TWI653823B - 主動式負載產生電路及應用其之濾波器 - Google Patents

主動式負載產生電路及應用其之濾波器 Download PDF

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Abstract

本發明揭露一主動式負載產生電路及一濾波器。主動式負載產生電路包含一電晶體、一電壓控制電路、一電壓偏移及追蹤電路以及一溫度偵測電路。該電晶體提供一阻抗並且具有一控制端及一輸入端。該控制端接收一控制電壓，該輸入端接收一輸入訊號，且該阻抗與該控制電壓有關。該電壓控制電路根據一電源電壓及一第一參考電壓產生一中間電壓。該電壓偏移及追蹤電路，用來根據該輸入訊號及該中間電壓產生該控制電壓，該控制電壓隨著該輸入訊號變化。該溫度偵測電路偵測該主動式負載產生電路之一環境溫度，並根據該環境溫度調整該第一參考電壓。

Description

主動式負載產生電路及應用其之濾波器
本發明是關於晶片內阻抗，尤其是關於主動式負載產生電路及應用其之濾波器。
被動元件(例如電阻R與電容C)普遍用於現代積體電路中，而這些被動元件往往佔據大量面積。在電路面積愈顯關鍵的現代積體電路應用中，如何將大量的被動元件縮小是一個重要課題。以電路中常見的濾波器為例，在圖1A的電路中，電阻R位於晶片內部，而電容C則位於晶片的外部，並透過晶片的接腳110與電阻R連接；在圖1B的電路中，電阻R及電容C皆位於晶片內部。輸入訊號Sin(電壓訊號或電流訊號)經濾波器濾波後成為輸出訊號Sout(電壓訊號或電流訊號)。濾波器的截止頻率(cutoff frequency)fc=1/(2 π RC)。在一些應用中，為了得到低的截止頻率fc，電阻R及電容C的至少其中一者需設計為較大。對圖1A的電路來說，可以設計外掛的電容C具有大的電容值而使電阻R占用較小的晶片面積，但圖1A的缺點是必須占用晶片的一個接腳110。對圖1B的電路來說，雖然可以省下接腳，但由於晶片內部不適合製作大電容，所以必須將R做的相對更大以得到相同的截止頻率fc。
如前所述，如何將大量的被動元件縮小是一個重要課題，雖然可利用主動式元件取代被動式元件電阻(resistor)以節省面積，但是，相較於被動式元件電阻，主動式元件的阻抗更容易受製程(process)、電壓(voltage)、溫度(temperature)的影響而產生變化。所以如何在晶片(亦即積體電路)中實現相對而言較不受製程、電壓及溫度影響的阻抗成為一個重要的課題。
鑑於先前技術之不足，本發明之一目的在於提供一種主動式負載產生電路及應用其之濾波器，以節省電路面積並且避免電路受製程、電壓以及溫度的影響。
本發明揭露一種主動式負載產生電路，包含一電晶體、一電壓控制電路、一電壓偏移及追蹤電路以及一溫度偵測電路。該電晶體提供一阻抗並且具有一控制端及一輸入端。該控制端接收一控制電壓，該輸入端接收一輸入訊號，且該阻抗與該控制電壓有關。該電壓控制電路根據一電源電壓及一第一參考電壓產生一中間電壓。該電壓偏移及追蹤電路根據該輸入訊號及該中間電壓產生該控制電壓，該控制電壓隨著該輸入訊號變化。該溫度偵測電路耦接該電壓控制電路，用來偵測該主動式負載產生電路之一環境溫度，並根據該環境溫度調整該第一參考電壓。
本發明另揭露一種主動式負載產生電路包含一電晶體、一電壓控制電路及一溫度偵測電路。該電晶體提供一阻抗並且具有一控制端。該控制端接收一控制電壓且該阻抗與該控制電壓有關。該電壓控制電路根 據一電源電壓及一第一參考電壓產生該控制電壓。該溫度偵測電路偵測該主動式負載產生電路之一環境溫度，並根據該環境溫度調整該第一參考電壓。
本發明另揭露一種濾波器，包含一電晶體、一電容、一電壓控制電路以及一溫度偵測電路。該電晶體提供一阻抗並且具有一第一端、一第二端及一控制端。該第一端接收一輸入訊號，該第二端輸出一濾波後訊號，以及該控制端接收一控制電壓且該阻抗與該控制電壓有關。該電容，耦接該電晶體之該第二端。該電壓控制電路根據一第一參考電壓產生該控制電壓，並耦接一電源電壓、一第二參考電壓及該電晶體。該溫度偵測電路耦接該電壓控制電路，用來偵測該濾波器之一環境溫度，並根據該環境溫度調整該第一參考電壓。
本發明之主動式負載產生電路能夠提供面積小的高阻抗，適合以積體電路實現。相較於習知技術，本發明之主動式負載產生電路的阻抗較不受製程、電壓以及溫度的影響；再者，應用本發明之主動式負載產生電路的濾波器不但能節省接腳，且在相同的截止頻率下占用較小的電路面積。
有關本發明的特徵、實作與功效，茲配合圖式作實施例詳細說明如下。
110‧‧‧接腳
200、400、600、1000‧‧‧主動式負載產生電路
210、410、610、1010‧‧‧阻抗元件
212、434‧‧‧NMOS
220、420、620、1020‧‧‧溫度偵測電路
230、430、630、1030‧‧‧電壓控制電路
232、432、810、820、830‧‧‧運算放大器
234、412‧‧‧PMOS
300、500、900、1100‧‧‧濾波器
440、1040‧‧‧電壓偵測電路
640、1050‧‧‧電壓偏移及追蹤電路
712‧‧‧放大電路
714‧‧‧加法電路
〔圖1A〕顯示由晶片內電阻及外接電容所構成的濾波器； 〔圖1B〕顯示由晶片內電阻及晶片內電容所構成的濾波器；〔圖2〕為本發明主動式負載產生電路的一實施例的功能方塊圖；〔圖3〕為本發明之濾波器的一實施例的電路圖；〔圖4〕為本發明主動式負載產生電路的另一實施例的功能方塊圖；〔圖5〕為本發明之濾波器的另一實施例的電路圖；〔圖6〕本發明主動式負載產生電路的另一實施例的功能方塊圖；〔圖7〕為本發明電壓偏移及追蹤電路之一實施例的電路圖；〔圖8〕圖7之電路的其中一實施例的細部電路圖；〔圖9〕為本發明之濾波器的另一實施例的電路圖；〔圖10〕為本發明主動式負載產生電路的另一實施例的功能方塊圖；以及〔圖11〕為本發明之濾波器的另一實施例的電路圖。
以下說明內容之技術用語係參照本技術領域之習慣用語，如本說明書對部分用語有加以說明或定義，該部分用語之解釋係以本說明書之說明或定義為準。
本發明之揭露內容包含主動式負載產生電路及應用其之濾波器。由於本發明之主動式負載產生電路及應用其之濾波器所包含之部分元件單獨而言可能為已知元件，因此在不影響該裝置發明之充分揭露及可實施性的前提下，以下說明對於已知元件的細節將予以節略。請注意，由於「電阻」為「阻抗」的特例(電阻為相位為零的阻抗)，本說明書中的「阻抗」一詞可以是相位非零的阻抗或相位為零的阻抗(即電阻)。
圖2為本發明主動式負載產生電路的一實施例的功能方塊圖。主動式負載產生電路200位於一晶片中，包含阻抗元件210、溫度偵測電路220及電壓控制電路230。阻抗元件210提供主動式負載，並具有三個端點：T1、T2及TG。阻抗元件210的等效阻抗位於端點T1及T2之間，控制端TG接收控制電壓。電壓控制電路230藉由在端點TG輸入控制電壓VG以控制阻抗元件210的阻抗。電壓控制電路230根據主動式負載產生電路200的電源電壓VDD以及第一參考電壓VREF產生控制電壓VG。溫度偵測電路220偵測主動式負載產生電路200的環境溫度，並根據環境溫度產生第一參考電壓VREF。
圖3為本發明之濾波器的一實施例的電路圖，此濾波器係利用圖2之主動式負載產生電路200實作。濾波器300位於一晶片中，包含阻抗元件210、溫度偵測電路220、電壓控制電路230及電容C。阻抗元件210由N型金氧半場效電晶體(N-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，以下簡稱NMOS)212實作。NMOS 212的源極與汲極為阻抗元件210的端點T1及T2，而NMOS 212的閘極為阻抗元件210的控制端TG。電壓控制電路230包含運算放大器232、P型金氧半場效電晶體(P-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，以下簡稱PMOS)234及複數個串聯的電阻R1與R2(圖中以2個為例，但不以此為限)。PMOS 234及電阻R1與R2串接於電源電壓VDD與第二參考電壓(例如接地)之間，且電源電壓VDD與第二參考電壓不同。運算放大器232的其中一個輸入端(例如反相輸入端)接收第一參考電壓VREF，另一個輸入端(例如非反相輸入端)耦接於電阻R1與電阻R2之 間，運算放大器232的輸出端耦接PMOS 234的控制端(即閘極)。PMOS 234的輸出端(即圖3之實施例中的汲極)輸出控制電壓VG。溫度偵測電路220的細部電路如圖3所示，本技術領域具有通常知識者可知悉其運作方式，於此不再贅述。
NMOS 212的等效電阻Ron可以以方程式(1)表示： 其中參數μ、Cox及(W/L)較不受製程、電壓及溫度的影響，可視為定值。電壓Vgs為使用者可控制，臨界電壓Vth則易受製程、電壓及溫度的影響。因此，為了使NMOS 212的等效電阻Ron實質上不受電壓及溫度的影響，(V gs -|V th |)較佳地實質上不隨電壓及溫度而變動。電壓Vgs為NMOS 212的閘極電壓(即控制電壓VG)與源極電壓(即輸入電壓Vin)的差值。
由圖3的電路可知，電壓VG=VREF(1+R1/R2)；也就是說，電壓VG與第一參考電壓VREF有關。臨界電壓|V th |為一負溫度係數(negative temperature coefficient)，亦即溫度上升時臨界電壓|V th |下降，溫度下降時臨界電壓|V th |上升。在輸入電壓Vin為定值的情況下，為了維持(V gs -|V th |)實質上為定值，當溫度上升時控制電壓VG應該要下降，而當溫度下降時控制電壓VG應該要上升。由此可以得知，溫度偵測電路220可以設計為當濾波器300的環境溫度上升時輸出較低的第一參考電壓VREF，且當濾波器300的環境溫度下降時輸出較高的第一參考電壓VREF。
圖4為本發明主動式負載產生電路的另一實施例的功能方塊圖。主動式負載產生電路400位於一晶片中，包含阻抗元件410、溫度偵測電路420、電壓控制電路430以及電壓偵測電路440。阻抗元件410提 供主動式負載，並具有三個端點：T1、T2及TG。阻抗元件410的等效阻抗位於端點T1及T2之間，端點TG接收控制電壓。電壓控制電路430藉由在端點TG輸入控制電壓VG以控制阻抗元件410的阻抗。電壓控制電路430根據電源電壓VDD、第一參考電壓VREF以及控制值B產生控制電壓VG。溫度偵測電路420偵測主動式負載產生電路400的環境溫度，並根據環境溫度產生第一參考電壓VREF。電壓偵測電路440偵測電源電壓VDD來產生控制值B。
圖5為本發明之濾波器的另一實施例的電路圖，此濾波器係利用圖4之主動式負載產生電路400實作。濾波器500位於一晶片中，包含阻抗元件410、溫度偵測電路420、電壓控制電路430、電壓偵測電路440及電容C。阻抗元件410由PMOS 412實作。PMOS 412的源極與汲極為阻抗元件410的端點T1及T2，而PMOS 412的閘極為阻抗元件410的控制端TG。電壓控制電路430包含運算放大器432、NMOS 434及複數個串聯的電阻R1~R4(圖中以4個為例，但不以此為限)。NMOS 434及電阻R1~R4串接於電源電壓VDD與第二參考電壓(例如接地)之間，且電源電壓VDD與第二參考電壓不同。運算放大器432的其中一個輸入端(例如反相輸入端)接收第一參考電壓VREF，另一個輸入端(例如非反相輸入端)耦接於電阻R3與電阻R4之間，運算放大器432的輸出端耦接NMOS 434的控制端(即閘極)。NMOS 434的輸出端(即圖5之實施例中的汲極)輸出控制電壓VG。溫度偵測電路420的細部電路如圖5所示，本技術領域具有通常知識者可知悉其運作方式，於此不再贅述。在此實施例中，溫度偵測電路420及溫度偵測電路220具有實質上相同的電 路設計，此電路可產生正溫度係數的第一參考電壓VREF或負溫度係數的第一參考電壓VREF，此為本技術領域具有通常知識者所熟知之技術，於此不再贅述。
PMOS 412的等效電阻Ron可以以方程式(2)表示： 電壓Vsg為源極電壓(即輸入電壓Vin)與PMOS 412的閘極電壓(即控制電壓VG)的差值。由圖5的電路可知，電壓VG可以表示如下： 也就是說，電壓VG與第一參考電壓VREF及電源電壓VDD有關。在輸入電壓Vin為定值的情況下，為了維持(V sg -|V th |)實質上為定值，控制電壓VG應該要隨著溫度及電源電壓VDD而改變。以下分別就溫度及電源電壓VDD來討論方程式(3)。
就溫度而言，當溫度上升時控制電壓VG應該要上升，而當溫度下降時控制電壓VG應該要下降。由此可以得知，溫度偵測電路420可以設計為當濾波器500的環境溫度上升時輸出較高的第一參考電壓VREF，且當濾波器500的環境溫度下降時輸出較低的第一參考電壓VREF。
就電源電壓VDD而言，VG較佳地應該實質上不隨著電源電壓VDD而改變。電壓控制電路430根據電壓偵測電路440所輸出的控制值B使控制電壓VG實質上不隨電源電壓VDD改變。在圖5的實施例中，電壓偵測電路440包含複數個電阻及複數個比較器。該些電阻串接於電源電壓VDD與第二參考電壓之間，用來提供複數個分壓。該些比較器分別 將該些分壓與預設電壓Vb比較，而得到複數個比較值。該些比較值可以以控制值B表示；也就是說，控制值B包含複數個位元，每個位元對應一個比較值。因此電壓偵測電路440可視為一類比數位轉換器，控制值B指示電源電壓VDD的大小。電壓控制電路430根據控制值B調整串接的電阻個數，例如根據控制值B控制與該些電阻並聯的複數個開關(圖未示)導通與否來旁路(bypass)或非旁路至少該些電阻的一部分或全部。舉例來說，為了使電壓VG較不受電源電壓VDD的變化影響，當電源電壓VDD上升時，電壓控制電路430根據控制值B使節點N與電源電壓VDD之間的等效電阻增加(例如使至少一開關不導通以使對應該(或該些)開關的電阻不被旁路)，當電源電壓VDD下降時，電壓控制電路430根據控制值B使節點N與電源電壓VDD之間的等效電阻減少(例如使至少一開關導通以使對應該(或該些)開關的電阻被旁路)。
以上的實施例係應用於阻抗元件的輸入訊號實質上為定值的情況，本發明亦針對阻抗元件的輸入訊號非實質上為定值的情況提出解決方案，如以下的實施例所示。
圖6為本發明主動式負載產生電路的另一實施例的功能方塊圖。主動式負載產生電路600包含阻抗元件610、溫度偵測電路620、電壓控制電路630以及電壓偏移及追蹤電路640。阻抗元件610、溫度偵測電路620以及電壓控制電路630的功能及作用與阻抗元件210、溫度偵測電路220以及電壓控制電路230相似或相同，故不再贅述。阻抗元件610於端點T1接收輸入訊號，而電壓控制電路630產生中間電壓VG。電壓偏移及追蹤電路640根據輸入訊號及中間電壓VG產生控制電壓VG2，控制 電壓VG2隨著輸入訊號變化。阻抗元件610的控制端TG接收控制電壓VG2，且阻抗元件610的阻抗與控制電壓VG2有關。
圖7為本發明電壓偏移及追蹤電路之一實施例的電路圖。電壓偏移及追蹤電路640包含放大電路712(具有放大倍率α)及加法電路714。放大電路712的輸入訊號為VG-VCM，其中VCM為輸入訊號Vin的共模電壓。經放大後，放大電路712的輸出端輸出放大後的電壓α(VG-VCM)。加法電路714將放大後的電壓α(VG-VCM)與輸入訊號Vin相加，得到控制電壓VG2=α(VG-VCM)+Vin。可以發現，因為控制電壓VG2隨著輸入訊號Vin變化，所以可以避免阻抗元件610因為輸入訊號Vin變化而導致負載阻抗無法維固定值。放大倍率α為一實數，可以依設計者對阻抗需求而調整大小。
圖8為圖7之電路的其中一實施例的細部電路圖。電壓偏移及追蹤電路640包含運算放大器810、820及830。運算放大器810的正端(非反相輸入端)接收共模電壓VCM，負端(反相輸入端)接收輸入電壓Vin。運算放大器820的正端接收共模電壓VCM，負端接收中間電壓VG。運算放大器830的正端接收共模電壓VCM，負端分別透過電阻R1及R2耦接運算放大器810及820。所有的電阻R具有相同的電阻值。當電阻R1=R及R2=R/α的比值為α時，運算放大器810的輸出Vo1=2VCM-Vin，運算放大器820的輸出Vo2=2VCM-VG，且運算放大 器830輸出的控制電壓=α(VG-VCM)+Vin。
圖9為本發明之濾波器的另一實施例的電路圖，此濾波器係利用圖6之主動式負載產生電路600實作。濾波器900位於一晶片中，包含阻抗元件610、溫度偵測電路620、電壓控制電路630、電壓偏移及追蹤電路640及電容C。阻抗元件610由NMOS 212實作。舉例來說，假設中間電壓VG=2.2V、共模電壓VCM=1.8V、輸入電壓Vin=1.8V且α=1，則NMOS 212的閘極-源極電壓Vgs=VG2-Vin=[1*(2.2-1.8)+1.8]-1.8=0.4V。當Vin變為2.8V時，Vgs=VG2-Vin=[1*(2.2-1.8)+2.8]-2.8=0.4V；當Vin變為0.8V時，Vgs=VG2-Vin=[1*(2.2-1.8)+0.8]-0.8=0.4V。由此可見，控制電壓VG2會追蹤輸入電壓Vin，使NMOS 212的閘極-源極電壓Vgs實質上為定值，以確保NMOS 212保持固定負載阻抗值。
圖10為本發明主動式負載產生電路的另一實施例的功能方塊圖。主動式負載產生電路1000包含阻抗元件1010、溫度偵測電路1020、電壓控制電路1030、電壓偵測電路1040以及電壓偏移及追蹤電路1050。阻抗元件1010、溫度偵測電路1020、電壓控制電路1030以及電壓偵測電路1040的功能及作用與阻抗元件410、溫度偵測電路420、電壓控制電路430以及電壓偵測電路440相似或相同，故不再贅述。阻抗元件1010於端點T1接收輸入訊號，而電壓控制電路1030產生中間電壓VG。電壓偏移及追蹤電路1050根據輸入訊號及中間電壓VG產生控制電壓VG2，控制電壓VG2隨著輸入訊號變化。阻抗元件1010的控制端TG接收控制電壓VG2，且阻抗元件1010的阻抗與控制電壓VG2有關。電壓偏移及追蹤電路1050的實作方式如圖7或圖8所示。
圖11為本發明之濾波器的另一實施例的電路圖，此濾波器係 利用圖10之主動式負載產生電路1000實作。濾波器1100位於一晶片中，包含阻抗元件1010、溫度偵測電路1020、電壓控制電路1030、電壓偵測電路1040、電壓偏移及追蹤電路1050及電容C。阻抗元件1010由PMOS 412實作。舉例來說，假設中間電壓VG=1.4V、共模電壓VCM=1.8V、輸入電壓Vin=1.8V且α=1，則PMOS 412的源極-閘極電壓Vsg=Vin-VG2=1.8-[1*(1.4-1.8)+1.8]=0.4V。當Vin變為2.8V時，Vsg=Vin-VG2=2.8-[1*(1.4-1.8)+2.8]=0.4V；當Vin變為0.8V時，Vsg=Vin-VG2=0.8-[1*(1.4-1.8)+0.8]=0.4V。由此可見，控制電壓VG2會追蹤輸入電壓Vin，使PMOS 412的源極-閘極電壓Vsg實質上為定值，以確保PMOS 412保持固定負載阻抗值。
下表顯示被動式負載及本發明的主動式負載在兩種不同截止頻率的低通濾波器中的面積比。兩種濾波器皆使用電容值為20pF的晶片內電容。對fc=80Hz的濾波器來說(電阻值為100MΩ)，主動式負載的面積只有被動式負載的面積的1/20；對fc=8Hz的濾波器來說(電阻值為1GΩ)，更只有1/200。可見主動式負載可以大幅地節省電路面積。
請注意，圖5(或圖11)的電路去除電壓偵測電路440(或1040)後所剩餘的部分，即是圖2(或圖6)的主動式負載產生電路200(或600)應用於濾波器，且其中的阻抗元件210(或610)以PMOS實作的電路圖。圖3、圖5、圖9及圖11的濾波器可以應用於能隙電壓參考 (bandgap voltage reference,BGVR)電路，以濾除能隙電壓的雜訊。除了濾波器(低通濾波器、高通濾波器、帶通濾波器等)之外，本發明的主動式負載產生電路亦可應用於其他的電路。前述實施例中的阻抗元件雖以金氧半場效電晶體為例，然而在其他的實施例中亦有可能以其他的電晶體(例如雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor,BJT)等)或其他的電子元件實作。雙載子接面電晶體也可作為阻抗，此時雙載子接面電晶體操作在飽和區(saturation region)。在一些實施例中，前述的電源電壓VDD可以是正值、零、或負值，前述的第二參考電壓可以是正值、零、或負值。
由於本技術領域具有通常知識者可藉由本案之裝置發明的揭露內容來瞭解本案之方法發明的實施細節與變化，因此，為避免贅文，在不影響該方法發明之揭露要求及可實施性的前提下，重複之說明在此予以節略。請注意，前揭圖示中，元件之形狀、尺寸、比例以及步驟之順序等僅為示意，係供本技術領域具有通常知識者瞭解本發明之用，非用以限制本發明。
雖然本發明之實施例如上所述，然而該些實施例並非用來限定本發明，本技術領域具有通常知識者可依據本發明之明示或隱含之內容對本發明之技術特徵施以變化，凡此種種變化均可能屬於本發明所尋求之專利保護範疇，換言之，本發明之專利保護範圍須視本說明書之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (9)

  1. 一種主動式負載產生電路，包含：一電晶體，提供一阻抗並且具有一控制端及一輸入端，其中，該控制端接收一控制電壓，該輸入端接收一輸入訊號，且該阻抗與該控制電壓有關；一電壓控制電路，根據一電源電壓及一第一參考電壓產生一中間電壓；一電壓偏移及追蹤電路，耦接於該電壓控制電路與該電晶體之間，用來根據該輸入訊號及該中間電壓產生該控制電壓，該控制電壓隨著該輸入訊號變化，使得該電晶體的該控制端與該輸入端的一電壓差保持實質上不受該輸入訊號影響；以及一溫度偵測電路，耦接該電壓控制電路，用來偵測該主動式負載產生電路之一環境溫度，並根據該環境溫度調整該第一參考電壓。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之主動式負載產生電路，其中，該電晶體係一第一電晶體，該控制端係一第一控制端，該電壓控制電路包含：一第二電晶體，具有一第二控制端及一輸出端，其中，該第二電晶體之該輸出端輸出該中間電壓；複數個電阻，串接於該第二電晶體與該電源電壓之間，或串接於該第二電晶體與一第二參考電壓之間；以及一運算放大器，具有一第一輸入端、一第二輸入端及一輸出端，其中，該第一輸入端接收該第一參考電壓，該第二輸入端耦接該些電阻，以及該運算放大器之該輸出端耦接該第二控制端。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之主動式負載產生電路，其中，該第一電晶體係為一P型金氧半場效電晶體，當該環境溫度上升時，該溫度偵測電路提高該第一參考電壓，且當該環境溫度下降時，該溫度偵測電路降低該第一參考電壓。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之主動式負載產生電路，其中，該第一電晶體係為一N型金氧半場效電晶體，當該環境溫度上升時，該溫度偵測電路降低該第一參考電壓，且當該環境溫度下降時，該溫度偵測電路提高該第一參考電壓。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之主動式負載產生電路，更包含：一電壓偵測電路，耦接該電壓控制電路，用來偵測該電源電壓以產生一控制值；其中，該電壓控制電路根據該控制值調整該中間電壓。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之主動式負載產生電路，其中，該電壓偵測電路包含：複數個電阻，串接於該電源電壓及一第二參考電壓之間，用來根據該電源電壓及該第二參考電壓產生複數個分壓；以及複數個比較器，耦接該些電阻，用來將該些分壓與一預設電壓比較，以產生該控制值。
  7. 一種主動式負載產生電路，包含：一電晶體，提供一阻抗並且具有一控制端，其中，該控制端接收一控制電壓且該阻抗與該控制電壓有關；一電壓控制電路，耦接該電晶體，用來根據一電源電壓及一第一參考電壓產生該控制電壓；一溫度偵測電路，耦接該電壓控制電路，用來偵測該主動式負載產生電路之一環境溫度，並根據該環境溫度調整該第一參考電壓；以及一電壓偵測電路，耦接該電壓控制電路，用來偵測該電源電壓以產生一控制值；其中，該電壓控制電路根據該控制值調整該控制電壓。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之主動式負載產生電路，其中，該電晶體係一第一電晶體，該控制端係一第一控制端，該電壓控制電路包含：一第二電晶體，具有一第二控制端及一輸出端，其中，該第二電晶體之該輸出端輸出該控制電壓；複數個電阻，串接於該第二電晶體與該電源電壓之間，或串接於該第二電晶體與一第二參考電壓之間；以及一運算放大器，具有一第一輸入端、一第二輸入端及一輸出端，其中，該第一輸入端接收該第一參考電壓，該第二輸入端耦接該些電阻，以及該運算放大器之該輸出端耦接該第二控制端。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之主動式負載產生電路，其中，該電壓偵測電路包含：複數個電阻，串接於該電源電壓及一第二參考電壓之間，用來根據該電源電壓及該第二參考電壓產生複數個分壓；以及複數個比較器，耦接該些電阻，用來將該些分壓與一預設電壓比較，以產生該控制值。
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