JP2017108140A - インプリント装置、および部分領域をインプリントする方法 - Google Patents

Abstract

【課題】部分領域のインプリントを改善するインプリント装置及び方法を提供する。
【解決手段】インプリント装置は、テンプレート領域より面積の大きい吸着領域及びリセス加工された支持部分を有する基板保持部と、テンプレート保持部とを含みうる。また、インプリント装置は、ガス区域と、インプリント装置に使用される加工物の部分領域の凸状の湾曲を誘起するようにガス区域内の圧力を調整するように構成されうるガスコントローラとを備えうる。方法は、基板及び成形可能な材料を含む加工物をインプリント装置内に提供することと、部分領域の周囲から離れた位置においてテンプレートと成形可能な材料とを初期接触させることとを備えうる。また、テンプレートと成形可能な材料とを接触させる凸形状を形成するように基板を変調することを更に備えうる。
【選択図】図２

Description

本発明は、インプリント装置、および部分領域をインプリントするためのインプリント装置を使用する方法に関する。

インプリント装置は、成形可能な材料内に小さな形状（例えば、１，０００ｎｍ未満）のパターンを形成するために使用されうる。完全領域（フルフィールド）又は部分領域（パーシャルフィールド）がインプリントされてもよい。完全領域は、テンプレートのインプリント領域の全体が基板及びそれに対応して重なっている成形可能な材料の上に全体的に重なる領域である。部分領域は、例えば、丸みを帯びた（曲線的な）エッジを有する基板の一部分に跨って基板のエッジ効果が顕著となる基板又は基板の一部分の上に、テンプレートのインプリント領域の全体ではなく一部のみが重なる領域である。いずれの領域へのインプリントが行われうるが、部分領域へのインプリントは特に困難である。部分領域のインプリントを改善することが望ましい。

実施形態は、一例として示され、添付の図面に限定されない。
図１は、インプリント領域に関する基板を示す上面図である。 図２は、インプリント装置を示す概念図である。 図３は、図２のインプリント装置により形成されたパターン層の一部分を示す断面図である。 図４は、異なる区域（ゾーン）を有する吸着領域の上に重なる基板を示す上面図及び断面図である。 図５は、異なる区域（ゾーン）を有する吸着領域の上に重なる基板を示す上面図及び断面図である。 図６は、図４に示された実施形態と比較してより多くの区域を有する吸着領域の上に重なる加工物を示す上面図である。 図７は、圧力源と、テンプレート保持部内の区域と、プロセッサとの関係におけるガス流量コントローラを示す図である。 図８は、ランド及び区域を含むテンプレートの一部分を示す断面図である。 図９は、インプリント領域を含む基板、並びにそのような基板及びインプリント領域の拡大部分を示す平面図である。 図１０は、テンプレートと成形可能な材料との初期接触において完全領域をインプリントする際のテンプレート及び加工物の一部分を示す断面図である。 図１１は、インプリント装置を使用して部分領域に対するインプリント層を形成するための処理フローを示す図である。 図１２は、インプリント装置を使用して部分領域に対するインプリント層を形成するための処理フローを示す図である。 図１３は、基板変調動作中の基板の一部分及び基板保持部の一部分を示す断面図である。 図１４は、基板変調動作中の基板の一部分及び基板保持部の一部分を示す断面図である。 図１５は、テンプレートと成形可能な材料との初期接触において部分領域をインプリントする際に変調された加工物及びテンプレートの一部分を示す断面図である。 図１６は、別の実施形態に係るインプリント装置を使用した基板変調動作中の基板の一部分及び基板保持部の一部分を示す断面図である。 図１７は、テンプレートと成形可能な材料との初期接触において部分領域をインプリントする際に変調されていない加工物及びテンプレートの一部分を示す断面図である。 当業者は、図中の要素が簡単に且つ明確にするために示され、必ずしも縮尺通りでないことを理解する。例えば、図中の要素のうちのいくつかの寸法は、本発明の実施形態の理解を向上させるのを容易にするために、他の要素と比較して拡大されてもよい。

図面と組み合わせて以下の説明は、本明細書において開示される教示の理解を支援するために提供される。以下の説明は、教示の特定の実現例及び実施形態に注目する。この注目は、教示の説明を支援するために提供され、教示の範囲又は適用可能性を限定するものとして解釈されるべきではない。しかし、他の実施形態は、本出願において開示されるような教示に基づいて使用されてよい。

本明細書において使用されるように、明示的な指定のない限り、全ての圧力はゲージ圧力である。従って、負圧は、大気圧を下回り、真空圧力と呼ばれる。正圧は大気圧より高い。本明細書の場合、圧力に対する値は、大気圧からより大きく外れるほどより大きいと考えられる。即ち、−５０ｋＰａは−３ｋＰａより高い。

「備える」、「含む」、「有する」という用語又はそれらの他のあらゆる変形物は、非排他的包含を範囲に含むことを意図する。例えば、特徴のリストを含む方法、物品又は装置は、必ずしもこれらの特徴のみに限定されず、そのような方法、物品又は装置に明確に列挙されない、あるいはそれに固有ではない他の特徴を含んでもよい。更に、明示的な指定のない限り、「又は」は、非排他的な「あるいは」を示し、排他的な「あるいは」を示さない。例えば以下のうちのいずれか１つ、即ちＡは真であり（又は存在し）且つＢは偽である（又は存在しない）、Ａは偽であり（又は存在せず）且つＢは真である（又は存在する）、並びにＡ及びＢの双方は真である（又は存在する）により、条件Ａ又はＢを満たす。

また、単数形の使用は、本明細書において説明する要素及び構成要素を説明するために採用される。これは、利便性及び本発明の範囲の一般的な意味を与えるためだけに行われる。明示的な意図のない限り、この説明は、複数形も含むような１つ、少なくとも１つ又は単数形を含むように、あるいはその逆に読まれるべきである。例えば、本明細書において単一の項目を説明する場合、単一の項目の代わりに２つ以上の項目が使用されてもよい。同様に、本明細書において２つ以上の項目を説明する場合、その２つ以上の項目を単一の項目に置換してもよい。

「ほぼ」、「略」又は「約」という用語の使用は、要素の値が指定された値又は位置に近接することが予想されるパラメータを有することを意味する。しかし、当該技術分野においてよく知られているように、値又は位置が厳密に指定されるようなものになることを妨げる小さなばらつきが常に存在する。少なくとも１０パーセント（１０％）までのばらつきが厳密に説明されるような理想の目標からの妥当なばらつきであることは、当該技術分野において適切に確立される。

特に指示のない限り、本明細書において使用される全ての技術科学用語は、本発明が属する技術の当事者により一般に理解される意味と同一の意味を有する。材料、方法及び例は、単なる例示であり、限定することを意図しない。本明細書において説明しない限りにおいては、特定の材料及び処理動作に関する多くの詳細は、形式的であり、インプリント技術及びリソグラフィ技術内の教科書及び他の情報源において見つけられるだろう。

本明細書において説明するようなインプリント装置及び装置を使用する方法は、部分領域を含む全てのインプリント領域（インプリントフィールド）をインプリントするのに最適である。特に、直径３００ｍｍ及びより大きな半導体ウエハ等、基板のサイズがより大きくなるにつれ、部分領域は半導体産業において特に注目される。一般に部分領域は、型と呼んでもよいインプリントテンプレートのパターン面（即ち、インプリント領域）全体によりインプリントされうる全体より小さい面積を有し且つ一般に基板のエッジにあるかそれに近接するインプリント領域を示す。部分領域をインプリントすることにより、電子デバイスを製造できる基板の割合が増加しうる。部分領域は、基板に重なり合うインプリント領域の面積に基づいて２つの更なるサブカテゴリ、即ち（i）５０％を上回る面積有効範囲を有する領域（５０％より大きい部分領域）、及び（ii）５０％を下回る面積有効範囲を有する領域（５０％より小さい部分領域）に分類されうる。図１は、基板１００とインプリント領域１０１〜１９２との関係を示す図である。インプリント領域１０１〜１６４は完全領域（フルフィールド）であり、インプリント領域６５〜６９、７２〜７６、７８、８０〜８３、８６〜９０は、５０％より大きい部分領域（パーシャルフィールド）であり、インプリント領域７０、７１、７７、７９、８４、８５、９１及び９２は、５０％より小さい部分領域（パーシャルフィールド）である。部分領域にインプリントすることは、成形可能な材料（即ち、インプリント流体（インプリント材））の存在がテンプレートと基板との間に完全に存在することなく、テンプレート上のパターン面（即ち、インプリント領域）のサブ部分が、基板と近接して位置付けられるという点で、固有の問題を提起する。

装置及び方法により、成形可能な材料とのテンプレートの初期接触を部分領域の周辺エッジから離れた位置にすることができる。特定の実施形態において、そのような特定のインプリント領域が完全領域、５０％より大きい部分領域又は更には５０％より小さい部分領域であろうと、初期接触は、特定のインプリントフィールドの幾何学的中心において起こるようにされうる。装置及び方法は、インプリントフィールドの幾何学的中心における又はそれに近接したインプリント領域との初期接触を可能にするように設計される。実施形態において、基板面は、初期接触が起こる凸面を実現するように変調（変形）されうる。そのような変調は、部分領域、特に５０％より小さい部分領域にとって有益でありうる。方法は、凸面を有さない部分領域のインプリントと比較して、むしろ完全領域に近い部分領域のインプリントにおいて成形可能な材料が拡がるように支援しうる。

ある実施形態において、インプリント装置は、吸着領域面積を有する吸着領域と、吸着領域の周囲に隣接するリセス加工された支持部分とを含む基板保持部を含みうる。インプリント装置は、テンプレートに対するテンプレート領域面積を有するテンプレート領域を有するテンプレート保持部を含みうる。吸着領域面積は、完全領域の面積に対応しうるテンプレートのパターン面積より大きくてよい。

別の実施形態において、インプリント装置は、基板に対する吸着領域と、吸着領域の露出面に広がる、吸着ランドにより規定される区域（ゾーン）とを含む基板保持部を含みうる。インプリント装置は、区域内のガス圧力を制御する、区域に対するガスコントローラを更に含みうる。ガスコントローラは、インプリント装置で用いられる基板の部分領域の凸状の湾曲を誘起するように、区域内の圧力を調整するように構成される。

更なる実施形態において、方法は、基板と、基板の上に重なる成形可能な材料とを含む加工物をインプリント装置内に提供することを備えうる。方法は、周囲を有する部分領域内でテンプレートを成形可能な材料と接触させることを更に含みうる。接触させることは、部分領域の周囲から離れた位置においてテンプレートと成形可能な材料とを初期接触させることを含む。特定の実施形態において、方法は、テンプレートと成形可能な材料とを接触させる前に、基板の周囲に隣接する基板の凸形状を形成するように基板を変調（変形）することを含みうる。

図２は、基板１００上にレリーフパターンを形成するために使用可能なナノインプリントリソグラフィシステム２１０を示す。基板１００は、基板チャック２１４に結合されうる。図示されるように、基板チャック２１４は真空チャックである。しかし、基板チャック２１４は、真空、ピン形、溝形、静電気及び／又は電磁気等を含むあらゆるチャックであってもよい。全ての内容が参考として本明細書に取り入れられる米国特許第６，８７３，０８７号公報において、例示的なチャックを説明する。

ステージ２１６は、基板１００及び基板チャック２１４を更に支持できる。ステージ２１６は、ｘ軸、ｙ軸、並びにｚ軸に沿って並進運動、回転運動又は並進運動及び回転運動の双方を提供できる。ステージ２１６、基板１００及び基板チャック２１４は、ベース（不図示）上に更に位置付けられてもよい。

テンプレート２１８は、基板１００から離間している。テンプレート２１８は、対面を有する本体を含みうる。対面のうちの１つは、そこから基板１００に向かって延びるパターン面２２２を有して完全領域のサイズに対応する型２２０を有する。実施形態において、型２２０はメサの形状であってよい。別の実施形態において、テンプレート２１８はメサを含まない。

実施形態において、テンプレート２１８、型２２０又はその双方は、溶融石英、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フッ素樹脂、金属、硬化サファイア、所望の形状に成形、機械加工又はエッチング可能な別の適切な材料、あるいはそれらのあらゆる組み合わせを含む材料から形成される。図示されるように、パターン面２２２は、複数の離間した凹部２２４、突起部２２６又は凹部と突起部とのあらゆる組み合わせにより規定される特徴を含むが、本発明の実施形態はそのような構成に限定されない。別の実施形態において、パターン面は平面を有する。パターン面２２２は、基板１００上に形成される対応するパターンの基体を形成するパターンを規定する。

図示された実施形態において、テンプレート２１８は、テンプレートチャック２２８に結合される。テンプレートチャック２２８は、真空、ピン形、溝形、静電気、電磁気、別の適切なチャック形又はそれらのあらゆる組み合わせとして構成されてもよい。米国特許第６，８７３，０８７号公報において、例示的なチャックを更に説明する。図示された実施形態において、チャック２２８、インプリントヘッド２３０又はその双方が、テンプレート２１８及び基板１００の相対的な移動を容易にするように構成されるように、チャック２２８はインプリントヘッド２３０に結合される。インプリントヘッド２３０はフレーム２５０に結合される。

システム２１０は、流体ディスペンスシステム２３２を更に含みうる。流体ディスペンスシステム２３２は、成形可能な材料２３４を基板１００上に堆積させるために使用される。特定の実施形態において、成形可能な材料は重合性材料であってよい。図示された実施形態において、成形可能な材料２３４は、例えばドロップディスペンス、スピンコート、ディップコート、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜形成、厚膜形成又はそれらのあらゆる組み合わせの技術を使用して基板１００上に位置付けられる。設計上の考慮に応じて、所望の体積がパターン面２２２と基板１００との間に規定される前、後又は前後双方において、成形可能な材料２３４が基板１００上に配置される。

システム２１０は、パス２４２に沿ってエネルギー２４０を導くように連結されたエネルギー源２３８を更に含む。インプリントヘッド２３０及びステージ２１６は、パス２４２に重ね合わせてテンプレート２１８及び基板１００を位置決めするように構成されうる。図示された実施形態において、システム２１０は、ステージ２１６、インプリントヘッド２３０、流体ディスペンスシステム２３２、エネルギー源２３８又はそれらのあらゆる組み合わせと連通して、プロセッサ２５４により少なくとも部分的に制御され、メモリ２５６に格納されたコンピュータ可読プログラム上で動作してもよい。

図２及び図３を参照すると、インプリントヘッド２３０、ステージ２１６又はその双方は、成形可能な材料２３４により充填される型２２０と基板１００との間の所望の体積を規定するように、それらの間の距離を変化させうる。例えばインプリントヘッド２３０は、型２２０が成形可能な材料２３４に接触するように、テンプレート２１８に力を加える。所望の体積が成形可能な材料２３４で充填された後、エネルギー源２３８は、露光された成形可能な材料２３４が基板１００の表面２４４の形状と型２２０のパターン面２２２とを固めるように、成形可能な材料２３４を凝固又は交差結合等させて、対応パターン層３４６を基板１００上に規定するエネルギー２４０、例えば紫外線を発出する。パターン層３４６は、厚さｔ_１を有する突起部３５０と厚さｔ_２を有する残膜３４８とを有し、突起部３５０および凹部３５２として示された複数のフィーチャーを含みうる。

図４及び図５は、吸着領域と基板１００との位置関係を示すために、基板１００及び吸着領域を含む基板保持部２１４の一部分を示す図である。吸着領域は、外側区域（外側ゾーン）４２３、中間区域（中間ゾーン）４２５及び中央区域（中央ゾーン）４２７を含む。中間区域４２５は、外側区域４２３と中央区域４２７との間に配設される。区域４２３、４２５及び４２７の各々は、リセス加工されたランド（土手）４４２、並びにフルハイトのランド４４４及び４２６により部分的に規定される。基板１００と、区域４２３、４２５及び４２７との関係を容易に理解するために、図４にはランド４４２、４４４及び４４６は示されない。特定の実施形態において、ランド４４２、４４４及び４４６の各々は連続しているため、ランド４４２、４４４及び４４６は同心円状である。外側区域４２３は、ランド４４２及び４４４により横方向に規定され、中間区域４２５は、ランド４４４及び４４６により横方向に規定され、中央区域４２７は、ランド４４６により横方向に規定される。区域４２３、４２５及び４２７のうちのいずれか１つ以上の内側において、１つ以上のピン（不図示）が、必要又は要望に応じて、基板１００の支持を補助するために存在してもよい。

図示された実施形態において、基板１００は、基板保持部２１４の吸着領域を超えて延びていても延びていなくてもよい。装置２１０の動作中により詳細に説明されるように、基板１００は、成形可能な材料２３４と型２２０のパターン面２２２との初期接触中に変調（変形）されるエッジを有する。そのような変調は、外側区域４２３内の真空圧力を使用して実現されてもよいため、基板１００は外側区域４２３を超えて延びる。ある実施形態において、基板１００は、ランド４４２を超えて延び、特定の実施形態においてはランド４４２を超えて張り出す。ある実施形態において、ランド４４２を超えて張り出した基板面積の比率は、少なくとも０．０５％、少なくとも０．０９％又は少なくとも１．２％であり、別の実施形態において、ランド４４２を超えて張り出した基板面積の比率は、最大１１％、最大８％又は最大５％である。特定の実施形態において、ランド４４２を超えて張り出した基板面積の比率は、０．０５％〜１１％、０．０９％〜８％又は１．２％〜５％の範囲である。

ある実施形態において、外側区域４２３の面積は、基板１００の面積の少なくとも０．５％、少なくとも１．１％又は少なくとも２％であり、別の実施形態においては基板１００の面積の最大２０％、最大１５％又は最大１０％である。特定の実施形態において、外側区域４２３の面積は、基板１００の面積の０．５％〜１８％、１．１％〜１４％又は２％〜１０％の範囲である。ある実施形態において、中間区域４２５の面積は、基板１００の面積の少なくとも５％、少なくとも１１％又は少なくとも１５％であり、別の実施形態においては基板１００の面積の最大５０％、最大４０％又は最大３０％である。特定の実施形態において、中間区域４２５の面積は、基板１００の面積の５％〜５０％、１１％〜４０％又は１５％〜３０％の範囲である。ある実施形態において、中央区域４２７の面積は、基板１００の面積の少なくとも４０％、少なくとも５０％又は少なくとも６０％であり、別の実施形態においては基板１００の面積の最大９４％、最大８５％又は最大７５％である。特定の実施形態において、中央区域４２７の面積は、基板１００の面積の４０％〜９４％、５０％〜８０％又は６０％〜７０％の範囲である。

区域のサイズは、相対的ではなく寸法で表現されてもよい。特定の実施形態において、基板１００は３００ｍｍの直径を有し、区域４２３、４２５及び４２７は同心円状である。区域の幅は、区域毎に対応するランド間の距離として測定される。実施形態において、外側区域４２３は、少なくとも０．５ｍｍ又は少なくとも１．１ｍｍ、あるいは少なくとも２ｍｍの幅を有し、別の実施形態においては最大３０ｍｍ、最大２５ｍｍ又は最大２０ｍｍの幅を有する。特定の実施形態において、外側区域４２３は、０．５ｍｍ〜３０ｍｍ、１．１ｍｍ〜２５ｍｍ又は２ｍｍ〜２０ｍｍの範囲の幅を有する。

ある実施形態において、中間区域４２５は、少なくとも５ｍｍ、少なくとも１５ｍｍ又は少なくとも２５ｍｍの幅を有し、別の実施形態においては最大９５ｍｍ、最大８０ｍｍ又は最大６５ｍｍの幅を有する。特定の実施形態において、中間区域４２５は、基板１００の中心点から５ｍｍ〜９５ｍｍ、１５ｍｍ〜７５ｍｍ又は２５ｍｍ〜６５ｍｍの範囲の幅を有する。

ある実施形態において、中央区域４２７は、少なくとも１９０ｍｍ、少なくとも２０５ｍｍ又は少なくとも２２０ｍｍの幅（例えば、円形で実現される場合の直径）を有し、別の実施形態においては最大２９０ｍｍ、最大２７５ｍｍ又は最大２６０ｍｍの幅を有する。特定の実施形態において、中央区域４２７は、１９０ｍｍ〜２９０ｍｍ、２０５ｍｍ〜２７５ｍｍ又は２２０ｍｍ〜２６０ｍｍの範囲の幅を有する。

図５を参照すると、フルハイトのランド４４４及び４４６の上面は、吸着領域の基本面４１２を規定する。少なくとも区域４２５及び４２７は、吸着領域内の基板保持部２１４の露出面に広がる。リセス加工されたランド４４２は、基本面４１２より低い高さ４３４にある上面を有する。リセス加工されたランド４４２により、基板１００は、本明細書において後述されるような所望の凸状プロファイルを実現できる。実施形態において、基本面４１２とリセス加工されたランド４４２の上面の高さ４３４との高低差は、少なくとも０．５μｍ、少なくとも１．１μｍ又は少なくとも１．５μｍであり、別の実施形態においては１０μｍ以下、８μｍ以下又は６μｍ以下である。特定の実施形態において、高低差は、０．５μｍ〜１０μｍ、１．５μｍ〜８μｍ又は３μｍ〜６μｍの範囲である。別の実施形態において、リセス加工されたランド４４２は、フルハイトのランド４４４及び４４６のようなフルハイトのランドで置換されうる。本明細書において、そのような実施形態について後述する。

吸着領域内でより多くの区域が使用されてもよい。別の実施形態において、基板保持部６１０は、図６に図示されるように区域６３０、６５２、６５４、６７２及び６７４を含む。更なる実施形態において、いずれの区域は、行、列に、すなわち画素の行列として分割されてもよい。区域の数又はいずれか１つ以上の区域の分割が増加するにつれ、基板の制御は向上するだろう。しかし、そのような制御は、基板保持部又は制御システム（例えば、ガスコントローラ２３６）等の製造による更なる複雑性を伴う恐れがある。本明細書を読んだ後、当業者は、特定の用途に対する必要性又は要望に見合う基板保持部及び制御システムの設計を判定できるだろう。

区域４２３、４２５及び４２７は、図７に図示されるようにガスコントローラ２３６と流体連通している。ガスコントローラ２３６は、真空（負）圧力源７０２及び正圧源７０４と流動連通している。ガスコントローラ２３６は、圧力源選択器７３２、７５２及び７７２と、弁又は他の圧力制御機構７３４、７５４及び７７４と、圧力センサ７３６、７５６及び７７６とを含む制御部７３０、７５０及び７７０を含む。ガスコントローラ２３６はプロセッサ２３２に結合される。ガスコントローラ２３６を操作するための論理は、ガスコントローラ２３６、プロセッサ２３２又はその双方の内部にあってもよい。特定の実施形態において、区域４２３は真空圧力設定点に設定されてもよく、区域４２５は正圧設定点に設定されてもよい。圧力源選択器７３２は、真空圧力源７０２を選択でき、弁７３４は、圧力センサ７３６によって検知された圧力が圧力設定点の所定の許容値と同一であるか、あるいはそれ以内であるように調整されうる。圧力源選択器７５２は、正圧源７０４を選択でき、弁７５４は、圧力センサ７５６によって検知された圧力が圧力設定点の所定の許容値と同一であるか、あるいはそれ以内であるように調整されうる。本明細書において、圧力に対する値については、より詳細に後述する。

図２及び図８を参照すると、テンプレート２１８はテンプレートチャック２２８に結合される。テンプレートチャック２２８は、対面８１１及び８１３を含む。側面、即ちエッジ面８１５は、第１の面８１１と第２の面８１３との間に延びる。第１の面８１１は、凹部８１７と、凹部８１７から離間した凹部８１９とを含み、離間した支持領域８２１及び８２３を規定する。支持領域８２１は、支持領域８２３、並びに凹部８１７及び８１９を囲む。支持領域８２３は凹部８１９を囲む。更なる実施形態において、支持領域８２１及び８２３は、弾性材料（コンプライアント材料）から形成されうる。特定の実施形態において、支持領域８２１は正方形状を有し、支持領域８２３は円形状を有する。しかし、更なる実施形態において、支持領域８２１及び８２３は、所望のあらゆる幾何学形状を含んでよい。テンプレートチャック２２８の部分８４７は、凹部８１９と重なり合っており、所定の波長又は波長の範囲を有する放射線を透過させうる。部分８４７は、ガラス等の透過性材料の薄い層を含みうる。しかし、部分８４７の材料は、エネルギー源によって射出された放射線の波長に依存してもよい。部分８４７は、面８１３と、凹部８１９に最も近い終端との間に延びる。部分８４７は、型２２０と重なり合うように、少なくとも型２２０の面積と同じ大きさの面積を有する。

テンプレートチャック２２８は、貫通路８２７及び８２９を含む。別の実施形態において、テンプレートチャック２２８は、異なる数の貫通路を有してもよい。貫通路８２７は、凹部８１７を面８１３と流体連通にするが、更なる実施形態においてはテンプレートチャック２２８のいずれの面と流体連通にする。貫通路８２９は、凹部８１９を面８１３と流体連通にするが、更なる実施形態においてはテンプレートチャック２２８のいずれの面と流体連通にする。貫通路８２７及び８２９は、凹部８１７及び８１９をそれぞれポンプシステム８３１等の圧力制御システムと流体連通にするのを容易にできる。

ポンプシステム８３１は、凹部８１７及び８１９の圧力を制御するために１つ以上のポンプを含んでもよい。その目的のため、テンプレート２１８は、テンプレートチャック２２８に結合される際に支持領域８２１及び８２３に対して置かれ、凹部８１７及び８１９を覆う。テンプレート２１８のフレキシブル領域８３８は、凹部８１９と重なり合っていてもよく、チャンバ８３３を規定する。テンプレート２１８のより厚い領域８４０は、凹部８１７と重なり合っていてもよく、チャンバ８３５を規定する。ポンプシステム８３１は、チャンバ８３３及び８３５における圧力を制御するように動作する。

図９は、パターニングシーケンス中の基板１００の一部分を示す上面図である。上述したように、完全領域と部分領域との差異は、パターニングシーケンス中により明らかになるだろう。領域９２４は、完全領域であり、既にパターニングされた成形可能な材料を有する。特定の実施形態において、成形可能な材料は、型２２０と接触している際に重合された重合性層である。領域９４２は完全領域であり、領域９６２は部分領域、特に５０％より小さい部分領域である。領域９４２及び９６２は、まだパターニングされていない成形可能な材料２３４を含んでもよい。図１０は、曲げることのできる領域８３８と、テンプレートチャック２２８（図１０には示されない）に結合される領域８４０とを含むテンプレート２１８を示す。図８及び図１０を参照すると、チャンバ８３５は真空圧縮にされ、図１０に示されたような形状を実現するためにチャンバ８３３は正圧縮にされうる。本明細書を読んだ後、当業者は、図１０の例示が概念の理解を向上させるように形状を際立たせ、実際には形状が際立たされなくてもよいことを理解するだろう。また、本明細書において説明する概念の理解を容易にするため、型２２０は図１０には示されない。

図１０に図示されるように、領域９４２内の成形可能な材料２３４とテンプレート２１８との初期接触（破線１００３により示される）は、領域９４２の幾何学的中心に近接する。初期接触の後、テンプレート２１８及び基板１００を共に近づくように移動し、テンプレート２１８と成形可能な材料２３４との接触を増加させて、成形可能な材料２３４を基板１００に沿って、テンプレート２１８内の凹部（図１０には示されない）内に流入させる。チャンバ８３３内の圧力は、同じ状態で維持してもよいし、あるいはテンプレート２１８と基板１００との間の距離が小さくなるにつれ大気圧に近づけてもよい。この時、チャンバ８３３及び８３５は、露光中に使用された圧力にしてもよい。成形可能な材料２３４は、紫外線等のエネルギーに露光されてポリマー層を形成し、テンプレート２１８及び基板１００は分離（剥離）される。露光後、領域９４２は領域９２４と実質的に同一である。

部分領域９６２では、部分領域の少なくとも１つの面寸法（例えば、部分領域の長さ又は幅）が、完全領域に対応するテンプレート２１８のパターン面の対応寸法より小さいため、完全領域９２４及び９４２とは大きく異なるインプリントが考慮される。図９に図示されるように、部分領域９６２のｘ寸法は、テンプレート２１８のインプリント領域の対応ｘ寸法より小さい。部分領域のインプリントシーケンスに関する方法については、詳細を以下に提供する。

図１１及び図１２は、実施形態に係る例示的な方法を含む。別の実施形態において、本明細書において説明する概念から逸脱せずに、より多くの動作、より少ない動作又は他の動作が実行されてもよい。

図１１のブロック１１０２では、成形可能な材料２３４を基板１００の表面上に吐出する（ディスペンスする）。図２を参照すると、ステージ２１６は、プリントヘッド又は流体ディスペンスシステム２３２の他の同様な吐出口に対して位置決めされる。成形可能な材料２３４は、いずれかの領域が露光される前に又は複数の領域の露光間において吐出されうる。成形可能な材料２３４とエネルギー源２３８からのエネルギーとの合成は、成形可能な材料２３４がエネルギー２３８によって露光される際に重合されてポリマー層を形成する。プロセッサ２５４は、ステージ２１６の動き及び流体ディスペンスシステム２３２を制御する信号を提供する。実施形態において、流体ディスペンスシステム２３２は、所定の場所において適切な量の成形可能な材料２３４を吐出する。特定の実施形態において、流体ディスペンスシステム２３２は、テンプレート２１８のインプリント領域の特定の部分における凹部またはメサ（凸部）の密度に対応する所定の面密度で、液滴（ドロップレット）をプリントする。必要又は要望に応じて、基板１００は、（１）基板１００と（２）後に形成されうる成形可能なポリマー層との間の密着性を向上させるため、成形可能な材料２３４を吐出する前に処理されてもよい。そのような処理は、適切な密着を促進する材料を含んでもよい。

図１１のブロック１１０４では、基板１００の表面を変調（変形）する。変調により、基板１００の表面、即ち基板１００と成形可能な材料２３４とを含む加工物の表面は凸形になる。図１３は、基板１００及び基板チャック２１４の一部分を示す。成形可能な材料２３４は、基板１００にわたり存在するが、基板チャック２１４に対する基板１００の変調の理解を容易にするために、図１３には示されない。実施形態において、フルハイトのランド４４４は支点として働き、周囲における基板１００は下方に曲がる。特定の実施形態において、基板１００は、リセス加工されたランド４４２に接触しない。

図１４は、変調中の基板チャック２１４及び基板１００を示す図である。区域４２５において、基板１００は、区域４２３及び４２７と比べて引き上げられる。実施形態において、中間区域４２５内の基板チャック２１４の基本面と基板１００の底面との間の最大高低差１２５０は、少なくとも１．１μｍ、少なくとも２μｍ又は少なくとも３μｍであるが、別の実施形態においては最大５０μｍ、最大４０μｍ又は最大３０μｍである。特定の実施形態において、最大高低差１２５０は、１．１μｍ〜５０μｍ、２μｍ〜４０μｍ又は３μｍ〜３０μｍの範囲である。

図２を参照すると、プロセッサ２５４は、区域４２３、４２５及び４２７（図４）内の圧力を調整するように、ガスコントローラ２３６に信号を送信する。変調中、区域４２３及び４２７は真空圧力であってよく、区域４２５は正圧であってよい。図７を参照すると、制御部７３０内において、圧力源選択器７３２は、真空圧力源７０２を選択し、圧力センサ７３６によって検知された圧力が真空圧力設定点又は真空圧力設定点の所定の許容値内になるように弁７３４を調整する。ある実施形態において、区域４２３内の圧力は、少なくとも−２ｋＰａ、少なくとも−１１ｋＰａ又は少なくとも−２０ｋＰａであり、別の実施形態においては最大−１００ｋＰａ又は最大−８０ｋＰａである。特定の実施形態において、区域４２３内の圧力は、−２ｋＰａ〜−１００ｋＰａ、−１１ｋＰａ〜−１００ｋＰａ又は−２０ｋＰａ〜−８０ｋＰａの範囲である。

制御部７５０内において、圧力源選択器７５２は、正圧源７０４を選択し、圧力センサ７５６によって検知された圧力が正圧設定点又は正圧設定点の所定の許容値内になるように弁７５４を調整する。ある実施形態において、区域４２５内の圧力は、少なくとも０．０ｋＰａ、少なくとも１．１ｋＰａ又は少なくとも３ｋＰａであり、別の実施形態においては最大２０ｋＰａ、最大１８ｋＰａ又は最大１６ｋＰａである。特定の実施形態において、区域４２５内の圧力は、０．０ｋＰａ〜２０ｋＰａ、１．１ｋＰａ〜１８ｋＰａ又は３ｋＰａ〜１６ｋＰａの範囲である。別の実施形態において、区域４２５は、より狭い幅を有し、圧力が流路形状に依存するように、１５０ｋＰａの圧力、可能であればより高い圧力を使用してもよい。

制御部７７０内において、圧力源選択器７７２は、真空圧力源７０２を選択し、圧力センサ７７６によって検知された圧力が真空圧力設定点又は真空圧力設定点の所定の許容値内であるように弁７７４を調整する。ある実施形態において、区域４２７内の圧力は、少なくとも−２ｋＰａ、少なくとも−１１ｋＰａ又は少なくとも−２０ｋＰａであり、別の実施形態においては最大−１００ｋＰａ又は最大−８０ｋＰａである。特定の実施形態において、区域４２７内の圧力は、−２ｋＰａ〜−１００ｋＰａ、−１１ｋＰａ〜−１００ｋＰａ又は−２０ｋＰａ〜−８０ｋＰａの範囲である。

ブロック１１０６では、テンプレート２１８のフレキシブル領域を変調（変形）する。チャンバ８３３内の圧力は、上述した圧力にされ、テンプレート２１８のインプリント領域を凸形状にする。プロセッサ２５４は、圧力を変更するように信号をポンプシステム８３１に送る。

ブロック１１０２、１１０４及び１１０６において説明される処理動作は、任意の順序で又は同時に実行されてもよい。例えば、成形可能な材料２３４は、基板１００が変調されている間に吐出されうる。本明細書を読んだ後、当業者は、特定の用途に対する必要性又は要望に見合う順序で動作を実行することができる。

方法は、テンプレート２１８と基板１００の上の成形可能な材料とを初期接触させることを含む。ある実施形態では、図１１のブロック１１２４において、テンプレート２１８と成形可能な材料２３４とを初期接触させる。変調により、初期接触点を基板１００の周囲から更に移動させる。特に、図１５に図示されるように、初期接触は、部分領域９６２の周囲から離れた場所で起こる。初期接触は、５０％より小さい部分領域である部分領域９６２を含む全ての領域に対して幾何学的中心になるのが理想である。幾何学的中心の厳密で正確な場所が初期接触に対して異なっていても、幾何学的中心に近づけることは、幾何学的中心から離れることより好ましい。部分領域の場合、インプリント領域９６２は、完全領域に対するインプリント領域のサイズより小さい。テンプレート２１８と成形可能な材料２３４との初期接触は、基板１００及び成形可能な材料２３４の双方の周囲から離れた場所になる。初期接触を図１５の点線１５３４で示す。テンプレート２１８の表面及び基板１００の表面は、テンプレート２１８と成形可能な材料２３４との初期接触の点が初期接触点（図１５の破線１５３２により示される）を通って延びる平面に沿って位置し、テンプレート２１８及び基板１００の双方の表面と接するように湾曲する。

ブロック１１２６では、インプリント力を加える。テンプレート２１８と基板１００とに間の距離を減少することにより、インプリント力を加えることを達成できる。距離が減少するにつれ、力は増加する。図２を参照すると、プロセッサ２５４は、インプリントヘッド２３６、ステージ２１６又はその双方に信号を送信しうる。この動作は、テンプレート保持部２２８内の圧力センサを使用して、（１）基板１００又は基板保持部２１４と、（２）テンプレート２１８又はテンプレート保持部２２８との間の距離を測定することにより、監視されうる。完全領域のインプリントと同様に、テンプレート２１８と成形可能な材料２３４との更なる接触は、初期接触から離れる方向に伸びる。インプリント力が加えられる場合、成形可能な材料２３４は、部分領域７６２内に拡がる。ある実施形態では、基板１００の主面間の側面が例えば丸くされ、あるいは面取りされうるので、場合によっては基板１００の周辺エッジを除いた部分領域９６２の実質的な全体に対してテンプレート２１８が成形可能な材料２３４と接触するまで、接触を拡げる。

図１１のブロック１１２８では、基板１００の表面を復調する（変形を元に戻す）。区域４２３及び４２５内の圧力は、大気圧でないならば、大気圧に近づけられる。プロセッサ２５４は、制御部７３０及び７５０（図７）を用いて圧力を変更するように、ガスコントローラ２３６に信号を送信する。図示していないが、圧力源選択器７３２及び７５２は、インプリント装置又は別のソース内の空気を区域４２３及び４２５に導くことができる。別の実施形態において、リセス加工されたランド４４２は、制御部７３０を停止させる（例えば、弁７３４を閉じる）ことにより、区域４２３内を大気圧に到達させることができる。復調中、周囲付近の凸形状は減少又は除去されうる。区域４２７内のガス圧力は、変調中に変更されてもされなくてもよい。

図１１のブロック１１２９では、テンプレート２１８を復調する（変形を元に戻す）。貫通路８２７及びチャンバ８３３内の圧力を大気圧に近づける。プロセッサ２５４は、圧力を変更するようにポンプシステム８３１に信号を送信する。復調中、テンプレート２１８のインプリント領域の凸形状は、減少又は除去されうる。

図１２のブロック１２４２では、基板の背圧（背面圧力）を調整する。背圧の適用は、基板１００上の既存のパターン特徴（不図示）とテンプレート２１８のインプリント領域との重ね合わせを補助しうる。区域４２５及び４２７（図４）は、所望の重ね合わせを実現するために適切な圧力に設定されうる。信号は、プロセッサ２５４からガスコントローラ２３６に送信される（図２）。図７を参照すると、特定の実施形態では、圧力源選択器７５２及び７７２は圧力源７０２を選択し、弁７５４及び７７４は、圧力センサ７５６及び７７６によって検出された圧力が圧力設定点又は圧力設定点の所定の許容値内になるように調整される。ある実施形態では、区域４２５、４２７又はその双方は、少なくとも−０．５ｋＰａ、少なくとも−２ｋＰａ又は少なくとも−５ｋＰａの圧力であり、別の実施形態では、圧力は、最大−８０ｋＰａ、最大−５０ｋＰａ又は最大−３０ｋＰａである。特定の実施形態では、圧力は、−０．５ｋＰａ〜−８０ｋＰａ、−２ｋＰａ〜−５ｋＰａ又は−５０ｋＰａから−５ｋＰａ〜−３０ｋＰａの範囲である。区域４２５及び４２７内の圧力は、同一であってもよし、あるいは互いに異なってもよい。ある実施形態では、区域４２３は大気圧である。別の実施形態では、区域４２３は、テンプレート２１８からのインプリント力に逆らう僅かな正圧であってもよい。ある実施形態では、区域４２３は、大気圧又はそれに近い圧力であり、例えば−１ｋＰａ〜１ｋＰａの範囲である。ガスコントローラ２３６は、基板１００に対する適切な背圧が達成されるように信号をプロセッサ２５４に再度送信しうる。

図１２のブロック１２４４では、成形可能な材料２３４を放射線で露光してポリマー層を形成する。基板１００に対する適切な背圧が達成されて重ね合わせが許容可能となるようにガスコントローラ２３６から信号を受信した後、プロセッサ２５４は、エネルギーを射出するように信号をエネルギー源２３８に送信する。特定の実施形態において、エネルギーは紫外線であってもよい。エネルギーは、テンプレート２１８のインプリント領域を透過し、成形可能な材料２３４に到達する。エネルギーにより、成形可能な材料２３４内の活性剤が成形可能な材料２３４内で高分子反応を開始する、もしくは成形可能な材料２３４の交差結合がポリマー層を形成する。別の実施形態（示されない）では、エネルギー源２３８は放射線を既に射出していてもよいが、シャッタ又は同様の機構が、エネルギーがテンプレート２１８に送られる際に調整するために使用されうる。

図１２を参照すると、ブロック１２６２及び１２６４において、基板１００、テンプレート２１８又はその双方の表面を変調し、ブロック１２６６において、ポリマー層をテンプレート２１８から剥離する。ブロック１２６２及び１２６４における変調動作は必須ではない。

露光後の懸念は、分離中にかなりの水平応力が生じうるため、ポリマー層のパターンを著しく損傷させることなくポリマー層をテンプレート２１８から剥離することでありうる。ある実施形態では、変調は、上述したような凸形状を実現するように実行されうる。変調を用いる場合には、初期接触及び充填と同様の利点を得ることができる。より具体的には、分離の最終点は周囲から更に離れるように移動する。分離の最終点が周囲にあるか、あるいはそれに近づく場合、離層及び基板１００上の次の隣接領域への欠陥転写が発生する恐れがある。別の実施形態では、変調は、テンプレート２１８が取り除かれる際にポリマー層内の特徴（突起部）を損傷しうる水平応力を減少するように実行されてもよい。更なる実施形態では、変調は、テンプレート２１８と基板１００との間の分離距離の関数として変化させてもよい。例えば、ポリマー層をより容易にテンプレート２１８から剥離することができるように、分離距離が増加するにつれて変調の程度を増加させてもよい。変調は、テンプレート２１８と基板１００との間の分離距離の変化の線形関数又は非線形関数として変化してもよい。変調は、ガスコントローラ２３６と、区域４２３、４２５及び４２７とを使用して基板の背圧を調整することにより実現されうる。

インプリント装置の他の実施形態が使用されうる。別の実施形態では、リセス加工されたランド４４２（図５）は、フルハイトのランド４４４及び４４６に類似したフルハイトのランドにより置換されうる。図１６は、変更された外側区域１６００を有する基板チャック２１４の一部分を示す断面図である。外側区域１６００は、フルハイトのランド１６３０及びガス流路１６３２を含む。支点は、前の実施形態においてはフルハイトのランド４４４（図５に示された）にあったが、最も外側のランド１６３０にある。基板１００は凸状プロファイルを達成することができる。本実施形態により、外側ランド１６３０は、ウエハの周囲でより多くの支持を提供し（これにより重ね合わせを支援できる）、基板チャックの製造を簡略化できる。本実施形態において、図５の区域４２５及び４２３と比較して、区域４２５と１６００との間から漏れるガスの量は増加する恐れがある。従って、区域４２５及び１６００内の圧力が適切な変調及び十分に安定した適切な凸形状を実現するにはより多くの制約がありうる。従って、ガスコントローラの制御部内の対応する弁（区域１６００に対する）は、動作中により強い真空圧力を提供するために、先行の実施形態と比較してより多く開く必要があるだろう。

本明細書において説明するような実施形態により、部分領域内、特に５０％より小さい部分領域内の成形可能な材料２３４を、部分領域の周辺エッジから離れた初期接触点から離れる方向に拡げることができ、特定の実施形態では、部分領域の幾何学的中心に近づけることができる。図１７を参照すると、基板１００が変調されない場合、テンプレート２１８との初期接触（破線１７０３により示される）は、部分領域の周辺エッジにある。従って、初期接触は、部分領域の周辺エッジから離れず、成形可能な材料２３４を拡げること又は基板１００とテンプレート２１８との直接接触させることにおける不具合がより起こりやすい。図１５を参照すると、本明細書において説明するような概念により、初期接触が部分領域内にあることを可能にし、成形可能な材料２３４を２つ以上の方向に拡散させ、完全領域のインプリトにより類似させ、基板１００とテンプレート２１８とを直接接触さないことを可能にする。

多くの異なる態様及び実施形態が可能である。これらの態様及び実施形態のうちのいくつかを以下に説明する。本明細書を読んだ後、当業者は、これらの態様及び実施形態が単なる例示であり、本発明の範囲を限定しないことを理解するだろう。例示的な実施形態は、以下において列挙されるようなもののうちのいずれか１つ以上に従ってもよい。

実施形態１。吸着領域面積を有する吸着領域、および前記吸着領域の周囲に隣接するリセス加工された支持部分を含む基板保持部と、
テンプレートに対するテンプレート領域を有し、当該テンプレート領域はテンプレート領域面積を有するテンプレート保持部と、
を含み、
前記吸着領域面積は、前記テンプレート領域面積より大きいことを特徴とするインプリント装置。

実施形態２。ガス流路コントローラを更に含み、前記基板保持部は、前記吸着領域の露出面に広がる吸着ガス流路を含み、前記ガス流路コントローラは、前記インプリント装置で用いられる加工物の部分領域の凸状の湾曲を誘起するように前記吸着ガス流路内の圧力を調整するように構成されることを特徴とする実施形態１に記載のインプリント装置。

実施形態３。基板に対する吸着領域、および前記吸着領域の露出面に広がる吸着ガス流路を含む基板保持部と、
前記吸着ガス流路内のガス圧力を制御するガス流路コントローラと、
を含み、
前記ガス流路コントローラは、インプリント装置で用いられる加工物の部分領域の凸状の湾曲を誘起するように前記吸着ガス流路内の圧力を調整するように構成されることを特徴とするインプリント装置。

実施形態４。テンプレートに対するテンプレート保持部を更に含むことを特徴とする実施形態３に記載のインプリント装置。

実施形態５。前記ガス流路コントローラは、各前記吸着ガス流路内の真空圧力を前記吸着領域の少なくとも一部に同時に加えるように構成されることを特徴とする実施形態２から４のいずれか１つに記載のインプリント装置。

実施形態６。前記テンプレート保持部は、前記テンプレートの凸状の湾曲を誘起するように構成されたテンプレートガス流路を更に含むことを特徴とする実施形態１、２、４及び５のいずれか１つに記載のインプリント装置。

実施形態７。前記基板保持部は、前記吸着領域の周囲に隣接するリセス加工された凹状のランドを更に含むことを特徴とする実施形態３から６のいずれか１つに記載のインプリント装置。

実施形態８。前記部分領域内の成形可能な材料と前記テンプレートとの初期接触中、前記ガスコントローラは、テンプレートの背面圧力を前記テンプレートに加えるように更に構成されることを特徴とする実施形態２から７のいずれか１つに記載のインプリント装置。

実施形態９。前記部分領域内の前記成形可能な材料と前記テンプレートとの前記初期接触の後、前記ガスコントローラは、前記テンプレートの背面圧力を減少するように更に構成されることを特徴とする実施形態８に記載のインプリント装置。

実施形態１０。前記ガスコントローラは、真空圧力である第１の圧力を前記吸着領域の外側区域に加え、正のゲージ圧力である第２の圧力を前記吸着領域の中間区域に加えるように更に構成されることを特徴とする実施形態２から９のいずれか１つに記載のインプリント装置。

実施形態１１。前記部分領域内の前記成形可能な材料と前記テンプレートとの前記初期接触中、前記ガスコントローラは、前記第１の圧力及び前記第２の圧力を同時に加えるように更に構成されることを特徴とする実施形態１０記載のインプリント装置。

実施形態１２。前記部分領域内の前記成形可能な材料と前記テンプレートとの前記初期接触の後、前記ガスコントローラは、第３の圧力を前記吸着領域の前記外側区域に加え、第４の圧力を前記吸着領域の前記中間区域に加えるように構成され、
前記第３の圧力は前記第１の圧力とは異なるか、
前記第４の圧力は前記第２の圧力とは異なるか、あるいは
その双方であることを特徴とする実施形態１０又は１１に記載のインプリント装置。

実施形態１３。紫外線で前記成形可能な材料を露光する間、前記ガスコントローラは、第５の圧力を前記吸着領域の前記外側区域に加え、第６の圧力を前記吸着領域の前記中間区域に加えるように更に構成され、
前記第５の圧力は前記第３の圧力とは異なるか、
前記第６の圧力は前記第４の圧力とは異なるか、あるいは
その双方であることを特徴とする実施形態２から１２のいずれか１つに記載のインプリント装置。

実施形態１４。前記第３の圧力は、前記第１の圧力と比較して大気圧に近く、
前記第４の圧力は、前記第２の圧力と比較して大気圧に近く、
前記第６の圧力は、前記第４の圧力より低いことを特徴とする実施形態１３に記載のインプリント装置。

実施形態１５。前記第５の圧力は、前記第１の圧力と比較して大気圧に近いことを特徴とする実施形態１３又は１４に記載のインプリント装置。

実施形態１６。基板及び前記基板の上の成形可能な材料を含む加工物をインプリント装置内に提供する工程と、
周囲を有する部分領域内でテンプレートを前記成形可能な材料と接触させる工程と、を含み、
接触させる工程は、前記部分領域の前記周囲から離れた位置において前記テンプレートと前記成形可能な材料とを初期接触させることを含むことを特徴とする方法。

実施形態１７。前記インプリント装置は、吸着領域を含む基板保持部を含み、前記加工物を提供する工程は、前記基板を前記吸着領域の上に置くことを含むことを特徴とする実施形態１６に記載の方法。

実施形態１８。前記成形可能な材料を前記基板の上に吐出する工程を更に含み、前記基板の種々の面積は、成形可能な材料の種々の面密度を有することを特徴とする実施形態１６又は１７に記載の方法。

実施形態１９。前記テンプレートを前記成形可能な材料と初期接触させた後、前記部分領域内で前記成形可能な材料を拡げる工程を更に含むことを特徴とする実施形態１６から１８のいずれか１つに記載の方法。

実施形態２０。前記テンプレートと前記成形可能な材料とを接触させる前に、前記基板の周囲に隣接する前記加工物の凸形状を形成するように前記基板を変調する工程を更に含むことを特徴とする実施形態１６から１９のいずれか１つに記載の方法。

実施形態２１。前記基板を変調することは、前記成形可能な材料を分配した後に実行されることを特徴とする実施形態２０記載の方法。

実施形態２２。前記テンプレートと前記成形可能な材料とを初期接触させた後、前記基板を復調して前記凸形状を減少又は除去する工程を更に含むことを特徴とする実施形態２０又は２１に記載の方法。

実施形態２３。前記テンプレートと前記成形可能な材料とを初期接触させる間、テンプレートの背面圧力を前記テンプレートに加える工程を更に含むことを特徴とする実施形態１６から２２のいずれか１つに記載の方法。

実施形態２４。前記テンプレートと前記成形可能な材料とを初期接触させた後、前記テンプレートの背面圧力を減少させる工程を更に含むことを特徴とする実施形態２３に記載の方法。

実施形態２５。前記成形可能な材料を重合した後、前記テンプレートの背面圧力を増加する工程を更に含むことを特徴とする実施形態２４に記載の方法。

実施形態２６。前記成形可能な材料を紫外線で露光し、前記成形可能な材料を重合させてポリマー層を形成する工程を更に備えることを特徴とする実施形態１６から２５のいずれか１つに記載の方法。

実施形態２７。前記インプリント装置は、吸着領域を含む基板保持部を含み、前記方法は、真空圧力である第１の圧力を前記吸着領域の外側区域に加えることと、正のゲージ圧力である第２の圧力を前記吸着領域の中間区域に加えることとを含むことを特徴とする実施形態２６に記載の方法。

実施形態２８。前記第１の圧力を加えること及び前記第２の圧力を加えることは、前記テンプレートと前記成形可能な材料とを初期接触させる間に同時に実行されることを特徴とする実施形態２７に記載の方法。

実施形態２９。前記テンプレートと前記成形可能な材料とを初期接触させた後、第３の圧力を前記吸着領域の前記外側区域に加えることと、第４の圧力を前記吸着領域の前記中間区域に加えることとを更に含み、前記第３の圧力は前記第１の圧力とは異なるか、前記第４の圧力は前記第２の圧力とは異なるか、あるいはその双方であることを特徴とする実施形態２７又は２８に記載の方法。

実施形態３０。前記成形可能な材料を紫外線で露光する間、第５の圧力を前記吸着領域の前記外側区域に加えることと、第６の圧力を前記吸着領域の前記中間区域に加えることとを更に含み、前記第５の圧力は前記第３の圧力とは異なるか、前記第６の圧力は前記第４の圧力とは異なるか、あるいはその双方であることを特徴とする実施形態２９に記載の方法。

実施形態３１。前記第３の圧力は、前記第１の圧力と比較して大気圧に近く、前記第４の圧力は、前記第２の圧力と比較して大気圧に近く、前記第６の圧力は、前記第４の圧力より低いことを特徴とする実施形態３０に記載の方法。

実施形態３２。前記第５の圧力は、前記第１の圧力と比較して大気圧に近いことを特徴とする実施形態３１に記載の方法。

実施形態３３。前記ポリマー層を前記テンプレートから剥離することを更に含むことを特徴とする実施形態２６から３２のいずれか１つに記載の方法。

実施形態３４。前記基板の形状を変調せずに剥離することと比較して、前記ポリマー層内の水平歪みを軽減するように剥離中に前記基板の前記形状を変調することを更に含むことを特徴とする実施形態３３に記載の方法。

尚、一般的な説明又は例において上述した動作の全てが必要とされず、特定の動作の一部が必要とされなくてもよく、１つ以上の更なる動作が説明した動作に加えて実行されてもよい。更に、動作が列挙される順序は、必ずしもそれらが実行される順序ではない。

特定の実施形態に関して、利益、他の利点及び問題に対する解決方法を上述した。しかし、利益、利点、問題に対する解決方法及びあらゆる利益、利点又は解決方法を生じさせるか、あるいはより明白にさせてもよいあらゆる特徴は、特許請求の範囲のいずれか又は全ての不可欠、必要又は必須のものとして解釈されるべきではない。

本明細書において説明する実施形態の仕様及び例示は、種々の実施形態の構造の一般的な理解を提供することを意図する。仕様及び例示は、本明細書において説明する構造又は方法を使用する装置及びシステムの要素及び特徴の全ての網羅的及び包括的な説明になることを意図しない。別個の実施形態は、単一の実施形態と組み合わせて更に提供されてもよく、逆に、簡略化するために単一の実施形態の文脈で説明される種々の特徴は、別個に又はあらゆる部分的組み合わせで更に提供されてもよい。また、範囲において記載された値を参照することは、その範囲内の各値を含む。多くの他の実施形態は、本明細書を読んだ後で初めて当業者に明らかとなってもよい。構造的置換、論理的置換又はあらゆる変更が本発明の範囲から逸脱せずに行われてもよいように、他の実施形態が使用されてもよく、本発明から導出されてもよい。従って、本発明は、限定するものではなく例示するものとして考えられるべきである。

Claims (20)

1. 吸着領域面積を有する吸着領域、および前記吸着領域の周囲に隣接するリセス加工されたランドを含む基板保持部と、
   テンプレートに対するテンプレート領域を有し、当該テンプレート領域はテンプレート領域面積を有するテンプレート保持部と、
   を含み、
   前記吸着領域面積は、前記テンプレート領域面積より大きいことを特徴とするインプリント装置。
2. ガスコントローラを更に含み、
   前記基板保持部は、前記吸着領域の露出面に広がる区域を含み、
   前記ガスコントローラは、前記インプリント装置で用いられる基板の部分領域の凸状の湾曲を誘起するように前記区域内の圧力を調整することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 基板に対する吸着領域、および前記吸着領域の露出面に広がる区域を含む基板保持部と、
   区域内のガス圧力を制御するガスコントローラと、
   を含み、
   前記ガスコントローラは、インプリント装置で用いられる前記基板の部分領域の凸状の湾曲を誘起するように前記区域内の圧力を調整することを特徴とするインプリント装置。
4. 前記基板保持部は、前記吸着領域の周囲に隣接するリセス加工されたランドを更に含むことを特徴とする請求項３記載のインプリント装置。
5. 前記部分領域内の成形可能な材料とテンプレートとの初期接触中、前記ガスコントローラは、前記テンプレートの背面圧力を前記テンプレートに加えることを特徴とする請求項３記載のインプリント装置。
6. 前記部分領域内の前記成形可能な材料と前記テンプレートとの前記初期接触の後、前記ガスコントローラは、前記テンプレートの背面圧力を減少させることを特徴とする請求項５記載のインプリント装置。
7. 前記ガスコントローラは、真空圧力である第１の圧力を前記吸着領域の外側区域に加え、正のゲージ圧力である第２の圧力を前記吸着領域の中間区域に加えることを特徴とする請求項３記載のインプリント装置。
8. 前記部分領域内の成形可能な材料とテンプレートとの初期接触中、前記ガスコントローラは、前記第１の圧力及び前記第２の圧力を同時に加えることを特徴とする請求項７記載のインプリント装置。
9. 前記部分領域内の成形可能な材料とテンプレートとの初期接触の後、前記ガスコントローラは、第３の圧力を前記吸着領域の前記外側区域に加え、第４の圧力を前記吸着領域の前記中間区域に加え、
   前記第３の圧力は前記第１の圧力と異なる、または前記第４の圧力は前記第２の圧力と異なる、またはその双方であることを特徴とする請求項７記載のインプリント装置。
10. 紫外線照射で前記成形可能な材料を露光する間、前記ガスコントローラは、第５の圧力を前記吸着領域の前記外側区域に加え、第６の圧力を前記吸着領域の前記中間区域に加え、
    前記第５の圧力は前記第３の圧力と異なる、または前記第６の圧力は前記第４の圧力と異なる、またはその双方であることを特徴とする請求項９記載のインプリント装置。
11. 前記第３の圧力は、前記第１の圧力と比較して大気圧に近く、
    前記第４の圧力は、前記第２の圧力と比較して大気圧に近く、
    前記第６の圧力は、前記第４の圧力より低いことを特徴とする請求項１０記載のインプリント装置。
12. 前記第５の圧力は、前記第１の圧力と比較して大気圧に近いことを特徴とする請求項１０記載のインプリント装置。
13. 基板と前記基板の上の成形可能な材料とを含む加工物をインプリント装置内に提供する提供工程と、
    前記基板の周囲に隣接する前記基板の凸形状を形成するように前記基板を変調する変調工程と、
    周囲を有する部分領域内でテンプレートを前記成形可能な材料と接触させる接触工程と、
    を含み、
    接触工程は、前記部分領域の前記周囲から離れた位置において前記テンプレートと前記成形可能な材料とを初期接触させることを特徴とする方法。
14. 前記成形可能な材料を前記基板上に吐出する工程を更に含み、
    前記基板の種々の領域は、成形可能な材料の種々の面密度を有することを特徴とする請求項１３記載の方法。
15. 前記テンプレートと前記成形可能な材料とを初期接触させた後、前記部分領域内で前記成形可能な材料を拡げる工程を更に含むことを特徴とする請求項１３記載の方法。
16. 前記テンプレートと前記成形可能な材料とを接触させた後、前記成形可能な材料をエネルギーで露光して前記成形可能な材料を重合させる露光工程を更に含むことを特徴とする請求項１３記載の方法。
17. 前記成形可能な材料をエネルギーで露光した後、前記基板を復調して前記凸形状を減少又は除去する復調工程を更に含むことを特徴とする請求項１６記載の方法。
18. 前記基板を変調する変調工程は、前記成形可能な材料を吐出した後に実行されることを特徴とする請求項１３記載の方法。
19. 前記インプリント装置は、吸着領域を含む基板保持部を含み、
    前記方法は、真空圧力である第１の圧力を前記吸着領域の外側区域に加える工程と、正のゲージ圧力である第２の圧力を前記吸着領域の中間区域に加える工程とを更に含み、
    前記方法は、ポリマー層を前記テンプレートから剥離する工程を更に含むことを特徴とする請求項１３記載の方法。
20. 剥離する工程の間に前記基板の形状を変調する工程を更に含むことを特徴とする請求項１９記載の方法。