CN108154904A - 一种存储芯片性能的测试方法和装置 - Google Patents

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    • G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor

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Abstract

本发明公开了一种存储芯片性能的测试方法及装置。该方法包括：向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作；在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录；在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数；在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数；重复执行上述测试过程，直至所述待测试存储芯片老化失效。通过本发明的技术方案，能够对存储芯片的老化性能进行有效测试。

Description

一种存储芯片性能的测试方法和装置
技术领域
本发明实施例涉及存储芯片检测技术，尤其涉及一种存储芯片性能的测试方法和装置。
背景技术
存储芯片是目前各种数据处理设备中常用的存储工具，其写入性能往往是人们直接关注的。存储芯片的老化性能，随着存储芯片的长期使用，也逐渐成为人们关注的热点。但是现有技术还不存在对存储芯片老化性能的测试方法。
发明内容
本发明实施例提供一种存储芯片性能的测试方法和装置，以对存储芯片的老化性能进行有效测试。
第一方面，本发明实施例提供了一种存储芯片性能的测试方法，包括：
向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作；
在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录；
在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数；
在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数；
重复执行上述测试过程，直至所述待测试存储芯片老化失效。
进一步的，写入性能参数为写入速度；读取性能参数为读出速度。
进一步的，所述设定数量为500次。
进一步的，向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入操作的数据相对于所述待测试存储芯片为随机变化数据。
第二方面，本发明实施例还提供了一种存储芯片性能的测试装置，该装置包括：
读写模块，用于向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作；
擦除模块，用于在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录；
错误记录模块，用于在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数；
参数记录模块，用于在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数；
重复模块，用于重复执行上述测试过程，直至所述待测试存储芯片老化失效。
进一步的，写入性能参数为写入速度；读取性能参数为读出速度。
进一步的，所述设定数量为500次。
进一步的，向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入操作的数据相对于所述待测试存储芯片为随机变化数据。
本发明通过向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作；在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录；在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数；在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数；重复执行上述测试过程，直至所述待测试存储芯片老化失效，能够对存储芯片的老化性能进行有效测试。
附图说明
图1是本发明实施例一中的一种存储芯片性能的测试方法的流程图；
图2是本发明实施例二中的一种存储芯片性能的测试装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
实施例一
图1为本发明实施例一提供的一种存储芯片性能的测试方法的流程图，本实施例可适用于存储芯片性能测试的情况，该方法可以由本发明实施例中存储芯片性能的测试装置来执行，该装置可采用软件和/或硬件的方式实现，如图1所示，该方法具体包括如下步骤：
S110，向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作。
其中，所述待测试存储芯片为随机选取的芯片，所述设定数量为提前设置的执行次数，可以为400次，也可以为600次，本实施例对此不进行限制，具体的，执行写入操作之后立即进行读取操作。
在一个具体的例子中，随机选取一批生产的存储芯片中的几个芯片作为待测试芯片，对这些芯片执行数据写入和读取操作，在完成一次写入操作立即执行一次读取操作，再进行一次写入操作，之后立即执行一次读取操作，重复上述步骤，共执行600次写入数据和读取数据操作。
可选的，所述设定数量为500次。
在一个具体的例子中，选取一个待测存储芯片，对所述待测存储芯片执行数据写入和读取操作，完成500次写入和读取操作，对待测存储芯片进行性能测试。
可选的，向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入操作的数据相对于所述待测试存储芯片为随机变化数据。
其中，所述随机变化数据可以为没有特别明显的规律的数据，也可以为不是相同的数据。例如可以是，二进制数为例，可以为010010101011，不可以为类似于000000或者11111等相同的数据，也不可以为01010101或者100100100等有固定规律的数据。
具体的，向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入操作的数据相对于所述待测试存储芯片为随机变化数据，如果所述数据为有特别明显的规律的数据，则会导致测试性能变低，因此，需要写入的数据为随机变化数据。
S120，在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录。
其中，所述全盘写入是指写满容量，就是将所述存储芯片中的存储空间都被数据占满，其中，所述擦除次数为执行擦除操作的次数。
具体的，将数据写入到待测试存储芯片中，由于写入的数据需要编码(需要额外的配置信息或者是设置纠错码等)，导致真正写入至待测试存储芯片中的数据会比写入之前的数据多一些编码数据，擦出操作是对所有的存储单元进行的，也就是说把说有的存储单元都擦除。因此可能出现擦除次数多于写入次数，这种情况下存储芯片就比较容易老化。
具体的，将数据写入到待测试存储芯片中，由于写入的数据需要缓存或者中转，导致擦除的次数与写入的次数可能出现不同的情况。
具体的，将数据写入到待测试存储芯片中，由于只将数据写入几个存储单元，其他的存储单元不写入数据，对不同的存储单元来说擦除次数和写入次数可能不同，如果没有写入数据的存储单元，写入次数就少于擦除次数。
具体的，将数据写入到待测试存储芯片中，由于存储单元可能出现数据转移的情况，例如：如果某些存储单元中存储的数据比较少，则可以将其中存储的数据转移到其他的存储单元中。
具体的，在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，先全盘写入，读出操作，然后将待测芯片所包括的每个存储单元进行擦除操作，对擦除次数计数并记录擦除次数，根据记录的擦除次数确定芯片的老化情况。
S130，在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数。
其中，所述每个存储单元的错误位数为每个存储单元中写入的数据与读出的数据不同的位数。
具体的，在将数据进行全盘读取之后，将读取的数据与之前写入的数据进行对比，例如可以是，若在某一存储单元中读取的数据用二进制数表示为01001011001，写入的数据用二进制数表示为11001011001，则可以确定错误位数为一位。
S140，在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数。
其中，所述写入性能参数可以为能够获取写入速度的数据，也可以为写入速度，所述读取性能可以为能够获取读出速度的数据，也可以为读出速度。
可选的，写入性能参数为写入速度；读取性能参数为读出速度。
具体的，在对数据进行全盘写入和读取的过程中，记录写入速度和读出速度。
S150，重复执行上述测试过程，直至所述待测试存储芯片老化失效。
其中，所述上述步骤为向待测试存储芯片执行全盘写入和读取操作，在写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录；在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数；在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数。所述待测存储芯片老化失效是指待测试存储芯片不能正常工作。
在一个具体的例子中，所述性能检测方法由PC、EVB板和待测芯片执行，PC端的控制程序驱动EVB板上的arm controller,arm controller控制被测芯片进行写操作，测试performance，读取erase count和error bit。首先，启动HOST端写入测试，EMMC/eMCP芯片全盘写入500次，读取erase count，读取error bit，测试performance，继续进行全盘写入测试，重复上述步骤，总结HOST端写入数据量与erase count之间的关系，对performance和error bit的影响。
本实施例的技术方案，通过向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作；在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录；在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数；在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数；重复执行上述测试过程，直至所述待测试存储芯片老化失效，能够对存储芯片的老化性能进行有效测试。
实施例二
图2为本发明实施例二的一种存储芯片性能的测试装置的结构示意图。本实施例可适用于存储芯片性能的测试的情况，该装置可采用软件和/或硬件的方式实现，该装置可集成在任何需要进行存储芯片性能的测试功能的设备中，如图2所示，所述存储芯片性能的测试装置具体包括：读写模块210、擦除模块220、错误记录模块230、参数记录模块240和重复模块250。
其中，读写模块210，用于向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作；
擦除模块220，用于在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录；
错误记录模块230，用于在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数；
参数记录模块240，用于在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数；
重复模块250，用于重复执行上述测试过程，直至所述待测试存储芯片老化失效。
可选的，写入性能参数为写入速度；读取性能参数为读出速度。
可选的，所述设定数量为500次。
可选的，向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入操作的数据相对于所述待测试存储芯片为随机变化数据。
本实施例的技术方案，通过向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作；在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录；在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数；在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数；重复执行上述测试过程，直至所述待测试存储芯片老化失效，能够对存储芯片的老化性能进行有效测试。
上述产品可执行本发明任意实施例所提供的方法，具备执行方法相应的功能模块和有益效果。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (8)

1.一种存储芯片性能的测试方法，其特征在于，包括：
向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作；
在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录；
在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数；
在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数；
重复执行上述测试过程，直至所述待测试存储芯片老化失效。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
写入性能参数为写入速度；
读取性能参数为读出速度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述设定数量为500次。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入操作的数据相对于所述待测试存储芯片为随机变化数据。
5.一种存储芯片性能的测试装置，其特征在于，包括：
读写模块，用于向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作；
擦除模块，用于在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录；
错误记录模块，用于在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数；
参数记录模块，用于在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数；
重复模块，用于重复执行上述测试过程，直至所述待测试存储芯片老化失效。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于：
写入性能参数为写入速度；
读取性能参数为读出速度。
7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于：所述设定数量为500次。
8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入操作的数据相对于所述待测试存储芯片为随机变化数据。
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