流體液滴方法及壓印微影設備
[0001] 本發明是有關於壓印微影，更具體地是有關於用於壓印微影應用之流體液滴圖案化。
[0002] 在電子裝置之製造中，壓印微影設備和製程在半導體晶圓上形成奈米尺度圖案是有用的。此種設備和製程可包括用於沉積可成形材料（例如，可聚合材料，諸如使用如流體液滴分配之技術在晶圓上的樹脂或抗蝕劑）之流體分配系統。分配的材料與具有期望的圖案特徵之壓印模板（或模）接觸，然後接著固化而在晶圓上形成圖案化層。模板特徵填充率和相關缺陷部分取決於模板圖案特徵密度和方向以及液滴圖案配置（包括流體液滴間距）。 [0003] 傳統的流體分配系統允許對液滴間間距進行一些調整，然而，它們通常具有限制這種調整的程度的限制。流體分配系統包括具有流體分配埠間距的流體分配埠，其判定與流體分配埠間距相同方向上的流體液滴間距。因此，在不更換流體分配頭的情況下，沒有或有限的能力來調整流體分配埠間距。因此，繼續存在對液滴圖案製程的產業需求，其更精細地調節並且不受分配器限制的限制。
[0004] 在態樣中，設備可被用於壓印微影製程。用於壓印微影之該設備可包括： 流體分配系統，其具有流體分配埠； 平台，其中該平台、該些流體分配埠或該平台和該些流體分配埠之組合適於使基板和該些流體分配埠相對於彼此移動；以及 邏輯元件，被組態以： 判定用於在基板上分配可成形材料之流體液滴圖案； 傳輸用以在第一行程期間使該可成形材料分配到該基板上而形成用於壓印場的該流體液滴圖案之第一部分的資訊，其中該基板和該些流體分配埠在位移方向上相對於彼此移動； 傳輸用以在該位移方向之外的另一方向上使該基板和該些流體分配埠相對於彼此偏移的資訊，其中設備組態以在執行該第一行程期間分配該可成形材料之指令之後偏移該些流體分配埠；以及 傳輸用以在第二行程期間使該可成形材料分配到該基板上以形成用於該壓印場的該流體液滴圖案之第二部分的資訊，其中設備組態以在執行使該基板和該些流體分配埠相對於彼此偏移的指令之後在該第二行程期間分配該可成形材料。 [0005] 於一實施例中，用以使該基板和該些流體分配埠相對於彼此偏移的該資訊不包括用以在該位移方向上偏移該基板和該些流體分配埠的資訊。 [0006] 於另一實施例中，用以使該基板和該些流體分配埠相對於彼此偏移的該資訊更包含用以在該位移方向上使該基板和該些流體分配埠相對於彼此偏移的資訊。 [0007] 於特定實施例中， 該流體分配系統更組態以預設頻率分配該可成形材料之流體液滴，以便當該基板和該些流體分配埠沿著該位移方向以預設速度相對於彼此移動時以預設最小間距在該基板上實現間隔開的液滴； 用以在該第一行程、第二行程或該第一和第二行程的每一者期間分配該可成形材料的資訊包含用以分配該可成形材料的特定資訊，使得在該位移方向上的該流體液滴間距為該預設最小間距或該預設最小間距的整數倍；以及 用以使該基板和該些流體分配埠相對於彼此偏移的該資訊包含特定資訊，其中在該位移方向上，該基板和該些流體分配埠相對於彼此偏移被執行用於該預設最小間距的非整數倍的位移偏移距離。 [0008] 於另一實施例中，該些流體分配埠組態以沿著實質上垂直於該位移方向的線以相應的間距分配流體液滴，以及用以在該其它方向上使該基板和該些流體分配埠相對於彼此偏移的該資訊係以該相應的間距之非整數倍執行偏移距離。 [0009] 在一進一步實施例中，用以在該第一行程期間分配該可成形材料在該基板上的該資訊包含沿著液滴邊緣排除區之Y1線分配該可成形材料之流體液滴的資訊，以及用以在該第二行程期間分配該可成形材料在該基板上的該資訊包含用以沿著該液滴邊緣排除區之Y2線分配該可成形材料之流體液滴的資訊。 [0010] 在另一態樣中，方法可被用來產生用於壓印微影製程之基板流體液滴圖案。該方法可包括： 提供流體分配系統，其具有流體分配埠； 判定用於在基板上分配可成形材料之虛擬流體液滴圖案； 在第一行程期間使該可成形材料分配到該基板上以形成用於壓印場的該基板流體液滴圖案的第一部分，其中該基板流體液滴圖案相應於該虛擬流體液滴圖案，以及該基板和該些流體分配埠在位移方向上相對於彼此移動； 在該位移方向之外的另一方向上使該基板和該些流體分配埠相對於彼此偏移的資訊，其中在該第一行程期間分配該可成形材料之後，執行該基板和該些流體分配埠相對於彼此偏移；以及 在第二行程期間使該可成形材料分配到該基板上以形成用於該壓印場的該基板流體液滴圖案的第二部分，其中在執行使該基板和該些流體分配埠相對於彼此偏移之後在該第二行程期間分配該可成形材料； [0011] 於一實施例中，該些流體分配埠組態以沿著實質上垂直於該位移方向的線以相應的間距分配流體液滴，以及使該基板和該些流體分配埠相對於彼此偏移包含在該其它方向上以該相應的間距之非整數倍的偏移距離使該基板和該些流體分配埠相對於彼此偏移。 [0012] 於另一實施例中： [0013] 提供該流體分配系統更包含提供具有組態以在沿著實質上垂直於該位移方向之線上的相應的間距處分配流體液滴的該些流體分配埠之該流體分配系統，該流體分配系統更組態以當該基板和該些流體分配埠以預設速度沿著在實質上垂直於該線之該位移方向上相對於彼此移動時，以預設頻率分配該可成形材料之該流體液滴，以在該基板上實現以預設最小間距之間隔開的液滴； 判定虛擬流體液滴圖案包括： 判定用於將可成形材料分配到該基板上的預設流體液滴圖案，該預設流體液滴圖案部分基於壓印微影模板之圖案，以及其中在該基板與該些流體分配埠以該預設速度沿著該橫向方向相對於彼此移動時，該預設流體液滴圖案係代表在該基板上以該預設最小間距或其整數倍間隔開之該基板上的流體液滴；以及 基於該預設流體液滴圖案判定調整的流體液滴圖案，其中該調整的流體液滴圖案係代表以該預設最小間距的非整數倍間隔開的流體液滴，並且該調整的流體液滴圖案為該虛擬流體液滴圖案； 該方法更包含判定該基板和該些流體分配埠相對於彼此的調整速度以產生在該第一和第二行程期間形成的該基板流體液滴圖案，其中該調整的速度不同於在該第一行程、該第二行程或該第一和第二行程的每一者期間的該預設速度；以及 在該第一行程、該第二行程或該第一和第二行程的每一者期間，以該調整的速度在該位移方向上使該基板和該些流體分配埠相對於彼此移動，並且以該預設頻率透過該些流體分配埠分配該可成形材料。 [0014] 在進一步態樣中，方法可被用來製造物體。該方法可包括： 提供流體分配系統，其具有流體分配埠； 判定用於在基板上分配可成形材料之流體液滴圖案； 在第一行程期間使該可成形材料分配到該基板上以形成用於壓印場的該流體液滴圖案的第一部分，其中該基板和該些流體分配埠在位移方向上相對於彼此移動； 在該位移方向之外的另一方向上使該基板和該些流體分配埠相對於彼此偏移的資訊，其中在該第一行程期間分配該可成形材料之後，執行該基板和該些流體分配埠相對於彼此偏移； 在第二行程期間使該可成形材料分配到該基板上以形成用於該壓印場的該流體液滴圖案的第二部分，其中在使該基板和該些流體分配埠相對於彼此偏移之後，執行在該第二行程期間分配該可成形材料； 使該可成形材料與具有表面之該模板接觸；以及 固化該可成形材料，以形成相應於該模板之該表面的層
[0030] 提供以下結合附圖的敘述以幫助理解在本文中揭露的教示。以下討論將集中於具體實施方式和實施例的教示。提供這個重點是為了幫助敘述教示，不應該被解釋為對教示的範圍或適用性的限制。 [0031] 流體液滴圖案可以指物理上存在或將存在的實際圖案或者可以是流體液滴圖案的電腦產生之表示的虛擬圖案。用語「基板流體液滴圖案」指的是形成在基板上之流體液滴的特定實際圖案。「調整的流體液滴圖案」指的是特定虛擬液滴圖案，以及於一實施例中，此種虛擬液滴圖案可相應於當使用調整的流體液滴圖案時產生的基板流體液滴圖案。 [0032] 用語「間距」旨在表示從特徵的中心到下一個相鄰特徵的中心之距離。對於流體液滴圖案，間距是從液滴的中心到下一個相鄰液滴的中心之距離。在笛卡爾坐標中，二維圖案（從俯視圖或平面圖看到的圖案）可以具有相應於在X方向（X方向間距）測量之特徵的中心之間的距離之X方向上的間距，以及相應於在Y方向（Y方向間距）測量之特徵的中心之間的距離之Y方向上的間距。X方向間距可以相同或不同於Y方向間距。 [0033] 如本文中所使用的，速度和運動可以在相對基礎上進行敘述。例如，物體A和物體B相對於彼此移動。此種術語旨在涵蓋物體A正在移動，而物體B沒有；物體A不移動，物體B移動；物體A和B都在移動。 [0034] 除非另外定義，否則本文使用的所有技術和科學用語具有與本發明所屬領域之具有通常知識者通常理解的相同的含義。材料、方法和範例僅是說明性的而不是限制性的。對於本文中未敘述的範圍而言，有關於具體材料和處理動作的許多細節是習知的並且可以在壓印和微影技術領域中的教科書和其它來源中找到。 [0035] 在壓印微影中，需要以控制方式分配可成形材料，以確保適當量的可成形材料分配在基板上的正確位置和面積密度。最靠近壓印場邊緣的流體液滴的中心被放置成使得在壓印操作期間適量的可成形材料可以流向壓印區的邊緣。如果流體液滴太靠近邊緣，則可成形材料的一部分可能流過壓印微影模板的邊緣，以及可成形材料的這一部分在固化操作期間可能導致擠壓缺陷。擠壓缺陷可能黏著在微影模板上並導致在下一個壓印場中壓印出擠壓缺陷。如果流體液滴離邊緣太遠，則可能會發生模板特徵的不完整填充。這種缺陷被稱為「非填充」缺陷，並轉化為圖案轉移時特徵的損失。擠壓缺陷和非填充缺陷是不期望的。 [0036] 液滴邊緣排除區（DEE）是指在基板流體液滴圖案周圍的排除，以在壓印場的邊緣附近獲得適量的可成形材料，這降低了以下可能性：（1）可成形材料將流過壓印微影模板的邊緣，並且（2）將發生非填充缺陷。圖1示出具有適當的DEE的理想化的基板流體液滴圖案。壓印場可以沿著X方向和Y方向以笛卡爾坐標表示。沿著最靠近左側的行的流體液滴的中心位於距離左側邊緣的距離X1的線上，以及沿著最靠近右側的行的流體液滴的中心位於距離右側邊緣的距離X2的線上。沿著最靠近壓印場之底部的行的流體液滴的中心位於距離底部邊緣的距離Y1的線上，以及沿著最靠近壓印場之頂部的行的流體液滴的中心位於距離頂部邊緣的距離Y2的線上。這樣的線在本文中被稱為DEE的X1線、X2線、Y1線和Y2線。在圖1中，流體液滴在X方向和Y方向上皆具有一致的間距。 [0037] 在實踐中，正確的DEE很難獲得。圖2包括其中基板流體液滴圖案具有沿著X1和Y1線的流體液滴中心但不具有沿著DEE的X2和Y2線的流體液滴中心的圖解。與圖1相比，圖2中的基板流體液滴圖案在沿著壓印場的頂部和右側邊緣具有顯著更高的非填充缺陷的風險。如果多餘的列或行在圖2中相同的間距處沿著壓印場的頂部或右側分配，則可成形材料將太靠近壓印場的邊緣。這樣的基板流體液滴圖案具有明顯更高的風險，即可成形材料將流出的微影壓印模板的邊緣並導致擠壓缺陷。 [0038] 關於X方向，流體分配頭（以及操作它的控制軟體）具有可以限制流體分配系統的靈活性的預設參數（以下稱為「預設」）。流體分配頭具有預設的觸發頻率和流體分配頭可以按照預設移動的預設速度。本文中所使用的「預設最小間距」為當基板和流體分配埠以預設速度彼此相對移動時以預設觸發頻率分配的兩個直接相鄰的液滴的中心之間的距離，在圖3所示的實施例中係在X方向上。軟體控制難以具有預設最小間距的非整數倍。因此，可以基於相應的X-Y網格上的位置產生有限數量的流體液滴圖案。因此，軟體控制簡單地判定最接近預設最小間距的整數倍。然而，圖2中的X1和X2線之間的距離可以是預設最小間距的非整數倍。因而，流體分配系統形成不太理想的液滴圖案。 [0039] 在這說明書中，解決了引起流體分配埠間距之問題的解決方案。在圖2中，流體分配埠間距係在Y方向上。流體分配埠和基板在分配可成形材料之不同行程之間相對於彼此偏移。說明書將簡要地提出這些問題和解決方案，以允許液滴的中心沿著DEE的X1、X2、Y1和Y2線分配。 [0040] 在結合附圖閱讀本說明書之後，關於設備和方法的細節將更好地理解。下面的敘述旨在說明實施例而不是限制本發明之範圍，本發明之範圍係定義在所附申請專利範圍中。 [0041] 參照圖式（特別是圖3），根據文中所述之實施例的微影系統10可被用於在基板12上形成凹凸圖案。基板12可耦合至基板夾具14。如圖所示，基板夾具14為真空夾具；然而於其他實施例中，基板夾具14可為任何包括真空、針型、凹槽型、靜電、電磁等的任何夾具。示例性夾具敘述於美國專利號6,873,087，在此通過引用將其全部內容併入本文。基板12和基板夾具14可以進一步由平台16支撐。平台16可以提供沿X、Y或Z方向的平移或旋轉運動。平台16、基板12和基板夾具14也可以定位在基座（未示出）上。 [0042] 與基板12間隔開的是模板18。模板18可以包括具有第一側和第二側的本體，一側具有從其朝向基板12延伸的台面20。台面20有時被稱為模具20。於一實施例中，模板18可以在沒有台面20的情況下形成。 [0043] 模板18或模具20可由熔融矽、石英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、硼矽酸鹽玻璃、氟碳聚合物、金屬、硬化藍寶石、其他類似材料或其任何組合。模板18和模具20可以包括單件結構。或者，模板18和模具20可以包括耦合在一起的分離組件。如圖所示，圖案化表面22包括由間隔開的凹陷24和突起26定義的特徵。本發明不旨在限於這種配置（例如，平面表面）。圖案化表面22可定義任何原始圖案，其形成待形成在基板12上的圖案的基礎。於另一實施例中，圖案化表面22可以是空白的，也就是說，圖案化表面22不具有任何凹陷或凸起。 [0044] 模板18可以耦合到夾具28。夾具28可被組態為真空、針型、凹槽型、靜電、電磁或另一類似夾具類型。示例性夾具進一步敘述於美國專利號6,873,087中。於一實施例中，夾具28可耦合至壓印頭30，使得夾具28和壓印頭30可促進模板18的移動。 [0045] 微影系統10可進一步包括用於在基板12上沉積可成形材料34的流體分配系統32。例如，可成形材料可包括可聚合材料，例如樹脂。可成形材料34可以使用諸如液滴分配、旋轉塗佈、浸塗、化學氣相沈積（CVD）、物理氣相沈積（PVD）、薄膜沉積、厚膜沉積或它們的組合之技術以一或多層定位在基板12。根據設計考慮，可成形材料34可以在模具20和基材12之間定義期望體積之前或之後分配在基板12上。例如，可成形材料34可以包括如美國專利號7,157,036和美國專利號8,076,386中所述的單體混合物這兩篇文獻的全文以引用方式併入本文。 [0046] 參照圖3和4，微影系統10可進一步包括沿著路經42耦合至直接能源40的能源38。壓印頭30和平台16可被組態以將模板18和基板12與路徑42疊置。微影系統10可以由與平台16、壓印頭30、流體分配系統32或源38通訊的邏輯元件54來調節，並且可以在可選地儲存在記憶體56中的電腦可讀取程式上操作。 [0047] 於一實施例中，壓印頭30、平台16或壓印頭30和平台16二者都改變模具20與基板12之間的距離，以在由可成形材料34填充的期間定義其間的期望體積。例如，壓印頭30可以向模板19施加力，使得模具20接觸基板12上的可成形材料34。當期望體積以可成形材料34填充之後，源38可產生能量40（例如，紫外線輻射）使得可成形材料34以固化或交聯，從而符合定義基板12上之圖案化層46的基板12和圖案化表面22之表面44的形狀。圖案化層46可包括圖示為突起50和凹陷52的特徵，其中突起50具有厚度t1
，凹陷52相應於具有厚度t2
的殘餘層，其為殘餘層厚度（RLT）。 [0048] 在低缺陷密度下的高產量是壓印微影製程中的重要考慮因素。當採用將可成形材料施加到基板12的液滴分配方法時，壓印製程循環通常包括（1）將可成形材料之流體液滴分配（或沉積）在基板表面上，（2）使模板與流體液滴接觸，使得流體擴散並填充模板圖案化表面的形貌，（3）固化（例如光固化）流體，以及（4）將模板與基板12分離，在基板表面上留下具有模板圖案的凹凸圖像的可成形材料的固化層。在基板表面上分配可成形材料的流體液滴並適當填充模板18的圖案是壓印循環時間的主要貢獻者，並且從而是產量的主要貢獻者。特定的模板圖案可能需要基板12相對於壓印頭30的多次行程。也就是說，基板12和壓印頭30必須多次相對於彼此平移。例如，當模板具有緻密特徵圖案或者需要相鄰液滴的特定圖案被定位更靠近在一起時，多次分配行程是常見的。用以減少分配時間的方法和系統根據一或多個文中所述之實施例敘述。 [0049] 分配期間，可成形材料之流體液滴從流體分配系統32分配，以在基板表面44上建立流體液滴之圖案。流體液滴圖案可被判定，使得在基板上的流體液滴之總體積匹配期望的流體液滴圖案之總體積。除了匹配所需流體液滴圖案的總體積之外，可能希望匹配所需流體液滴圖案的局部體積。因此，可以在需要更大體積的可成形材料之基板12的區域中分配更大體積的流體。 [0050] 可用的噴墨系統可被調整以分配體積在0.1至10微微升（pL）或更大的範圍內的可成形材流體液滴，0.9pL為示例性流體液滴的體積。流體液滴可以藉由壓印頭30和基板12相對於彼此的一或多個行程形成的圖案分配。示例性型態包括矩形、網格圖案、鑽石圖案、另一合適圖案或它們的組合。 [0051] 參照圖5，流體分配系統32可包括流體分配埠302。如圖所示，流體分配系統32包括六個流體分配埠302a、302b、302c、302d、302e和302f；然而，流體分配埠302可以小於或大於六個，諸如（例如）至少兩個流體分配埠、至少三個流體分配埠、至少四個流體分配埠、至少五個流體分配埠、至少十個流體分配埠或至少二十個流體分配埠。於一實施例中，流體分配埠302可包括一組至少三個流體分配埠（例如，流體分配埠302a、302b和302c）。流體分配埠302係組態以沿著實質上垂直於位移方向的線304以相應的間距分配流體液滴310。在可成形材料的習知分配操作中，Y方向間距藉由相鄰流體分配埠的中心之間的距離和關於壓印場之取向而被固定。 [0052] 流體分配系統32和位於其下方（例如，在基板12或基板夾具14上）的表面306可以在位移方向上（由箭頭308所示）相對於彼此移動。流體液滴（包括流體液滴310a和310b）可以從流體分配埠302在列和行中分配到表面306上。 [0053] 流體分配頭（以及操作它的控制軟體）具有可以限制流體分配系統的靈活性的預設參數（以下稱為「預設」）。流體分配頭具有預設的觸發頻率，當基板12以預設速度掃描速度在X方向上位移時其被編程以產生預設最小間距（於所示的實施例中的X方向間距）。軟體控制難以具有預設最小間距的非整數倍。因此，可以基於相應的X-Y網格上的位置產生有限數量的流體液滴圖案。因此，軟體控制簡單地判定最接近預設最小間距的整數倍。例如，流體分配系統在35微米的X方向上可具有預設最小間距。對於基於整數倍的流體液滴圖案，對於X方向上的流體液滴節距可允許的整數值包括35微米、70微米、105微米等。 [0054] 設備之流體分配埠間距和預設的限制可形成不太理想的液滴圖案。基板12和流體分配埠302相對於彼此的初始對準允許最靠近壓印場邊緣的流體液滴的中心位於沿著DEE之X1和Y1線。一個問題是獲得沿著DEE之X2和Y2線的液滴中心，諸如圖2所示。 [0055] 如下面將更詳細地敘述的，流體液滴圖案可以在至少兩個行程之間形成，其中在兩個行程之間，當基板和流體分配埠相對於彼此移動時，基板和流體分配埠302在位移方向308之外的方向上相對於彼此偏移。在一個實施例中，所述方向可以實質上垂直於位移方向308。在參照圖6至圖11所示和所述的第一組實施例中，基板和流體分配埠302在位移方向308移動以產生位移方向上的流體液滴間距，其為此種間距的非整數倍。在參照圖12至圖14所示和所述的另一實施例中，基板和流體分配埠302沿位移方向308移動以在位移方向上產生流體液滴間距，所述位移方向是預設最小間距或其整數倍。在分配可成形材料的行程之間，流體分配埠302可以在位移方向308上偏移位移偏移距離，並且其它方向（例如，在實質上垂直於位移方向308的方向上）偏移另一偏移距離。偏移距離可為相應的間距的非整數倍。於另一實施例中，所述其它方向不需要實質上垂直於位移方向308。如本文所使用的，實質上垂直意味著垂直±10°，以及實質上平行意味著平行±10°。 [0056] 如參照圖6至圖11所述的方法可用於在行程期間沿著DEE的X1、X2和Y1線提供流體液滴的中心，並在隨後的行程期間沿著DEE的Y2線提供流體液滴的中心。關於在圖6中的製程流程提供了關於偏移的更多細節。 [0057] 關於DEE的X2線，設備的預設可在X方向上提供具有預設最小間距的預設流體液滴圖案，其可藉由調整基板12之位移速度（X方向）而呈現調整的流體分配頭圖案。於一實施例中，軟體控制可判定具有預設最小間距之最佳基於整數的液滴圖案，並且接著將平台、流體分配頭或兩者設定為位移速度（結合流體分配系統之觸發頻率） 以實現基板流體液滴圖案相應於調整的流體液滴圖案，其與預設的液滴圖案相比更接近理想的液滴圖案（在位移速度的調整之前）。調整的流體液滴圖案係基於預設最小間距的非整數倍。關於圖7提供了有關於調整的流體液滴圖案的更多細節。 [0058] 根據文中所述的實施例，圖6包括可用於形成壓印微影製程之基板流體液滴圖案的方法之流程圖。所述方法以關於圖3中的設備10和圖5中的流體分配埠302進行敘述。所述方法可以藉由包括流體分配系統、平台和邏輯元件之壓印微影設備來執行。在一個實施例中，流體分配系統具有沿線排列的流體分配埠302。流體分配系統可進一步組態以用預設頻率分配可成形材料之流體液滴，以實現在基板12上預設最小間距之間隔開的液滴。平台16、流體分配埠302或平台16和流體分配埠302的組合可適於在位移方向308上相對於彼此移動。位移方向308可以實質上垂直於線304。邏輯元件可以包括硬體、韌體、軟體或其任何組合以執行文中所述的許多操作。於特定實施例中，邏輯元件可以是處理器54。基板12可以放置在平台上，並且在一實施例中，基板12可以是半導體晶圓。 [0059] 在圖6中的方塊602。所述方法可包括判定用於分配可成形材料在基板上的流體液滴圖案。在這特定實施例中，可成形材料使用一或多個行程分配。於特定實施例中，在位移方向（X方向）的預設最小間距可允許流體液滴之中心沿著DEE的X1和Y1線分配。然而，如前面在圖2中所述和所示，所述預設可能限制在位移方向上分配以及在DEE的X2線上分配液滴的中心的能力。因此，可能需要對分配進行一些調整。在方塊622，製程可包括獲得基板12和流體分配埠相對於彼此的調整速度，其相對於圖7更詳細地闡述。在閱讀本說明書之後，技術人員將理解到不是所有實施例中需要獲得調整的速度，並且因此獲得調整的速度是選擇性的。調整的速度允許使用者達到用於特定行程之期望的基板流體液滴圖案，以沿著DEE的X1和X2線分配流體液滴的中心，其中在位移方向（X方向）上的流體液滴間距是預設最小間距的非整數倍。 [0060] 在圖7的方塊702，所述方法可包括使用預設最小間距或其在位移方向上的整數倍來判定預設流體液滴圖案。預設流體液滴圖案可以至少部分地基於壓印微影模板的圖案。當基板12和流體分配埠302沿著位移方向308相對於彼此移動時，預設流體液滴圖案以預設最小間距或其整數倍代表流體液滴。因此，預設流體液滴圖案具有基於整數的預設最小間距。 [0061] 在方塊722，所述方法可進一步包括基於預設流體液滴圖案判定調整的流體液滴圖案。調整的流體液滴圖案代表以預設最小間距非整數倍間隔開的流體液滴。 [0062] 在方塊742，所述方法可包括判定用於產生調整的流體液滴圖案之調整的速度。相較於預設流體液滴圖案之預設速度，調整的流體液滴圖案之調整的速度允許更理想的流體液滴圖案，其可導致更少的非填充缺陷、期望的RLT或兩者。邏輯元件可包括用以判定預設流體液滴圖案、調整的流體液滴圖案和調整的速度的電路、程式或其它邏輯。 [0063] 作為範例，60微米的間距對於要實現的特定圖案化層可能是最佳的；然而，60微米是35微米的1.7倍。顯然，1.7不是35微米之預設最小間距的整數倍。因此，可以進行速度調整，而不必重新編程任何分配頭預設。例如，基板12和流體分配埠302相對於彼此的速度可被調整為用於35微米之預設最小間距之速度的1.7倍。先前的範例提供了一個有形的範例，並不意味著限制本發明的範圍。速度的其他非整數值可以大於1.00，例如1.01X、1.5X、2.1X、3.7X，小於1.00並且包括0.97X、0.86X、0.71X、0.57X、0.43X、0.29X、0.14 X、0.03 X或其他非整數值，其中X表示預設速度，並且因此預設速度將乘以因子。文中所述的概念可以應用於其他預設最小間距和相應的速度值。在判定調整的速度之後，設備準備好處理基板12。因此，製程流程返回到圖6。 [0064] 基板12被放置並保持在平台上。在方塊624，所述方法可包括在第一行程期間分配可成形材料，以形成基板流體液滴圖案的第一部分。在第一行程期間，基板12和流體分配埠302可以以調整的速度在位移方向上相對於彼此移動。於特定實施例中，邏輯元件可傳輸有關於調整的速度的資訊至平台或平台控制器、至流體分配頭或流體分配埠控制器或任何它們的組合。調整的速度係平台（並因而，基板12）和流體分配埠302彼此的相對速度。圖8包括在第一行程之流體液滴已經分配之後基板上壓印場的圖解。流體液滴之中心係沿著DEE的X1、X2和Y1線。於特定實施例中，流體液滴之中心可能位於DEE的X1和Y1線的交點處。沒有流體液滴中心位於沿著DEE的Y2線。 [0065] 在方塊642，所述方法可以進一步包括在第一行程期間分配可成形材料之後使流體分配埠和基板相對於彼此偏移。偏移是將流體分配埠302定位以允許流體液滴的中心沿著DEE的Y2線分配。偏移係在偏移距離之偏移方向中。偏移方向可實質上垂直於位移方向、實質上平行於線304或兩者。在所述的實施例中，偏移方向可以在Y方向上。偏移距離可以是流體分配埠間距的非整數倍。 [0066] 流體分配埠間距可能限制於設備的限制條件，諸如將流體分配埠302保持在適當位置的流體分配頭的組態。例如，流體分配埠間距可為20微米，並且在第一行程期間，流體液滴之相鄰列可間隔40微米。在這實施例中，Y1和Y2之間的距離不是流體分配埠間距的整數倍。為了達到沿著DEE之Y2線的液滴的中心，流體分配埠可以移動50微米的偏移距離。顯然，50微米不是20微米之流體分配埠間距的整數倍。因此，基板12和流體分配埠302可以在Y方向上相對於彼此移動50微米的距離。先前的範例提供了一個有形的範例，並不意味著限制本發明的範圍。速度的其他非整數值可以大於1.00，例如1.01Y、1.5Y、2.1Y、3.7Y，小於1.00並且包括0.97Y、0.86Y、0.71Y、0.57Y、0.43Y、0.29Y、0.14Y、0.03Y或其他非整數值，其中Y表示流體分配埠間距，並且因此分配埠見具將乘以因子。文中所述的概念可以應用於其他分配埠間距和相應的偏移距離。在判定偏移距離之後，邏輯元件54可傳輸資訊至平台或平台控制器，使得基板12和流體分配埠302在偏移距離（50微米）之偏移方向（Y方向）上相對於彼此移動。 [0067] 在方塊662，製程可包括獲得基板和流體分配埠相對於彼此的調整速度。對於獲得調整的速度之考慮和製程與之前關於方塊622敘述的相同。注意，方塊622的調整速度可以與方塊662的調整速度相同或不同。此外，可以不對於方塊622和662中的一個來調整位移速度，並且對於方塊622和662中的另一個來調整位移速度。另外，在方塊624和664中，調整的速度不可用於兩個分配操作中。 [0068] 在方塊664，所述方法可以在第二行程期間包括分配可成形材料以形成基板流體液滴圖案的第二部分。在第二行程期間，基板和流體分配埠302可以以調整的速度在位移方向上相對於彼此移動。特別地，邏輯元件可傳輸有關於調整的速度的資訊至平台或平台控制器、至流體分配頭或流體分配埠控制器或任何它們的組合。調整的速度係平台（並因而，基板）和流體分配埠302彼此的相對速度。圖9包括在具有第一和第二行程之流體液滴已經分配的基板上壓印場的圖解。流體液滴之中心係沿著DEE的Y2線。於特定實施例中，流體液滴位於DEE的X2和Y2線的交點處。來自第二行程的一些流體液滴之中心可能會或可能不會沿著DEE的X1和X2線。沒有來自第二行程之流體液滴的中心位於沿著DEE的Y1線。 [0069] 在方塊682，所述方法可以包括使可成形材料與具有圖案化表面的模板接觸。於一實施例中，圖案化表面具有凸起和凹陷，並且在另一實施例中，圖案化表面可以是空白（沒有任何凸起或凹陷的平坦表面）。圖10包括基板12、可成形材料34和模具20之部分的圖解。左邊的部分示出與DEE的Y1線相鄰之壓印場的邊緣，而右邊的部分示出與DEE的Y2線相鄰之壓印場的邊緣。模板的模具20與可成形材料34之間的接觸導致模具20中的凹陷填充流體液滴之間的間隙。流體液滴的適當分配允許一些可成形材料從DEE的Y1和Y2線進一步流向壓印場的邊緣；然而，可成形材料34不會流出模具20的邊緣。可成形材料34和模具20之邊緣之間的間隙101和102被控制並保持相對較小。 [0070] 在方塊684，所述方法包括固化可成形材料，以形成相應於模板之圖案化表面的圖案化層。固化可藉由暴露於電磁輻射而執行。於一實施例中，電磁輻射可為紫外線輻射。於另一實施例中，可成形材料可使用熱能固化。基板12上的圖案化層具有相較於模板之圖案化表面的互補式圖案。凸起沿著相應於在模板之圖案化表面中的凹陷之圖案化層，以及在相應於突起之圖案化層中的凹陷沿著模板之圖案化表面。在圖案化層中的凹陷為一部分的殘餘層。 [0071] 在進一步實施例中，不同行程對於每個行程可具有相同的圖案，並且僅僅彼此偏移。圖11包括分別用於第一和第二行程之調整的流體滴分配圖案112和114，以及使用圖案112和114形成的基板流體液滴分配圖案116。調整的流體液滴分配圖案112和114具有相同的X方向流體液滴間距和Y方向流體方向間距。調整的流體液滴分配圖案112和114是相同的，唯一的差別是偏移。處理器54可傳輸指令至流體分配系統32和平台或平台控制器，以分配流體液滴在相應於調整的流體液滴分配圖案112的基板上，相對於彼此偏移基板和流體分配埠302以及接著分配流體液滴至相應於調整的流體液滴分配圖案114的基板上以實現基板流體液滴分配圖案116。於圖11所示的實施例中，沿著每一行，流體液滴位於沿著同一條線，並且所述行具有相同的間距。然而，當每一調整的流體液滴分配圖案112和114具有相同間距的列時，基板流體液滴分配圖案116的列具有不均勻間距的列。在來自第一行程的兩個相鄰流體液滴列之間，來自第一行程的相鄰列之間的第二行程的流體液滴的列與其它相鄰列相比更靠近相鄰列之一者。基板流體分配圖案116具有沿著DEE的X1、X2、Y1和Y2線之流體液滴的中心，並且因此將不會有非填充或擠壓缺陷問題。 [0072] 在另一組實施例中，沿著DEE的X1和Y1線之流體液滴的中心可在一行程期間形成，以及沿著DEE的X2和Y2線之流體液滴的中心可在後續行程期間形成。所述方法參照圖12至14進行敘述。 [0073] 根據文中所述的實施例，圖12包括可用於形成壓印微影製程之基板流體液滴圖案的方法之流程圖，所述壓印微影製程包括分配流體液滴之形成之間的偏移。所述方法可以藉由包括流體分配系統、平台和邏輯元件之壓印微影設備來執行。在一個實施例中，流體分配系統具有定義線的流體分配埠302。流體分配系統可進一步組態以用預設頻率分配可成形材料之流體液滴，以實現在基板12上預設最小間距或預設最小間距整數倍之間隔開的液滴。平台、流體分配頭或兩者可適於在位移方向上相對於彼此移動。位移方向可實質上平行於線。邏輯元件可以包括硬體、韌體、軟體或其任何組合以執行文中所述的許多操作。於特定實施例中，邏輯元件可以是處理器54。基板12可以放置在平台上，並且在一實施例中，基板12可以是半導體晶圓。 [0074] 在圖12中的方塊1202，所述方法可包括判定用於分配可成形材料在基板上的流體液滴圖案。在這特定實施例中，可成形材料使用一或多個行程分配。於特定實施例中，在位移方向（X方向）的預設最小間距或預設最小間距的整數可允許流體液滴之中心沿著DEE的X1和Y1線分配。 [0075] 基板12被放置並保持在平台上。在方塊1222，所述方法可包括在第一行程期間分配可成形材料，以形成流體液滴圖案的第一部分。在第一行程期間，基板12和流體分配埠302可以以預設的速度在位移方向上相對於彼此移動。於特定實施例中，邏輯元件可傳輸有關於預設的速度的資訊至平台或平台控制器、至流體分配頭或流體分配埠控制器或任何它們的組合。圖13包括在第一行程之流體液滴已經分配之後基板上壓印場的圖解。流體液滴之中心係沿著DEE的X1和Y1線。於特定實施例中，流體液滴之中心可能位於DEE的X1和Y1線的交點處。 [0076] 然而，如前面圖2中所述和所示，預設可限制在DEE的X2線上的流體分配方向和流體分配中心的分配能力，並且流體分配端口的間距會限制在DEE的Y2線上分配液滴中心的能力。流體液滴的中心沒有位於沿著DEE的X2線或Y2線。 [0077] 在方塊1242，所述方法可以進一步包括在第一行程期間分配可成形材料之後使流體分配埠和基板相對於彼此偏移。偏移將在位移方向308和其它方向上進行。於特定實施例中，所述其它方向可以實質上垂直於位移方向308。偏移是將流體分配埠302定位以允許流體液滴的中心沿著DEE的X2和Y2線分配。 [0078] 作為範例，關於位移方向308（X方向），設備10的預設最小間距可以是35微米。X2線和最近的流體液滴之間的距離可以是40微米，其為1.14乘以35微米。顯然，1.14不是35微米之預設最小間距的整數倍。先前的範例提供了一個有形的範例，並不意味著限制本發明的範圍。對於預設最小的其他非整數值可以大於1.00，例如1.01X、1.5X、2.1X、3.7X，小於1.00並且包括0.97X、0.86X、0.71X、0.57X、0.43X、0.29X、0.14X、0.03X或其他非整數值，其中X表示預設最小間距，並且因此位移方向308上的偏移距離將被乘以因子。 [0079] 關於其它方向（在所示實施例中的Y方向），Y方向中的流體液滴間距可能限制於設備的限制條件，諸如將流體分配埠302保持在適當位置的流體分配頭的組態。例如，在Y方向上的流體液滴間距可為25微米。在這實施例中，DEE的距離Y2線和最靠近流體液滴的列不是Y方向上之流體液滴間距的整數倍。為了達到沿著DEE之Y2線的流體液滴的中心，流體分配埠可以移動35微米的偏移距離。顯然，35微米不是25微米之流體分配埠間距的整數倍。因此，基板12和流體分配埠302可以在Y方向上相對於彼此移動35微米的距離。先前的範例提供了一個有形的範例，並不意味著限制本發明的範圍。速度的其他非整數值可以大於1.00，例如1.01Y、1.5Y、2.1Y、3.7Y，小於1.00並且包括0.97Y、0.86Y、0.71Y、0.57Y、0.43Y、0.29Y、0.14Y、0.03Y或其他非整數值，其中Y表示在Y方向上的流體液滴間距，並且因此此種間距要乘以因數以獲得在Y方向上的偏移距離。文中所述的概念可以應用於其他分配埠間距和相應的偏移距離。 [0080] 參照圖13之實施例，偏移被執行以使基板和流體分配埠相對於彼此在位移方向（X方向）上移動預設最小間距之非整數倍的距離，以及在其它方向（Y方向）上移動流體分配埠間距之非整數倍的距離。例如，參照圖13中沿著最右側行的流體液滴，流體分配埠可沿位移方向308（X方向）移動30微米（其為35微米的非整數倍）（預設最小間距），並且在其它方向（Y方向）上移動40微米 （其為25微米的非整數）（流體分配埠間距）。具體值只是提供一個具體的範例而不是限制本發明的範圍。在另一個實施例中，偏移可以具有其他值，諸如任一方向上的最佳工作間距（例如X方向上的40微米或Y方向上的35微米）。如果考慮到設備如何正常組態（例如，流體分配埠間距）以及操作（例如，預設最小間距），在任何特定方向上的偏移是間距的非整數倍，則偏移的其他值也是可能的。 [0081] 在方塊1262，所述方法可以在第二行程期間包括分配可成形材料以形成流體液滴圖案的第二部分。在第二行程期間，基板和流體分配埠302可以以預設的速度在位移方向上相對於彼此移動。特別地，邏輯元件可傳輸有關於預設的速度的資訊至平台或平台控制器、至流體分配頭或流體分配埠控制器或任何它們的組合。圖14包括在具有來自第一和第二行程之流體液滴的基板上壓印場的圖解。在第二行程期間分配的流體液滴的中心係沿著DEE的X2和Y2線。於特定實施例中，流體液滴位於DEE的X2和Y2線的交點處。沒有來自第二行程之流體液滴的中心位於沿著DEE的X1或Y1線。於特定實施例中，流體液滴圖案具有在X1和Y1線的交點處和在X2和Y2線的交點處具有流體液滴的中心；然而，流體液滴的中心不在X2和Y1線的交點處或X1和Y2線的交點處。 [0082] 在方塊1282，所述方法可以包括使可成形材料與模板接觸。於一實施例中，模板可具有圖案化表面，其具有凸起和凹陷，並且在另一實施例中，圖案化表面可以是空白（沒有任何凸起或凹陷的平坦表面）。如前面所述，圖10包括基板12、可成形材料34和模具20之部分的圖解。模板的模具20與可成形材料34之間的接觸導致模具20中的凹陷填充並填充流體液滴之間的間隙。流體液滴的適當分配允許一些可成形材料從DEE的X1、X2、Y1和Y2線進一步流向壓印場的邊緣；然而，可成形材料34不會流出模具20的邊緣。可成形材料34之邊緣和模具20之間的間隙101和102被控制並保持相對較小，從而不會發生非填充缺陷，並且可成形材料34不會形成擠壓缺陷。 [0083] 在方塊1284，所述方法包括固化可成形材料，以形成相應於模板之圖案化表面的圖案化層。固化可藉由暴露於電磁輻射而執行。於一實施例中，電磁輻射可為紫外線輻射。於另一實施例中，可成形材料可使用熱能固化。基板12上的圖案化層具有相較於模板之圖案化表面的互補式圖案。凸起沿著相應於在模板之圖案化表面中的凹陷之圖案化層，以及在相應於突起之圖案化層中的凹陷沿著模板之圖案化表面。在圖案化層中的凹陷為一部分的殘餘層。 [0084] 在進一步實施例中，流體分配圖案可以採用許多不同形狀。示例性型態包括矩形、網格圖案、鑽石圖案、另一合適圖案或它們的組合。 [0085] 於特定實施例中，邏輯元件可以是處理器54。邏輯元件可在設備之不同部分之間分開。例如，邏輯元件的一些操作可由處理器54執行，並且邏輯元件之其它操作可由平台控制器、流體分配頭控制器等等執行。再者，可以傳輸資訊以進行文中所述的動作。資訊可以是要執行的指令、訊號、脈衝等的形式。平台16、流體分配系統32或二者可以包括能夠對從處理器54接收的指令起作用的控制器。於另一實施例中，平台16、流體分配系統32可以響應接收的類比訊號。例如，資訊可為特定直流電壓或光脈衝。在閱讀本說明書之後，本領域技術人員將能夠配置壓印微影設備以滿足設備內的裝備的需要或期望。因此，實施例之敘述不限制本發明的範圍。 [0086] 在閱讀本說明書之後，本領域技術人員將理解到可以形成許多其他流體液滴圖案並且仍然允許流體液滴的中心具有沿著DEE的X1、X2、Y1和Y2線的中心。基板12和流體液滴分配埠302相對於彼此的偏移可以在不顯著影響正確地填充模板中的凹陷的能力的情況下執行。再者，可以使用兩次以上的行程來實現沿著DEE的X1、X2、Y1和Y2線的流體液滴。在所有行程完成之後，流體液滴圖案將具有沿著DEE的X1、X2、Y1和Y2線的流體液滴中心。 [0087] 與其中發生分配可成形材料而不使用偏移之相應的圖案層相比，根據本文實施例形成的圖案化層具有更少的缺陷。更具體地，已經發現與具有最靠近壓印場邊緣的流體液滴的列和行之相應的圖案化層相比，根據本文實施例形成的圖案化層具有更少的缺陷，這樣的流體液滴的中心並不位於關於DEE的適當位置。在沒有偏移的情況下，當最靠近壓印場邊緣的液滴的中心更靠近中心區域時，在相應於Y2線的壓印場的邊緣處可能形成不足的可成形材料，並且更可能出現非填充缺陷。當最靠近壓印場邊緣的液滴中心太靠近壓印場的邊緣時，可成形材料可能流出模板的邊緣，並且更可能出現擠壓缺陷。因此，偏移允許良好的填充特性並降低非填充缺陷和擠壓缺陷的可能性。 [0088] 注意到並非所有在一般敘述或範例中敘述的動作都是必需的，特定動作的一部分可能不是必需的，並且除了所敘述的動作之外還可以執行一或多個進一步的動作。更進一步，動作列出的順序不一定是它們的執行順序。 [0089] 以上關於具體實施例敘述了益處、其他優點和問題的解決方案。然而，可能導致任何益處、優點或解決方案發生或變得更明顯的益處、優點、問題的解決方案以及任何特性都不應被解釋為任何或所有申請專利範圍的關鍵、必需或基本特徵。 [0090] 文中所述之實施例的說明書和圖解旨在提供對各種實施例的結構的一般理解。說明書和圖解不旨在用作對使用文中所述的結構或方法之設備和系統的所有元件和特徵的詳盡和全面的敘述。分開的實施例也可以在單個實施例中組合提供，並且相反地，為了簡潔起見而在單一實施例之上下文中敘述的各種特徵也可以分開提供或以任何子組合中提供。此外，範圍中所述的值之引用包括所述範圍內的每個值。僅在閱讀本說明書之後，許多其他實施例對本領域技術人員是顯而易見的。可以使用並從本發明衍生其他實施例，使得在不脫離本發明之範圍的情況下進行結構替換、邏輯替換或其他改變。因此，揭露被視為說明性而非限制性。
[0091]10‧‧‧微影系統12‧‧‧基板14‧‧‧基板夾具16‧‧‧平台18‧‧‧模板20‧‧‧台面22‧‧‧圖案化表面24‧‧‧凹陷26、50‧‧‧突起28‧‧‧夾具30‧‧‧壓印頭32‧‧‧流體分配系統34‧‧‧可成形材料38‧‧‧源40‧‧‧能源42‧‧‧路徑44、306‧‧‧表面46‧‧‧圖案化層52‧‧‧凹陷54‧‧‧邏輯元件56‧‧‧記憶體101、102‧‧‧間隙112、114‧‧‧調整的流體液滴分配圖案116‧‧‧基板流體液滴分配圖案302、302a、302b、302c、302d、302e、302f‧‧‧流體分配埠304‧‧‧線308‧‧‧位移方向310、310a、310b‧‧‧流體液滴602、622、624、642、662、664、682、684、702、722、742、1202、1222、1242、1262、1282、1284‧‧‧方塊
[0015] 實施例以舉例的方式闡明而不是限制於下列圖式。 [0016] 圖1包括流體液滴圖案，其匹配用於液滴邊緣排除區的X方向和Y方向對齊。 [0017] 圖2包括流體液滴圖案，其不匹配用於液滴邊緣排除區的X2和Y2方向對齊。 [0018] 圖3包括示例性壓印微影系統的簡化側視圖。 [0019] 圖4包括圖3中所示之具有圖案化層的基板之簡化橫斷面視圖。 [0020] 圖5包括流體分配系統的簡化俯視圖，流體分配系統包括流體分配埠和沈積在基板表面上的示例性液滴圖案。 [0021] 圖6和圖7包括形成物體之示例性方法的流程圖，包括產生流體液滴圖案。 [0022] 圖8包括根據一實施例之包括在單次行程之後形成的基板流體液滴圖案之一部分的表面之簡化俯視圖。 [0023] 圖9包括根據一實施例的在另一行程期間形成基板流體液滴圖案的另一部分之後的圖8之表面的簡化俯視圖。 [0024] 圖10包括在壓印期間之基板和壓印微影模板的圖解。 [0025] 圖11包括根據另一實施例之調整的流體液滴圖案及基板流體液滴圖案的簡化俯視圖。 [0026] 圖12包括根據另一實施例的形成物體之示例性方法的流程圖，包括產生流體液滴圖案。 [0027] 圖13包括根據另一實施例之包括在第一行程之後形成的基板流體液滴圖案之一部分的表面之簡化俯視圖。 [0028] 圖14包括根據其它實施例之包括在第二行程之後形成的基板流體液滴圖案之一部分的表面之簡化俯視圖。 [0029] 本領域技術人員應理解到為了簡單和清楚，圖中示出的元件並不一定按比例繪製。例如，圖式中的一些元件的尺寸可能相對於其他元件被放大，以幫助增進對本發明實施例的理解。
