JP6221614B2 - Mosトランジスタを利用した高抵抗回路 - Google Patents
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IDS(3)=I1=(β3/2)・(VGS(3)‐VTH)2・・・(I)
VGS(3)=VTH+√(2I1/β3)・・・(II)
である。一方、NMOSトランジスタM1は線形領域で動作するので、ゲート・ソース端子間電圧(VGS(1))とドレイン電流(IDS(1))との関係式は下記の式(III)のとおりである。尚、NMOSトランジスタM2についても特性は同様であるので、NMOSトランジスタM1により代表するものとする。
IDS(1)=β1・(VGS(1)−VTH)・VDS(1)・・・(III)
VGS(1)=VTH+IDS(1)/(β1・VDS(1))・・・(IV)
√(2I1/β3)=IDS(1)/(β1・VDS(1))、
R(1)=VDS(1)/IDS(1)
=1/(β1・√(2I1/β3)・・・(V)
との関係が求まる。
例えば、実施形態の抵抗回路1は、NMOSトランジスタで構成する場合を例示して説明したが本願はこれに限定されるものではない。PMOSトランジスタによっても同じ構成の抵抗回路を構成することができる。
また、実施形態では、NMOSトランジスタM1、M2のソース端子間が接続されている接点Mの電圧VMとNMOSトランジスタM4のドレイン端子とNMOSトランジスタM3のソース端子との接点n1の電圧Vn1とを同電圧とするために、NMOSトランジスタM4、M5、および電流源IS2で構成される差動対による場合を説明した。しかしながら本願はこれに限定されるものではない。電圧VMを電圧Vn1にフィードバックするフィードバック特性を有する回路であり、NMOSトランジスタM3に定電流I1を流す構成を含めば、回路構成は実施形態の構成に限定されるものではない。
AVDD 電源電圧
I1、I2 定電流
IN 第1端子
IS1、IS2 電流源
M1〜M5 NMOSトランジスタ
OUT 第2端子
Claims (5)
- 第1端子と第2端子との間に抵抗素子として接続される抵抗回路であって、
バルクに接続されるソース端子が互いに接続され、ドレイン端子が前記第1および第2端子の各々に接続される第1および第2MOSトランジスタと、
ドレイン端子およびゲート端子が、前記第1および第2MOSトランジスタのゲート端子に接続され、ソース端子がバルクに接続される第3MOSトランジスタと、
ドレイン端子およびゲート端子が、前記第3MOSトランジスタのソース端子に接続される第4MOSトランジスタと、
ゲート端子が、前記第1および第2MOSトランジスタのソース端子に接続され、ソース端子が、前記第4MOSトランジスタのソース端子に接続される第5MOSトランジスタと、
前記第3MOSトランジスタのドレイン端子に接続される第1電流源とを備えることを特徴とする抵抗回路。 - 前記第1および第2MOSトランジスタは、チャネル長およびチャネル幅が同じであることを特徴とする請求項1に記載の抵抗回路。
- 前記第1および第2MOSトランジスタは、前記第3MOSトランジスタに比してチャネル長が長いことを特徴とする請求項1または2に記載の抵抗回路。
- 前記第4および第5MOSトランジスタは、チャネル長およびチャネル幅が同じであることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の抵抗回路。
- 前記第4および第5MOSトランジスタのソース端子に接続される第2電流源を備え、
前記第2電流源は前記第1電流源に比して電流値が2倍であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の抵抗回路。
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