CN109785891A - 一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法,本方法通过对NAND Flash存储器进行浅擦除测试获取NAND Flash存储器的浅擦除效应(Shallow Erase)与闪存块(Block)中被使用过的字线(Wordline)之间的关系。基于该方法测试的结果,NAND Flash存储器的使用者可以采取不同的应对方案,从而规避浅擦除效应(Shallow Erase)的影响。
Description
技术领域
本发明涉及一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法,属于存储器技术领域。
背景技术
NAND Flash存储器是Flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量较大,体积小、读写速度快、掉电数据不丢失等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用。
NAND Flash存储器有若干个块(Block)组成,每个块(Block)包含若干个字线(Wordline),每个字线(Wordline)包含若干个页(Page)。在向NAND Flash存储器中写入数据之前,需要先对块(Block)执行擦除(Erase)操作,之后将数据存入字线(Wordline)的闪存页(Page)中。当用户需要获取数据时,可以从页(Page)中读取数据。由于硬件电气特性的影响,当读取存储在NAND Flash存储器中的数据时,部分数据位会发生反转。
对一个块(Block)进行擦除操作时,如果该块(Block)只有一部分字线(Wordline)被写入过数据,其余的字线(Wordline)未被使用,那么向该块(Block)写入新数据之后,用户进行读取操作时数据位反转的概率会增大,即数据出错的概率会增大,这种现象称为浅擦除效应(Shallow Erase)。
传统的技术方案中,为了规避浅擦除效应(Shallow Erase)的影响,通常会在每次擦除(Erase)之前对NAND Flash存储器块(Block)中没有被使用的字线(Wordline)全部使用无效数据进行填充,这种方法会引入大量冗余的写操作,降低用户对NAND Flash存储器的访问效率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法,获取NAND Flash存储器的浅擦除效应(Shallow Erase)与闪存块(Block)中被使用过的字线(Wordline)之间的关系。基于该方法测试的结果,NAND Flash存储器的使用者可以采取不同的应对方案,从而规避浅擦除效应(Shallow Erase)的影响。
为了解决所述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法,包括以下步骤:S01)、选定磨损次数X、数据保存时间Y、数据读干扰次数Z;S02)、选定两组NAND Flash存储器块,第一组用于浅擦除测试,第二组用于正常擦除测试;S03)、确定NAND Flash存储器块包含的字线总数及用于浅擦除测试的字线数V,V<U,本步骤中,令V=1;S04)、将两组块磨损X次,将第一组中每个块的前V个字线写入数据,将第二组块中每个块的U个字线全部写入数据;S05)、对第一组、第二组所有的块进行擦除;S06)、将第一组、第二组所有块的U个字线全部写入数据;S07)、将两组测试样本放置Y小时;S08)、对两组测试样本的每个块执行Z次读干扰;S09)、读取两组块中的数据,记录数据的出错位数;S10)、令V的值加1;S11)、重复步骤S04至S10,直到V=U;S12)、统计测试数据,分析浅擦除效应与被使用的子线数据V的关系,得出Vopt,该值表示当NAND Flash存储器块中有至少Vopt个字线被写入数据时,浅擦除效应的影响可以被忽略。
进一步的,如果在擦除之前发现某个块中写入数据的字线小于Vopt,则将一些无效数据写入该块,使其写入数据的字线数量达到Vopt。
进一步的,X≥0,Y≤3个月,Z≤1000000。
本发明的有益效果:通过本专利描述的方法,可以获取NAND Flash存储器的浅擦除效应(Shallow Erase)与闪存块(Block)中被使用过的字线(Wordline)之间的关系。基于该方法测试的结果,NAND Flash存储器的使用者可以采取不同的应对方案,从而规避浅擦除效应(Shallow Erase)的影响。具体的说,通过本方法可以找到一个合适的值Vopt,该值表示当NAND Flash存储器块(Block)中有Vopt个字线(Wordline)被写入数据时,浅擦除效应(Shallow Erase)的影响可以被忽略。基于此值,用户在进行块(Block)擦除操作时,只要确保被使用的字线(Wordline)大于等于Vopt即可,从而可以避免很多冗余的写操作,提升NANDFlash存储器的访问效率。
附图说明
图1为发明的流程图;
图2为当A组写入的字线数量小于Vopt时,A组数据错误情况与B组数据错误情况的对比示意图;
图3为当A组写入的字线数量大于或者等于Vopt时,A组数据错误情况与B组数据错误情况的对比示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的限定。
实施例1
本实施例公开一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法,如图1所示,包括以下步骤:
首先,选定磨损次数X(PE Cycles)、数据保存时间Y(Retention Time)、数据读干扰次数Z(Read Disturb)。其中,X≥0,Y≤3个月,Z≤1000000。
其次,选定两组NAND Flash存储器块(Block),第一组用于浅擦除测试,第二组用于正常擦除测试。
第三,确定NAND Flash存储器块(Block)包含的字线(Wordline)总数U及用于浅擦除测试的字线(Wordline)数V,其中,V<U,本步骤中,令V=1;
第四,将两组块(Block)磨损X次。
第五,将第一组中每个块(Block)的前V个字线(Worldline)写入数据,将第二组中每个块(Block)的U个字线(Wordline)全部写入数据。
第六,对第一组、第二组所有的块(Block)进行擦除。
第七,将第一组、第二组所有块(Block)的U个字线(Wordline)全部写入数据。
第八,将两组测试样本放置Y小时。
第九,对两组测试样本的每个块(Block)执行Z次读干扰。
第十,读取两组块(Block)中的数据,记录数据的出错位数。
第十一,使V的值加1;
第十二,重复步骤四~步骤十一,直到V=U。
第十三,统计测试数据,分析浅擦除效应(Shallow Erase)与被使用的字线(Wordline)数量V的关系,得出Vopt,该值表示当NAND Flash存储器块中有至少Vopt个字线被写入数据时,浅擦除效应的影响可以被忽略。如果在擦除之前发现某个块中写入数据的字线小于Vopt,则将一些无效数据写入该块,使其写入数据的字线数量达到Vopt。
本实施例中,令X=1000,Y=0,Z=0,当A组写入的字线数量V小于196时,A组数据错误情况与B组数据错误情况对比如图2所示,当A组写入的字线数量V大于等于196时,A组数据错误情况与B组数据错误情况对比如图3所示。由图2和图3可知,当A组写入的字线数量V小于196时,A组数据错误情况明显高于B组数据错误情况,浅擦除效应不可忽略,而当A组写入的子线数量V大于等于196时,A组数据错误情况与B组数据错误情况大致相当,浅擦除效应可以忽略。这就是通过上述方法获取的NAND Flash存储器浅擦除特性规律。基于该规律,用户只要保证NAND Flash存储器块(Block)中有至少Vopt=196个字线(wordline)被填充过数据,就能够忽略浅擦除效应(Shallow Erase)的影响。如果用户在擦除之前发现某个块(block)中写入数据的字线(wordline)少于196个,那么只需要将一些无效数据写入该块(block),使其写入数据的字线(wordline)数量达到196即可。
利用本实施例所述可以获取NAND Flash存储器的浅擦除效应(Shallow Erase)与闪存块(Block)中被使用过的字线(Wordline)之间的关系。基于该方法测试的结果,NANDFlash存储器的使用者可以采取不同的应对方案,从而规避浅擦除效应(Shallow Erase)的影响。
以上描述的仅是本发明的基本原理和优选实施例,本领域技术人员根据本发明做出的改进和替换,属于本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法,其特征在于:包括以下步骤:S01)、选定磨损次数X、数据保存时间Y、数据读干扰次数Z;S02)、选定两组NAND Flash存储器块,第一组用于浅擦除测试,第二组用于正常擦除测试;S03)、确定NAND Flash存储器块包含的字线总数及用于浅擦除测试的字线数V,V<U,本步骤中,令V=1;S04)、将两组块磨损X次,将第一组中每个块的前V个字线写入数据,将第二组块中每个块的U个字线全部写入数据;S05)、对第一组、第二组所有的块进行擦除;S06)、将第一组、第二组所有块的U个字线全部写入数据;S07)、将两组测试样本放置Y小时;S08)、对两组测试样本的每个块执行Z次读干扰;S09)、读取两组块中的数据,记录数据的出错位数;S10)、令V的值加1;S11)、重复步骤S04至S10,直到V=U;S12)、统计测试数据,分析浅擦除效应与被使用的子线数据V的关系,得出Vopt,该值表示当NAND Flash存储器块中有至少Vopt个字线被写入数据时,浅擦除效应的影响可以被忽略。
2.根据权利要求2所述的获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法,其特征在于:如果在擦除之前发现某个块中写入数据的字线小于Vopt,则将一些无效数据写入该块,使其写入数据的字线数量达到Vopt。
3.根据权利要求1所述的获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法,其特征在于:X≥0,Y≤3个月,Z≤1000000。
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