CN108198787A - 阵列基板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种阵列基板及其制造方法。所述制造方法包括：在第一导电层上形成第二导电层，且第二导电层的反射率大于第一导电层的反射率；在第二导电层上形成绝缘层；在绝缘层上形成一整面光刻胶层，并对光刻胶层进行曝光和显影，以在光刻胶层上形成暴露绝缘层的第一跨接孔；形成暴露第二导电层的第二跨接孔；在光刻胶层上形成第三导电层，第三导电层覆盖第一跨接孔和第二跨接孔并与第二导电层接触。基于此，本发明能够有利于光刻胶的缩短曝光时间，提升产能。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法。
背景技术
目前，显示器普遍使用薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)阵列基板进行像素驱动，以完成显示。阵列基板作为目前显示器中的主要结构部分，用于向显示器提供驱动电路，通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线，该数条栅极扫描线和数条数据线限定出多个像素单元，每个像素单元内设置有TFT器件和像素电极，TFT的栅极和相应的栅极扫描线连接，当栅极扫描线上的电压达到开启电压时，TFT的源极和漏极导通，从而将数据线上的数据电压输入至像素电极，进行控制相应像素区域的显示。传统的阵列基板上像素单元通常包括自下而上依次层叠设置的衬底基板、半导体层、氧化层、栅极图案、第一绝缘层、第二绝缘层、源极图案和漏极图案、绝缘保护层、及像素电极，其中，为了实现两导电层之间的电性连接，还需要在像素单元上制作跨接孔。
随着高清显示器的开发，人们对显示器的分辨率的需求也越来越高，高像素密度(Pixels Per Inch,PPI)已经成为显示器行业的主要发展方向，这就需要将TFT器件中的跨接孔的尺寸做到很小。现有技术主要利用构图工艺制造跨接孔，具体为，在形成有光刻胶(Photo Resist,PR)的导电层上放置掩膜板，然后对该光刻胶进行曝光，将掩膜板上的图案转移至光刻胶上，再对光刻胶进行显影，以此去除光刻胶的被曝光的部分，保留光刻胶的未被曝光的部分，从而使得光刻胶形成所需的图案，然后以保留的光刻胶为遮蔽，对导电层进行刻蚀，从而形成跨接孔。在曝光过程中，曝光时间直接影响到生产整个阵列基板所需的时间。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及其制造方法，有利于光刻胶的缩短曝光时间，能够提升产能。
本发明一实施例的阵列基板的制造方法，包括：
在第一导电层上形成第二导电层，且所述第二导电层的反射率大于第一导电层的反射率；
在第二导电层上形成绝缘层；
在绝缘层上形成一整面光刻胶层，并对光刻胶层进行曝光和显影，以在光刻胶层上形成暴露绝缘层的第一跨接孔；
以光刻胶层为遮蔽层，对第一跨接孔暴露的绝缘层进行刻蚀，以形成暴露第二导电层的第二跨接孔；
在光刻胶层上形成第三导电层，所述第三导电层覆盖第一跨接孔和第二跨接孔并与第二导电层接触。
本发明一实施例的阵列基板，包括：
第一导电层；
形成于第一导电层上的第二导电层，且所述第二导电层的反射率大于第一导电层的反射率；
形成于第二导电层上的绝缘层；
形成于绝缘层上的光刻胶层，所述光刻胶层开设有暴露第二导电层的跨接孔，且所述跨接孔贯穿绝缘层；
形成于光刻胶层上的第三导电层，所述第三导电层覆盖所述跨接孔并与第二导电层接触。
有益效果：本发明设计在待形成跨接孔的第一导电层上形成第二导电层，该第二导电层的反射率大于第一导电层的反射率，在对光刻胶层进行曝光时，第二导电层可以增加对光的反射，可以提高光刻胶接收到的曝光光能量，从而能够缩短曝光时间，有利于提升产能。
附图说明
图1是本发明一实施例的阵列基板的结构剖视图；
图2是本发明一实施例的阵列基板的制造方法的流程示意图；
图3是基于图2所示方法制造阵列基板的场景示意图；
图4是本发明一实施例的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
本发明的主要目的是：在一导电层上形成反射率较高的另一导电层，在对光刻胶层进行曝光时，反射率较高的导电层可以增加对光的反射，提高光刻胶接收到的曝光光能量，由于曝光量(Dose)＝曝光光能量*曝光时间，因此在曝光量一定时，本发明可以缩短曝光时间。
下面阵列基板为例，并结合附图，对本发明各个实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下，下述实施例及其技术特征可相互组合。并且，全文所采用的方向性术语，例如“上”、“下”等，均是为了更好的描述，并非用于限制本发明的保护范围。
图1是本发明一实施例的阵列基板的结构剖视图。如图1所示，本实施例的阵列基板10包括依次层叠设置的第一导电层11、第二导电层12、绝缘层13、光刻胶层14以及第三导电层15。其中，所述光刻胶层14开设有暴露第二导电层12上表面的跨接孔16，且所述跨接孔16贯穿所述绝缘层13，第三导电层15覆盖所述跨接孔16并与第二导电层12接触，由此，在实现阵列基板10的驱动过程中，第三导电层15与第二导电层12以及第一导电层11电性接触。
所述跨接孔16采用构图工艺形成。下面结合图2和图3所示，描述阵列基板10及其跨接孔16的制造方法。
如图2所示，所述阵列基板10的制造方法包括步骤S21～S25。
S21：在第一导电层上形成第二导电层，且所述第二导电层的反射率大于第一导电层的反射率。
S22：在第二导电层上形成绝缘层。
S23：在绝缘层上形成一整面光刻胶层，并对光刻胶层进行曝光和显影，以在光刻胶层上形成暴露绝缘层的第一跨接孔。
S24：以光刻胶层为遮蔽层，对第一跨接孔暴露的绝缘层进行刻蚀，以形成暴露第二导电层的第二跨接孔。
S25：在光刻胶层上形成第三导电层，所述第三导电层覆盖第一跨接孔和第二跨接孔并与第二导电层接触。
结合图2和图3所示，在形成有光刻胶层14的第二导电层12上方放置掩膜板30，该光刻胶层14的制造材料为正性光刻胶，然后对光刻胶层14进行曝光，将掩膜板30上的图案转移至光刻胶层14上，再对光刻胶层14进行显影，以此去除光刻胶层14的被曝光的部分，保留光刻胶层14的未被曝光的部分，从而使得光刻胶层14形成第一跨接孔141，然后以光刻胶层14的被保留部分为遮蔽层，对绝缘层13进行刻蚀，使得绝缘层13形成第二跨接孔131，该第二跨接孔131与第一跨接孔141导通，以此形成跨接孔16。
在对光刻胶层14进行曝光时，光(例如紫外光)依次通过光刻胶层14和绝缘层13入射至第二导电层12的上表面，第二导电层12的上表面将光反射至光刻胶层14的下表面，由于所述第二导电层12的反射率大于第一导电层11的反射率，因此，相比较于仅仅设置第一导电层11，第二导电层12可以增加对光的反射，提高光刻胶层14接收到的曝光光能量，而基于曝光量＝曝光光能量*曝光时间，在曝光量一定时，本实施例可以缩短曝光时间，有利于提升产能。
所述第一导电层11和第二导电层12可以为金属材质。例如，第一导电层11的材质可以为铜，对应地，第二导电层12可以采用钛、钼、铝及银中的任一种制成。又例如，第一导电层11的材质为铝，此时本实施例可以采用银形成所述第二导电层12。本实施例不限制第一导电层11和第二导电层12的形成方法，例如可以为溅射法。另外，在形成第一导电层11和第二导电层12的过程中，为了保护两者的材质不发生氧化，本实施例可以通入还原性气体，例如氢气。
进一步地，在缩短曝光时间的同时，为了有利于阵列基板10的轻薄化设计，本实施例可以设计第二导电层12和第一导电层11具有预定厚度，例如，在第二导电层12和第一导电层11的厚度之和大于250nm(纳米)时，第一导电层11的厚度M1至少大于第二导电层12的厚度M2的3倍，即，M1+M2＞250nm，且M1＞3＊M2。
基于上述方法，所述第一导电层11、第二导电层12、绝缘层13、光刻胶层14以及第三导电层15可以为阵列基板10上的各个层结构，例如，第一导电层11可以为TFT的源极图案或者是漏极图案，绝缘层13为TFT的钝化层(passivation layer)，光刻胶层14为TFT的平坦层，第三导电层15可以为像素电极层。其中，各个层结构的制造方法以及位置关系，可以参阅现有技术，此处不予以赘述。
另外，本发明的上述制造方法还适用于采用负性光刻胶形成的光刻胶层，而当采用负性光刻胶形成光刻胶层时，曝光位置与采用正性光刻胶形成光刻胶层的曝光位置互补。
本发明还提供一实施例的显示面板，如图4所示，该显示面板40包括第一基板41和第二基板42，上述阵列基板10可以为两基板中的任一个。因此，该显示面板40也具有上述有益效果。
应理解，以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在第一导电层上形成第二导电层，且所述第二导电层的反射率大于所述第一导电层的反射率；
在所述第二导电层上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成一整面光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光和显影，以在所述光刻胶层上形成暴露所述绝缘层的第一跨接孔；
以所述光刻胶层为遮蔽层，对所述第一跨接孔暴露的绝缘层进行刻蚀，以形成暴露所述第二导电层的第二跨接孔；
在所述光刻胶层上形成第三导电层，所述第三导电层覆盖所述第一跨接孔和第二跨接孔并与所述第二导电层接触。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导电层包括薄膜晶体管的源极图案和漏极图案。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导电层的材质为铜，采用钛、钼、铝及银中的任一种形成所述第二导电层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导电层的材质为铝，采用银形成所述第二导电层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导电层的厚度至少大于所述第二导电层的厚度的3倍。
6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
第一导电层；
形成于所述第一导电层上的第二导电层，且所述第二导电层的反射率大于所述第一导电层的反射率；
形成于所述第二导电层上的绝缘层；
形成于所述绝缘层上的光刻胶层，所述光刻胶层开设有暴露所述第二导电层的跨接孔，且所述跨接孔贯穿所述绝缘层；
形成于所述光刻胶层上的第三导电层，所述第三导电层覆盖所述跨接孔并与所述第二导电层接触。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层包括薄膜晶体管的源极图案和漏极图案。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层的材质为铜，所述第二导电层的材质为钛、钼、铝及银中的任一种。
9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层的材质为铝，所述第二导电层的材质为银。
10.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层的厚度至少大于所述第二导电层的厚度的3倍。
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1577434A (zh) * | 2003-07-23 | 2005-02-09 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜半导体器件和薄膜半导体器件的制造方法 |
| CN101510530A (zh) * | 2009-04-03 | 2009-08-19 | 友达光电股份有限公司 | 主动元件阵列基板及其制造方法 |
| CN103426935A (zh) * | 2009-11-27 | 2013-12-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置和及其制造方法 |
| CN103730533A (zh) * | 2012-10-12 | 2014-04-16 | Nlt科技股份有限公司 | 光电转换设备、其制造方法以及x光图像检测器 |
| CN104218062A (zh) * | 2013-05-29 | 2014-12-17 | 索尼公司 | 显示单元、制造显示单元的方法以及电子设备 |
| CN105324835A (zh) * | 2013-06-28 | 2016-02-10 | 株式会社神户制钢所 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
| CN106898616A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-06-27 | 武汉华星光电技术有限公司 | Tft基板的制作方法及tft基板 |
| CN107039474A (zh) * | 2015-12-18 | 2017-08-11 | 精工爱普生株式会社 | 光电转换元件及其制造方法以及光电转换装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101211118A (zh) * | 2006-12-25 | 2008-07-02 | 上海广电Nec液晶显示器有限公司 | 液晶显示装置制造方法以及在此方法中使用的掩模 |
| CN102487043A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法和电子纸显示器 |
-
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1577434A (zh) * | 2003-07-23 | 2005-02-09 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜半导体器件和薄膜半导体器件的制造方法 |
| CN101510530A (zh) * | 2009-04-03 | 2009-08-19 | 友达光电股份有限公司 | 主动元件阵列基板及其制造方法 |
| CN103426935A (zh) * | 2009-11-27 | 2013-12-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置和及其制造方法 |
| CN103730533A (zh) * | 2012-10-12 | 2014-04-16 | Nlt科技股份有限公司 | 光电转换设备、其制造方法以及x光图像检测器 |
| CN104218062A (zh) * | 2013-05-29 | 2014-12-17 | 索尼公司 | 显示单元、制造显示单元的方法以及电子设备 |
| CN105324835A (zh) * | 2013-06-28 | 2016-02-10 | 株式会社神户制钢所 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
| CN107039474A (zh) * | 2015-12-18 | 2017-08-11 | 精工爱普生株式会社 | 光电转换元件及其制造方法以及光电转换装置 |
| CN106898616A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-06-27 | 武汉华星光电技术有限公司 | Tft基板的制作方法及tft基板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: No.9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant after: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co.,Ltd. Address before: No.9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
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| GR01 | Patent grant | ||
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