CN105575437A - 智能卡eeprom的测试方法 - Google Patents

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戴昭君
潘晓辉
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Abstract

本发明公开了一种智能卡EEPROM的测试方法，是采用如下技术方案实现的：以不同EEPROM存储单元的数据背景，逐一进行存储单元数据测试，实现对包括EEPROM地址线粘连、数据线粘连和单元字节错误在内的EEPROM常见失效的测试，对EEPROM连续多页擦写压力测试。本发明能够快速、全面的对智能卡EEPROM进行测试。

Description

智能卡EEPROM的测试方法
技术领域
本发明涉及智能卡测试领域，特别是涉及一种智能卡EEPROM(电可擦可编程只读存储器)的快速测试方法。
背景技术
智能卡因为其安全性要求，不能在芯片中留有生产测试扫描链，这对样片测试以及生产测试提出了新的要求。所有的测试需要通过智能卡既有接口接收测试指令，再由处理器解析后执行指令进行。时间成本是生产测试的关键，接口通讯的速度、处理器处理的效率、测试方法的优化覆盖率都是需要考虑的部分。而一般智能卡的EEPROM存储器容量都在64K～192K，甚至更多，在数据线、地址线无法涉及到的情况下，以接口通讯APDU(应用协议数据单元)指令的形式对EEPROM进行所有存储单元测试是一个时间非常长的过程。如果充分利用一次通讯的效率，减少通讯时间，并辅之以科学的算法，就可以在有限的时间内完成保证覆盖率的测试。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种智能卡EEPROM的测试方法，能够快速、全面的对智能卡EEPROM进行测试。
为解决上述技术问题，本发明的智能卡EEPROM的测试方法，是采用如下技术方案实现的：以不同EEPROM存储单元的数据背景，逐一进行存储单元数据测试，实现对包括EEPROM地址线粘连、数据线粘连和单元字节错误在内的EEPROM常见失效的测试，对EEPROM连续多页擦写压力测试。
采用本发明的方法，可以通过智能卡既有接口(接触或非接触)进行内部存储器EEPROM测试，在保证一定覆盖率的前提下，既快速又全面的完成测试，节约生产测试时间。本发明兼容各种EEPROM容量，可以用于生产测试或样品测试。
采用本发明的方法，可以便捷的定位分析EEPROM的故障，得到故障地址与数据。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是所述智能卡EEPROM的测试方法流程图。
图2是APDU嵌入式代码流程图(一)。
图3是APDU嵌入式代码流程图(二)。
具体实施方式
所述智能卡EEPROM的测试方法，是以不同EEPROM存储单元的数据背景，逐一进行存储单元数据测试(读写擦功能测试)，实现对EEPROM地址线粘连、数据线粘连和单元字节错误(单元漏电不稳定错误)等EEPROM常见失效的测试，对EEPROM连续多页擦写压力测试。
对所述智能卡EEPROM进行测试时，可以将EEPROM所有存储单元设置存储数据为背景0，从首地址开始读确认，再擦写全1后读确认，并读确认EEPROM其他存储单元的数据0没有被改变，最后将测试地址写回背景数据。依次重复至EEPROM所有存储单元。再设置EEPROM所有存储单元存储数据为背景1，按照上述方法进行重复测试。
所述智能卡EEPROM的测试可以采用一测试套件进行测试，该测试套件包括由智能卡嵌入式软件实现的EEPROM快速读写、快速测试的程序与一组调用上述程序的APDU(应用协议数据单元)指令组成的测试脚本。
采用所述测试套件进行测试时，可以将大部分的EEPROM擦写、背景测试算法由智能卡MCU(微控制器)程序完成，测试完成后仅以简单的测试正确或错误的标记作为APDU指令的返回，节约通讯时间。
采用所述测试套件进行测试时，采用较少数量的APDU(应用协议数据单元)指令组合用以指定EEPROM的起始和结束地址。因为批量擦写EEPROM的时间较长，考虑到APDU反向时间的限制，对将较大空间的EEPROM进行测试时，可对EEPROM进行整体测试，也可将EEPROM分成几部分，分部分进行测试。
下面是所述智能卡EEPROM的测试方法一实施例，参见图1所示，具体步骤如下：
第一步对EEPROM(即图中的EE，下同)所有区域写入背景数据0X00。
第二步对待验证page(页)(从page00依次往上)写入数据0XFF并校验数据写入的正确性。
第三步对除待验证page外的其他所有page进行背景数据0X00读校验，如发现校验不正确，则返回校验失败地址。
第四步将待验证page的数据写回背景数据0X00。
第五步对其他每个page都重复第二步到第四步的操作直至遍历整块EEPROM。
第六步改变背景数据为0XFF，重复第二步到第五步的操作。
图2、3为本所述智能卡EEPROM的测试方法的APDU嵌入式代码流程图，其中，图2可以通过一条指令对多个page写入相同的数据或一次性读校验多个page，这样提高擦写或校验EE的效率。图3则是用来对包含指定起始地址的page在内的指定数目的page进行背景测试，可以一次同时进行指定数目次数的背景测试，提高了测试效率。
目前非挥发性存储器EEPROM测试方法是针对EEPROM独立IP(知识产权)模块的测试，可以通过EEPROM地址总线与数据总线按一定的算法进行遍历。整合在智能卡内的EEPROM因为其地址线、数据线不能直接探测到，原先针对IP的测试算法和测试方法不适用。因为智能卡对外呈现的是接触式或非接触式接口，按存储器测试的要求，需要大规模数据的擦写并读出校验，大量的时间花费在通讯上。出于测试时间的考虑，一般的测试仅进行了EEPROM一部分区间的读写擦测试。本发明的对智能卡EEPROM的测试方法，兼顾了测试覆盖率与测试速度。
以上所述仅为本发明的具体实施方式和实施例，本发明保护范围并不局限于此。

Claims (5)

1.一种智能卡EEPROM的测试方法，其特征在于：以不同EEPROM存储单元的数据背景，逐一进行存储单元数据测试，实现对包括EEPROM地址线粘连、数据线粘连和单元字节错误在内的EEPROM常见失效的测试，对EEPROM连续多页擦写压力测试。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：将EEPROM所有存储单元设置存储数据为背景0，从首地址开始读确认，再擦写全1后读确认，并读确认EEPROM其他存储单元的数据0没有被改变，最后将测试地址写回背景数据；依次重复至EEPROM所有存储单元；
再设置EEPROM所有存储单元存储数据为背景1，按照上述方法进行重复测试。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：采用一测试套件进行测试，该测试套件包括由智能卡嵌入式软件实现的EEPROM快速读写、快速测试的程序与一组调用上述程序的APDU指令组成的测试脚本。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，将EEPROM擦写和背景测试算法由智能卡MCU程序完成，测试完成后仅以测试正确或错误的标记作为APDU指令的返回。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，采用APDU指令组合指定EEPROM的起始和结束地址；对EEPROM进行测试时，可对EEPROM进行整体测试，也可将EEPROM分成几部分，分部分进行测试。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106205726A (zh) * 2016-06-30 2016-12-07 深圳市航顺芯片技术研发有限公司 Eeprom存储器的快速测试技术
CN106546902A (zh) * 2016-10-13 2017-03-29 芯海科技（深圳）股份有限公司 一种otp型mcu在未预留测试接口情况下的量产测试方法
CN109240856A (zh) * 2018-09-18 2019-01-18 郑州云海信息技术有限公司 一种存储元数据损坏模拟方法、装置、终端及存储介质
CN111104334A (zh) * 2019-12-24 2020-05-05 重庆长安新能源汽车科技有限公司 基于eeprom模块接口软件的测试方法、装置及可读取存储介质
CN113010404A (zh) * 2019-12-20 2021-06-22 北京紫光青藤微系统有限公司 一种大容量智能卡的成品测试方法
CN117929973A (zh) * 2024-03-21 2024-04-26 星汉智能科技股份有限公司 一种智能卡老化测试方法、装置及存储介质

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1536486A (zh) * 2003-04-04 2004-10-13 上海华园微电子技术有限公司 可自测试的带微处理器的智能卡芯片
JP2008071490A (ja) * 2007-12-03 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置、ｉｃカードおよび検査装置
CN101310343A (zh) * 2005-11-14 2008-11-19 三菱电机株式会社 存储器诊断装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1536486A (zh) * 2003-04-04 2004-10-13 上海华园微电子技术有限公司 可自测试的带微处理器的智能卡芯片
CN101310343A (zh) * 2005-11-14 2008-11-19 三菱电机株式会社 存储器诊断装置
JP2008071490A (ja) * 2007-12-03 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置、ｉｃカードおよび検査装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106205726A (zh) * 2016-06-30 2016-12-07 深圳市航顺芯片技术研发有限公司 Eeprom存储器的快速测试技术
CN106205726B (zh) * 2016-06-30 2020-02-04 深圳市航顺芯片技术研发有限公司 Eeprom存储器的快速测试技术
CN106546902A (zh) * 2016-10-13 2017-03-29 芯海科技（深圳）股份有限公司 一种otp型mcu在未预留测试接口情况下的量产测试方法
CN109240856A (zh) * 2018-09-18 2019-01-18 郑州云海信息技术有限公司 一种存储元数据损坏模拟方法、装置、终端及存储介质
CN113010404A (zh) * 2019-12-20 2021-06-22 北京紫光青藤微系统有限公司 一种大容量智能卡的成品测试方法
CN111104334A (zh) * 2019-12-24 2020-05-05 重庆长安新能源汽车科技有限公司 基于eeprom模块接口软件的测试方法、装置及可读取存储介质
CN117929973A (zh) * 2024-03-21 2024-04-26 星汉智能科技股份有限公司 一种智能卡老化测试方法、装置及存储介质

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