CN101719383A - 闪存芯片的测试方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提出一种闪存芯片的测试方法，包括以下步骤：在第一模式中测试闪存芯片；判断该第一模式中闪存芯片是否测试通过；若测试通过，则继续测试另一闪存芯片，若测试不通过，则进入第二模式中测试该闪存芯片，该第二模式的测试标准与该闪存芯片的说明书标准相同，该第一模式的测试条件和标准比第二模式的测试条件和标准严格且测试时间比第二模式的测试时间短。本发明提出的闪存芯片的测试方法，将测试模式与用户模式结合使用，集两种测试模式的优点，能够在保证质量和避免误筛除的前提下，提高测试效率。

Description

闪存芯片的测试方法
技术领域
本发明涉及一种测试方法，更涉及一种闪存芯片的测试方法。
背景技术
在闪存芯片的测试方法中，存在两种测试方法：一种是用户模式，所谓用户模式就是模拟用户的使用情景来对闪存芯片进行测试，这种模式遵循的标准是完全依照制作该闪存芯片的说明书中的要求来制定的；另一种是测试模式，这种模式能够自行设定测试标准，例如比前面提及的用户模式更加严格的测试环境，例如，将闪存芯片置于比说明书标准中更高的使用电压中进行测试，测试模式的测试时间较短而且能够确保产品质量，当然，测试模式也可以设定较低的测试标准，但是这样产品质量就无法保证，通常情况下，测试模式的标准远远高于闪存芯片的说明书标准。
然而，这两种测试模式均具有各自的缺点：
用户模式测试时间较长，不利于提高测试效率。
测试模式测试的时间较短，能够提高测试效率，但是由于其条件无法完全等同于用户模式，测试条件过于严苛，大量的闪存芯片无法通过测试，往往造成低产量或者误筛除。
发明内容
本发明提出一种闪存芯片的测试方法，能够解决上述问题。
为了达到上述目的，本发明提出一种闪存芯片的测试方法，包括以下步骤：
在第一模式中测试闪存芯片；
判断该第一模式中闪存芯片是否测试通过；
若测试通过，则继续测试另一闪存芯片，若测试不通过，则进入第二模式中测试该闪存芯片。
其中，该第二模式的测试标准与该闪存芯片的说明书标准相同，该第一模式的测试标准比第二模式的测试条件和标准严格且测试时间比第二模式的测试时间短。
可选的，测试方法还包括以下步骤：
判断该第二模式中闪存芯片是否测试通过；
若测试通过，则继续测试另一闪存芯片，若测试不通过，则认为该闪存芯片为不合格产品。
可选的，其中第一模式为测试模式，第二模式为用户模式。
本发明提出的闪存芯片的测试方法，将测试模式与用户模式结合使用，集两种测试模式的优点，能够在保证质量和避免误筛除的前提下，提高测试效率。
附图说明
图1所示为本发明较佳实施例中对闪存芯片进行测试的步骤流程图。
具体实施方式
为了更了解本发明的技术内容，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。
图1所示为本发明较佳实施例中对闪存芯片进行测试的步骤流程图。
请参考图1，步骤S101中，在测试治具中置入一闪存芯片，该测试治具适于对该闪存芯片的各种性能进行测试。该测试治具可以根据测试者的调试，在不同的模式下对该闪存芯片进行测试，例如是前文提到的用户模式和测试模式。
步骤S102中，测试治具在第一模式中测试闪存芯片，第一模式可以是条件严苛但是测试时间较短的测试模式，例如是反向通道压力测试(reverse tunnelstress test，RTST)模式或漏电流测试(mass punch through，MPT)模式。
接着在步骤S103中，判断第一模式中闪存芯片是否通过，若通过，则执行步骤S107，置入另一闪存芯片至测试治具中，重复步骤S102，在第一模式中测试闪存芯片，在步骤S103中测试通过的，均为符合较为严苛条件的闪存芯片，为测试通过产品。
若在步骤S103中，若判断结果为不通过，则执行步骤S104，在第二模式中测试闪存芯片。该第二模式可以是用户模式，用户模式的测试标准完全等同于闪存芯片产品说明书中的标准，然而测试时间较长。
利用第二模式对该闪存芯片进行第二次测试，能够将一部分符合用户标准的闪存芯片由步骤S102中筛除的闪存芯片中挑选出来，而不至于遭到误筛除，从而能够保证产品质量。
在步骤S105中，判断该闪存芯片测试是否通过，若通过，则进行另一闪存芯片的测试，重复步骤S102～S105，挑选出符合产品说明书标准的闪存芯片。
若在步骤S105中，在第二模式中闪存芯片测试不通过，则说明该闪存芯片不符合产品说明书标准，为不合格产品。
在步骤S106中，测试治具能够通过声音、灯光等效果告知测试者测试结果，以便于测试者将不合格产品筛除。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (3)

1.一种闪存芯片的测试方法，其特征是，包括以下步骤：
在第一模式中测试闪存芯片；
判断该第一模式中闪存芯片是否测试通过；
若测试通过，则继续测试另一闪存芯片，若测试不通过，则进入第二模式中测试该闪存芯片，
其中，该第二模式的测试标准与该闪存芯片的说明书标准相同，该第一模式的测试标准比第二模式的测试条件和标准严格且测试时间比第二模式的测试时间短。
2.根据权利要求1所述的闪存芯片的测试方法，其特征是，还包括以下步骤：
判断该第二模式中闪存芯片是否测试通过；
若测试通过，则继续测试另一闪存芯片，若测试不通过，则认为该闪存芯片为不合格产品。
3.根据权利要求1所述的闪存芯片的测试方法，其特征是，其中第一模式为测试模式，第二模式为用户模式。
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