CN102842344A - Eeprom读写周期时间的测试方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及EEPROM读写周期时间的测试方法，包括以下步骤：编写前2n(0≤n≤5)页存储单元的写操作图形向量和读操作图形向量；运行写操作图形向量，对存储单元进行写操作，测试写周期时间；运行读操作图形向量，对存储单元进行读操作，测试读周期时间。本发明采用编写一小部分测试图形向量以降低对测试系统的要求，同时通过将高位地址线逐位反相的方法实现所有存储单元的地址切换，将EEPROM读写周期时间测试深入到了每个单元，从而不需要很大的图形向量存储空间即可实现全部单元逐单元的读写周期时间的测试，十分有利于进行工程质量归零分析。采用本发明，可全面、准确、便捷、灵活测试EEPROM读写周期时间。

Description

EEPROM读写周期时间的测试方法
技术领域
本发明涉及测试方法，具体而言是一种EEPROM读写周期时间的测试方法。
背景技术
EEPROM作为一种非易失的存储器，广泛应用于单片机和对数据存储安全性及可靠性要求高的其他场合，如门禁考勤系统、测量和医疗仪表、非接触式智能卡、税控收款机、预付费电度表或复费率电度表、家电遥控器等。但是EEPROM是通过电子的跃迁实现写入和擦除操作，由于电子跃迁所需的时间比较长，因此EEPROM写入和擦除时间较长，一般一个字节的写入和擦除时间为200μs～10ms，而整个器件的写入和擦除时间通常在1000ms以上，故无法采用随机存储器通常用的算法图形测试方法对EEPROM进行测试，只能参照只读存储器ROM进行空片的读操作测试和直流参数测试，而不能进行读写周期时间的测试，无法检测出写入时间过长等典型故障，容易造成对器件的误判。因此，设计出一种可全面、准确、便捷、灵活的测试读写周期时间的EEPROM读写周期时间的测试方法十分必要。
发明内容
本发明的目的是提供一种可全面、准确、便捷、灵活测试读写周期时间的EEPROM读写周期时间的测试方法。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种EEPROM读写周期时间的测试方法，包括以下步骤：
a．编写测试图形向量；
a11．根据被测EEPROM“页写”的大小以及测试系统图形发生器的容量，设置所编写的图形向量为前2n(0≤n≤5)页存储单元的写操作图形向量和读操作图形向量；
a12．选择第一页存储单元；
a13．设置背景数据；
a14．根据器件详细规范规定的写周期时间和实际运行速率，按公式“写周期时间= 速率×循环次数”设置循环次数；
a15．发写命令，写入背景数据；
a16．将步骤a15重复步骤a14所述的次数，直至将背景数据全部写入。
a17．选择下一页存储单元，设置不同的背景数据；重复步骤a14~ a16，直至步骤a11所述存储单元全部写操作完成；
a21．选择第一个存储单元；
a22．发读命令，读出存储单元当前的数据；
a23．选择下一个地址单元，重复步骤a22，直至步骤a11所述存储单元全部读操作完成；
b．测试写周期时间：
b1．设置写周期时间为tWC的最大值，运行写操作图形向量，对步骤a11所述的存储单元进行写操作；
b2．等待写周期时间tWC，将背景数据全部写入步骤a11所述的存储单元；
b3．设置读周期时间为tRC极限值的5~10倍，运行读操作图形向量，进行一次读操作，读出步骤a11所述存储单元内当前的数据；
b4．比较步骤b3读出的数据与背景数据是否相同。若相同，则步骤a11所述存储单元的写周期时间测试合格；
b5．将高位地址线逐位反相，选定下一个2n(0≤n≤5)页存储单元，重复步骤b1~b4，直到被测EEPROM所有存储单元的写周期时间都测试完毕。
b6．若所有存储单元写周期时间均测试合格，则被测器件的写周期时间测试合格，否则测试不合格。
c．测试读周期时间：
c1．设置写周期时间为tWC极限值的5~10倍，运行写操作图形向量，并等待tWC极限值5~10倍的时间，将背景数据写入步骤a11所述的存储单元；
c2．将高位地址线逐位反相，选定下一个2n(0≤n≤5)页存储单元，重复步骤c1，直到将背景数据写入全部存储单元；
c3．设置读周期时间为tRC的最小值，运行读操作图形向量，进行一次读操作，读出步骤a11所述存储单元内的实际数据；
c4．比较步骤c3读出的数据与背景数据是否相同，若所有单元均完全相同，则步骤a11所述存储单元的读周期时间测试合格；
c5．将高位地址线逐位反相，选定下一个2n(0≤n≤5)页存储单元，重复步骤c3~c4，直到被测EEPROM完全部存储单元的读周期时间均测试完毕。
c6．若所有存储单元的读周期时间均测试合格，则被测EEPROM的读周期时间测试合格，否则测试不合格。
进一步地，在步骤b6之后，若被测器件的写周期时间测试合格，将存储器擦空，逐渐减小tWC的值，重复步骤b1~b5，直至tWC= tn时测试结果翻转，则tn-1即为被测EEPROM写周期时间的具体值。
进一步地，在步骤c6之后，若被测器件的读周期时间测试合格，逐渐降低tRC的值，重复步骤c3~c5，直至tRC= tn时测试结果翻转，则tn-1即为被测EEPROM读周期时间的具体值。
本发明采用编写一小部分测试图形向量以降低对测试系统的要求，同时通过将高位地址线逐位反相的方法实现所有存储单元的地址切换，将EEPROM读写周期时间测试深入到了每个单元，从而不需要很大的图形向量存储空间即可实现全部单元逐单元的读写周期时间的测试，十分有利于进行工程质量归零分析。采用本发明，可全面、准确、便捷、灵活测试EEPROM读写周期时间。
附图说明
图1为本发明的EEPROM读写周期时间测试原理图；
图2为本发明的EEPROM写周期时间测试流程图；
图3为本发明的EEPROM读周期时间测试流程图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明做进一步的详细描述，但该实施例不应理解为对本发明的限制。
实施例1
被测对象： XICRO公司生产的EEPROM器件X28C64DMB-20VI，其详细规范规定的写周期时间tWC的最大值为10ms，读周期时间tRC的最小值为200ns，共64页每页64个存储单元。
测试方法：按以下步骤进行：
a．编写测试图形向量；
a11．根据被测EEPROM“页写”的大小以及测试系统图形发生器的容量，设置所编写的图形向量为前23页即8页共512个存储单元的写操作图形向量和读操作图形向量；
a12．选择第一页存储单元；
a13．设置背景数据0xaa；
a14．根据器件详细规范规定的写周期时间tWC的最大值和实际运行速率1000ns，设置循环次数为10000次；
a15．发写命令，写入背景数据0xaa；
a16．将步骤a15重复10000次，直至将背景数据全部写入。
a17．选择下一页存储单元，设置不同的背景数据0x55，重复步骤a12~ a16，直至步骤a11所述的存储单元全部写操作完成；
a21．选择第一个存储单元；
a22．发读命令，读出存储单元当前的数据；
a23．选择下一个地址单元，重复步骤a22，直至步骤a11所述的存储单元全部读操作完成；
b．搜索写周期时间：
b1．设置写周期时间为tWC的最大值，运行写操作图形向量，对步骤a11所述的存储单元进行写操作；
b2．等待写周期时间tWC，将背景数据全部写入步骤a11所述的存储单元；
b3．设置读周期时间为tRC最小值的5倍，运行读操作图形向量，进行一次读操作，读出步骤a11所述存储单元内当前的数据；
b4．经比较，步骤b3读出的数据与背景数据相同，故步骤a11所述存储单元的写周期时间测试合格；
b5．将高位地址线逐位反相，选定下一个8页共512个存储单元，重复步骤b1~b4，直到被测EEPROM所有存储单元的写周期时间都测试完毕。
b6．结果，所有存储单元的写周期时间均测试合格，于是被测EEPROM的写周期时间测试合格。
c．搜索读周期时间：
c1．设置写周期时间为tWC极限值的5倍，运行写操作图形向量，并等待tWC极限值5倍的时间，将背景数据写入步骤a11所述的存储单元；
c2．将高位地址线的逐位反相，选定下一个8页存储单元，重复步骤c1，直到将背景数据写入全部存储单元；
c3．设置读周期时间为tRC的最小值，运行读操作图形向量，进行一次读操作，读出步骤a11所述存储单元内的实际数据；
c4．经比较，步骤c3读出的数据与背景数据相同，故步骤a11所述存储单元的读周期时间测试合格；
c5．将高位地址线的逐位反相，选定下一个8页存储单元，重复步骤c3~c4，直到被测EEPROM完全部存储单元的读周期时间均测试完毕。
c6．结果，所有存储单元的读周期时间均测试合格，于是，被测EEPROM的读周期时间测试合格。
实施例2
被测对象：同实施例1
测试方法：在实施例1记载的方案中，在步骤b6之后，若被测器件的写周期时间测试合格，将存储器擦空，逐渐减小tWC的值，重复步骤b1~b5，当tWC= tn-1=8.1ms时写周期时间测试依然合格，但至tWC= tn=8ms时测试结果翻转，则tn-1=8.1ms即为被测EEPROM写周期时间的具体值。
实施例3
被测对象：同实施例2
测试方法：在实施例2记载的方案中，在步骤c6之后，被测器件的读周期时间测试合格，逐渐降低tRC的值，重复步骤c3~c5，当tRC= tn-1=191ms时写周期时间测试依然合格，但至tRC= tn =190ns时测试结果翻转，则tn-1=191ns即为被测EEPROM读周期时间的具体值。
本说明书中未作详细描述的内容，属于本专业技术人员公知的现有技术。

Claims (3)

1.一种EEPROM读写周期时间的测试方法，包括以下步骤：
a．编写测试图形向量；
a11．根据被测EEPROM“页写”的大小以及测试系统图形发生器的容量，设置所编写的图形向量为前2n(0≤n≤5)页存储单元的写操作图形向量和读操作图形向量；
a12．选择第一页存储单元；
a13．设置背景数据；
a14．根据器件详细规范规定的写周期时间和实际运行速率，按公式“写周期时间=速率×循环次数”设置循环次数；
a15．发写命令，写入背景数据；
a16．将步骤a15重复步骤a14所述的次数，直至将背景数据全部写入。
a17．选择下一页存储单元，设置不同的背景数据；重复步骤a14~a16，直至步骤a11所述存储单元全部写操作完成；
a21．选择第一个存储单元；
a22．发读命令，读出存储单元当前的数据；
a23．选择下一个地址单元，重复步骤a22，直至步骤a11所述存储单元全部读操作完成；
b．测试写周期时间：
b1．设置写周期时间为tWC的最大值，运行写操作图形向量，对步骤a11所述的存储单元进行写操作；
b2．等待写周期时间tWC，将背景数据全部写入步骤a11所述的存储单元；
b3．设置读周期时间为tRC极限值的5~10倍，运行读操作图形向量，进行一次读操作，读出步骤a11所述存储单元内当前的数据；
b4．比较步骤b3读出的数据与背景数据是否相同。若相同，则步骤a11所述存储单元的写周期时间测试合格；
b5．将高位地址线逐位反相，选定下一个2n(0≤n≤5)页存储单元，重复步骤b1~b4，直到被测EEPROM所有存储单元的写周期时间都测试完毕。
b6．若所有存储单元写周期时间均测试合格，则被测器件的写周期时间测试合格，否则测试不合格。
c．测试读周期时间：
c1．设置写周期时间为tWC极限值的5~10倍，运行写操作图形向量，并等待tWC极限值5~10倍的时间，将背景数据写入步骤a11所述的存储单元；
c2．将高位地址线逐位反相，选定下一个2n(0≤n≤5)页存储单元，重复步骤c1，直到将背景数据写入全部存储单元；
c3．设置读周期时间为tRC的最小值，运行读操作图形向量，进行一次读操作，读出步骤a11所述存储单元内的实际数据；
c4．比较步骤c3读出的数据与背景数据是否相同，若所有单元均完全相同，则步骤a11所述存储单元的读周期时间测试合格；
c5．将高位地址线逐位反相，选定下一个2n(0≤n≤5)页存储单元，重复步骤c3~c4，直到被测EEPROM完全部存储单元的读周期时间均测试完毕。
c6．若所有存储单元的读周期时间均测试合格，则被测EEPROM的读周期时间测试合格，否则测试不合格。
2.根据权利要求1所述的EEPROM读写周期时间的测试方法，其特征在于：在步骤b6之后，若被测器件的写周期时间测试合格，将存储器擦空，逐渐减小tWC的值，重复步骤b1~b5，直至tWC=tn时测试结果翻转，则tn-1即为被测EEPROM写周期时间的具体值。
3.根据权利要求1和2所述的EEPROM读写周期时间的测试方法，其特征在于：在步骤c6之后，若被测器件的读周期时间测试合格，逐渐降低tRC的值，重复步骤c3~c5，直至tRC=tn时测试结果翻转，则tn-1即为被测EEPROM读周期时间的具体值。
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