KR102205141B1 - 임프린트 리소그래피를 위한 유체 액적 방법 및 장치 - Google Patents

임프린트 리소그래피를 위한 유체 액적 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

임프린트 리소그래피용 장치가 개시된다. 장치는 유체 분배 포트를 포함하는 유체 분배 시스템, 스테이지, 및 논리 소자를 포함할 수 있다. 논리 소자는 유체 액적 패턴을 결정하도록; 제1 통과 중에 형성 가능 재료를 기재 상에 분배하기 위한 정보를 전달하도록, - 기재 및 유체 분배 포트가 병진운동 방향으로 서로에 대해서 이동됨 - ; 기재 및 유체 분배 포트를 병진운동 방향과는 다른 방향으로 서로에 대해서 오프셋시키기 위한 정보를 전달하도록; 그리고 제2 통과 중에 형성 가능 재료를 기재 상에 분배하기 위한 정보를 전달하도록 구성될 수 있다. 유체 액적 패턴을 생성하는 방법이 장치를 이용하여 실시될 수 있다.

Description

임프린트 리소그래피를 위한 유체 액적 방법 및 장치{FLUID DROPLET METHODOLOGY AND APPARATUS FOR IMPRINT LITHOGRAPHY}
본 개시 내용은 임프린트 리소그래피에 관한 것이고, 보다 특히 임프린트 리소그래피 적용예를 위한 유체 액적 패터닝에 관한 것이다.
임프린트 리소그래피 장치 및 프로세스는 전자 소자의 제조에서 반도체 웨이퍼 상에 나노 크기의 패턴을 형성하는데 있어서 유용하다. 그러한 장치 및 프로세스는, 유체 액적 분배와 같은 기술을 이용하여, 형성 가능 재료, 예를 들어, 수지나 레지스트와 같은 중합 가능 재료를 웨이퍼 상에 피착하기 위한 유체 분배 시스템의 이용을 포함할 수 있다. 분배된 재료는 희망 패턴 특징부를 가지는 임프린트 형판(또는 몰드)과 접촉되고 이어서 응고되어 패터닝된 층을 웨이퍼 상에 형성한다. 형판 특징부 충진율 및 관련된 결함은, 부분적으로, 형판 패턴 특징부 밀도 및 배향 그리고 유체 액적 피치를 포함하는 액적 패턴 배열에 의존한다.
통상적인 유체 분배 시스템은 액적간 간격의 약간의 조정을 허용하나, 그러한 시스템은 전형적으로 그러한 조정의 범위를 제한하는 제약을 갖는다. 유체 분배 시스템은, 유체 분배 포트 피치와 동일한 방향을 따른 유체 액적 피치를 결정하는 유체 분배 포트 피치를 가지는 유체 분배 포트를 포함한다. 그에 따라, 유체 분배 헤드를 교체하지 않고 유체 분배 포트 피치를 조정할 수 있는 능력이 없거나 제한된다. 따라서, 보다 미세하게 조정 가능한 그리고 분배기 한계에 의해서 제한되지 않는 액적 패턴 프로세스에 대한 산업적인 요구가 계속되고 있다.
일 양태에서, 장치는 임프린트 리소그래피 프로세스에서 이용될 수 있다. 임프린트 리소그래피를 위한 장치는:
유체 분배 포트를 가지는 유체 분배 시스템;
스테이지로서, 스테이지, 유체 분배 포트, 또는 스테이지 및 유체 분배 포트의 조합이 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 이동시키도록 구성되는, 스테이지; 및
논리 소자를 포함하고;
상기 논리 소자는:
형성 가능 재료를 기재 상에 분배하기 위한 유체 액적 패턴을 결정하고;
임프린트 필드를 위한 유체 액적 패턴의 제1 부분을 형성하기 위한 제1 통과 중에 형성 가능 재료를 기재 상에 분배하기 위한 정보를 전달하고, - 기재 및 유체 분배 포트가 병진운동 방향으로 서로에 대해서 이동됨 - ;
기재 및 유체 분배 포트를 병진운동 방향과는 다른 방향으로 서로에 대해서 오프셋시키기 위한 정보를 전달하고, - 장치는, 제1 통과 중에 형성 가능 재료를 분배하기 위한 지시가 실행된 이후에, 유체 분배 포트를 오프셋시키도록 구성됨 - ;
임프린트 필드를 위한 유체 액적 패턴의 제2 부분을 형성하기 위한 제2 통과 중에 형성 가능 재료를 기재 상에 분배하기 위한 정보를 전달하도록, - 장치는, 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키기 위한 지시가 실행된 이후에, 제2 통과 중에 형성 가능 재료를 분배하도록 구성됨 - 구성된다.
일 실시예에서, 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키기 위한 정보는 기재 및 유체 분배 포트를 병진운동 방향으로 오프셋시키기 위한 정보를 포함하지 않는다.
다른 실시예에서, 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키기 위한 정보는 기재 및 유체 분배 포트를 병진운동 방향으로 서로에 대해서 오프셋시키기 위한 정보를 더 포함한다.
특별한 실시예에서,
유체 분배 시스템은, 기재 및 유체 분배 포트가 병진운동 방향을 따라 미리 설정된 속력으로 서로에 대해서 이동될 때, 미리 설정된 최소 피치의 기재 상의 이격된 액적을 성취하기 위한 미리 설정된 빈도(frequency)로 형성 가능 재료의 유체 액적을 분배하도록 추가적으로 구성되며;
제1 통과, 제2 통과, 또는 제1 및 제2 통과의 각각 중에 형성 가능 재료를 분배하기 위한 정보는, 병진운동 방향을 따른 유체 액적 피치가 미리 설정된 최소 피치가 되도록 또는 미리 설정된 최소 피치의 정수배가 되도록, 형성 가능 재료를 분배하기 위한 특정 정보를 포함하고;
기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키기 위한 정보는, 병진운동 방향으로, 기재 및 유체 분배 포트의 서로에 대한 오프셋이 미리 설정된 최소 피치의 비-정수배인 병진운동 오프셋 거리에 대해서 실시되는 특정 정보를 포함한다.
다른 실시예에서, 유체 분배 포트는 병진운동 방향에 실질적으로 수직인 선을 따른 상응하는 피치로 유체 액적을 분배하도록 구성되고, 기재 및 유체 분배 포트를 다른 방향으로 서로에 대해서 오프셋시키기 위한 정보는 상응하는 피치의 비-정수배인 오프셋 거리에 대해서 실행된다.
추가적인 실시예에서, 제1 통과 중에 형성 가능 재료를 기재 상에 분배하기 위한 정보는 적하 연부 배제부(drop edge exclusion)의 Y1 선을 따라 형성 가능 재료의 유체 액적을 분배하기 위한 정보를 포함하고, 제2 통과 중에 형성 가능 재료를 기재 상에 분배하기 위한 정보는 적하 연부 배제부의 Y2 선을 따라 형성 가능 재료의 유체 액적을 분배하기 위한 정보를 포함한다.
다른 양태에서, 임프린트 리소그래피 프로세스를 위한 기재 유체 액적 패턴을 생성하기 위한 방법이 이용될 수 있다. 그러한 방법은:
유체 분배 포트를 가지는 유체 분배 시스템을 제공하는 단계;
형성 가능 재료를 기재 상에 분배하기 위한 가상 유체 액적 패턴을 결정하는 단계;
제1 통과 중에, 임프린트 필드를 위한 기재 유체 액적 패턴의 제1 부분을 형성하기 위해서 형성 가능 재료를 기재 상에 분배하는 단계로서, 기재 유체 액적 패턴은 가상 유체 액적 패턴에 상응하고, 기재 및 유체 분배 포트는 병진운동 방향으로 서로에 대해서 이동되는, 단계;
기재 및 유체 분배 포트를 병진운동 방향과는 다른 방향으로 서로에 대해서 오프셋시키는 단계로서, 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키는 단계는 제1 통과 중에 형성 가능 재료를 분배한 이후에 실시되는, 단계; 및
제2 통과 중에, 임프린트 필드를 위한 기재 유체 액적 패턴의 제2 부분을 형성하기 위해서 형성 가능 재료를 기재 상에 분배하는 단계로서, 제2 통과 중에 형성 가능 재료를 분배하는 단계는, 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키는 단계 이후에 실시되는, 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 유체 분배 포트는 병진운동 방향에 실질적으로 수직인 선을 따른 상응하는 피치로 유체 액적을 분배하도록 구성되고, 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키는 단계는, 상응하는 피치의 비-정수배인 오프셋 거리에 대해서 기재 및 유체 액적 포트를 서로에 대해서 다른 방향으로 오프셋시키는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서:
유체 분배 시스템을 제공하는 단계는 병진운동 방향에 실질적으로 수직인 선을 따른 상응하는 피치로 유체 액적을 분배하도록 구성된 유체 분배 포트를 가지는 유체 분배 시스템을 제공하는 단계를 더 포함하고, 유체 분배 시스템은, 기재 및 유체 분배 포트가 그러한 선에 실질적으로 수직인 병진운동 방향을 따라 미리 설정된 속력으로 서로에 대해서 이동될 때, 미리 설정된 최소 피치로 이격된 액적을 기재 상에서 성취하기 위한 미리 설정된 빈도로 형성 가능 재료의 유체 액적을 분배하도록 더 구성되며;
가상 유체 액적 패턴을 결정하는 단계는:
형성 가능 재료를 기재 상에 분배하기 위한 미리 설정된-규정된 유체 액적 패턴을 결정하는 단계로서, 미리 설정된-규정된 유체 액적 패턴은 부분적으로 임프린트 리소그래피 형판의 패턴을 기초로 하며, 미리 설정된-규정된 유체 액적 패턴은, 기재 및 유체 분배 포트가 병진운동 방향을 따라 미리 설정된 속력으로 서로에 대해서 이동될 때, 미리 설정된 최소 피치 또는 그 정수배로 기재 상에서 이격된 유체 액적을 나타내는, 단계; 그리고
미리 설정된-규정된 유체 액적 패턴을 기초로 조정된 유체 액적 패턴을 결정하는 단계로서, 조정된 유체 액적 패턴은 미리 설정된 최소 피치의 비-정수배로 이격된 유체 액적들을 나타내며, 조정된 유체 액적 패턴은 가상 유체 액적 패턴인, 단계를 포함하고;
방법은, 제1 및 제2 통과 중에 형성되는 기재 유체 액적 패턴을 생성하기 위해서 기재 및 유체 분배 포트의 서로에 대한 조정된 속력을 결정하는 단계로서, 조정된 속력은 제1 통과, 제2 통과, 또는 제1 및 제2 통과의 각각 중에 미리 설정된 속력과 상이한, 단계; 및
제1 통과, 제2 통과, 또는 제1 및 제2 통과의 각각 중에, 기재 및 유체 분배 포트를 병진운동 방향으로 조정된 속력으로 서로에 대해서 이동시키고, 미리 설정된 빈도로 형성 가능 재료를 유체 분배 포트를 통해서 분배하는 단계를 더 포함한다.
추가적인 양태에서, 방법은 물품 제조를 위해서 이용될 수 있다. 그러한 방법은:
유체 분배 포트를 가지는 유체 분배 시스템을 제공하는 단계;
형성 가능 재료를 기재 상에 분배하기 위한 유체 액적 패턴을 결정하는 단계;
제1 통과 중에, 임프린트 필드를 위한 유체 액적 패턴의 제1 부분을 형성하기 위해서 형성 가능 재료를 기재 상에 분배하는 단계로서, 기재 및 유체 분배 포트가 병진운동 방향으로 서로에 대해서 이동되는, 단계;
기재 및 유체 분배 포트를 병진운동 방향과는 다른 방향으로 서로에 대해서 오프셋시키는 단계로서, 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키는 단계는 제1 통과 중에 형성 가능 재료를 분배하는 단계 이후에 실시되는, 단계;
제2 통과 중에, 임프린트 필드를 위한 유체 액적 패턴의 제2 부분을 형성하기 위해서 형성 가능 재료를 기재 상에 분배하는 단계로서, 제2 통과 중에 형성 가능 재료를 분배하는 단계는, 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키는 단계 이후에 실시되는, 단계;
형성 가능 재료를 표면을 가지는 형판과 접촉시키는 단계; 및
형판의 표면에 상응하는 층을 형성하기 위해서 형성 가능 재료를 경화하는 단계를 포함한다.
실시예는 첨부 도면에서 예로서 도시되고 제한되지 않는다.
도 1은 적하 연부 배제부를 위한 X-방향 및 Y-방향 정렬과 합치되는 유체 액적 패턴을 포함한다.
도 2는 적하 연부 배제부를 위한 X2 및 Y2 정렬과 합치되지 않는 유체 액적 패턴을 포함한다.
도 3은 예시적인 임프린트 리소그래피 시스템의 단순화된 측면도를 포함한다.
도 4는, 패터닝된 층을 가지는, 도 3에 도시된 기재의 단순화된 횡단면도를 포함한다.
도 5는 유체 분배 포트 및 기재 표면 상에 피착된 예시적인 액적 패턴을 포함하는 유체 분배 시스템의 단순화된 상면도를 포함한다.
도 6 및 도 7은, 유체 액적 패턴을 생성하는 단계를 포함하는, 물품을 형성하는 예시적인 방법의 흐름도를 포함한다.
도 8은 실시예에 따른 단일 통과 이후에 형성된 기재 유체 액적 패턴의 일부를 포함하는 표면의 단순화된 상면도를 포함한다.
도 9는 실시예에 따른 다른 통과 중에 기재 유체 액적 패턴의 다른 부분을 형성한 후의 도 8의 표면의 단순화된 상면도를 포함한다.
도 10은 임프린팅 중의 기재 및 임프린트 리소그래피 형판의 도면을 포함한다.
도 11은 다른 실시예에 따른 조정된 기재 유체 액적 패턴의 단순화된 상면도를 포함한다.
도 12는 다른 실시예에 따른 유체 액적 패턴 생성 단계를 포함하는, 물품을 형성하는 예시적인 방법의 흐름도를 포함한다.
도 13은 다른 실시예에 따른 제1 통과 이후에 형성된 기재 유체 액적 패턴의 일부를 포함하는 표면의 단순화된 상면도를 포함한다.
도 14는 다른 실시예에 따른 제2 통과 이후에 형성된 기재 유체 액적 패턴의 일부를 포함하는 표면의 단순화된 상면도를 포함한다.
당업자는 도면 내의 요소가 간결함 및 명료함을 위해서 도시되었고, 반드시 실제 축척(scale)으로 작성된 것이 아님을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예의 이해를 돕기 위해서, 도면 내의 일부 요소의 치수가 다른 요소에 비해서 과장되었을 수 있다.
도면과 조합된 이하의 설명은 본원에서 개시된 교시 내용의 이해를 돕기 위해서 제공된 것이다. 이하의 설명은 교시 내용의 특정 구현예 및 실시예에 초점을 맞출 것이다. 이러한 초점은 교시 내용의 설명을 돕기 위해서 제공된 것이고, 교시 내용의 범위 또는 적용 가능성에 대한 제한으로 해석되지 않아야 한다.
유체 액적 패턴은, 물리적으로 존재하는 또는 존재하게 될 실제 패턴, 또는 유체 액적 패턴의 컴퓨터 생성 표상일 수 있는 가상 패턴을 지칭할 수 있다. "기재 유체 액적 패턴"이라는 용어는 기재 상에 형성되는 바와 같은 유체 액적의 특별한 실제 패턴을 지칭한다. "조정된 유체 액적 패턴"은 특별한 가상 액적 패턴을 지칭하고, 일 실시예에서, 그러한 가상 액적 패턴은, 조정된 유체 액적 패턴을 이용할 때 생성되는 기재 유체 액적 패턴에 상응할 수 있다.
"피치"라는 용어는 특징부의 중심으로부터 다음의 인접한 특징부의 중심까지의 거리를 의미하기 위한 것이다. 유체 액적 패턴의 경우에, 피치는 액적의 중심으로부터 다음의 인접한 액적의 중심까지의 거리이다. 데카르트 좌표에서, 2-차원적인 패턴(상면도 또는 평면도로부터 보여지는 바와 같은 패턴)은 X-방향으로 측정되는 특징부들의 중심들 사이의 거리에 상응하는 X-방향을 따른 피치(X-방향 피치), 및 Y-방향으로 측정되는 특징부들의 중심들 사이의 거리에 상응하는 Y-방향을 따른 피치(Y-방향 피치)를 가질 수 있다. X-방향 피치는 Y-방향 피치와 같거나 상이할 수 있다.
본원에서 사용된 바와 같이, 속력 및 이동은 상대적인 기준으로 설명될 수 있다. 예를 들어, 물체(A) 및 물체(B)가 서로 상대적으로 이동된다. 그러한 용어는 물체(A)가 이동되고 물체(B)는 이동되지 않는 것; 물체(A)가 이동되지 않고 물체(B)가 이동되는 것; 및 양 물체(A) 및 물체(B)가 이동되는 것을 포함하기 위한 것이다.
달리 규정되는 바가 없는 한, 본원에서 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어가 본 발명에 속하는 업계의 당업자에 의해서 일반적으로 이해되는 바와 같은 의미를 갖는다. 재료, 방법, 및 예는 단지 예시적인 것이고 제한적으로 의도된 것은 아니다. 본원에서 설명되지 않은 범위에서, 특정 재료 및 프로세싱 행위와 관련한 많은 세부 사항은 통상적인 것이고, 임프린트 및 리소그래피 분야의 책 및 다른 자료에서 발견될 수 있다.
임프린트 리소그래피에서, 적절한 양의 형성 가능 재료가 정확한 위치 및 지역적 밀도로 기재 상에 분배되는 것을 보장하기 위해서, 형성 가능 재료는 제어된 방식에 분배될 필요가 있다. 임프린트 필드의 연부에 가장 근접한 유체 액적의 중심은, 임프린트 작업 중에, 적절한 양의 형성 가능 재료가 임프린트 필드의 연부를 향해서 유동될 수 있도록, 배치된다. 만약 유체 액적이 연부에 너무 근접한다면, 형성 가능 재료의 일부가 임프린트 리소그래피 형판의 연부를 넘어서 유동될 수 있고, 그러한 형성 가능 재료의 부분은 경화 동작 중에 압출 결함을 초래할 수 있다. 압출 결함은 리소그래피 형판에 부착될 수 있고 압출 결함이 다음 임프린트 필드 내에서 프린트되게 할 수 있다. 만약 유체 액적이 연부로부터 너무 멀다면, 형판 특징부의 불완전한 충진이 발생될 수 있다. 그러한 결함은 "비-충진" 결함으로 지칭되고, 패턴 전사 시에 특징부의 손실로 나타난다. 압출 결함 및 비-충진 결함은 바람직하지 못하다.
적하 연부 배제부(DEE)는, (1) 형성 가능 재료가 임프린트 리소그래피 형판의 연부를 넘어서서 유동할 수 있는 가능성 및 (2) 비-충진 결함이 발생할 수 있는 가능성을 감소시키는 임프린트 필드의 연부 부근의 형성 가능 재료의 적절한 양을 성취하기 위한 기재 유체 액적 패턴 주위의 배제부를 지칭한다. 도 1은 적절한 DEE를 가지는 이상적인 기재 유체 적하 패턴을 도시한다. 임프린트 필드는 X-방향 및 Y-방향을 따라 데카르트 좌표에 표시될 수 있다. 좌측 측면에 가장 근접한 열을 따른 유체 액적의 중심은 좌측 연부로부터 거리(X1)에 있는 선을 따라 놓이고, 우측 측면에 가장 근접한 열을 따른 유체 액적의 중심은 우측 연부로부터 거리(X2)에 있는 선을 따라 놓인다. 임프린트 필드의 하단부에 가장 근접한 열을 따른 유체 액적의 중심은 하단부 연부로부터 거리(Y1)에 있는 선을 따라 놓이고, 임프린트 필드의 상단부에 가장 근접한 열을 따른 유체 액적의 중심은 상단부 연부로부터 거리(Y2)에 있는 선을 따라 놓인다. 본원에서 그러한 선은 DEE의 X1 선, X2 선, Y1 선, 및 Y2 선으로 지칭된다. 도 1에서, 유체 액적은 X-방향 및 Y-방향의 각각으로 균일한 피치를 갖는다.
실제 실무에서, 적절한 DEE를 얻기 어렵다. 도 2는, 기재 유체 액적 패턴이 X1 선 및 Y1 선을 따른 유체 액적의 중심을 가지나, DEE의 X2 선 및 Y2 선을 따른 유체 액적의 중심은 가지지 않는 도면을 포함한다. 도 2의 기재 유체 액적 패턴은, 도 1에 비해서, 임프린트 필드의 상단부 및 우측 연부를 따라 비-충진 결함을 가질 위험이 상당히 더 높다. 만약 여분의 행 또는 열이 도 2에서와 동일한 피치로 임프린트 필드의 상단부 또는 우측 측면을 따라 분배된다면, 형성 가능 재료는 임프린트 필드의 연부에 너무 근접하게 될 것이다. 그러한 기재 유체 액적 패턴은, 형성 가능 재료가 리소그래피 임프린트 형판의 연부를 넘어서 유동할 수 있고 압출 결함을 초래할 수 있는 상당히 높은 위험을 갖는다.
X-방향과 관련하여, 유체 분배 헤드(및 유체 분배 헤드를 동작시키는 제어 소프트웨어)는, 유체 분배 시스템의 유연성을 제한할 수 있는 미리 설정된 매개변수(이하에서, "미리 설정된 값")를 갖는다. 유체 분배 헤드는 미리 설정된 격발 빈도, 및 유체 분배 헤드가 미리 설정된 값으로 일정하게 이동될 수 있는 미리 설정된 속력을 갖는다. 본원에서 사용된 바와 같이, "미리 설정된 최소 피치"는 기재 및 유체 분배 포트가 미리 설정된 속력으로 서로에 대해서 이동될 때 미리 설정된 격발 빈도로 분배되는 2개의 바로 인접한 액적의 중심들 사이의 거리이고, 이는 도 3에 도시된 바와 같은 실시예에서 X-방향이다. 소프트웨어 제어는 미리 설정된 최소 피치의 비-정수배에서 어려움을 갖는다. 따라서, 제한된 수의 유체 액적 패턴 만이 상응하는 X-Y 격자 상의 위치를 기초로 생성될 수 있다. 따라서, 소프트웨어 제어는 단순히 미리 설정된 최소 피치의 가장 근접한 정수를 결정한다. 그러나, 도 2의 X1 선과 X2 선 사이의 거리는 미리 설정된 최소 피치의 비-정수배일 수 있다. 결과적으로, 유체 분배 시스템은 덜 이상적인 액적 패턴을 형성한다.
본 명세서에서, 유체 분배 포트 피치에서 유발되는 문제에 대한 해결책이 본원에서 다루어진다. 도 2에서, 유체 분배 포트 피치는 Y-방향이다. 유체 분배 포트 및 기재는, 형성 가능 재료의 상이한 분배 통과들 사이에서, 서로에 대해서 오프셋될 수 있다. 본 명세서는, 문제점 및 유체 액적의 중심이 DEE의 X1, X2, Y1, 및 Y2 선을 따라 분배될 수 있게 하는 해결책을 간략히 설명할 것이다.
장치 및 방법과 관련한 세부 사항은 도면과 함께 본 명세서를 판독한 후에 더 잘 이해된다. 이하의 설명은 실시예를 설명하기 위한 것이고, 첨부된 청구항에서 규정되는 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것은 아니다.
도면, 그리고 특히 도 3을 참조하면, 본원에서 설명된 실시예에 따른 리소그래피 시스템(10)을 이용하여 기재(12) 상에 부조 패턴(relief pattern)을 형성할 수 있다. 기재(12)는 기재 척(14)에 결합될 수 있다. 도시된 바와 같이, 기재 척(14)은 진공 척이나; 다른 실시예에서 기재 척(14)은 진공, 핀-유형, 홈-유형, 정전기적, 전자기적, 또는 기타를 포함하는 임의 척일 수 있다. 참조로서 전체가 본원에 포함되는 미국 특허 제6,873,087호에 예시적인 척이 설명되어 있다. 기재(12) 및 기재 척(14)은 스테이지(16)에 의해서 더 지지될 수 있다. 스테이지(16)는 X-, Y-, 또는 Z-방향을 따른 병진운동 또는 회전운동을 제공할 수 있다. 스테이지(16), 기재(12), 및 기재 척(14)은 또한 기부(미도시) 상에 배치될 수 있다.
형판(18)이 기재(12)로부터 이격된다. 형판(18)은 제1 측면 및 제2 측면을 가지는 본체를 포함할 수 있고, 하나의 측면은 그로부터 기재(12)를 향해서 연장되는 메사(mesa)(20)를 갖는다. 메사(20)는 종종 몰드(20)로 지칭된다. 일 실시예에서, 형판(18)은 메사(20) 없이 형성될 수 있다.
형판(18) 또는 몰드(20)는 용융 실리카, 석영, 규소, 유기 중합체, 실록산 중합체, 붕규산 유리, 플루오로카본 중합체, 금속, 경화된 사파이어, 다른 유사한 재료, 또는 그 임의의 조합을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 형판(18) 및 몰드(20)는 하나의 단편 구성을 포함할 수 있다. 그 대신, 형판(18) 및 몰드(20)는 함께 결합된 분리된 구성요소를 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 패터닝 표면(22)은 이격된 함몰부(24) 및 돌출부(26)에 의해서 형성된 특징부를 포함한다. 개시 내용은 그러한 구성으로 제한되지 않을 것이다(예를 들어, 평면형 표면). 패터닝 표면(22)은, 기재(12) 상에 형성하고자 하는 패턴의 기본을 형성하는 임의의 원본 패턴을 형성할 수 있다. 다른 실시예에서, 패터닝 표면(22)은 블랭크일 수 있고, 다시 말해서, 패터닝 표면(22)이 어떠한 함몰부나 돌출부도 가지지 않는다.
형판(18)은 척(28)에 결합될 수 있다. 척(28)은 진공, 핀-유형, 홈-유형, 정전기적, 전자기적, 또는 다른 유사 척 유형으로서 구성될 수 있다. 예시적인 척이 미국 특허 제6,873,087호에서 더 설명되어 있다. 실시예에서, 척(28) 또는 임프린트 헤드(30)가 형판(18)의 이동을 도울 수 있도록, 척(28)이 임프린트 헤드(30)에 결합될 수 있다.
리소그래피 시스템(10)은, 형성 가능 재료(34)를 기재(12) 상에 피착하기 위해서 이용되는 유체 분배 시스템(32)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 형성 가능 재료는 수지와 같은 중합 가능 재료를 포함할 수 있다. 형성 가능 재료(34)는 액적 분배, 스핀-코팅, 침지 코팅, 화학기상증착(CVD), 물리기상증착(PVD), 박막 피착, 후막 피착, 또는 그 조합과 같은 기술을 이용하여 하나 이상의 층으로 기재(12) 상에 배치될 수 있다. 형성 가능 재료(34)는 설계 고려사항에 따라 희망 부피가 몰드(20)와 기재(12) 사이에 형성되기 전에 또는 후에 기재(12) 상에 분배될 수 있다. 예를 들어, 형성 가능 재료(34)는, 전체가 본원에서 참조로 모두 포함되는 미국 특허 제7,157,036호 및 미국 특허 제8,076,386호에서 설명된 바와 같은 단량체 혼합물을 포함할 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 리소그래피 시스템(10)은 경로(42)를 따라 직접적인 에너지(40)에 결합된 에너지 공급원(38)을 더 포함할 수 있다. 임프린트 헤드(30) 및 스테이지(16)는 형판(18) 및 기재(12)를 경로(42)와 중첩 배치하도록 구성될 수 있다. 리소그래피 시스템(10)은 스테이지(16), 임프린트 헤드(30), 유체 분배 시스템(32), 또는 공급원(38)과 통신하는 논리 소자(54)에 의해서 조절될 수 있고, 선택적으로 메모리(56) 내에 저장된 컴퓨터 판독 가능 프로그램으로 동작될 수 있다.
실시예에서, 임프린트 헤드(30), 스테이지(16), 또는 임프린트 헤드(30) 및 스테이지(16) 모두는 몰드(20)와 기재(12) 사이의 거리를 변경하여, 형성 가능 재료(34)로 충진되는 희망 부피를 그 사이에 형성할 수 있다. 예를 들어, 몰드(20)가 기재(12) 상의 형성 가능 재료(34)와 접촉되도록, 임프린트 헤드(30)가 형판(18)에 힘을 인가할 수 있다. 희망 부피가 형성 가능 재료(34)로 충진된 후에, 공급원(38)이 에너지(40), 예를 들어 자외선을 생성하여, 형성 가능 재료(34)가 기재(12)의 표면(44) 및 패터닝 표면(22)의 형상에 일치되게 응고되거나 교차-결합되어 기재(12) 상에 패터닝된 층(46)을 형성하게 할 수 있다. 패터닝된 층(46)은 돌출부(50) 및 함몰부(52)로서 도시된 특징부를 포함할 수 있고, 두께(t1)를 가지는 돌출부(50) 및 함몰부(52)는, 잔류 층 두께(RLT)인 두께(t2)를 가지는 잔류 층에 상응한다.
결함 밀도가 낮은 높은 처리량(throughput)은 임프린트 리소그래피 프로세스에서 중요한 고려 사항이다. 형성 가능 재료를 기재(12)에 도포하는 액적 분배 방법을 이용할 때, 임프린트 프로세스 사이클은 일반적으로 (1) 형성 가능 재료의 유체 액적을 기재 표면 상에 분배(또는 피착)하는 것, (2) 유체가 확산되고 형판 패터닝 표면의 지형을 충진하도록, 형판을 유체 액적과 접촉시키는 것, (3) 유체를 응고시키는 것(예를 들어, 광 경화시키는 것), 및 (4) 형판을 기재(12)로부터 분리하여, 형판 패턴의 부조 화상을 가지는 형성 가능 재료의 응고된 층을 기재 표면 상에 남기는 것을 포함한다. 형성 가능 재료의 유체 액적을 기재 표면 상에 분배하는 것 및 형판(18)의 패턴을 적절히 충진하는 것은 임프린트 사이클 시간에 대한, 그에 따라 처리량에 대한 주요 기여 인자이다. 특별한 형판 패턴은 임프린트 헤드(30)에 대한 기재(12)의 복수의 통과를 필요로 할 수 있다. 즉, 기재(12) 및 임프린트 헤드(30)는 복수 횟수로 서로에 대해서 병진운동되어야 한다. 복수 분배 통과는, 예를 들어, 형판이 조밀한 특징부 패턴을 가질 때 또는 인접한 액적들이 함께 근접 배치될 것을 필요로 하는 특별한 패턴에서 일반적이다. 분배 시간을 단축하기 위한 방법 및 시스템이 본원에서 설명된 하나 이상의 실시예에 따라 설명된다.
분배 중에, 형성 가능 재료의 유체 액적이 유체 분배 시스템(32)으로부터 분배되어, 기재 표면(44) 상에 유체 액적의 패턴을 생성한다. 표면 상의 유체 액적의 전체 부피가 희망 유체 액적 패턴을 위한 전체 부피와 합치되도록, 유체 액적 패턴이 결정될 수 있다. 희망 유체 액적 패턴의 전체 부피와의 합치뿐만 아니라, 희망 유체 액적 패턴의 국소적인 부피에 합치되는 것이 바람직할 수 있다. 따라서, 큰 형성 가능 재료의 부피가 요구되는 기재(12)의 영역 내에, 큰 부피의 유체가 분배될 수 있다.
0.1 내지 10 피코리터(pL) 범위의 부피로 형성 가능 재료 유체 액적을 분배하도록 이용 가능한 잉크젯 시스템이 조율될 수 있고, 0.9 pL는 예시적인 유체 액적 부피이다. 유체 액적은, 임프린트 헤드(30) 및 기재(12)의 서로에 대한 하나 이상의 통과에 의해서 형성되는 패턴에 분배될 수 있다. 예시적인 패턴은 직사각형, 격자 패턴, 다이아몬드 패턴, 다른 적절한 패턴, 또는 그 조합을 포함한다.
도 5를 참조하면, 유체 분배 시스템(32)은 유체 분배 포트(302)를 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 유체 분배 시스템(32)은 6개의 유체 분배 포트(302a, 302b, 302c, 302d, 302e, 및 302f)를 포함하나; 예를 들어, 적어도 2개의 유체 분배 포트, 적어도 3개의 유체 분배 포트, 적어도 4개의 유체 분배 포트, 적어도 5개의 유체 분배 포트, 적어도 10개의 유체 분배 포트, 또는 적어도 20개의 유체 분배 포트와 같이, 유체 분배 포트(302)의 수가 6개 미만 또는 초과일 수 있다. 실시예에서, 유체 분배 포트(302)는 적어도 3개의 유체 분배 포트(예를 들어, 유체 분배 포트(302a, 302b, 및 302c))의 세트를 포함할 수 있다. 유체 분배 포트(302)는, 병진운동 방향에 실질적으로 수직인 선(304)을 따라서 상응하는 피치로 유체 액적(310)을 분배하도록 구성된다. 형성 가능 재료의 통상적인 분배 동작에서, Y-방향 피치는 인접한 유체 분배 포트들의 중심들 사이의 거리 및 임프린트 필드에 대한 배향에 의해서 정해진다.
유체 분배 시스템(32) 및 그 아래에 위치된(예를 들어, 기재(12) 상의 또는 기재 척(14) 상의) 표면(306)이 (화살표(308)에 의해서 표시된) 병진운동 방향으로 서로에 대해서 이동될 수 있다. 유체 액적(310a 및 310b)을 포함하는 유체 액적은 유체 분배 포트(302)로부터 표면(306) 상으로 행 및 열로 분배될 수 있다.
유체 분배 헤드(및 유체 분배 헤드를 동작시키는 제어 소프트웨어)는, 유체 분배 시스템의 유연성을 제한할 수 있는 미리 설정된 매개변수(이하에서, "미리 설정된 값")를 갖는다. 유체 분배 헤드는, 기재(12)가 미리 설정된 스캔 속력으로 X-방향으로 병진운동될 때 미리 설정된 최소 피치(도시된 실시예에서 X-방향 피치)를 생성하도록 프로그래밍된 미리 설정된 격발 빈도를 갖는다. 소프트웨어 제어는 미리 설정된 최소 피치의 비-정수배에서 어려움을 갖는다. 따라서, 제한된 수의 유체 액적 패턴 만이 상응하는 X-Y 격자 상의 위치를 기초로 생성될 수 있다. 따라서, 소프트웨어 제어는 단순히 미리 설정된 최소 피치의 가장 근접한 정수를 결정한다. 예를 들어, 유체 분배 시스템은 X-방향으로 35 미크론의 미리 설정된 최소 피치를 가질 수 있다. 정수-기반의 유체 액적 패턴의 경우에, X-방향을 따른 유체 액적 피치에 대한 허용 가능한 정수 값은 35 미크론, 70 미크론, 105 미크론 등을 포함한다.
유체 분배 포트 피치에 대한 제한 및 장치의 미리 설정된 값은 이상적이지 못한 액적 패턴을 형성할 수 있다. 기재(12) 및 유체 분배 포트(302)의 서로에 대한 초기 정렬은 임프린트 필드의 연부에 가장 근접한 유체 액적의 중심이 DEE의 X1 선 및 Y1 선을 따라 놓일 수 있게 한다. 문제는, 도 2에 도시된 바와 같이, DEE의 X2 선 및 Y2 선을 따른 유체 액적의 중심을 획득하는 것이다.
이하에서 더 구체적으로 설명되는 바와 같이, 유체 액적 패턴은 적어도 2번의 통과로 형성될 수 있고, 통과들 사이에서, 기재 및 유체 분배 포트가 서로에 대해서 이동될 때, 기재 및 유체 분배 포트(302)는 병진운동 방향(308)과는 다른 방향으로 서로에 대해서 오프셋된다. 실시예에서, 방향은 병진운동 방향(308)에 실질적으로 수직일 수 있다. 도 6 내지 도 11에 대해서 도시하고 설명한 바와 같은 실시예의 제1 세트에서, 기재 및 유체 분배 포트(302)가 병진운동 방향(308)으로 이동되어, 해당 피치의 비-정수배인 병진운동 방향을 따른 유체 액적 피치를 생성한다. 도 12 내지 도 14에 대해서 도시하고 설명한 바와 같은 다른 실시예에서, 기재 및 유체 분배 포트(302)가 병진운동 방향(308)으로 이동되어, 미리 설정된 최소 피치 또는 그 정수배인 병진운동 방향을 따른 유체 액적 피치를 생성한다. 형성 가능 재료의 분배에서의 통과들 사이에서, 유체 분배 포트(302)는 병진운동 오프셋 거리에 대해서 병진운동 방향(308)으로 그리고 다른 오프셋 거리에 대해서 다른 방향으로(예를 들어, 병진운동 방향(308)에 실질적으로 수직인 방향으로) 오프셋될 수 있다. 오프셋 거리는 상응하는 피치의 비-정수배일 수 있다. 다른 실시예에서, 다른 방향은 병진운동 방향(308)에 실질적으로 수직일 필요가 없다. 본원에서 사용된 바와 같이, 실질적인 수직은 수직의 ±10°를 의미하고, 실질적인 평행은 평행의 ±10°를 의미한다.
도 6 내지 도 11과 관련하여 설명된 바와 같은 방법을 이용하여, 통과 중에 DEE의 X1 선, X2 선, 및 Y1 선을 따라 유체 액적의 중심을 제공할 수 있고, 후속 통과 중에 DEE의 Y2 선을 따라 유체 액적의 중심을 제공할 수 있다. 오프셋과 관련된 더 상세한 내용이 도 6의 프로세스 흐름과 관련하여 제공된다.
DEE의 X2 선과 관련하여, 장치의 미리 설정된 값은, 기재(12)의 (X-방향) 병진운동 속력을 조정하는 것에 의해서 조정된 유체 분배 패턴 내로 제공될 수 있는, X-방향을 따른 미리 설정된 최소 피치를 가지는 미리 설정된-규정된 유체 액적 패턴을 제공할 수 있다. 실시예에서, 소프트웨어 제어는 미리 설정된 최소 피치를 가지는 최적의 정수-기반의 액적 패턴을 결정할 수 있고, 이어서, (병진운동 속력의 조정이 이루어지기 전의) 미리 설정된-규정된 액적 패턴에 비해서 이상적인 액적 패턴에 더 가까운 조정된 유체 액적 패턴에 상응하는 기재 유체 액적 패턴을 성취하기 위해서, 유체 분배 시스템의 격발 빈도와 함께, 스테이지, 유체 분배 헤드, 또는 그 모두가 병진운동 속력으로 설정될 수 있다. 조정된 유체 액적 패턴은 미리 설정된 최소 피치의 비-정수배를 기초로 한다. 조정된 유체 액적 패턴에 관한 더 상세한 내용이 도 7과 관련하여 제공된다.
본원에서 설명된 실시예에 따라, 도 6은 임프린트 리소그래피 프로세스를 위한 기재 유체 액적 패턴을 형성하기 위해서 이용될 수 있는 방법을 위한 흐름도를 포함한다. 방법은 도 3의 장치(10)에 대해서 그리고 도 5의 유체 분배 포트(302)에 대해서 설명된다. 그러한 방법은 유체 분배 시스템, 스테이지, 및 논리 소자를 포함하는 임프린트 리소그래피 장치에 의해서 실시될 수 있다. 실시예에서, 유체 분배 시스템은 선을 따라서 놓인 유체 분배 포트(302)를 갖는다. 유체 분배 시스템은, 미리 설정된 최소 피치의 기재(12) 상의 이격된 액적을 성취하기 위해서, 미리 설정된 빈도로 형성 가능 재료의 유체 액적을 분배하도록 더 구성될 수 있다. 스테이지(16), 유체 분배 포트(302), 또는 스테이지(16) 및 유체 분배 포트(302)의 조합은 병진운동 방향(308)으로 서로에 대해서 이동되도록 구성될 수 있다. 병진운동 방향(308)은 선(304)에 실질적으로 수직일 수 있다. 논리 소자는 본원에서 설명된 많은 동작을 실시하기 위해서 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어, 또는 그 임의 조합을 포함할 수 있다. 특별한 실시예에서, 논리 소자는 프로세서(54)일 수 있다. 기재(12)는 스테이지 상에 배치될 수 있고, 실시예에서, 기재(12)가 반도체 웨이퍼일 수 있다.
그러한 방법은, 도 6의 블록(602)에서 형성 가능 재료를 기재 상에 분배하기 위한 유체 액적 패턴을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 이러한 특별한 실시예에서, 형성 가능 재료는 하나 초과의 통과를 이용하여 분배된다. 특별한 실시예에서, 병진운동 방향(X-방향)을 따른 미리 설정된 최소 피치는 유체 액적의 중심이 DEE의 X1 선 및 Y1 선을 따라서 분배되게 할 수 있다. 그러나, 전술되고 도 2에 도시된 바와 같이, 미리 설정된 값은 병진운동 방향을 따라 분배할 수 있는 능력 및 유체 액적의 중심을 DEE의 X2 선 상에 분배할 수 있는 능력을 제한할 수 있다. 그에 따라, 분배를 위한 일부 조정이 필요할 수 있다. 블록(622)에서, 프로세스는, 도 7과 관련하여 더 구체적으로 설명되는, 기재(12)와 유체 분배 포트의 서로에 대한 조정된 속력을 획득하는 단계를 포함할 수 있다. 본 명세서를 읽은 후에, 당업자는, 조정된 속력을 획득하는 단계가 모든 실시예에서 요구되는 것이 아니고, 그에 따라 조정된 속력을 획득하는 단계가 선택적일 수 있다는 것을 이해할 것이다. 조정된 속력은 사용자가, 유체 액적의 중심을 DEE의 X1 선 및 X2 선을 따라 분배하기 위한 특별한 통과를 위한 희망 기재 유체 액적 패턴을 성취할 수 있게 하며, 여기에서 병진운동 방향(X-방향)을 따른 유체 액적 피치는 미리 설정된 최소 피치의 비-정수배이다.
도 7의 블록(702)에서, 방법은 병진운동 방향을 따른 미리 설정된 최소 피치 또는 그 정수배를 이용하여 미리 설정된-규정된 유체 액적 패턴을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 미리 설정된-규정된 유체 액적 패턴은 적어도 부분적으로 임프린트 리소그래피 형판의 패턴을 기초로 할 수 있다. 미리 설정된-규정된 유체 액적 패턴은, 기재(12) 및 유체 분배 포트(302)가 병진운동 방향(308)을 따라 서로에 대해서 이동될 때, 미리 설정된 최소 피치 또는 그 정수배의 유체 액적을 나타낸다. 따라서, 미리 설정된-규정된 유체 액적 패턴은 정수-기반의 미리 설정된 최소 피치를 갖는다.
블록(722)에서, 방법은 미리 설정된-규정된 유체 액적 패턴을 기초로, 조정된 유체 액적 패턴을 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다. 조정된 유체 액적 패턴은 미리 설정된 최소 피치의 비-정수배로 이격된 유체 액적을 나타낸다.
블록(742)에서, 방법은 조정된 유체 액적 패턴의 생성에서 이용되는 조정된 속력을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 미리 설정된-규정된 유체 액적 패턴을 위한 미리 설정된 속력에 비해서, 조정된 유체 액적 패턴을 위한 조정된 속력은, 적은 비-충진 결함, 희망 RLT, 또는 그 모두를 초래할 수 있는 더 이상적인 유체 액적 패턴을 가능하게 한다. 논리 소자는 미리 설정된-규정된 유체 액적 패턴, 조정된 유체 액적 패턴, 및 조정된 속력을 결정하기 위한 회로, 프로그램, 또는 다른 로직을 포함할 수 있다.
예로서, 60 미크론의 피치는 특별한 패터닝된 층의 성취를 위해서 최적으로 작용할 수 있으나; 60 미크론은 35 미크론의 1.7배이다. 분명하게, 1.7은 35 미크론의 미리 설정된 최소 피치의 정수배가 아니다. 따라서, 속력 조정은 임의의 분배 헤드의 미리 설정된 값을 재프로그래밍할 필요가 없이 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기재(12) 및 유체 분배 포트(302)의 서로에 대한 속력은 35 미크론의 미리 설정된 최소 피치를 위해서 이용되는 속력의 1.7배가 되도록 조정될 수 있다. 이전의 예는 명백한 예를 제공하고, 본 발명의 범위를 제한하는 것을 의미하지 않는다. X가 미리 설정된 속력을 나타내고, 그에 따라 미리 설정된 속력을 배수화하는 인자를 나타내는 경우에, 속력에 대한 다른 비-정수 값은 1.00 보다 클 수 있고, 예를 들어, 1.01 X, 1.5 X, 2.1 X, 3.7 X일 수 있거나, 1.00 미만이고 0.97 X, 0.86 X, 0.71 X, 0.57 X, 0.43 X, 0.29 X, 0.14 X, 0.03 X, 또는 다른 비-정수 값을 포함할 수 있다. 본원에서 설명된 개념은 다른 미리 설정된 최소 피치 및 상응하는 속력 값에 적용될 수 있다. 조정된 속력을 결정하는 것 이후에, 장치는 기재(12)를 프로세스하기 위한 준비가 된다. 따라서, 프로세스 흐름이 도 6으로 돌아간다.
기재(12)는 스테이지 상에 배치되고 유지된다. 방법은, 블록(624)에서, 제1 통과 중에, 기재 유체 액적 패턴의 제1 부분을 형성하기 위해서 형성 가능 재료를 분배하는 단계를 포함할 수 있다. 제1 통과 중에, 기재(12) 및 유체 분배 포트(302)는 조정된 속력으로 병진운동 방향으로 서로에 대해서 이동될 수 있다. 특별한 실시예에서, 논리 소자는 조정된 속력과 관련된 정보를 스테이지 또는 스테이지 제어기, 유체 분배 헤드 또는 유체 분배 제어기, 또는 그 임의 조합에 전달할 수 있다. 조정된 속력은 스테이지(그리고 결과적으로, 기재(12)) 및 유체 분배 포트(302)의 서로에 대한 상대적인 속력이다. 도 8은 제1 통과를 위한 유체 액적이 분배된 후의 기재 상의 임프린트 필드의 도면을 포함한다. 유체 액적의 중심은 DEE의 X1 선, X2 선, 및 Y1 선을 따라 위치된다. 특별한 실시예에서, 유체 액적의 중심은 DEE의 X1 선 및 Y1 선의 교차부에 놓일 수 있다. 유체 액적의 중심은 DEE의 Y2 선을 따라 놓이지 않는다.
블록(642)에서, 방법은 제1 통과 중에 형성 가능 재료를 분배하는 단계 이후에 유체 분배 포트 및 기재를 서로에 대해서 오프셋시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 오프셋은, 유체 액적의 중심이 DEE의 Y2 선을 따라서 분배될 수 있도록 유체 분배 포트(302)를 위치시키기 위한 것이다. 오프셋시키는 단계는 오프셋 거리를 위한 오프셋 방향을 따라 이루어진다. 오프셋 방향은 병진운동 방향에 실질적으로 수직일 수 있거나, 선(304)에 실질적으로 평행할 수 있거나, 그 모두일 수 있다. 설명된 바와 같은 실시예에서, 오프셋 방향은 Y-방향으로 일 수 있다. 오프셋 거리는 유체 분배 포트 피치의 비-정수배일 수 있다.
유체 분배 포트 피치는, 유체 분배 포트(302)를 제 위치에서 유지하는 유체 분배 헤드의 구성과 같은, 장치의 제약에 의해서 제한될 수 있다. 예를 들어, 유체 분배 포트 피치는 20 미크론일 수 있고, 제1 통과 중에, 유체 액적의 인접 행들이 40 미크론만큼 이격될 수 있다. 이러한 실시예에서, DEE의 Y1 선 및 Y2 선 사이의 거리는 유체 분배 포트 피치의 정수배가 아니다. DEE의 Y2 선을 따른 액적의 중심을 성취하기 위해서, 유체 분배 포트는 50 미크론의 오프셋 거리에 대해서 이동될 수 있다. 분명하게, 50 미크론은 20 미크론의 유체 분배 포트 피치의 정수배가 아니다. 따라서, 기재(12) 및 유체 분배 포트(302)는 50 미크론의 거리에 대해서 Y-방향으로 서로에 대해서 이동될 수 있다. 이전의 예는 명백한 예를 제공하고, 본 발명의 범위를 제한하는 것을 의미하지 않는다. Y가 유체 분배 포트 피치를 나타내고, 그에 따라 유체 분배 포트 피치를 배수화하는 인자를 나타내는 경우에, 속력에 대한 다른 비-정수 값은 1.00 보다 클 수 있고, 예를 들어, 1.01 Y, 1.5 Y, 2.1 Y, 3.7 Y일 수 있거나, 1.00 미만이고 0.97 Y, 0.86 Y, 0.71 Y, 0.57 Y, 0.43 Y, 0.29 Y, 0.14 Y, 0.03 Y, 또는 다른 비-정수 값을 포함할 수 있다. 본원에서 설명된 개념은 다른 분배 포트 피치 및 상응하는 오프셋 거리에 적용될 수 있다. 오프셋 거리를 결정하는 단계 이후에, 기재(12) 및 유체 분배 포트(302)가 오프셋 거리(50 미크론) 만큼 오프셋 방향(Y-방향)으로 서로에 대해서 이동되도록, 논리 소자(54)가 정보를 스테이지 또는 스테이지 제어기에 전달할 수 있다.
블록(662)에서, 프로세스는 기재 및 유체 분배 포트의 서로에 대한 조정된 속력을 획득하는 단계를 포함할 수 있다. 조정된 속력을 획득하기 위한 고려 사항 및 프로세스는 블록(622)에 대해서 전술한 것과 동일하다. 블록(622)에 대한 조정된 속력이 블록(662)에 대한 조정된 속력과 동일하거나 상이할 수 있다는 것을 주목하여야 한다. 또한, 병진운동 속력은 블록(622 및 662) 중 하나에 대해서 조정되지 않을 수 있고 블록(622 및 662) 중 다른 하나에 대해서 조정될 수 있다. 또 추가적으로, 조정된 속력은 블록(624 및 664)에서 양 분배 동작을 위해서 이용되지 않을 수 있다.
방법은, 블록(664)에서, 제2 통과 중에, 기재 유체 액적 패턴의 제2 부분을 형성하기 위해서 형성 가능 재료를 분배하는 단계를 포함할 수 있다. 제2 통과 중에, 기재 및 유체 분배 포트(302)는 조정된 속력으로 병진운동 방향으로 서로에 대해서 이동될 수 있다. 특히, 논리 소자는 조정된 속력과 관련된 정보를 스테이지 또는 스테이지 제어기, 유체 분배 헤드 또는 유체 분배 제어기, 또는 그 임의 조합에 전달할 수 있다. 조정된 속력은 스테이지(그리고 결과적으로, 기재) 및 유체 분배 포트(302)의 서로에 대한 상대적인 속력이다. 도 9는 제1 및 제2 통과의 유체 액적이 분배된 기재 상의 임프린트 필드의 도면을 포함한다. 유체 액적의 중심은 DEE의 Y2 선을 따라 놓인다. 특별한 실시예에서, 유체 액적은 DEE의 X2 선 및 Y2 선의 교차부에 놓인다. 제2 통과로부터의 유체 액적의 일부의 중심은 DEE의 X1 선 및 X2 선을 따라서 놓이거나 놓이지 않을 수 있다. 제2 통과로부터의 유체 액적의 중심은 DEE의 Y1 선을 따라 놓이지 않는다.
블록(682)에서, 방법은 형성 가능 재료를 패터닝된 표면을 가지는 형판과 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 실시예에서, 패터닝된 표면은 돌출부 및 함몰부를 가지며, 다른 실시예에서, 패터닝된 표면이 블랭크(어떠한 돌출부나 함몰부도 없는 편평한 표면)일 수 있다. 도 10은 기재(12), 형성 가능 재료(34), 및 몰드(20)의 일부의 도면을 포함한다. 좌측 부분은 DEE의 Y1 선에 인접한 임프린트 필드의 연부를 도시하고, 우측 부분은 DEE의 Y2 선에 인접한 임프린트 필드의 연부를 도시한다. 형판의 몰드(20)와 형성 가능 재료(34) 사이의 접촉은 몰드(20) 내의 함몰부가 유체 액적들 사이의 간극을 채우게 한다. 유체 액적의 적절한 분배는 형성 가능 재료의 일부가 DEE의 Y1 선 및 Y2 선으로부터 임프린트 필드의 연부를 향해서 더 유동되게 할 수 있으나; 형성 가능 재료(34)는 몰드(20)의 연부를 넘어서 유동되지는 않는다. 형성 가능 재료(34)와 몰드(20)의 연부들 사이의 간극(101 및 102)이 제어되고 비교적 작게 유지된다.
블록(684)에서, 방법은 형판의 패턴 표면에 상응하는 패터닝된 층을 형성하기 위해서 형성 가능 재료를 경화하는 단계를 포함한다. 경화는 전자기 복사선에의 노출에 의해서 실시될 수 있다. 실시예에서, 전자기 복사선은 자외선 복사선일 수 있다. 다른 실시예에서, 형성 가능 재료는 열을 이용하여 경화될 수 있다. 기재(12) 상의 패터닝된 층은 형판의 패터닝된 표면에 대비하여 상보적인 패턴을 갖는다. 패터닝된 층을 따른 돌출부는 형판의 패터닝된 표면 내의 함몰부에 상응하고, 패터닝된 층 내의 함몰부는 형판의 패터닝된 표면을 따른 돌출부에 상응한다. 패터닝된 층 내의 함몰부는 잔류 층의 일부이다.
추가적인 실시예에서, 상이한 통과들이 각각의 통과에 대해서 동일한 패턴을 가질 수 있고, 단순히 서로로부터 오프셋될 수 있다. 도 11은 제1 및 제2 통과 각각에 대한 조정된 유체 액적 분배 패턴(112 및 114), 및 패턴(112 및 114)을 이용하여 형성된 기재 유체 액적 분배 패턴(116)을 포함한다. 조정된 유체 액적 분배 패턴(112 및 114)은 동일한 X-방향 유체 액적 피치 및 Y-방향 유체 액적 피치를 갖는다. 조정된 유체 액적 분배 패턴(112 및 114)은 오프셋되는 차이만을 가지고 동일하다. 프로세서(54)는 조정된 유체 액적 분배 패턴(112)에 상응하는 유체 액적을 기재 상에 분배하도록, 기재 및 유체 분배 포트(302)를 서로에 대해서 오프셋시키도록, 그리고 이어서 기재 유체 액적 분배 패턴(116)을 성취하기 위해서 조정된 유체 액적 분배 패턴(114)에 상응하는 유체 액적을 기재 상에 분배하도록, 지시를 유체 분배 시스템(32) 및 스테이지 또는 스테이지 제어기에 전달할 수 있다. 도 11에 도시된 실시예에서, 각각의 열을 따라서, 유체 액적이 동일한 선을 따라 놓이고, 열들은 동일한 피치를 갖는다. 그러나, 조정된 유체 액적 분배 패턴(112 및 114)의 각각이 동일한 피치의 행을 가지지만, 기재 유체 액적 분배 패턴(116)의 행은 불균일한 피치를 가지는 행을 갖는다. 제1 통과로부터의 유체 액적의 2개의 인접한 행들 사이에서, 제1 통과의 인접한 행들 사이의 제2 통과로부터의 유체 액적의 행은, 다른 인접한 행들에 비해서, 인접한 행들 중 하나에 더 근접한다. 기재 유체 분배 패턴(116)은 DEE의 X1 선, X2 선, Y1 선 및 Y2 선을 따른 유체 액적의 중심을 가지고, 그에 따라 비-충진 결함 또는 압출 결함 문제를 가지지 않을 것이다.
다른 실시예의 세트에서, DEE의 X1 선 및 Y1 선을 따른 유체 액적의 중심이 하나의 통과 중에 형성될 수 있고, DEE의 X2 선 및 Y2 선을 따른 유체 액적의 중심은 후속 통과 중에 형성될 수 있다. 그러한 방법은 도 12 내지 도 14와 관련하여 설명된다.
본원에서 설명된 실시예에 따라, 도 12는, 유체 액적을 분배하는 통과들 사이의 오프셋을 포함하는 임프린트 리소그래피 프로세스를 위한 기재 유체 액적 패턴을 형성하기 위해서 이용될 수 있는 방법을 위한 흐름도를 포함한다. 그러한 방법은 유체 분배 시스템, 스테이지, 및 논리 소자를 포함하는 임프린트 리소그래피 장치에 의해서 실시될 수 있다. 실시예에서, 유체 분배 시스템은 선을 형성하는 유체 분배 포트(302)를 갖는다. 유체 분배 시스템은, 미리 설정된 최소 피치의 또는 미리 설정된 최소 피치의 정수배의 기재(12) 상의 이격된 액적을 성취하기 위해서, 미리 설정된 빈도로 형성 가능 재료의 유체 액적을 분배하도록 더 구성될 수 있다. 스테이지, 유체 분배 헤드, 또는 그 모두는 병진운동 방향으로 서로에 대해서 이동되도록 구성될 수 있다. 병진운동 방향은 선에 실질적으로 평행할 수 있다. 논리 소자는 본원에서 설명된 많은 동작을 실시하기 위해서 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어, 또는 그 임의 조합을 포함할 수 있다. 특별한 실시예에서, 논리 소자는 프로세서(54)일 수 있다. 기재(12)는 스테이지 상에 배치될 수 있고, 실시예에서, 기재(12)가 반도체 웨이퍼일 수 있다.
그러한 방법은, 도 12의 블록(1202)에서 형성 가능 재료를 기재 상에 분배하기 위한 유체 액적 패턴을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 이러한 특별한 실시예에서, 형성 가능 재료는 하나 초과의 통과를 이용하여 분배된다. 특별한 실시예에서, 병진운동 방향(X-방향)을 따른 미리 설정된 최소 피치 또는 미리 설정된 최소 피치의 정수는 유체 액적의 중심이 DEE의 X1 선 및 Y1 선을 따라서 분배되게 할 수 있다.
기재(12)는 스테이지 상에 배치되고 유지된다. 방법은, 블록(1222)에서, 제1 통과 중에, 유체 액적 패턴의 제1 부분을 형성하기 위해서 형성 가능 재료를 분배하는 단계를 포함할 수 있다. 제1 통과 중에, 기재(12) 및 유체 분배 포트(302)는 미리 설정된 속력으로 병진운동 방향으로 서로에 대해서 이동될 수 있다. 특별한 실시예에서, 논리 소자는 미리 설정된 속력과 관련된 정보를 스테이지 또는 스테이지 제어기, 유체 분배 헤드 또는 유체 분배 제어기, 또는 그 임의 조합에 전달할 수 있다. 도 13은 제1 통과를 위한 유체 액적이 분배된 후의 기재 상의 임프린트 필드의 도면을 포함한다. 유체 액적의 중심은 DEE의 X1 선 및 Y1 선을 따라 위치된다. 특별한 실시예에서, 유체 액적의 중심은 DEE의 X1 선 및 Y1 선의 교차부에 놓일 수 있다.
그러나, 전술되고 도 2에 도시된 바와 같이, 미리 설정된 값은 병진운동 방향을 따라 분배할 수 있는 능력 및 유체 액적의 중심을 DEE의 X2 선 상에 분배할 수 있는 능력을 제한할 수 있고, 유체 분배 포트 피치는 유체 액적의 중심을 DEE의 Y2 선 상에 분배할 수 있는 능력을 제한할 수 있다. 유체 액적의 중심은 DEE의 X2 선 또는 Y2 선을 따라 놓이지 않는다.
블록(1242)에서, 방법은 제1 통과 중에 형성 가능 재료를 분배하는 단계 이후에 유체 분배 포트 및 기재를 서로에 대해서 오프셋시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 오프셋시키는 단계는 병진운동 방향(308) 및 다른 방향 모두로 이루어질 것이다. 특별한 실시예에서, 다른 방향은 병진운동 방향(308)에 실질적으로 수직이다. 오프셋은, 유체 액적의 중심이 DEE의 X2 선 및 Y2 선을 따라서 분배될 수 있도록 유체 분배 포트(302)를 위치시키기 위한 것이다.
예로서, 병진운동 방향(308)(X-방향)과 관련하여, 미리 설정된 최소 피치는 장치(10)에 대해서 35 미크론일 수 있다. X2 선과 유체 액적의 가장 가까운 열 사이의 거리는 40 미크론일 수 있고 이는 35 미크론의 1.14배이다. 분명하게, 1.14는 35 미크론의 미리 설정된 최소 피치의 정수배가 아니다. 이전의 예는 명백한 예를 제공하고, 본 발명의 범위를 제한하는 것을 의미하지 않는다. X가 미리 설정된 최소 피치를 나타내고, 그에 따라 병진운동 방향(308)을 따른 오프셋 거리를 배수화하는 인자를 나타내는 경우에, 미리 설정된 최소치에 대한 다른 비-정수 값은 1.00 보다 클 수 있고, 예를 들어, 1.01 X, 1.5 X, 2.1 X, 3.7 X일 수 있거나, 1.00 미만이고 0.97 X, 0.86 X, 0.71 X, 0.57 X, 0.43 X, 0.29 X, 0.14 X, 0.03 X, 또는 다른 비-정수 값을 포함할 수 있다.
다른 방향(도시된 실시예에서 Y-방향)과 관련하여, Y-방향을 따른 유체 액적 피치는, 유체 분배 포트(302)를 제 위치에서 유지하는 유체 분배 헤드의 구성과 같은, 장치의 제약에 의해서 제한될 수 있다. 예를 들어, Y-방향을 따른 유체 액적 피치가 25 미크론일 수 있다. 이러한 실시예에서, DEE의 Y2 선과 유체 액적의 가장 근접한 행 사이의 거리는 Y-방향을 따른 유체 액적 피치의 정수배가 아니다. DEE의 Y2 선을 따른 유체 액적의 중심을 성취하기 위해서, 유체 분배 포트는 35 미크론의 오프셋 거리에 대해서 이동될 수 있다. 분명하게, 35 미크론은 25 미크론의 유체 분배 포트 피치의 정수배가 아니다. 따라서, 기재(12) 및 유체 분배 포트(302)는 35 미크론의 거리에 대해서 Y-방향으로 서로에 대해서 이동될 수 있다. 이전의 예는 명백한 예를 제공하고, 본 발명의 범위를 제한하는 것을 의미하지 않는다. Y가 Y-방향을 따른 유체 액적 피치를 나타내고, 그에 따라 Y-방향을 따른 오프셋 거리를 획득하기 위해서 그러한 피치를 배수화하는 인자를 나타내는 경우에, 속력에 대한 다른 비-정수 값은 1.00보다 클 수 있고, 예를 들어, 1.01 Y, 1.5 Y, 2.1 Y, 3.7 Y일 수 있거나, 1.00 미만이고 0.97 Y, 0.86 Y, 0.71 Y, 0.57 Y, 0.43 Y, 0.29 Y, 0.14 Y, 0.03 Y, 또는 다른 비-정수 값을 포함할 수 있다. 본원에서 설명된 개념은 다른 분배 포트 피치 및 상응하는 오프셋 거리에 적용될 수 있다.
도 13의 실시예를 참조하면, 오프셋이 실시되어 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 병진운동 방향(X-방향)으로 미리 설정된 최소 피치의 비-정수배인 거리 만큼, 그리고 다른 방향(Y-방향)으로 유체 분배 포트 피치의 비-정수배인 거리 만큼 이동시킨다. 예를 들어, 도 13의 최우측 열을 따른 유체 액적을 참조하면, 유체 분배 포트는 병진운동 방향(308)(X-방향)으로, 35 미크론(미리 설정된 최소 피치)의 비-정수배인 30 미크론만큼, 그리고 다른 방향(Y-방향)으로, 25 미크론(유체 분배 포트 피치)의 비-정수배인 40 미크론만큼 이동될 수 있다. 특별한 값은 단지 구체적인 예를 제공하기 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하지 않는다. 다른 실시예에서, 오프셋은 어느 하나의 방향으로 최적 작용 피치와 같은 다른 값(예를 들어, X-방향으로 40 미크론 또는 Y-방향으로 35 미크론)을 가질 수 있다. 장치가 일반적으로 구성되고(예를 들어, 유체 분배 포트 피치) 동작되는(예를 들어, 미리 설정된 최소 피치) 방식을 고려할 때 임의의 특별한 방향을 따른 오프셋이 피치의 비-정수배이기만 하다면, 오프셋의 또 다른 값이 가능할 수 있다.
방법은, 블록(1262)에서, 제2 통과 중에, 유체 액적 패턴의 제2 부분을 형성하기 위해서 형성 가능 재료를 분배하는 단계를 포함할 수 있다. 제2 통과 중에, 기재 및 유체 분배 포트(302)는 미리 설정된 속력으로 병진운동 방향으로 서로에 대해서 이동될 수 있다. 특히, 논리 소자는 미리 설정된 속력과 관련된 정보를 스테이지 또는 스테이지 제어기, 유체 분배 헤드 또는 유체 분배 제어기, 또는 그 임의 조합에 전달할 수 있다. 도 14는 제1 및 제2 통과로부터의 유체 액적을 가지는 기재 상의 임프린트 필드의 도면을 포함한다. 제2 통과 중에 분배되는 유체 액적의 중심은 DEE의 X2 선 및 Y2 선을 따른다. 특별한 실시예에서, 유체 액적은 DEE의 X2 선 및 Y2 선의 교차부에 놓인다. 제2 통과로부터의 유체 액적의 중심은 DEE의 X1 선 또는 Y1 선을 따라 놓이지 않는다. 특별한 실시예에서, 유체 액적 패턴은 X1 선 및 Y1 선의 교차부에서 그리고 X2 선 및 Y2 선의 교차부에서 유체 액적의 중심을 가지나; 유체 액적의 중심은 X2 선 및 Y1 선의 교차부에 또는 X1 선 및 Y2 선의 교차부에 존재하지 않는다.
블록(1282)에서, 방법은 형성 가능 재료를 형판과 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 실시예에서, 형판은, 돌출부 및 함몰부를 가지는 패터닝된 표면을 가질 수 있고, 다른 실시예에서, 패터닝된 표면이 블랭크(어떠한 돌출부나 함몰부도 없는 편평한 표면)일 수 있다. 전술한 바와 같이, 도 10은 기재(12), 형성 가능 재료(34), 및 몰드(20)의 일부의 도면을 포함한다. 형판의 몰드(20)와 형성 가능 재료(34) 사이의 접촉은 몰드(20) 내의 함몰부가 유체 액적들 사이의 간극을 채우게 한다. 유체 액적의 적절한 분배는 형성 가능 재료의 일부가 DEE의 X1 선, X2 선, Y1 선 및 Y2 선으로부터 그리고 임프린트 필드의 연부를 향해서 더 유동되게 할 수 있으나; 형성 가능 재료(34)는 몰드(20)의 연부를 넘어서 유동되지는 않는다. 형성 가능 재료(34)와 몰드(20)의 연부들 사이의 간극(101 및 102)이 제어되고 비교적 작게 유지되며, 그에 따라 비-충진 결함은 발생되지 않을 것이고, 형성 가능 재료(34)는 압출 결함을 형성하지 않을 것이다.
블록(1284)에서, 방법은 형판의 패턴 표면에 상응하는 패터닝된 층을 형성하기 위해서 형성 가능 재료를 경화하는 단계를 포함한다. 경화는 전자기 복사선에의 노출에 의해서 실시될 수 있다. 실시예에서, 전자기 복사선은 자외선 복사선일 수 있다. 다른 실시예에서, 형성 가능 재료는 열을 이용하여 경화될 수 있다. 기재(12) 상의 패터닝된 층은 형판의 패터닝된 표면에 대비하여 상보적인 패턴을 갖는다. 패터닝된 층을 따른 돌출부는 형판의 패터닝된 표면 내의 함몰부에 상응하고, 패터닝된 층 내의 함몰부는 형판의 패터닝된 표면을 따른 돌출부에 상응한다. 패터닝된 층 내의 함몰부는 잔류 층의 일부이다.
추가적인 실시예에서, 유체 분배 패턴은 많은 상이한 형상들을 가질 수 있다. 예시적인 패턴은 직사각형, 격자 패턴, 다이아몬드 패턴, 다른 적절한 패턴, 또는 그 임의 조합을 포함한다.
특별한 실시예에서, 논리 소자는 프로세서(54)일 수 있다. 논리 소자는 장치의 상이한 부분들 사이에서 분할될 수 있다. 예를 들어, 논리 소자의 일부 동작은 프로세서(54)에 의해서 실시될 수 있고, 논리 소자의 다른 동작은 스테이지 제어기, 유체 분배 헤드 제어기, 또는 기타에 의해서 실시될 수 있다. 또한, 본원에서 설명된 행위의 실행을 위해서 정보가 전달될 수 있다. 정보는 실행되는 지시, 신호, 펄스, 또는 기타의 형태일 수 있다. 스테이지(16), 유체 분배 시스템(32), 또는 그 모두가 프로세서(54)로부터 수신된 지시에 작용할 수 있는 제어기를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 스테이지(16), 유체 분배 시스템(32)이 수신된 아날로그 신호에 응답할 수 있다. 예를 들어, 정보는 특히 직류 전압 또는 광 펄스일 수 있다. 본 명세서를 읽은 후에, 당업자는 장치 내의 설비를 고려하여 요구 또는 희망 사항을 충족시키도록 임프린트 리소그래피 장치를 구성할 수 있을 것이다. 따라서, 실시예에 관한 설명은 본 발명의 범위를 제한하지 않는다.
본 명세서를 읽은 후에, 당업자는 많은 다른 유체 액적 패턴이 형성될 수 있고 유체 액적의 중심이 DEE의 X1 선, X2 선, Y1 선, 및 Y2 선을 따른 중심을 여전히 가질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 기재(12) 및 유체 액적 분배 포트(302)의 서로에 대한 오프셋은 형판 내의 함몰부를 적절히 충진할 수 있는 능력에 실질적인 영향을 미치지 않고 실시될 수 있다. 또한, DEE의 X1 선, X2 선, Y1 선, 및 Y2 선을 따른 유체 액적을 성취하기 위해서 둘 초과의 통과가 이용될 수 있다. 모든 통과가 완료된 후에, 유체 액적 패턴은 DEE의 X1 선, X2 선, Y1 선, 및 Y2 선을 따라 놓인 유체 액적의 중심을 가질 것이다.
본원의 실시예에 따라 형성된 패터닝된 층은, 형성 가능 재료를 분배하는 것이 오프셋을 이용하지 않고 이루어지는 상응하는 패터닝된 층에 비해서, 적은 결함을 갖는다. 보다 특히, 본원의 실시예에 따라 형성된 패터닝된 층은, 유체 액적의 중심이 DEE와 관련하여 적절한 위치에 놓이지 않는 임프린트 필드의 연부에 가장 근접한 유체 액적의 행 및 열을 가지는 상응하는 패터닝된 층에 비해서, 적은 결함을 갖는다는 것을 발견하였다. 오프셋이 없을 때, 임프린트 필드의 연부에 가장 근접한 액적의 중심이 중앙 영역에 보다 가까운 경우에, 불충분한 형성 가능 재료가 Y2 선에 상응하는 임프린트 필드의 연부에 형성될 수 있고, 비-충진 결함이 존재할 가능성이 더 높다. 임프린트 필드의 연부에 가장 근접한 액적의 중심이 임프린트 필드의 연부에 너무 근접할 때, 형성 가능 재료가 형판의 연부를 넘어서 유동될 수 있고, 압출 결함이 존재할 가능성이 더 높다. 따라서, 오프셋은 양호한 충진 특성을 가능하게 하고 비-충진 결함 및 압출 결함의 발생 가능성을 감소시킨다.
일반적인 설명 또는 예로 앞서서 설명한 활동의 전부가 필요한 것은 아니고, 특정 활동의 일부가 필요하지 않을 수 있고, 하나 이상의 추가적인 활동이 설명된 것에 더하여 실시될 수 있다는 것을 주목하여야 할 것이다. 또한 추가적으로, 활동이 나열된 순서는 반드시 그러한 활동이 실시되는 순서는 아니다.
이점, 다른 장점, 및 문제에 대한 해결책을 특정 실시예와 관련하여 앞서서 설명하였다. 그러나, 이점, 다른 장점, 문제에 대한 해결책, 및 임의의 이점, 장점, 및 해결책이 이루어지게 할 수 있거나 보다 현저해지게 할 수 있는 임의 특징(들)이 임의의 또는 모든 청구항의 중요한, 요구되는, 또는 본질적인 특징으로 해석되지 않을 것이다.
본원에서 설명된 실시예에 관한 상세한 설명 및 도면은 여러 실시예의 구조에 관한 일반적인 이해를 제공하기 위한 것이다. 상세한 설명 및 도면은 본원에서 설명된 구조 또는 방법을 이용하는 장치 및 시스템의 모든 요소 및 특징에 관한 완전한 그리고 포괄적인 설명으로서의 역할을 하지 않을 것이다. 별개의 실시예들이 또한 단일 실시예로 조합될 수 있고, 역으로, 간결함을 위해서 단일 실시예의 상황으로 설명된 여러 특징이 또한 별개로 또는 임의의 하위 조합으로 제공될 수 있다. 또한, 범위로 기술된 값들에 대한 언급은 해당 범위 내의 각각의 그리고 모든 값을 포함한다. 본 명세서를 읽는 것 만으로도 많은 다른 실시예가 당업자에게 명확해질 수 있다. 다른 실시예가 이용될 수 있고 개시 내용으로부터 유도될 수 있으며, 그에 따라 개시 내용의 범위로부터 벗어나지 않고도 구조적 치환, 논리적 치환, 또는 다른 변화가 이루어질 수 있다. 따라서, 개시 내용은 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 간주될 것이다.

Claims (10)

  1. 임프린트 리소그래피 장치이며:
    유체 분배 포트를 가지는 유체 분배 시스템;
    스테이지로서, 상기 스테이지, 유체 분배 포트, 또는 스테이지 및 유체 분배 포트의 조합이 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 이동시키도록 구성되는, 스테이지; 및
    논리 소자를 포함하고;
    상기 논리 소자는:
    상기 기재의 임프린트 필드의 제1 부분을 위한 제1 유체 액적 패턴을 형성하기 위한 제1 통과 중에 유체 분배 포트를 갖는 유체 분배 시스템에 의해 형성 가능 재료를 상기 기재의 표면 상에 분배하기 위한 정보를 전달하고, - 상기 기재 및 유체 분배 포트가 병진운동 축을 따라 서로에 대해서 이동함 - ;
    상기 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키기 위한 정보를 전달하고;
    상기 임프린트 필드의 제2 부분을 위한 제2 유체 액적 패턴을 형성하기 위한 제2 통과 중에 상기 유체 분배 시스템에 의해 상기 형성 가능 재료를 상기 기재의 표면 상에 분배하기 위한 정보를 전달하도록 구성되고,
    상기 제1 유체 액적 패턴은 복수의 선을 따라서 놓인 상기 형성 가능 재료의 유체 액적을 분배하기 위해 제공되고, 상기 복수의 선은 피치만큼 서로 이격되어 있고,
    상기 오프셋은 상기 피치의 비-정수배인 오프셋 거리에 대해서 상기 피치의 방향으로 상기 기재의 표면에 평행한 평면을 따라 이루어지는, 임프린트 리소그래피 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키기 위한 정보는 상기 기재 및 유체 분배 포트를 병진운동 축으로 오프셋시키기 위한 정보를 포함하지 않는, 임프린트 리소그래피 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키기 위한 정보는 상기 기재 및 유체 분배 포트를 병진운동 축으로 서로에 대해서 오프셋시키기 위한 정보를 더 포함하는, 임프린트 리소그래피 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 유체 분배 시스템은, 상기 기재 및 유체 분배 포트가 병진운동 축을 따라 미리 설정된 속력으로 서로에 대해서 이동할 때, 미리 설정된 최소 피치의 기재 상의 이격된 액적을 성취하기 위한 미리 설정된 빈도(frequency)로 상기 형성 가능 재료의 유체 액적을 분배하도록 추가적으로 구성되며;
    상기 제1 통과, 제2 통과, 또는 제1 및 제2 통과의 각각 중에 형성 가능 재료를 분배하기 위한 정보는, 병진운동 축을 따른 유체 액적 피치가 미리 설정된 최소 피치가 되도록 또는 미리 설정된 최소 피치의 정수배가 되도록, 상기 형성 가능 재료를 분배하기 위한 특정 정보를 포함하고;
    상기 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키기 위한 정보는, 병진운동 축으로, 상기 기재 및 유체 분배 포트의 서로에 대한 오프셋이 미리 설정된 최소 피치의 비-정수배인 병진운동 오프셋 거리에 대해서 실시되는 특정 정보를 포함하는, 임프린트 리소그래피 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유체 분배 포트는, 병진운동 축에 수직인 선을 따라서 상응하는 피치로 유체 액적을 분배하도록 구성되고;
    상기 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키기 위한 정보는 상응하는 피치의 비-정수배인 오프셋 거리에 대해서 실시되는, 임프린트 리소그래피 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 통과 중에 형성 가능 재료를 기재 상에 분배하기 위한 정보는 적하 연부 배제부의 Y1 선을 따라 형성 가능 재료의 유체 액적을 분배하기 위한 정보를 포함하고;
    상기 제2 통과 중에 형성 가능 재료를 기재 상에 분배하기 위한 정보는 적하 연부 배제부의 Y2 선을 따라 형성 가능 재료의 유체 액적을 분배하기 위한 정보를 포함하는, 임프린트 리소그래피 장치.
  7. 임프린트 리소그래피 프로세스를 위한 유체 액적 패턴 생성 방법으로서:
    제1 통과 중에, 기재의 임프린트 필드의 제1 부분을 위한 제1 기재 유체 액적 패턴을 형성하기 위해서 유체 분배 포트를 갖는 유체 분배 시스템에 의해 형성 가능 재료를 기재의 표면 상에 분배하는 단계로서, 상기 기재 및 유체 분배 포트는 병진운동 축을 따라 서로에 대해서 이동하는, 단계;
    상기 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키는 단계; 및
    제2 통과 중에, 상기 임프린트 필드의 제2 부분을 위한 제2 기재 유체 액적 패턴을 형성하기 위해서 상기 유체 분배 시스템에 의해 상기 형성 가능 재료를 상기 기재의 표면 상에 분배하는 단계로서, 상기 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키는 단계는 상기 제1 통과와 상기 제2 통과 사이에서 실시되는, 단계
    를 포함하고,
    상기 제1 기재 유체 액적 패턴은 복수의 선을 따라서 놓인 상기 형성 가능 재료의 유체 액적을 갖고, 상기 복수의 선은 피치만큼 서로 이격되어 있고,
    상기 오프셋시키는 단계는 상기 피치의 비-정수배인 오프셋 거리에 대해서 상기 피치의 방향으로 상기 기재의 표면에 평행한 평면을 따라 이루어지는, 기재 유체 액적 패턴 생성 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 유체 분배 포트는, 병진운동 축에 수직인 선을 따라서 상응하는 피치로 유체 액적을 분배하도록 구성되고;
    상기 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키는 단계는, 상기 기재 및 상기 유체 분배 포트를 상응하는 피치의 비-정수배인 오프셋 거리에 대해서 서로에 대해서 오프셋시키는 단계를 포함하는, 기재 유체 액적 패턴 생성 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 유체 분배 시스템은 선을 따라 놓인 열에 유체 액적을 분배하고, 상기 유체 분배 시스템은, 상기 기재 및 유체 분배 포트가 병진운동 축을 따라 미리 설정된 속력으로 서로에 대해서 이동할 때, 미리 설정된 최소 피치로 이격된 액적을 기재 상에서 성취하기 위한 미리 설정된 빈도로 형성 가능 재료의 유체 액적을 분배하도록 더 구성되며;
    가상 유체 액적 패턴을 결정하는 단계는:
    상기 형성 가능 재료를 기재 상에 분배하기 위한 미리 설정된-규정된 유체 액적 패턴을 결정하는 단계로서, 상기 미리 설정된-규정된 유체 액적 패턴은 적어도 임프린트 리소그래피 형판의 패턴을 기초로 하며, 상기 미리 설정된-규정된 유체 액적 패턴은, 상기 기재 및 유체 분배 포트가 병진운동 축을 따라 미리 설정된 속력으로 서로에 대해서 이동될 때, 미리 설정된 최소 피치 또는 그 정수배로 기재 상에서 이격된 유체 액적을 나타내는, 단계; 및
    상기 미리 설정된-규정된 유체 액적 패턴을 기초로 조정된 유체 액적 패턴을 결정하는 단계로서, 상기 조정된 유체 액적 패턴은 미리 설정된 최소 피치의 비-정수배로 이격된 유체 액적들을 나타내며, 상기 조정된 유체 액적 패턴은 가상 유체 액적 패턴인, 단계
    를 포함하고;
    상기 방법은, 제1 및 제2 통과 중에 형성되는 조정된 유체 액적 패턴을 생성하기 위해서 상기 기재 및 유체 분배 포트의 서로에 대한 조정된 속력을 결정하는 단계로서, 상기 조정된 속력은 제1 통과, 제2 통과, 또는 제1 및 제2 통과의 각각 중에 미리 설정된 속력과 상이한, 단계; 및
    제1 통과, 제2 통과, 또는 제1 및 제2 통과의 각각 중에, 상기 기재 및 유체 분배 포트를 병진운동 축을 따라 조정된 속력으로 서로에 대해서 이동시키고, 미리 설정된 빈도로 형성 가능 재료를 유체 분배 포트를 통해서 분배하는 단계를 더 포함하는, 기재 유체 액적 패턴 생성 방법.
  10. 물품 제조 방법으로서:
    유체 분배 포트를 가지는 유체 분배 시스템을 제공하는 단계;
    제1 통과 중에, 기재의 임프린트 필드의 제1 부분을 위한 제1 기재 유체 액적 패턴을 형성하기 위해서 유체 분배 포트를 갖는 유체 분배 시스템에 의해 형성 가능 재료를 기재의 표면 상에 분배하는 단계로서, 상기 기재 및 유체 분배 포트가 병진운동 축을 따라 서로에 대해서 이동하는, 단계;
    제1 통과 중에 형성 가능 재료를 분배하는 단계 이후에 상기 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키는 단계;
    제2 통과 중에, 상기 임프린트 필드의 제2 부분을 위한 제2 기판 유체 액적 패턴을 형성하기 위해서 상기 유체 분배 시스템에 의해 상기 형성 가능 재료를 상기 기재의 표면 상에 분배하는 단계로서, 상기 기재 및 유체 분배 포트를 서로에 대해서 오프셋시키는 단계는 상기 제1 통과와 상기 제2 통과 사이에 실시되고, 상기 제1 기재 유체 액적 패턴은 복수의 선을 따라서 놓인 상기 형성 가능 재료의 유체 액적을 갖고, 상기 복수의 선은 피치만큼 서로 이격되어 있고, 상기 오프셋은 상기 피치의 비-정수배인 오프셋 거리에 대해서 상기 피치의 방향으로 상기 기재의 표면에 평행한 평면을 따라 이루어지고;
    상기 형성 가능 재료를 표면을 가지는 형판과 접촉시키는 단계; 및
    상기 형판의 표면에 상응하는 층을 형성하기 위해서 상기 형성 가능 재료를 경화하는 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
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