CN108141187A - 跨导电流源 - Google Patents

跨导电流源 Download PDF

Info

Publication number
CN108141187A
CN108141187A CN201680061333.2A CN201680061333A CN108141187A CN 108141187 A CN108141187 A CN 108141187A CN 201680061333 A CN201680061333 A CN 201680061333A CN 108141187 A CN108141187 A CN 108141187A
Authority
CN
China
Prior art keywords
current source
source
current
circuit
transconductance circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201680061333.2A
Other languages
English (en)
Inventor
P·墨菲
C·多诺万
C·卡希尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Firecomms Ltd
Original Assignee
Firecomms Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Firecomms Ltd filed Critical Firecomms Ltd
Publication of CN108141187A publication Critical patent/CN108141187A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/345—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3205—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in field-effect transistor amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
    • H03F3/082—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with FET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/50—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
    • H03F3/505—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/456—A scaled replica of a transistor being present in an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/50—Indexing scheme relating to amplifiers in which input being applied to, or output being derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
    • H03F2203/5031—Indexing scheme relating to amplifiers in which input being applied to, or output being derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower the source circuit of the follower being a current source

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

一种跨导电路，具有：输入端(VIN)和输出端(Out)；第一电流源(4)，具有连接至所述输入端(VIN)的栅极；以及第二电流源(5)，与所述第一电流源并联，并且比所述第一电流源具有更高的跨导和更宽的动态范围。所述电流源被配置为使得在低输入电压处，仅所述第一电流源(4)导通。一种电压降电路(2)，相比于给所述第一电流源，给所述第二电流源提供更低的偏置电压。

Description

跨导电流源
技术领域
本发明涉及跨导电流源。
跨导(gm)是有源器件的输出端的电流改变与输入端的电压改变的比：
其中Iout是期间的输出电流，且Vgs是栅源电压。
此发明致力于提供相对于单个电流源器件提高了跨导电流源电路的动态范围、精度和对失配的容限的电路。
背景技术
现有技术讨论
在两个跨导电流源由相同的电压驱动的许多应用中，两个输出之间的相对精度是重要的。能够通过(a)具有大面积器件或(b)具有低gm电流源来实现精度，所以MOSFET中的任何Vth失配将对两个输出之间的电流差异具有有限的影响。其次，如果对于小输出电流改变的精度是重要的，则具有低gm器件是有益的。
在需要宽的输出电流的范围的地方，高gm电流源将对有限的输入电压(VIN)提供电流。
US5463348描述了具有宽输入线性范围的跨导放大器。
CN102664597描述了宽调整范围跨导放大器。
US5412309描述了电流放大器。
文献参考
[1]A Wide Dynamic Range Continuously Adjustable CMOS Current Mirror，A.K.Gupta,J.W.Haslett,和F.N.Trofimenkoff,IEEE JOURNAL OF SOLID-STATECIRCUITS,VOL.31,NO.8,1996年8月
[2]Accurate active-feedback CMOS cascode current mirror with improvedoutput swing，和HAKAN KUNTMAN,INT.J.ELECTRONICS,1998,VOL.84,NO.4,335-343
[3]Very Wide Range Tunable CMOS/Bipolar Current Mirrors with VoltageClamped Input,Teresa Serrano-Gotarredona,Bernab'e Linares-Barranco和AndreasG.Andreou,IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS—I:FUNDAMENTAL THEORY ANDAPPLICATIONS,VOL.46,NO.11,1999年11月
发明内容
我们描述了一种跨导电路，包括：输入端(VIN)和输出端(Out)；第一电流源，具有连接至所述输入端(VIN)的栅极；以及第二电流源，与所述第一电流源并联，并且比所述第一电流源具有更高的跨导和更宽的动态范围，并且其中，所述电流源被配置为使得在低输入电压处，仅所述第一电流源导通。
优选地，所述跨导电路包括电压降电路，相比于给所述第一电流源，所述电压降电路给所述第二电流源提供更低的偏置电压。
优选地，所述电压降电路包括源极跟随器和用于所述源极跟随器的电流源，其中，所述输入端与所述第一电流源和所述源极跟随器的栅极链接。
优选地，所述源极跟随器和所述电流源被配置为使得跨所述源极跟随器的栅-源电压降确保所述第二电流源处于关闭直到在所述输入电压增大期间所述第二电流源(5)被导通的点。
优选地，所述电流源中的每一个是NMOS或PMOS MOSFET器件或PNP或NPN晶体管。
优选地，所述电路包括具有不同跨导且并联连接的两个以上的电流源。
优选地，输出端直接或经由共发共基放大器链接至所述第一电流源和所述第二电流源的输出。
我们还描述了一种光学接收器，包括光电二极管和链接至所述光电二极管的根据任一实施例的跨导电路。
附加声明
根据本发明，提供了跨导电路，包括：
第一电流源，具有低跨导且对低输出电流具有好的精度；以及
第二电流源，具有高跨导和宽的动态范围。
在一个实施例中，电路包括源极跟随器和用于源极跟随器的电流源，其中，输入与第一电流源和源极跟随器的栅极链接。
在一个实施例中，电流源被配置为使得在低输入电压处，仅第一电流源4导通。
在一个实施例中，源极跟随器和电流源被配置为使得跨源极跟随器的栅-源电压降确保第二电流源处于关闭直到在所述输入电压增大期间所述第二电流源(5)被导通的点。
在一个实施例中，第一和第二电流源的尺寸的确定规定了较低电压处的精度和高电压处的范围，并且有助于在输入电压范围上线性化输出电流。
在一个实施例中，电流源中的每一个是NMOS或PMOS MOSFET器件或PNP或NPN晶体管。
在一个实施例中，具有低到高跨导的多个器件并联连接。
附图说明
根据参照附图仅以范例给出的本发明的一些实施例的以下描述，将更清楚地理解本发明，附图中：
图1是本发明的跨导电路的电路图；
图2是对于电路的电流源的两个不同尺寸的MOSFET器件，在具有固定的Vds时，输出电流的对数与栅-源电压的关系的曲线图；
图3是对于两个不同尺寸的MOSFET器件和Vgs偏移的MOSFET器件，在具有固定的Vds时，输出电流的对数与栅源电压的关系的曲线图；
图4是对于图1的电路，在具有固定的Vds时，输出电流的对数与输入电压的关系的曲线图；
图5是对于电路的单个低gm和高gm器件，电流的名义(nominal)误差(归因于器件失配)与输出电流的关系的曲线图；以及
图6是本发明的可选跨导电路的图。
具体实施方式
在跨导电路中，低gm电流镜将在其Vgs范围(小动态范围)上输出低电流，但是将具有好的精度和对失配的高的容限。类似面积的高gm电流镜将在其Vgs范围(高动态范围)上输出大的电流，但是将具有差的精度并且对于小的Iout对失配具有低的容限。参照图1，跨导电路1包括并联连接的低gm电流源4和高gm电流源5。存在电压降电路6，其中包括源极跟随器2和用于该源极跟随器的电流源3。(低gm)电流源4的偏置栅极连接至总的输入端VIN。源极跟随器2也具有链接至VIN的偏置栅极，且电流源3链接至源极跟随器2的输出。源极跟随器2的输出也连接至第二(高gm)电流源5的偏置栅极。电路1具有来自并联连接的第一(低gm)电流源4和第二(高gm)电流源5的单个输出Out。
本发明的跨导电路可以有利地用于任何范围的应用中，诸如光学接收器，用于将光电二极管信号转换为用于下游处理的输出信号。
对于这里给出的范例，源4和5的宽度/长度为4μm/4μm、以及80μm/0.35μm。对于0.8伏的Vgs电压，源4和5的近似gm值为50uμS(微西门子)和15000μS。
电压降电路6可以实施为“电压改变”电路，因为可能需要以预定方式改变跨该电路的电压差。这可以涉及线性电路，其中电压改变由电阻器与电流源/吸收器(sink)的组合来实施，利用放大器来缓冲来自任何电流耗散的输入，或利用非线性电路来实现所需的预定义动态范围。
图2示出了对于两个(不同尺寸的)MOSFET器件4和5的输出电流与栅源电压的关系曲线。这是对于两个未连接的单个电流镜的输出电流与Vgs的关系的曲线图，一个电流镜具有低gm，且另一个电流镜具有高gm。能够看出，高gm器件在全Vgs范围上输出显著较高的电流，但是在较低的Vgs点饱和。高gm器件的精度差，因为对于小的Vgs改变，输出电流有大的改变。但是对于低gm器件，精度较好，因为对于小的Vgs改变，输出电流有较小的改变。
图2至图4是相对电压绘示的，电压的每刻度的近似伏特为250mV。电流以对数格式绘示于Y轴上，每个刻度增大十。在这些曲线图中的每一个曲线图中，电流源的输出电流用于以固定的漏电压操作。
图3与图2相同，但是包括以偏移的Vgs操作的高gm器件，所以其仅在高VIN处导通。参照图4，这示出了两个电流镜在一个电路中的组合。使用并联连接的低gm和Vgs偏移的高gm电流镜，该电流镜产生提高单个跨导电流源电路的动态范围、精度和对失配的容限的输出电流。
图5示出了对于三种情况，归因于相同器件的失配的可能输出电流误差与输出电流的关系的曲线图。三种情况为：(1)低gm电流镜；(2)高gm电流镜；以及(3)本发明的电路。曲线图示出了本发明的电路组合了单独的低gm电流镜和高gm电流镜的优点—低的归因于失配的误差和大的动态范围。清楚的是，低gm器件对于VIN的小的改变将是精确的，并且对于失配将是容忍的，而高gm具有覆盖宽的电流范围的优点。
跨导电路1如图3和图4中所示例地提高了单个电流源的动态范围，如图5中所示例地提高了在低输出电流处的精度，并且确保了如果需要，其具有用于输出较高电流的动态范围。
两个电流源4和5用以通过部件2和3连接至输入的方式是有利的，因为其在一个电路中组合了低gm电流源4和高gm电流源5的优点。在低VIN处，仅低gm器件4导通，因为跨源极跟随器(2)的栅源电压降确保了高gm器件(5)处于关闭。随着VIN增大，高gm器件5导通。低gm和高gm器件4和5的尺寸确定规定了在较低电压处的精度和在高的电压处的范围，并且有助于线性化在VIN范围上的输出电流。
更详细地，图2示出了对于低gm和高gm MOSFET器件4和5之间，输出电流与栅源电压(Vgs)的关系曲线的比较。低gm器件能够输出从非常低的值至名义最大值的电流，而取决于尺寸差异，高gm器件能够在相同的Vgs范围上输出高达低gm器件的100倍的电流范围。
图6示出了另一实施例的范例，其中，在电路100中，输入连接至高gm电流镜，并且电压增大电路能够产生比输入高的电压用于低gm电流镜。操作相同，随着VIN增大，低gm电流镜在高gm电流镜之前导通。此布置的益处是，电路以与对于较低输入电压范围类似的方式操作，这增加了对此电路的使用的灵活性。
在各个实施例中，本发明的跨导电路具有至少两个电流源。一个源是单个电流源，其尺寸被确定以具有低跨导并对于低输出电流具有好的精度，但是将具有差的动态范围。另一个是单个电流源，其尺寸被确定以具有高gm和宽动态范围，但是对于低输出电流具有差的精度。跨导电路1将此两个电流源组合到一个电路中，以实现对于低输出电流的高精度、对于高电流的宽动态范围、以及在输出电流的范围上的提高的线性。
将理解的是，跨导电路提高了动态范围(归因于高gm电流器件)、精度和对输出电流与单个跨导电流源的关系的失配的容限(归因于低gm电流器件)。跨导的线性相对于单个器件得到了提高，如图4中所示。
本领域所知的是，能够通过以大的倍数增大面积来提高单个高gm器件的失配，以实现与单个低gm器件相同的失配误差。这生成了单个大的器件，其具有好的动态范围、对失配的好的容限，但是具有低速的缺陷，该缺陷归因于源自大面积的大的电容。该单个大面积高gm器件的第二缺陷是其在低Vgs处将具有差的输出电流精度，因为此单个器件的gm仍然需要为高以覆盖所需的动态范围。本发明涉实现了该途径的益处，而没有关联的缺陷。
在各个实施例中，本发明的跨导电路能够具有并联连接的两个以上的电流源，其目的可以是进一步线性化跨导，或在可能比两个电流源更宽的范围上提高对失配的容限。
还有，输出可以经由共发共基放大器电路连接到一起以提高输出电流的精度、噪声抑制、或速度。
本发明不限于描述的实施例，而是可以在构成和细节上发生变化。
例如，在本发明的另一实施例中，以PMOS器件代替NMOS器件，使得输出跨导电流源现在为跨导电流吸收器。
在此发明的另一实施例中，以产生基于双极的输出跨导电流源或电流吸收器的NPN或PNP双极晶体管代替NMOS或PMOS MOSFET器件。
还有，电压改变电路可以可选地由源极跟随器和电流源以外的电路来实施，例如电阻器与电流源/吸收器的组合，使用放大器来缓冲来自任何电流耗散的输入。

Claims (8)

1.一种跨导电路，包括：
输入端(VIN)和输出端(Out)；
第一电流源(4)，具有连接至所述输入端(VIN)的栅极；以及
第二电流源(5)，与所述第一电流源并联，并且比所述第一电流源具有更高的跨导和更宽的动态范围，并且
其中，所述电流源被配置为使得在低输入电压处，仅所述第一电流源(4)导通。
2.如权利要求1所述的跨导电路，其中，所述跨导电路包括电压降电路(2、3)，相比于给所述第一电流源，所述电压降电路(2、3)给所述第二电流源提供更低的偏置电压。
3.如权利要求2所述的跨导电路，其中，所述电压降电路包括源极跟随器(2)和用于所述源极跟随器的电流源(3)，其中，所述输入端与所述第一电流源(4)和所述源极跟随器(2)的栅极链接。
4.如权利要求3所述的跨导电路，其中，所述源极跟随器(2)和所述电流源(4、5)被配置为使得跨所述源极跟随器(2)的栅-源电压降确保所述第二电流源(5)处于关闭直到在所述输入电压增大期间所述第二电流源(5)被导通的点。
5.如任一前述权利要求所述的跨导电路，其中，所述电流源(4、5)中的每一个是NMOS或PMOS MOSFET器件或PNP或NPN晶体管。
6.如任一前述权利要求所述的跨导电路，包括具有不同跨导且并联连接的两个以上的电流源。
7.如任一前述权利要求所述的跨导电路，其中，输出端直接或经由共发共基放大器链接至所述第一电流源和所述第二电流源的输出。
8.一种光学接收器，包括光电二极管和链接至所述光电二极管的根据任一前述权利要求所述的跨导电路。
CN201680061333.2A 2015-09-15 2016-09-13 跨导电流源 Pending CN108141187A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15185219 2015-09-15
EP15185219.1 2015-09-15
PCT/EP2016/071529 WO2017046069A1 (en) 2015-09-15 2016-09-13 A transconductance current source

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108141187A true CN108141187A (zh) 2018-06-08

Family

ID=54150254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680061333.2A Pending CN108141187A (zh) 2015-09-15 2016-09-13 跨导电流源

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10218322B2 (zh)
EP (1) EP3350920B1 (zh)
CN (1) CN108141187A (zh)
WO (1) WO2017046069A1 (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020089377A1 (en) * 2000-11-06 2002-07-11 Jong-Tae Hwang Constant transconductance differential amplifier
WO2002049208A3 (en) * 2000-12-15 2002-08-22 Broadcom Corp Differential amplifier with large input common mode signal range
WO2003061118A1 (en) * 2002-01-21 2003-07-24 Optillion Ab Input circuit
US7187236B2 (en) * 2004-09-07 2007-03-06 Ut-Battelle, Llc Rail-to-rail differential input amplification stage with main and surrogate differential pairs
US20110298541A1 (en) * 2010-06-08 2011-12-08 Qualcomm Incorporated Rail-to-rail input stage circuit with dynamic bias control
CN103825566A (zh) * 2012-11-16 2014-05-28 凌朝东 跨导放大器的高线性度优化方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5412309A (en) 1993-02-22 1995-05-02 National Semiconductor Corporation Current amplifiers
US5469104A (en) * 1994-03-28 1995-11-21 Elantec, Inc. Active folded cascode
US5463348A (en) 1994-07-27 1995-10-31 California Institute Of Technology CMOS low-power, wide-linear-range, well-input differential and transconductance amplifiers
JP3545142B2 (ja) * 1996-11-25 2004-07-21 三菱電機株式会社 差動増幅器
DE10239813B4 (de) * 2002-08-29 2005-09-29 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Elektronische Schaltung mit verbesserter Stromstabilisierung
JPWO2010100741A1 (ja) 2009-03-05 2012-09-06 株式会社日立製作所 光通信装置
CN102664597A (zh) 2012-04-26 2012-09-12 无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司 基于数字控制技术的宽范围调节跨导放大器及其控制方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020089377A1 (en) * 2000-11-06 2002-07-11 Jong-Tae Hwang Constant transconductance differential amplifier
WO2002049208A3 (en) * 2000-12-15 2002-08-22 Broadcom Corp Differential amplifier with large input common mode signal range
WO2003061118A1 (en) * 2002-01-21 2003-07-24 Optillion Ab Input circuit
US7187236B2 (en) * 2004-09-07 2007-03-06 Ut-Battelle, Llc Rail-to-rail differential input amplification stage with main and surrogate differential pairs
US20110298541A1 (en) * 2010-06-08 2011-12-08 Qualcomm Incorporated Rail-to-rail input stage circuit with dynamic bias control
CN103825566A (zh) * 2012-11-16 2014-05-28 凌朝东 跨导放大器的高线性度优化方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JOHN F. BULZACCHELLI: "《A 28-Gb/s 4-Tap FFE/15-Tap DFE Serial Link Transceiver in 32-nm SOI CMOS Technology》", 《IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS ( VOLUME: 47, ISSUE: 12, DEC. 2012)》 *
东振中: "《一种恒定跨导输入放大器》", 《微电子学与计算机》 *
河南省电力公司: "《火电工程调试技术手册 热工卷》", 30 September 2004, 中国电力出版社 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP3350920B1 (en) 2020-10-07
EP3350920A1 (en) 2018-07-25
US10218322B2 (en) 2019-02-26
WO2017046069A1 (en) 2017-03-23
US20180212575A1 (en) 2018-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101926003B1 (ko) 초저 작동 전압 레일 대 레일 연산 증폭기 및 차동 입력 증폭단 회로 및 그 출력단 회로
US7872519B2 (en) Voltage divider circuit
JP5930252B2 (ja) 擬似抵抗回路及び電荷検出回路
TWI653823B (zh) 主動式負載產生電路及應用其之濾波器
JP2010268350A (ja) 終端抵抗調整回路
US20150061771A1 (en) Waveform conversion circuit with reduced jitter
Koton et al. Voltage-mode full-wave rectifier based on DXCCII
KR102532834B1 (ko) 볼티지 레귤레이터
US8797098B2 (en) Variable gain amplifier
WO2015178271A1 (ja) 擬似抵抗回路及び電荷検出回路
CN105759889A (zh) 恒流电路以及具有其的传感器装置
JP6099465B2 (ja) アクティブバラン
JP6555959B2 (ja) ボルテージレギュレータ
CN101651452B (zh) 一种rc积分电路
CN108141187A (zh) 跨导电流源
WO2013072950A1 (ja) 電荷検出回路
US9063013B2 (en) Infrared detector
KR101360648B1 (ko) 제2세대 전류 컨베이어를 이용한 계측 증폭기
JP6221614B2 (ja) Ｍｏｓトランジスタを利用した高抵抗回路
Kaur et al. Comparative analysis of different current mirror using 45nm technology
JP4501555B2 (ja) 電流検出回路
Sa et al. A design of new voltage to current converter with high linearity and wide tuning
JP2016194462A (ja) センサ装置
TWI542968B (zh) 可調式鏡射比率之電流鏡
CN116973618A (zh) 一种电流采样电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20180608