻辑元件可以包括硬件、固件、软件或其任何组合以执行本文描述的许多操作。在特定实施例中，逻辑元件可以是处理器54。基板12可以被放置在台上，并且在一个实施例中，基板12可以是半导体晶片。

该方法可以包括在图6中的框602处的确定用于将可成形材料分配到基板上的流体滴图案。在该特定实施例中，使用多于一遍来分配可成形材料。在特定实施例中，沿平移方向(X方向)的预设最小间距可允许流体滴的中心沿着DEE的X1和Y1线分配。然而，如之前在图2中所描述和图示的那样，所述预设可限制在平移方向上分配并将流体滴的中心分配在DEE的X2线上的能力。因此，可能需要对分配进行一些调整。在框622处，该过程可以包括获得基板12和流体分配端口相对于彼此的调整速度，其参照图7被更详细地讨论。在阅读本说明书之后，本领域技术人员将会理解，不是在所有实施例中都需要获得调整速度，因此获得调整速度可以是可选的。调整速度允许用户获得用于特定遍的期望的基板流体滴图案，以沿着DEE的X1和X2线分配流体滴的中心，其中，沿着平移方向(X方向)上的流体滴间距是预设最小间距的非整数倍。

在图7的块702处，该方法可以包括使用平移方向上的预设最小间距或其整数倍来确定预定义的流体滴图案。预定义的流体滴图案可以至少部分地基于压印光刻模板的图案。当基板12和流体分配端口302沿着平移方向308相对于彼此移动时，预定义的流体滴图案以预设的最小间距或其整数倍表示流体滴。因此，预定义的流体滴图案具有基于整数的预设最小间距。

在框722处，该方法还可以包括基于预定义的流体滴图案来确定调整的流体滴图案。调整的流体滴图案表示以预设最小间距的非整数倍间隔开的流体滴。

在框742处，该方法可以包括确定在生成调整的流体滴图案中使用的调整速度。与预定义的流体滴图案的预设速度相比，调整的流体滴图案的调整速度允许更理想的流体滴图案，其可导致更少的非填充缺陷，期望的RLT或两者。逻辑元件可以包括电路、程序或其他逻辑，以确定预定义的流体滴图案、调整后的流体滴图案和调整速度。

作为例子，60微米的间距对于要实现的特定构图层可能是最佳的；然而，60微米是35微米的1.7倍。显然，1.7不是35微米的预设最小间距的整数倍。因此，可以进行速度调整而不必重新编程任何分配头预设。例如，基板12和流体分配端口302相对于彼此的速度可被调整为用于35微米的预设最小间距的速度的1.7倍。先前的例子提供了一个具体的例子，并不意味着限制本发明的范围。速度的其他非整数值可以大于1.00，例如1.01X，1.5X，2.1X，3.7X；小于1.00并且包括0.97X，0.86X，0.71X，0.57X，0.43X，0.29X，0.14X，0.03X或其他非整数值，其中X表示预设速度，因此表示将与预设速度相乘的因子。这里描述的概念可以应用于其他预设的最小间距和对应的速度值。在确定调整速度之后，装置准备好处理基板12。因此，处理流程返回到图6。

基板12被放置并保持在台上。在框624处，该方法可以包括在第一遍期间分配可成形材料以形成基板流体滴图案的第一部分。在第一遍期间，基板12和流体分配端口302可以调整速度在平移方向上相对于彼此移动。在特定实施例中，逻辑元件可以将关于调整速度的信息传送到台或台控制器，传送给流体分配头或流体分配控制器或其任何组合。调整速度是台(以及因此基板12)和流体分配端口302相对于彼此的速度。图8包括用于第一遍的流体滴已经被分配之后的基板上的压印场的图示。流体滴的中心沿着DEE的X1、X2和Y1线。在特定实施例中，流体滴的中心可以位于DEE的X1和Y1线的交点处。沿着DEE的Y2线没有流体滴中心。

在框642处，该方法还可以包括在第一遍期间分配可成形材料之后使流体分配端口和基板相对于彼此偏移。偏移是将流体分配端口302定位以允许流体滴的中心沿着DEE的Y2线分配。偏移在偏移方向上针对偏移距离。偏移方向可基本上垂直于平移方向，基本上平行于线304，或两者。在所描述的实施例中，偏移方向可以在Y方向上。偏移距离可以是流体分配端口间距的非整数倍。

流体分配端口间距可以限于装置的约束，例如，将流体分配端口302保持就位的流体分配头的构造。例如，流体分配端口间距可以是20微米，并且在第一遍期间，相邻行的流体滴可以间隔40微米。在该实施例中，DEE的Y1和Y2线之间的距离不是流体分配端口间距的整数倍。为了实现沿着DEE的Y2线的流体滴中心，流体分配端口可以移动50微米的偏移距离。显然，50微米不是20微米的流体分配口间距的整数倍。因此，基板12和流体分配端口302可以在Y方向上相对于彼此移动50微米的距离。先前的例子提供了一个具体的例子，并不意味着限制本发明的范围。速度的其他非整数值可以大于1.00，例如1.01Y，1.5Y，2.1Y，3.7Y；小于1.00并且包括0.97Y，0.86Y，0.71Y，0.57Y，0.43Y，0.29Y，0.14Y，0.03Y或其他非整数值，其中Y表示流体分配端口间距，因此表示将与分配端口间距相乘的因子。这里描述的概念可以应用于其他分配端口间距和对应的偏移距离。在确定了偏移距离之后，逻辑元件54可以将信息传送到台或台控制器，使得基板12和流体分配端口302在偏移方向(Y方向)上相对于彼此移动偏移距离(50微米)。

在框662处，该工艺可以包括获得基板和流体分配端口相对于彼此的调整速度。用于获得调整速度的考虑因素和工艺与之前关于框622描述的相同。请注意，框622的调整速度可以与框662的调整速度相同或不同。此外，平移速度可以不针对框622和662中的一个进行调整，而针对块622和662中的另一个进行调整。另外，调整速度可以不用于框624和664中的两个分配操作。

在框664处，该方法可以包括在第二遍期间分配可成形材料以形成基板流体滴图案的第二部分。在第二遍期间，基板12和流体分配端口302可以调整速度在平移方向上相对于彼此移动。特别地，逻辑元件可以将关于调整速度的信息传送到台或台控制器，传送到流体分配头或流体分配控制器或其任何组合。调整速度是台(以及因此基板)和流体分配端口302相对于彼此的速度。图9包括在分配有第一遍和第二遍的流体滴的情况下的基板上的压印场的图示。流体滴中心沿着DEE的Y2线。在特定实施例中，流体滴位于DEE的X2和Y2线的交点处。来自第二遍的一些流体滴的中心可能或可能不沿着DEE的X1和X2线。沿着DEE的Y1线没有来自第二遍的流体滴的中心。

在框682，该方法可以包括使可成形材料与具有构图表面的模板接触。在一个实施例中，构图表面具有凸起和凹陷，并且在另一个实施例中，构图表面可以是毛坯(没有任何凸起或凹陷的平坦表面)。图10包括基板12、可成形材料34和模子20的部分的图示。左侧部分示出了与DEE的Y1线相邻的压印场的边缘，右侧部分示出了与DEE的Y2线相邻的压印场的边缘。模板的模子20与可成形材料34之间的接触引起模子20中的凹陷填充流体滴之间的间隙。流体滴的适当分配允许一些可成形材料从DEE的Y1和Y2线进一步流向压印场的边缘；然而，可成形材料34不会流过模子20的边缘。可成形材料34和模子20的边缘之间的间隙101和102被控制并保持相对较小。

在框684，该方法包括固化可成形材料以形成对应于模板的图案表面的构图层。固化可以通过暴露于电磁辐射来进行。在一个实施例中，电磁辐射可以是紫外辐射。在另一个实施例中，可成形材料可以使用热来固化。基板12上的构图层与模板的构图表面相比具有互补图案。沿构图层的凸起对应于模板的构图表面中的凹陷，并且构图层中的凹陷对应于沿着模板的构图表面的凸起。构图层中的凹陷是残留层的一部分。

在另一个实施例中，不同遍对于每一遍可以具有相同的图案，并且仅仅彼此偏移。图11包括分别用于第一遍和第二遍的调整的流体滴分配图案112和114以及使用图案112和114形成的基板流体滴分配图案116。调整的流体滴分配图案112和114具有相同的X方向流体滴间距和Y方向流体滴间距。调整的流体滴分配图案112和114是相同的，唯一的差别是偏移量。处理器54可将指令传送到流体分配系统32和台或台控制器，以将流体滴与调整的流体滴分配图案112对应地分配到基板上，使基板和流体分配端口302相对于彼此偏移，然后将流体滴与调整的流体滴分配图案114对应地分配到基板上，以获得基板流体滴分配图案116。在如图11所示的实施例中，沿着每一列，流体滴沿着相同的线布置，并且列具有相同的间距。然而，尽管调整的流体滴分配图案112和114中的每个具有间距相同的行，基板流体滴分配图案116的行具有间距不均匀的行。在来自第一遍的两个相邻流体滴行之间，在来自第一遍的这种相邻行之间的来自第二遍的流体滴的行与另一相邻行相比，更靠近相邻行之一。基板流体分配图案116具有沿着DEE的X1、X2、Y1和Y2线的流体滴的中心，因此将不具有非填充或挤出缺陷问题。

在另一组实施例中，可以在一遍期间形成沿着DEE的X1和Y1线的流体滴的中心，并且在随后的一遍期间可以形成沿着DEE的X2和Y2线的流体滴的中心。该方法参照图12至14进行描述。

根据这里描述的实施例，图12包括可用于形成压印光刻工艺的基板流体滴图案的方法的流程图，该基板流体滴图案包括分配流体滴的各个遍之间的偏移。该方法可以通过包括流体分配系统、台和逻辑元件的压印光刻装置来执行。在一个实施例中，流体分配系统具有限定线的流体分配端口302。流体分配系统还可以被配置为以预设的频率分配可成形材料的流体滴，以获得以预设最小间距或预设最小间距的整数倍在基板12上间隔开的流体滴。台、流体分配头或两者可适于在平移方向上相对于彼此移动。平移方向可以基本上平行于该线。逻辑元件可以包括硬件、固件、软件或其任何组合以执行本文描述的许多操作。在特定实施例中，逻辑元件可以是处理器54。基板12可以被放置在台上，并且在一个实施例中，基板12可以是半导体晶片。

该方法可以包括在图12中的框1202处的确定用于将可成形材料分配到基板上的流体滴图案。在该特定实施例中，可成形材料使用多于一遍来分配。在特定实施例中，沿平移方向(X方向)的预设最小间距或者预设最小间距的整数倍可允许流体滴的中心沿着DEE的X1和Y1线分配。

基板12被放置并保持在台上。在框1222处，该方法可以包括在第一遍期间分配可成形材料以形成流体滴图案的第一部分。在第一遍期间，基板12和流体分配端口302可以预设的速度在平移方向上相对于彼此移动。在特定实施例中，逻辑元件可以将关于预设的速度的信息传送到台或台控制器，传送到流体分配头或流体分配控制器或其任何组合。图13包括在用于第一遍的流体滴已经被分配之后的基板上的压印场的图示。流体滴中心沿着DEE的X1和Y1线。在特定实施例中，流体滴的中心可以位于DEE的X1和Y1线的交点处。

然而，如之前在图12中所描述和图示的那样，所述预设可限制在平移方向上分配并在DEE的X2线上分配流体滴的中心的能力，并且流体分配端口间距可限制在DEE的Y2线上分配流体滴中心的能力。流体滴的中心都没有沿着DEE的X2线或Y2线布置。

在框1242处，该方法还可以包括在第一遍期间分配可成形材料之后使流体分配端口和基板相对于彼此偏移。将在平移方向308和另一个方向上进行偏移。在特定实施例中，另一个方向基本上垂直于平移方向308。该偏移是将流体分配端口302定位成允许流体滴的中心沿着DEE的X2和Y2线分配。

作为例子，关于平移方向308(X方向)，对于装置10，预设最小间距可以是35微米。X2线和最近的流体滴列之间的距离可以是40微米，即35微米的1.14倍。显然，1.14不是35微米的预设最小间距的整数倍。先前的例子提供了一个具体的例子，并不意味着限制本发明的范围。预设最小间距的其他非整数值可以大于1.00，例如1.01X，1.5X，2.1X，3.7X；小于1.00并且包括0.97X，0.86X，0.71X，0.57X，0.43X，0.29X，0.14X，0.03X或其他非整数值，其中X表示预设最小间距，因此表示将与平移方向308上的偏移距离相乘的因子。

关于另一方向(所示实施例中的Y方向)，Y方向上的流体滴间距可以受限于装置的约束，例如，将流体分配端口302保持就位的流体分配头的构造。例如，Y方向上的流体滴间距可以是25微米。在该实施例中，DEE的距离Y2线和最靠近的流体滴的行不是Y方向上的流体滴间距的整数倍。为了获得沿着DEE的Y2线的流体滴中心，流体分配端口可以移动35微米的偏移距离。显然，35微米不是25微米的流体分配口间距的整数倍。因此，基板12和流体分配端口302可以在Y方向上相对于彼此移动35微米的距离。先前的例子提供了一个具体的例子，并不意味着限制本发明的范围。速度的其他非整数值可以大于1.00，例如1.01Y，1.5Y，2.1Y，3.7Y；小于1.00并且包括0.97Y，0.86Y，0.71Y，0.57Y，0.43Y，0.29Y，0.14Y，0.03Y或其他非整数值，其中Y表示Y方向上的流体滴间距，因此表示将与这种间距相乘以获得Y方向上的偏移距离的因子。这里描述的概念可以应用于其他分配端口间距和对应的偏移距离。

参照图13的实施例，执行偏移以使基板和流体分配端口在平移方向(X方向)上相对于彼此移动作为预设最小间距的非整数倍的距离，并且在另一个方向(Y方向)上移动作为流体分配端口间距的非整数倍的距离。例如，参照图13中最右侧列的流体滴，流体分配端口可沿平移方向308(X方向)移动作为35微米(预设最小间距)的非整数倍的30微米，并且在另一方向(Y方向)移动作为25微米(流体分配端口间距)的非整数倍的40微米。具体值只是提供一个具体的例子而不是限制本发明的范围。在另一个实施例中，偏移量可以具有其他值，例如，在任一方向上的最佳工作间距(例如X方向上的40微米或Y方向上的35微米)。如果考虑到装置如何正常配置(例如，流体分配端口间距)并且操作(例如，预设最小间距)，只要在任何特定方向上的偏移量都是间距的非整数倍，则其他值的偏移量也是可能的。

在框1262处，该方法可以包括在第二遍期间分配可成形材料以形成流体滴图案的第二部分。在第二遍期间，基板和流体分配端口302可以预设的速度在平移方向上相对于彼此移动。特别地，逻辑元件可以将关于预设速度的信息传送到台或台控制器，传送到流体分配头或流体分配控制器，或其任何组合。图14包括基板上具有来自第一遍和第二遍的流体滴的压印场的图示。在第二遍期间分配的流体滴中心沿着DEE的X2和Y2线。在特定实施例中，流体滴位于DEE的X2和Y2线的交点处。来自第二遍的流体滴中心没有沿着DEE的X1或Y1线布置。在特定实施例中，流体滴图案在X1和Y1线的交点处和在X2和Y2线的交点处具有流体滴的中心；然而，流体滴的中心不在X2和Y1线的交点处，或者不在X1和Y2线的交点处。

在框1282处，该方法可以包括使可成形材料与模板接触。在一个实施例中，模板可以具有构图表面，该构图表面具有凸起和凹陷，并且在另一个实施例中，构图表面可以是毛坯(没有任何凸起或凹陷的平坦表面)。如前所述，图10包括基板12、可成形材料34和模子20的部分的图示。模板的模子20和可成形材料34之间的接触导致模子20中的凹陷填充并填充流体滴之间的间隙。流体滴的适当分配允许一些可成形材料从DEE的X1、X2、Y1和Y2线进一步流向压印场的边缘；然而，可成形材料34不会流过模子20的边缘。可成形材料34和模子20的边缘之间的间隙101和102被控制并保持相对较小，使得未填充的缺陷不会发生，并且可成形材料34不会形成挤出缺陷。

在框1284，该方法包括固化可成形材料以形成与模板的图案表面对应的构图层。固化可以通过暴露于电磁辐射来进行。在一个实施例中，电磁辐射可以是紫外辐射。在另一个实施例中，可成形材料可以使用热来固化。基板12上的构图层与模板的构图表面相比具有互补图案。沿构图层的凸起对应于模板的构图表面中的凹陷，并且构图层中的凹陷对应于沿着模板的构图表面的凸起。构图层中的凹陷是残留层的一部分。

在另一个实施例中，流体分配图案可以采取许多不同的形状。示例性图案包括矩形、网格图案、菱形图案，另一种合适的图案或其任何组合。

在特定实施例中，逻辑元件可以是处理器54。逻辑元件可以在装置的不同部分之间分开。例如，逻辑元件的一些操作可以由处理器54执行，并且逻辑元件的其他操作可以由台控制器、流体分配头控制器等执行。此外，可以传送信息以执行在此描述的动作。信息可以是要执行的指令、信号、脉冲等的形式。台16、流体分配系统32或两者可以包括控制器，该控制器可以对从处理器54接收的指令起作用。在另一个实施例中，台16、流体分配系统32可以响应于接收到的模拟信号。例如，信息可以是特定的直流电压或光脉冲。在阅读本说明书之后，本领域技术人员将能够配置压印光刻装置以满足装置内的设备的需要或期望。因此，实施例的描述不限制本发明的范围。

在阅读本说明书之后，本领域技术人员将认识到，可以形成许多其他流体滴图案，并且仍然允许流体滴的中心沿着DEE的X1、X2、Y1和Y2线具有中心。基板12和流体滴分配端口302相对于彼此的偏移可以在不显著影响正确地填充模板中的凹陷的能力的情况下执行。此外，可以使用多于两遍来获得沿着DEE的X1、X2、Y1和Y2线的流体滴。在完成所有遍之后，流体滴图案将具有沿着DEE的X1、X2、Y1和Y2线布置的流体滴中心。

与其中分配可成形材料而不使用偏移的对应的构图层相比，根据本文实施例形成的构图层具有更少的缺陷。更具体地，已经发现，与具有最靠近压印场边缘的流体滴的行和列的对应的构图层相比，根据本文的实施例形成的构图层具有更少的缺陷，这样的流体滴的中心并不位于相对于DEE的适当位置。在没有偏移的情况下，当最靠近压印场边缘的流体滴的中心更靠近中心区域时，可能在与Y2线对应的压印场的边缘处形成不充分的可成形材料，并且非填充缺陷更可能出现。当最靠近压印场边缘的流体滴中心太靠近压印场的边缘时，可成形材料可能流过模板的边缘，并且更可能出现挤出缺陷。因此，偏移允许良好的填充特性并降低非填充缺陷和挤出缺陷的可能性。

请注意，并非所有在一般性描述或示例中描述的活动都是必需的，特定活动的一部分可能不是必需的，并且除了所描述的那些之外还可以执行一个或多个另外的活动。更进一步，活动列出的顺序不一定是它们的执行顺序。

以上关于具体实施例描述了益处、其他优点和问题的解决方案。然而，可能导致任何益处、优点或解决方案发生或变得更明显的益处、优点、问题的解决方案以及任何特征都不应被解释为任何或所有权利要求的关键的、必需的或必要的特征。

这里描述的实施例的说明书和图示旨在提供对各种实施例的结构的总体理解。说明书和图示不旨在用作对使用在此描述的结构或方法的装置和系统的所有元件和特征的详尽和全面的描述。不同的实施例也可以在单个实施例中组合提供，相反地，为了简洁起见而在单个实施例的情境中描述的各种特征也可以分开提供或以任何子组合提供。此外，对范围中所述的值的提及包括该范围内的每个值。只有在阅读本说明书之后，许多其他实施例才能对本领域技术人员显而易见。可以使用其他实施例并从本公开导出它们，使得可以在不脱离本公开的范围的情况下进行结构替换、逻辑替换或其他改变。因此，本公开被认为是说明性的而不是限制性的。

Claims (10)

1.一种用于压印光刻的装置，包括：

具有流体分配端口的流体分配系统；

台，其中，台、流体分配端口或者台和流体分配端口的组合适于使基板和流体分配端口相对于彼此移动；以及

逻辑元件，被配置为：

确定用于将可成形材料分配到基板上的流体滴图案；

传送用于在第一遍期间将可成形材料分配到基板上以形成用于压印场的流体滴图案的第一部分的信息，其中基板和流体分配端口在平移方向上相对于彼此移动；

传送用于在除了所述平移方向之外的另一方向上相对于彼此偏移基板和流体分配端口的信息，其中，所述装置被配置成在执行用于在第一遍期间分配可成形材料的指令之后偏移流体分配端口；并且

传送用于在第二遍期间将可成形材料分配到基板上以形成用于压印场的流体滴图案的第二部分的信息，其中，所述装置被配置为在执行相对于彼此偏移基板和流体分配端口的指令之后在第二遍期间分配可成形材料。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，相对于彼此偏移基板和流体分配端口的信息不包括在平移方向上偏移基板和流体分配端口的信息。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，相对于彼此偏移基板和流体分配端口的信息还包括在平移方向上相对于彼此偏移基板和流体分配端口的信息。

4.根据权利要求3所述的装置，其中：

流体分配系统还被配置为以预设的频率分配可成形材料的流体滴，以便当基板和流体分配端口沿着平移方向以预设的速度相对于彼此移动时获得以预设最小间距在基板上间隔开的滴；

在第一遍、第二遍或者第一遍和第二遍中的每一遍期间分配可成形材料的信息包括用于分配可成形材料以使得平移方向上的流体滴间距是预设最小间距或预设最小间距的整数倍的特定信息；以及

相对于彼此偏移基板和流体分配端口的信息包括特定信息，在该特定信息中在平移方向上使基板和流体分配端口相对于彼此偏移是对于平移偏移距离执行的，该平移偏移距离是预设最小间距的非整数倍。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的装置，其中：

流体分配端口被配置为沿着基本上垂直于平移方向的线以对应的间距分配流体滴；并且

用于在另一个方向上相对于彼此偏移基板和流体分配端口的信息是针对作为所述对应的间距的非整数倍的偏移距离执行的。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的装置，其中：

用于在第一遍期间将可成形材料分配到基板上的信息包括用于沿着下落边缘禁区的Y1线分配可成形材料的流体滴的信息；并且

用于在第二遍期间将可成形材料分配到基板上的信息包括用于沿着下落边缘禁区的Y2线分配可成形材料的流体滴的信息。

7.一种产生用于压印光刻工艺的基板流体滴图案的方法，所述方法包括：

提供具有流体分配端口的流体分配系统；

确定用于将可成形材料分配到基板上的虚拟流体滴图案；

在第一遍期间，将可成形材料分配到基板上以形成用于压印场的基板流体滴图案的第一部分，其中基板流体滴图案对应于虚拟流体滴图案，并且基板和流体分配端口在平移方向上相对于彼此移动；

在除了所述平移方向之外的另一方向上相对于彼此偏移基板和流体分配端口，其中，相对于彼此偏移基板和流体分配端口是在第一遍期间分配可成形材料之后执行的；以及

在第二遍期间，将可成形材料分配到基板上以形成用于压印场的基板流体滴图案的第二部分，其中在第二遍期间分配可成形材料是在相对于彼此偏移基板和流体分配端口之后执行的。

8.根据权利要求7所述的方法，其中：

流体分配端口被配置为沿着基本上垂直于平移方向的线以对应的间距分配流体滴；并且

相对于彼此偏移基板和流体分配端口包括在其他方向上使基板和流体分配端口相对于彼此偏移作为所述对应的间距的非整数倍的偏移距离。

9.根据权利要求7所述的方法，其中：

提供流体分配系统还包括提供具有流体分配端口的流体分配系统，所述流体分配端口被配置为沿着基本上垂直于平移方向的线以对应的间距分配流体滴，该流体分配系统还被配置为以预设的频率分配可成形材料的流体滴，以便当基板和流体分配端口沿着基本上垂直于所述线的平移方向以预设的速度相对于彼此移动时获得以预设最小间距在基板上间隔开的滴；

确定虚拟流体滴图案包括：

确定用于将可成形材料分配到基板上的预定义的流体滴图案，所述预定义的流体滴图案部分地基于压印光刻模板的图案，

并且，其中，所述预定义的流体滴图案表示当基板和流体分配端口沿着横向方向以预设速度相对于彼此移动时以预设最小间距或预设最小间距的整数倍在基板上间隔开的流体滴；以及

基于所述预定义的流体滴图案来确定调整后的流体滴图案，

其中，所述调整后的流体滴图案表示以预设最小间距的非整数倍间隔开的流体滴，并且所述调整后的流体滴图案是虚拟的流体滴图案；

所述方法还包括确定基板和流体分配端口相对于彼此的调整速度以产生在第一遍和第二遍期间形成的基板流体滴图案，其中在第一遍、第二遍或者第一遍和第二遍中的每一遍期间所述调整速度不同于预设速度；以及

在第一遍、第二遍或者第一遍和第二遍中的每一遍期间，在平移方向上以所述调整速度相对于彼此移动基板和流体分配端口，并且以预设的频率通过流体分配端口分配可成形材料。

10.一种制造物品的方法，所述方法包括：

提供具有流体分配端口的流体分配系统；

确定用于将可成形材料分配到基板上的流体滴图案；

在第一遍期间将可成形材料分配到基板上以形成用于压印场的流体滴图案的第一部分，其中基板和流体分配端口在平移方向上相对于彼此移动；

在除了所述平移方向之外的另一方向上相对于彼此偏移基板和流体分配端口，其中，相对于彼此偏移基板和流体分配端口是在第一遍期间分配可成形材料之后执行的；

在第二遍期间，将可成形材料分配到基板上以形成用于压印场的流体滴图案的第二部分，其中在第二遍期间分配可成形材料是在相对于彼此偏移基板和流体分配端口之后执行的；

使可成形材料与具有表面的模板接触；以及

固化可成形材料以形成与模板的表面相对应的层。