CN109342858A - Esd测试方法及装置 - Google Patents

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    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/001Measuring interference from external sources to, or emission from, the device under test, e.g. EMC, EMI, EMP or ESD testing

Abstract

本发明公开了ESD测试方法及装置,属于电子技术领域。本发明利用放电棒在预设测试电压下对待测设备的每个信号线分别进行放电测试,从而获取每个信号线在放电测试时对应的待测设备的工作状态及待测设备的总电流,当待测设备的工作状态为正常状态时,根据待测设备的总电流判断待测设备是否异常,实现了根据静电对待测设备总电流的影响对待测设备的ESD性能进行分析判断的目的,提高了测试结果的准确性。

Description

ESD测试方法及装置
技术领域
本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种ESD测试方法及装置。
背景技术
芯片集成度越来越高,工艺越来越高(例如:28nm到12nm等)ESD处理越来越困难。通常芯片内部为了保护芯片电源、信号线会在芯片内部增加ESD元器件对芯片进行静电保护,将芯片的信号线或芯片端口接收到的静电通过ESD元器件导入接地端口从而释放静电。
传统的ESD测试主要是观测放电测试后的芯片是否出现故障现象(如:画面是否停止,图像是否异常、死机重启等)来判断芯片的ESD性能,而忽略了静电对芯片总电流的影响。若芯片总电流的漏电流长时间过大会损坏芯片,从而无法正常工作。
发明内容
针对现有ESD测试忽略了静电对芯片总电流的影响的问题,现提供一种旨在能够根据采集到的芯片总电流对芯片性能进行判断的ESD测试方法及装置。
本发明提供了一种ESD测试方法,用于对待测设备进行放电测试,所述待测设备内部集成有ESD元器件,所述ESD测试方法包括下述步骤:
在预设测试电压下采用放电棒对待测设备的每个信号线分别进行放电测试,分别获取每个信号线在放电测试时对应的所述待测设备的工作状态及所述待测设备的总电流;
当所述待测设备的工作状态为正常状态时,判断所述待测设备的总电流是否在目标电流范围内,若否,生成所述待测设备异常的测试结果。
优选的,所述获取每个信号线在放电测试时对应的所述待测设备的工作状态及所述待测设备的总电流,包括:
对所述信号线每进行一次放电测试,采集所述待测设备的总电流,并获取所述待测设备完成放电阶段后1秒钟后的工作状态。
优选的,所述目标电流范围在标准电流至标准电流与100mA的电流和之间。
优选的,所述生成所述待测设备异常的测试结果为:所述待测设备内部的ESD元器件存在异常。
优选的,还包括:
当所述待测设备的工作状态为正常状态时,若所述待测设备的总电流在目标电流范围内,则生成所述待测设备正常的测试结果。
本发明还提供了一种ESD测试装置,用于对待测设备进行放电测试,所述待测设备内部集成有ESD元器件,所述ESD测试装置包括:
测试单元,用于在预设测试电压下采用放电棒对待测设备的每个信号线分别进行放电测试,分别获取每个信号线在放电测试时对应的所述待测设备的工作状态及所述待测设备的总电流;
判断单元,用于当所述待测设备的工作状态为正常状态时,判断所述待测设备的总电流是否在目标电流范围内;
处理单元,用于当所述待测设备的总电流不在目标电流范围内时,生成所述待测设备异常的测试结果。
优选的,所述测试单元用于对所述信号线每进行一次放电测试,采集所述待测设备的总电流,并获取所述待测设备完成放电阶段后1秒钟后的工作状态。
优选的,所述目标电流范围在标准电流至标准电流与100mA的电流和之间。
优选的,所述生成所述待测设备异常的测试结果为:所述待测设备内部的ESD元器件存在异常。
优选的,所述处理单元还用于当所述待测设备的总电流不在目标电流范围内,生成所述待测设备正常的测试结果。
上述技术方案的有益效果:
本技术方案中,本发明利用放电棒在预设测试电压下对待测设备的每个信号线分别进行放电测试,从而获取每个信号线在放电测试时对应的待测设备的工作状态及待测设备的总电流,当待测设备的工作状态为正常状态时,根据待测设备的总电流判断待测设备是否异常,实现了根据静电对待测设备总电流的影响对待测设备的ESD性能进行分析判断的目的,提高了测试结果的准确性。
附图说明
图1为本发明所述的ESD测试方法的一种实施例的流程图;
图2为本发明所述的ESD测试装置的一种实施例的模块图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,但不作为本发明的限定。
如图1所示,本发明提供了一种ESD测试方法,用于对待测设备进行放电测试,所述待测设备内部集成有ESD元器件,所述ESD测试方法包括下述步骤:
在预设测试电压下采用放电棒对待测设备的每个信号线分别进行放电测试,分别获取每个信号线在放电测试时对应的所述待测设备的工作状态及所述待测设备的总电流;
当所述待测设备的工作状态为正常状态时,判断所述待测设备的总电流是否在目标电流范围内,若否,生成所述待测设备异常的测试结果。
需要说明的是:本发明的所述待测设备为电子器件,如:智能电视、机顶盒、智能音箱等电子产品的芯片。本发明的ESD测试方法采用接触放电的方式进行放电测试。在本实施例中,每一信号线对应一个测试结果。
在本实施例中,利用放电棒在预设测试电压下对待测设备的每个信号线分别进行放电测试,从而获取每个信号线在放电测试时对应的待测设备的工作状态及待测设备的总电流,当待测设备的工作状态为正常状态时,根据待测设备的总电流判断在进行相应的信号线放电测试时,待测设备是否异常,实现了根据静电对待测设备总电流的影响对待测设备的ESD性能进行分析判断的目的,提高了测试结果的准确性。
在优选的实施例中,所述获取每个信号线在放电测试时对应的所述待测设备的工作状态及所述待测设备的总电流,包括:
对所述信号线每进行一次放电测试,采集所述待测设备的总电流,并获取所述待测设备完成放电阶段后1秒钟后的工作状态。
在本实施例中,每进行一次放电测试,待测设备能在停止放电能的1秒钟内恢复正常工作,可视为通过工作状态正常;若在放电测试中,待测设备有至少一次在放电测试后,1秒钟仍未恢复正常工作,视为未通过测试,待测设备出现异常。
在优选的实施例中,所述目标电流范围在标准电流至标准电流与100mA的电流和之间。
进一步地,目标电流范围在标准电流至标准电流与50mA的电流和之间时,测试的效果最佳。
在实际测试之前,需要获取待测设备正常工作时的总电流a(即:标准电流),相应的目标电流范围为:a——a+100mA;在测试过程中,当待测设备的工作状态为正常状态时,将实际获取的总电流与目标电流范围进行匹配,若总电流在目标电流范围内,则表示该待测设备能够正常工作通过了测试;若总电流超出了a+100mA,则表示该待测设备未通过测试。
在优选的实施例中,所述生成所述待测设备异常的测试结果为:所述待测设备内部的ESD元器件存在异常。
作为举例而非限定,待测设备内部的ESD元器件存在异常可能是ESD元器件的选择(如:ESD元器件的最低电压低于待测设备的正常工作电压)或设计不合理导致。因为目前待测设备内部ESD元器件的回折电压(即:最低电压)无法确认(这个参数一般ESD规格书都没有标出),由于工厂测试一次需要比较长的时间。选择ESD元件一般主要考虑参数:正常工作电压,启动电压,箝位电压,电容;若选择不合理由于待测设备内部ESD触发长期工作会损坏待测设备的信号线,传统的测试方式只考虑了待测设备是否出现故障现象,忽略了静电对芯片总电流的影响,因此很难确定是ESD问题引起。
在优选的实施例中,还包括:
当所述待测设备的工作状态为正常状态时,若所述待测设备的总电流在目标电流范围内,则生成所述待测设备正常的测试结果(即:待测设备的相应信号线通过了测试)。
在实际应用中,芯片(即:待测设备)通常在业界能承受电压在2KV以内,在待测设备工作状态下,为了避免损坏待测设备的信号线可将预设测试电压设置在500V--1500V(能够触发芯片集成内部ESD元器件导通)之间,本发明除了获取待测设备工作是否正常外还需要判断打静电前后待测设备的工作总电流是否有明显变化,通过这种方式找到待测设备内部ESD元器件不足的问题。
如图2所示,本发明提供了一种ESD测试装置,用于对待测设备进行放电测试,所述待测设备内部集成有ESD元器件,所述ESD测试装置包括:测试单元1、判断单元2和处理单元3,其中:
测试单元1,用于在预设测试电压下采用放电棒对待测设备的每个信号线分别进行放电测试,分别获取每个信号线在放电测试时对应的所述待测设备的工作状态及所述待测设备的总电流;
判断单元2,用于当所述待测设备的工作状态为正常状态时,判断所述待测设备的总电流是否在目标电流范围内;
处理单元3,用于当所述待测设备的总电流不在目标电流范围内时,生成所述待测设备异常的测试结果。
需要说明的是:本发明的所述待测设备为电子器件,如:智能电视、机顶盒、智能音箱等电子产品的芯片。本发明的ESD测试方法采用接触放电的方式进行放电测试。在本实施例中,每一信号线对应一个测试结果。
在本实施例中,利用放电棒在预设测试电压下对待测设备的每个信号线分别进行放电测试,从而获取每个信号线在放电测试时对应的待测设备的工作状态及待测设备的总电流,当待测设备的工作状态为正常状态时,根据待测设备的总电流判断待测设备是否异常,实现了根据静电对待测设备总电流的影响对待测设备的ESD性能进行分析判断的目的,提高了测试结果的准确性。
在优选的实施例中,所述测试单元1用于对所述信号线每进行一次放电测试,采集所述待测设备的总电流,并获取所述待测设备完成放电阶段后1秒钟后的工作状态。
在本实施例中,每进行一次放电测试,待测设备能在停止放电能的1秒钟内恢复正常工作,可视为通过工作状态正常;若在放电测试中,待测设备有至少一次在放电测试后,1秒钟仍未恢复正常工作,视为未通过测试,待测设备出现异常。
在优选的实施例中,所述目标电流范围在标准电流至标准电流与100mA的电流和之间。
在实际测试之前,需要获取待测设备正常工作时的总电流a(即:标准电流),相应的目标电流范围为:a——a+100mA;在测试过程中,当待测设备的工作状态为正常状态时,将实际获取的总电流与目标电流范围进行匹配,若总电流在目标电流范围内,则表示该待测设备能够正常工作通过了测试;若总电流超出了a+100mA,则表示该待测设备未通过测试。
在优选的实施例中,所述生成所述待测设备异常的测试结果为:所述待测设备内部的ESD元器件存在异常。
作为举例而非限定,待测设备内部的ESD元器件存在异常可能是ESD元器件的选择(如:ESD元器件的最低电压低于待测设备的正常工作电压)或设计不合理导致。因为目前待测设备内部ESD元器件的回折电压(即:最低电压)无法确认(这个参数一般ESD规格书都没有标出),由于工厂测试一次需要比较长的时间。选择ESD元件一般主要考虑参数:正常工作电压,启动电压,箝位电压,电容;若选择不合理由于待测设备内部ESD触发长期工作会损坏待测设备的信号线,传统的测试方式只考虑了待测设备是否出现故障现象,忽略了静电对芯片总电流的影响,因此很难确定是ESD问题引起。
在优选的实施例中,所述处理单元3还用于当所述待测设备的总电流不在目标电流范围内,生成所述待测设备正常的测试结果(即:待测设备的相应信号线通过了测试)。
采用本发明的ESD测试装置可节约测试时间和开发成本,能够快速准确的找到待测设备内部集成的ESD元器件的问题,为待测设备的改进提供准确的方向。
以上所述仅为本发明较佳的实施例,并非因此限制本发明的实施方式及保护范围,对于本领域技术人员而言,应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案,均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种ESD测试方法,用于对待测设备进行放电测试,所述待测设备内部集成有ESD元器件,其特征在于,所述ESD测试方法包括下述步骤:
在预设测试电压下采用放电棒对待测设备的每个信号线分别进行放电测试,分别获取每个信号线在放电测试时对应的所述待测设备的工作状态及所述待测设备的总电流;
当所述待测设备的工作状态为正常状态时,判断所述待测设备的总电流是否在目标电流范围内,若否,生成所述待测设备异常的测试结果。
2.根据权利要求1所述ESD测试方法,其特征在于:所述获取每个信号线在放电测试时对应的所述待测设备的工作状态及所述待测设备的总电流,包括:
对所述信号线每进行一次放电测试,采集所述待测设备的总电流,并获取所述待测设备完成放电阶段后1秒钟后的工作状态。
3.根据权利要求1所述ESD测试方法,其特征在于:所述目标电流范围在标准电流至标准电流与100mA的电流和之间。
4.根据权利要求1所述ESD测试方法,其特征在于:所述生成所述待测设备异常的测试结果为:所述待测设备内部的ESD元器件存在异常。
5.根据权利要求1所述ESD测试方法,其特征在于,还包括:
当所述待测设备的工作状态为正常状态时,若所述待测设备的总电流在目标电流范围内,则生成所述待测设备正常的测试结果。
6.一种ESD测试装置,用于对待测设备进行放电测试,所述待测设备内部集成有ESD元器件,其特征在于,所述ESD测试装置包括:
测试单元,用于在预设测试电压下采用放电棒对待测设备的每个信号线分别进行放电测试,分别获取每个信号线在放电测试时对应的所述待测设备的工作状态及所述待测设备的总电流;
判断单元,用于当所述待测设备的工作状态为正常状态时,判断所述待测设备的总电流是否在目标电流范围内;
处理单元,用于当所述待测设备的总电流不在目标电流范围内时,生成所述待测设备异常的测试结果。
7.根据权利要求6所述ESD测试装置,其特征在于:所述测试单元用于对所述信号线每进行一次放电测试,采集所述待测设备的总电流,并获取所述待测设备完成放电阶段后1秒钟后的工作状态。
8.根据权利要求6所述ESD测试装置,其特征在于:所述目标电流范围在标准电流至标准电流与100mA的电流和之间。
9.根据权利要求6所述ESD测试装置,其特征在于,所述生成所述待测设备异常的测试结果为:所述待测设备内部的ESD元器件存在异常。
10.根据权利要求6所述ESD测试装置,其特征在于,所述处理单元还用于当所述待测设备的总电流不在目标电流范围内,生成所述待测设备正常的测试结果。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111257714A (zh) * 2020-01-17 2020-06-09 上海华力集成电路制造有限公司 静电测量设备及静电测量方法
CN113721123A (zh) * 2021-02-08 2021-11-30 中国电力科学研究院有限公司 一种用于对电源芯片进行静电放电测试的方法及系统
CN114545212A (zh) * 2022-04-27 2022-05-27 江铃汽车股份有限公司 一种封装芯片抗静电能力检测方法
CN116298648A (zh) * 2023-05-12 2023-06-23 合肥联宝信息技术有限公司 一种静电路径的检测方法、装置及电子设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7617467B2 (en) * 2006-12-14 2009-11-10 Agere Systems Inc. Electrostatic discharge device verification in an integrated circuit
CN103389420A (zh) * 2012-05-08 2013-11-13 纬创资通股份有限公司 静电放电测试方法及测试系统
CN105429161A (zh) * 2015-09-28 2016-03-23 西安迅湃快速充电技术有限公司 一种充放电控制系统及方法
US20160352098A1 (en) * 2015-05-29 2016-12-01 Rf Micro Devices, Inc. Trigger circuitry for electrostatic discharge (esd) protection

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7617467B2 (en) * 2006-12-14 2009-11-10 Agere Systems Inc. Electrostatic discharge device verification in an integrated circuit
CN103389420A (zh) * 2012-05-08 2013-11-13 纬创资通股份有限公司 静电放电测试方法及测试系统
US20160352098A1 (en) * 2015-05-29 2016-12-01 Rf Micro Devices, Inc. Trigger circuitry for electrostatic discharge (esd) protection
CN105429161A (zh) * 2015-09-28 2016-03-23 西安迅湃快速充电技术有限公司 一种充放电控制系统及方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111257714A (zh) * 2020-01-17 2020-06-09 上海华力集成电路制造有限公司 静电测量设备及静电测量方法
CN113721123A (zh) * 2021-02-08 2021-11-30 中国电力科学研究院有限公司 一种用于对电源芯片进行静电放电测试的方法及系统
CN114545212A (zh) * 2022-04-27 2022-05-27 江铃汽车股份有限公司 一种封装芯片抗静电能力检测方法
CN114545212B (zh) * 2022-04-27 2022-07-08 江铃汽车股份有限公司 一种封装芯片抗静电能力检测方法
CN116298648A (zh) * 2023-05-12 2023-06-23 合肥联宝信息技术有限公司 一种静电路径的检测方法、装置及电子设备
CN116298648B (zh) * 2023-05-12 2023-09-19 合肥联宝信息技术有限公司 一种静电路径的检测方法、装置及电子设备

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