CN108021277B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基底，包括包含像素区的显示区以及与显示区相邻的非显示区，第一基底包括设置在非显示区中的连接垫；以及第二基底，与第一基底相对，第二基底包括基体基底以及设置在基体基底上的触摸传感器，基体基底包括与显示区对应的感测区和与非显示区对应的非感测区，其中，触摸传感器包括设置在感测区中的触摸感测电极、设置在非感测区中的触摸垫、以及将触摸感测电极和触摸垫电连接的感测线，其中，第二基底的非感测区弯曲，使得连接垫和触摸垫彼此相对。

Description

显示装置
本申请要求于2016年11月2日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0145131号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的实施例的方面涉及一种显示装置。
背景技术
近来，显示装置已经被开发为包括信息输入功能以及图像显示功能。显示装置的信息输入功能可通常被实施为用于接收用户输入的触摸屏。触摸屏附着到显示面板的实施图像显示功能的一个表面，或者与显示面板一体地形成。
在具有触摸屏的显示装置中，触摸屏被设置为与显示面板的一个基底分隔开，例如，与显示面板的其上设置有信号输入端子的基底分隔开。显示装置可使用包括导电球的各向异性导电膜(ACF)电连接触摸屏和信号输入端子。
导电球应具有对应于触摸屏与基底之间的距离的尺寸。因此，可增大导电球的尺寸，并且导电球的尺寸的变化会随着导电球的尺寸的增大而显著地增大。导电球的尺寸的变化会导致触摸屏与信号输入端子之间的接触故障。
发明内容
实施例提供一种能够防止由导电球的尺寸的变化导致的故障(或者能够减少这样的故障的可能性或程度)的显示装置。
根据本公开的方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基底，包括包含像素区的显示区以及与显示区相邻的非显示区，第一基底包括设置在非显示区中的连接垫；以及第二基底，面对第一基底，第二基底包括基体基底以及设置在基体基底上的触摸传感器，基体基底包括与显示区对应的感测区和与非显示区对应的非感测区，其中，触摸传感器包括设置在感测区中的触摸感测电极、设置在非感测区中的触摸垫、以及将触摸感测电极和触摸垫电连接的感测线，其中，第二基底的非感测区弯曲，使得连接垫和触摸垫彼此面对。
触摸感测电极和触摸垫可设置在基体基底的同一表面上。
显示装置还可包括设置在连接垫与触摸垫之间的导电球。
显示装置还可包括从触摸垫朝向连接垫突出的突出凸块，以连接连接垫和触摸垫。
显示装置还可包括设置在连接垫与触摸垫之间的导电粘合层。
导电粘合层可包括导电膏。
连接垫和触摸垫可彼此直接接触。
显示装置还可包括设置在第二基底的随着第二基底弯曲而彼此面对的区域之间的弹性构件，以保持第二基底的弯曲形状。
显示装置还可包括设置在第二基底的一个表面上的偏振层。
偏振层可设置在第二基底的外表面上。
显示装置还可包括设置在第一基底与第二基底之间的偏振层。
穿过基体基底的通孔可设置在非感测区中。触摸垫可包括：第一图案，设置在基体基底的其上设置有触摸感测电极和感测线的表面上；第二图案，设置在通孔中，第二图案连接到第一图案；以及第三图案，设置在与基体基底的其上设置有第一图案的表面背对的表面上，第三图案连接到第二图案。
当第二基底弯曲时，感测线和第一图案可彼此面对，连接垫和第三图案可彼此面对。
显示装置还可包括设置在连接垫与第三图案之间的导电球。
显示装置还可包括设置在感测线与第一图案之间的导电球。
感测线和第一图案可彼此直接接触。
显示装置还可包括设置在连接垫与第三图案之间的导电粘合层。
显示装置还可包括设置在感测线与第一图案之间的导电粘合层。
穿过基体基底的通孔可设置在非感测区中。触摸垫可包括：第一图案，具有感测线延伸的形状；第二图案，设置在通孔中，第二图案连接到第一图案；以及第三图案，设置在与基体基底的其上设置有第一图案的表面背对的表面上，第三图案连接到第二图案。
当第二基底弯曲时，感测线和第一图案可彼此面对。显示装置还可包括设置在感测线与第一图案之间的弹性构件。
当第二基底弯曲时，感测线和第一图案可彼此面对。显示装置还可包括：支撑构件，设置在感测线与第一图案之间；以及支撑构件粘合层，设置在感测线与支撑构件之间以及第一图案与支撑构件之间。
触摸感测电极和触摸垫可分别设置在基体基底的不同的表面上。
感测线可包括：第一感测线，设置在基体基底的其上设置有触摸感测电极的表面上；以及第二感测线，设置在基体基底的其上设置有触摸垫的表面上。
显示装置还可包括连接第一感测线和第二感测线的金属图案。金属图案可包括：第一图案，设置在基体基底的其上设置有第一感测线的表面上；第二图案，设置在穿过基体基底的通孔中，第二图案连接到第一图案；以及第三图案，设置在基体基底的其上设置有第二感测线的表面上，第三图案连接到第二图案。
显示装置还可包括覆盖触摸感测电极和感测线的覆盖层。
附图说明
现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式体现并且不应该被理解为限制于在此所阐述的实施例。相反，这些实施例被提供为使得本公开将是彻底的和完整的，并且将把示例实施例的范围充分地传达给本领域技术人员。
在附图中，为了示出的清楚性，可以夸大尺寸。将理解的是，当元件被称为“在”两个元件“之间”时，所述元件可以是在这两个元件之间的唯一元件，或者还可以存在一个或更多个中间元件。同样的附图标记始终指示同样的元件。
图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的透视图。
图2是示出图1的显示面板的平面图。
图3和图4是示出图1的触摸传感器的平面图。
图5是图3的区域EA1的放大图。
图6是图1至图5中示出的显示装置的局部剖视图。
图7是图6的区域EA2的放大图。
图8至图14是示出图1至图7中示出的显示装置的制造方法的实施例的工艺剖视图。
图15至图30是示出根据本公开的其它实施例的显示装置的剖视图。
图31至图34是示出图1至图30中公开的第二基底的弯曲形状的透视图。
具体实施方式
本公开可对公开的主题应用各种改变和不同的形状，并用具体的示例示出公开的实施例的细节。然而，本公开不限于特定的形状而是包括所有合适的改变和等同材料以及替换。以示出的主题可被扩展为更好地理解示出的主题的方式来示出附图。
在附图中，为了清楚，可夸大某些线、层、组件、元件或特征的厚度。将理解的是，虽然可在此使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，以下讨论的“第一”元件也可被命名为“第二元件”。如在此使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式也意图包括复数形式。
还将理解的是，当在此说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，指明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在和/或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。此外，诸如层、区域、基底或板的元件放置“在”另一元件“上”或“上方”的表达不仅表示所述元件“直接”放置“在”所述另一元件“上”或者所述元件“刚好在”所述另一元件“上方”的情况，而且表示其它元件置于所述元件与所述另一元件之间的情况。此外，诸如层、区域、基底或板的元件放置“在”另一元件“下”或“下方”的表达不仅表示所述元件“直接”放置“在”所述另一元件“下”或者所述元件“刚好在”所述另一元件“下方”的情况，而且表示其它元件置于所述元件与所述另一元件之间的情况。还将理解的是，当元件或层被称为“连接到”另一元件或层时，所述元件或层可直接连接到(或结合到)所述另一元件或层，或者可存在一个或更多个中间元件或层。
在下文中，将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。
图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的透视图。图2是示出图1的显示面板的平面图。图3至图4是示出图1的触摸传感器的平面图。图5是图3的区域EA1的放大图。
参照图1至图5，显示装置可包括第一基底110以及面对第一基底110的第二基底120。
第一基底110可包括显示区DA和非显示区NDA。
多个像素区PXA可设置在显示区DA中。另外，多条栅极线、与栅极线交叉的多条数据线可设置在显示区DA中。连接到栅极线和数据线中的一条的至少一个薄膜晶体管以及连接到薄膜晶体管的显示元件可设置在每个像素区PXA中。
显示元件可以是从液晶显示元件(LCD元件)、电泳显示元件(EPD元件)、电润湿显示元件(EWD元件)和有机发光显示元件(OLED元件)中选择的任意一种。同时，在下文中，为了示出的方便，将OLED元件描述作为显示元件的示例，但是本公开不限于此。
显示元件可包括连接到薄膜晶体管的第一电极、设置在第一电极上的发射层以及设置在发射层上的第二电极。发射层可通过经由第一电极和第二电极注入的电子和空穴的复合来产生光。
非显示区NDA可与显示区DA相邻设置。例如，非显示区NDA可具有在显示区DA的外部处围绕显示区DA的形状。另外，其中设置有多个连接垫(pad，或称为“焊盘”)的连接垫单元CPDA可设置在非显示区NDA的一部分处。
第二基底120可设置有触摸传感器TS。另外，第二基底120可包括感测区SA和非感测区NSA。感测区SA可对应于第一基底110的显示区DA。非感测区NSA可与感测区SA相邻设置。另外，非感测区NSA可对应于第一基底110的非显示区NDA。
触摸传感器TS可设置在第二基底120的一个表面上。
触摸传感器TS可包括多个触摸感测电极TSE、包括多个触摸垫(pad，或称为“焊盘”)TPD的触摸垫单元TPDA以及连接触摸感测电极TSE和触摸垫TPD的感测线SL。
触摸感测电极TSE可根据触摸传感器TS的触摸感测类型(或种类)以各种形式设置。
例如，如图3中示出的，触摸传感器TS的触摸感测类型(或种类)可以是互电容触摸传感器类型(或种类)。这里，触摸感测电极TSE中的一些触摸感测电极可组成在一个方向上连接的多个触摸感测电极行，所述多个触摸感测电极行相互平行或基本上平行。另外，触摸感测电极TSE中的剩余触摸感测电极可组成在与触摸感测电极行交叉的方向上连接的多个触摸感测电极列，所述多个触摸感测电极列相互平行或基本上平行。触摸感测电极行和触摸感测电极列可分别通过感测线SL连接到触摸垫单元TPDA的触摸垫TPD。
另外，如图4中示出的，触摸传感器TS的触摸感测类型(或种类)可以是自电容触摸传感器类型(或种类)。这里，触摸感测电极TSE可以以矩阵形式布置。触摸感测电极TSE可分别通过感测线SL连接到触摸垫单元TPDA的触摸垫TPD。
触摸感测电极TSE可包括导电材料。例如，触摸感测电极TSE可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、掺镓氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和掺氟氧化锡(FTO)中的至少一种透明导电氧化物。
另外，如图5中示出的，触摸感测电极TSE包括多条导电细线CFL。例如，触摸感测电极TSE可包括在一个方向上延伸的多条第一导电细线CFL1以及在与第一导电细线CFL1交叉的方向上延伸的多条第二导电细线CFL2，所述多条第一导电细线CFL1相互平行或基本上平行，所述多条第二导电细线CFL2相互平行或基本上平行。在一些实施例中，触摸感测电极TSE可具有网格结构。网格结构可适合于实施可弯曲的、可折叠的或可卷曲的触摸传感器。
第一导电细线CFL1和第二导电细线CFL2可包括低电阻的金属。例如，第一导电细线CFL1和第二导电细线CFL2可包括从金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钯(Pd)、钕(Nd)和银-钯-铜合金(APC)中选择的至少一种。
触摸垫TPD和感测线SL可设置在非感测区NSA中。
触摸垫TPD可电连接到连接垫CPD。因此，触摸垫TPD可通过连接垫CPD将从外部供应的触摸驱动信号施加到触摸传感器TS，并将通过触摸传感器TS感测的触摸感测信号传输到外部。
图6是图1至图5中示出的显示装置的局部剖视图。图7是图6的区域EA2的放大图。
参照图1至图7，显示装置可包括第一基底110、面对第一基底110的第二基底120以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括第一基体基底SUB1、设置在第一基体基底SUB1上的驱动层DDL、设置在驱动层DDL上的光学层OPL以及设置在光学层OPL上的包封层ECL。
第一基体基底SUB1可包括显示区DA和非显示区NDA。多个像素区PXA可设置在显示区DA中。非显示区NDA可与显示区DA相邻设置。
第一基体基底SUB1可包括透明绝缘材料，以使光能够透射通过第一基体基底SUB1。另外，第一基体基底SUB1可以是刚性基底或柔性基底。刚性基底可包括玻璃基底、石英基底、玻璃陶瓷基底和/或结晶玻璃基底。柔性基底可以是包括聚合物有机材料的膜基体基底以及塑料基体基底中的一种。例如，柔性基底可包括从聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)中选择的至少一种。另外，柔性基底可包括玻璃纤维增强塑料(FRP)。
在一些实施例中，应用到第一基体基底SUB1的材料在显示装置的制造工艺中具有耐高加工温度的抵抗力(或耐热性)。
驱动层DDL设置在第一基体基底SUB1上，并可包括设置在每个像素区PXA中的至少一个薄膜晶体管TFT。另外，驱动层DDL可包括设置在第一基体基底SUB1与薄膜晶体管TFT之间的缓冲层BUL。缓冲层BUL可包括无机绝缘材料。例如，缓冲层BUL可包括从氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中选择的至少一种。另外，缓冲层BUL可具有单层或多层结构。例如，缓冲层BUL可具有包括从氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中选择的至少一种的单层结构。缓冲层BUL可包括包含氧化硅的第一绝缘层以及设置在第一绝缘层上的第二绝缘层，第二绝缘层包括氮化硅。缓冲层BUL可包括顺序堆叠的三个或更多个绝缘层。
缓冲层BUL可防止杂质从第一基体基底SUB1扩散到薄膜晶体管TFT(或者可减少这样的杂质的扩散)。另外，缓冲层BUL可使第一基体基底SUB1的表面平坦化。
薄膜晶体管TFT可以连接到栅极线和数据线。薄膜晶体管TFT可包括半导体层SCL、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
半导体层SCL可设置在缓冲层BUL上。半导体层SCL可包括从非晶Si、多晶Si、氧化物半导体和有机半导体中选择的至少一种。在半导体层SCL中，连接到源电极SE和漏电极DE的区域可以是掺杂有或注入有杂质的源区和漏区。位于源区与漏区之间的区域可以是沟道区。
同时，在一些实施例中，诸如图7中示出的实施例，当半导体层SCL包括氧化物半导体时，用于阻挡光入射到半导体层SCL中的光阻挡层可设置在半导体层SCL的顶部或底部上。
栅极绝缘层GI可设置在半导体层SCL上方。栅极绝缘层GI覆盖半导体层SCL，并可使半导体层SCL与栅电极GE彼此绝缘。栅极绝缘层GI可包括从有机绝缘材料和无机绝缘材料中选择的至少一种。例如，栅极绝缘层GI可包括从氧化硅和氮化硅中选择的至少一种。
栅电极GE可设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GE可连接到栅极线。栅电极GE可包括低电阻的导电材料。栅电极GE可与半导体层SCL叠置。
层间绝缘层ILD可设置在栅电极GE上方。层间绝缘层ILD可包括从有机绝缘材料和无机绝缘材料中选择的至少一种。例如，层间绝缘层ILD可包括从氧化硅和氮化硅中选择的至少一种。层间绝缘层ILD可使源电极SE和漏电极DE与栅电极GE绝缘。
穿过栅极绝缘层GI和层间绝缘层ILD的接触孔可借此暴露半导体层的源区和漏区。
源电极SE和漏电极DE可设置在层间绝缘层ILD上，以彼此分隔开。源电极SE和漏电极DE可包括低电阻的导电材料。源电极SE的一端可连接到数据线。源电极SE的另一端可通过接触孔中的一个接触孔连接到源区。漏电极DE的一端可通过接触孔中的另一个接触孔连接到漏区。漏电极DE的另一端可连接到显示元件DD。
同时，在此实施例中，已经作为示例描述了薄膜晶体管TFT是具有顶栅极结构的薄膜晶体管的情况，但是本公开不限于此。例如，薄膜晶体管TFT可以是具有底栅极结构的薄膜晶体管。
驱动层DDL可包括覆盖薄膜晶体管TFT的保护层PSV。保护层PSV可设置在其上设置有薄膜晶体管TFT的第一基体基底SUB1上。可移除保护层PSV的一部分以借此暴露源电极SE和漏电极DE中的一个(例如，漏电极DE)。
保护层PSV可包括至少一个层。例如，保护层PSV可包括无机保护层和设置在无机保护层上的有机保护层。无机保护层可包括从氧化硅和氮化硅中选择的至少一种。有机保护层可包括从亚克力、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)和苯并环丁烯(BCB)中选择的至少一种。另外，有机保护层可以是透明且柔性的平坦化层，以减少下结构的起伏(winding)并使下结构的起伏平坦化。
光学层OPL设置在保护层PSV上，并可包括连接到漏电极DE的显示元件DD。
显示元件DD可包括连接到漏电极DE的第一电极AE、设置在第一电极AE上的发射层EML以及设置在发射层EML上的第二电极CE。
第一电极AE和第二电极CE中的一个电极可以是阳电极，第一电极AE和第二电极CE中的另一个电极可以是阴电极。例如，第一电极AE可以是阳电极，第二电极CE可以是阴电极。
另外，从第一电极AE和第二电极CE中选择的至少一个可以是透射电极。例如，当显示元件DD是底发射类型(或种类)的有机发光元件时，第一电极AE可以是透射电极，第二电极CE可以是反射电极。当显示元件DD是顶发射类型(或种类)的有机发光元件时，第一电极AE可以是反射电极，第二电极CE可以是透射电极。当显示元件DD是双侧发射类型(或种类)的有机发光元件时，第一电极AE和第二电极CE两者可以是透射电极。在此实施例中，作为示例描述显示元件DD是顶发射类型(或种类)的有机发光元件且第一电极AE是阳电极的情况。
在各个像素区中，第一电极AE可设置在保护层PSV上。第一电极AE可包括能够反射光的反射层以及设置在反射层的顶部或底部上的透明导电层。从反射层和透明导电层中选择的至少一个可连接到漏电极DE。
反射层可包括能够反射光的材料。例如，反射层可包括从铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铂(Pt)、镍(Ni)和它们的任何合金中选择的至少一种。
透明导电层可包括透明导电氧化物。例如，透明导电层可包括从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、掺镓的氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和掺氟的氧化锡(FTO)中选择的至少一种透明导电氧化物。
像素限定层PDL可设置在第一电极AE上方。像素限定层PDL设置在像素区之间，并可借此暴露第一电极AE。另外，像素限定层PDL可与第一电极AE的边缘部分叠置。因此，像素限定层PDL可允许第一电极AE的表面的面对第二基底120的主要部分借此被暴露。
像素限定层PDL可包括有机绝缘材料。例如，像素限定层PDL可包括从聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺(PA)、聚酰亚胺(PI)、聚芳醚(PAE)、杂环聚合物、聚对二甲苯、环氧树脂、苯并环丁烯(BCB)、硅氧烷类树脂和硅烷类树脂中选择的至少一种。
发射层EML可设置在第一电极AE的被暴露的表面上。发射层EML可具有包括至少光产生层(LGL)的多层薄膜结构。例如，发射层EML可包括：空穴注入层(HIL)，用于注入空穴；空穴传输层(HTL)，具有优异的空穴传输性质，HTL用于通过抑制或减少未能在LGL中结合的电子的运动来增大空穴和电子复合的机会；LGL，用于通过注入的电子和空穴的复合来发光；空穴阻挡层(HBL)，用于抑制或减少未能在LGL中结合的空穴的运动；电子传输层(ETL)，将电子顺畅地传输到LGL；以及电子注入层(EIL)，用于注入电子。
在LGL中产生的光的颜色可以是从红色、绿色、蓝色和白色中选择的至少一种，但是此实施例不限于此。例如，在发射层EML的LGL中产生的光的颜色也可以为从品红色、青色和黄色中选择的至少一种。
HIL、HTL、HBL、ETL和EIL可以是在相邻的发光区中连接的公共层。
第二电极CE可设置在发射层EML上。第二电极CE可以是半透反射层。例如，第二电极CE可以是具有光可透射通过其中的厚度的薄金属层。第二电极CE可允许从LGL发射的光的一部分透射通过第二电极CE，并反射从LGL发射的光的剩余部分。
第二电极CE可包括具有逸出功比透明导电层低的材料。例如，第二电极CE可包括从钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和它们的任何合金中选择的至少一种。
从发射层EML发射的光的一部分可不透射通过第二电极CE，从第二电极CE反射的光可从反射层再次反射。例如，从发射层EML发射的光可在反射层与第二电极CE之间共振。可通过光的共振来改善显示元件DD的光提取效率。
可根据从LGL发射的光的颜色来改变反射层与第二电极CE之间的距离。例如，可根据从LGL发射的光的颜色将反射层与第二电极CE之间的距离调整为与共振距离对应。
包封层ECL可设置在第二电极CE上方。包封层ECL可防止氧和湿气渗透到显示元件DD中(或者可减少氧和/或湿气的这样的渗透)。包封层ECL可包括多个无机层和多个有机层。例如，包封层ECL可包括包含无机层以及设置在无机层上的有机层的多个包封单元。无机层可包括从氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锆和氧化锡中选择的至少一种。有机层可包括从亚克力、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)和苯并环丁烯(BCB)中选择的至少一种。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可在第一基体基底SUB1上设置在非显示区NDA中。
第二基底120可包括第二基体基底SUB2、设置在第二基体基底SUB2的一个表面(例如，第二基体基底SUB2的外表面)上的触摸传感器TS以及覆盖触摸传感器TS的覆盖层CVL。
第二基体基底SUB2可包括透明绝缘材料，以使光能够透射通过第二基体基底SUB2。另外，第二基体基底SUB2可以是柔性基底。例如，第二基体基底SUB2可包括从聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)中选择的至少一种。另外，第二基体基底SUB2可包括玻璃纤维增强塑料(FRP)。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的触摸垫TPD以及连接触摸感测电极TSE和触摸垫TPD的感测线SL。
触摸垫TPD可电连接到连接垫CPD。因此，触摸垫TPD可通过连接垫CPD将从外部供应的触摸驱动信号施加到触摸传感器TS，并将通过触摸传感器TS感测的触摸感测信号传输到到外部。
覆盖层CVL可设置在触摸传感器TS上。覆盖层CVL可包括从有机绝缘材料和无机绝缘材料中选择的至少一种。例如，覆盖层CVL可包括从氧化硅和氮化硅中选择的至少一种。由于去除了非感测区NSA的一部分，因此覆盖层CVL可允许触摸传感器TS的触摸垫TPD暴露。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么触摸垫TPD可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。
粘合层ADL可设置在第一基底110与第二基底120之间。粘合层ADL可包括使光能够透射通过粘合层ADL的粘合材料。例如，粘合层ADL可包括从可光固化的粘合剂、热固性粘合剂和压敏粘合剂(PSA)中选择的至少一种。
另外，导电构件可设置在连接垫CPD与触摸垫TPD之间。导电构件可电连接触摸垫TPD和连接垫CPD。导电构件可包括导电球CMB或导电粘合层。在下文中，作为示例描述导电构件包括导电球的情况。导电球CMB可以以导电球CMB分布在各向异性导电膜或各向异性导电树脂中的形式设置。
在第二基底120弯曲的状态下的触摸垫TPD与连接垫CPD之间的距离可小于在第二基底120不弯曲的状态下的触摸垫TPD与连接垫CPD之间的距离。例如，触摸垫TPD与连接垫CPD之间的距离可随着第二基底120的弯曲而减小。
如果触摸垫TPD与连接垫CPD之间的距离减小，那么导电球CMB的尺寸也会减小。如果导电球CMB的尺寸小，那么虽然存在(或呈现)多个导电球CMB，但是可减小导电球CMB的尺寸的变化。因此，能够防止由于导电球CMB的尺寸的变化而导致的触摸垫TPD与连接垫CPD之间的接触故障(或者能够减少这样的接触故障的可能性或程度)。
此外，如果导电球CMB的尺寸减小，那么能够减少由于第一基底110与第二基底120之间的距离不均匀性导致的故障。例如，能够使设置有导电球CMB的区域中的第一基底110与第二基底120之间的距离以及不设置有导电球CMB的区域中的第一基底110与第二基底120之间的距离均匀(或一致)。
在下文中，将参照图8至图14描述显示装置的制造方法。
图8至图14是示出图1至图7中示出的显示装置的制造方法的工艺剖视图。
参照图8，制备第一基底110。第一基底110可包括第一基体基底SUB1、设置在第一基体基底SUB1上的驱动层DDL、设置在驱动层DDL上的光学层OPL以及设置在光学层OPL上的包封层ECL。
在下文中，将更详细地描述第一基底110的制造方法。
在第一基体基底SUB1上形成驱动层DDL。
第一基体基底SUB1可包括显示区(见图2的“DA”)和非显示区(见图2的“NDA”)。
第一基体基底SUB1可包括透明绝缘材料，以使光能够透射通过第一基体基底SUB1。另外，第一基体基底SUB1可以是刚性基底或柔性基底。
驱动层DDL可包括至少一个薄膜晶体管(见图7的“TFT”)和覆盖薄膜晶体管TFT的保护层(见图7的“PSV”)。薄膜晶体管TFT可包括半导体层(见图7的“SCL”)、栅电极(见图7的“GE”)、源电极(见图7的“SE”)和漏电极(见图7的“DE”)。
可如下制造驱动层DDL。
首先，在第一基体基底SUB1上形成缓冲层(见图7的“BUL”)。缓冲层BUL可包括无机绝缘材料。
在形成缓冲层BUL之后，在缓冲层BUL上形成半导体层SCL。在半导体层SCL中，连接到源电极SE和漏电极DE的区域可以是掺杂有或注入有杂质的源区和漏区。位于源区与漏区之间的区域可以是沟道区。
可通过在缓冲层BUL上形成半导体材料然后将半导体材料图案化来形成半导体层SCL。半导体材料可包括从非晶Si、多晶Si、氧化物半导体和有机半导体中选择的至少一种。
在形成半导体层SCL之后，可形成覆盖半导体层SCL的栅极绝缘层(见图7的“GI”)。栅极绝缘层GI可覆盖半导体层SCL和第一基体基底SUB1。栅极绝缘层GI可使半导体层SCL和栅电极GE彼此绝缘。栅极绝缘层GI可包括从有机绝缘材料和无机绝缘材料中选择的至少一种。
在形成栅极绝缘层GI之后，在栅极绝缘层GI上形成栅电极GE。栅电极GE的至少的一部分可与半导体层SCL叠置。可通过在栅极绝缘层GI上沉积低电阻的导电材料并将低电阻的导电材料图案化来形成栅电极GE。低电阻的导电材料可以是从金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)、钨(W)和它们的任何合金中选择的至少一种。另外，栅电极GE可包括顺序堆叠的多个导电层。
在形成栅电极GE之后，形成覆盖栅电极GE的层间绝缘层(见图7的“ILD”)。层间绝缘层ILD可包括从有机绝缘材料和无机绝缘材料中选择的至少一种。例如，层间绝缘层ILD可包括从氧化硅和氮化硅中选择的至少一种。层间绝缘层ILD可使源电极SE和漏电极DE与栅电极GE绝缘。
在形成层间绝缘层ILD之后，通过将层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI图案化来暴露半导体层SCL的源区和漏区。
在将层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI图案化之后，在层间绝缘层ILD上形成源电极SE和漏电极DE。可通过沉积低电阻的导电材料并使低电阻的导电材料图案化来形成源电极SE和漏电极DE。低电阻的导电材料可以是从金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)、钨(W)和它们的任何合金中选择的至少一种。另外，源电极SE和漏电极DE可包括顺序堆叠的多个导电层。
在此实施例中，已作为示例描述了薄膜晶体管TFT是具有顶栅极结构的薄膜晶体管的情况，但是本公开不限于此。例如，薄膜晶体管TFT可以是具有底栅极结构的薄膜晶体管。如果薄膜晶体管TFT是具有底栅极结构的薄膜晶体管，那么可在形成半导体层SCL之前首先形成栅电极GE，可在形成半导体层SCL之后形成源电极SE和漏电极DE。
在形成薄膜晶体管TFT之后，形成覆盖薄膜晶体管TFT的保护层PSV。保护层PSV可包括至少一个层。例如，保护层PSV可包括无机保护层和设置在无机保护层上的有机保护层。有机保护层可包括从亚克力、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)和苯并环丁烯(BCB)中选择的至少一种。另外，有机保护层可以是透明且柔性的平坦化层，以减少下结构的起伏并使下结构的起伏平坦化。
同时，在形成驱动层DDL的同时，可在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中形成包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA。连接垫CPD可包括与栅电极GE相同或基本上相同的材料，并可以以与栅电极GE相同的工艺来制造。在一些实施例中，连接垫CPD可包括与源电极SE和漏电极DE相同的材料，并可以以与关于源电极SE和漏电极DE的描述相同或基本上相同的工艺来制造连接垫CPD。
在形成驱动层DDL之后，通过将保护层PSV图案化来暴露薄膜晶体管TFT的漏电极DE。
在将保护层PSV图案化之后，在保护层PSV上形成光学层OPL。光学层OPL可包括电连接到漏电极DE的显示元件(见图7的“DD”)。显示元件DD可包括连接到漏电极DE的第一电极(见图7的“AE”)、设置在第一电极AE上的发射层(见图7的“EML”)以及设置在发射层EML上的第二电极(见图7的“CE”)。
可如下形成光学层OPL。
在保护层PSV上形成第一电极AE。第一电极AE可包括能够反射光的反射层和设置在反射层的顶部或底部上的透明导电层。从反射层和透明导电层中选择的至少一个可连接到漏电极DE。
在形成第一电极AE之后，形成通过其暴露第一电极AE的像素限定层(见图7的“PDL”)。可通过在第一电极AE和保护层PSV上涂覆有机绝缘材料并将有机绝缘材料图案化来形成像素限定层PDL。有机绝缘材料可包括从聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺(PA)、聚酰亚胺(PI)、聚芳醚(PAE)、杂环聚合物、聚对二甲苯、环氧树脂、苯并环丁烯(BCB)、硅氧烷类树脂和硅烷类树脂中选择的至少一种。
在像素区PXA之间设置像素限定层PDL，可通过像素限定层PDL来暴露第一电极AE。另外，像素限定层PDL可与第一电极AE的边缘部分叠置。因此，像素限定层PDL可允许第一电极AE的面对第二基底120的表面的主要部分通过像素限定层PDL暴露。
在形成像素限定层PDL之后，在第一电极AE上形成发射层EML。发射层EML可具有包括至少光产生层(LGL)的多层薄膜结构。例如，发射层EML可包括：空穴注入层(HIL)，用于注入空穴；空穴传输层(HTL)，具有优异的空穴传输性质，HTL用于通过抑制或减少未能在LGL中结合的电子的运动来增大空穴和电子复合的机会；LGL，用于通过注入的电子和空穴的复合来发光；空穴阻挡层(HBL)，用于抑制或减少未能在LGL中结合的空穴的运动；电子传输层(ETL)，将电子顺畅地传输到LGL；以及电子注入层(EIL)，用于注入电子。
在LGL中产生的光的颜色可以是从红色、绿色、蓝色和白色中选择的至少一种，但是此实施例不限于此。例如，在发射层EML的LGL中产生的光的颜色也可以为从品红色、青色和黄色中选择的至少一种。
HIL、HTL、HBL、ETL和EIL可以是在相邻的发光区中连接的公共层。
在形成发射层EML之后，在发射层EML上形成第二电极CE。第二电极CE可以是具有光可透射通过的厚度的薄金属层。第二电极CE可允许从LGL发射的光的一部分透射通过第二电极CE，并反射从LGL发射的光的剩余部分。第二电极CE可包括具有逸出功比透明导电层低的材料。
在形成第二电极CE之后，在光学层OPL上形成包封层ECL。可在第二电极CE上方设置包封层ECL。包封层ECL可防止氧和湿气渗透到显示元件DD中(或者可减少氧和/或湿气的这样的渗透)。包封层ECL可包括多个无机层和多个有机层。
在制备第一基底110之后，制备第二基底120(见图6的“120”)。第二基底120可包括第二基体基底(见图6的“SUB2”)、设置在第二基体基底SUB2的一个表面(例如，第二基体基底SUB2的背对第一基底110的表面)上的触摸传感器(见图6的“TS”)以及覆盖触摸传感器TS的覆盖层(见图6的“CVL”)。
在下文中，将参照图9至图12来描述第二基底120的制造方法。
参照图9，在载体基底CSB上形成牺牲层SCR。
载体基底CSB可以是用于制造第二基底120的支撑基底。载体基底CSB是刚性基底，并可以是从玻璃基底、石英基底、玻璃陶瓷基底和晶体玻璃基底中选择的至少一种。
牺牲层SCR可以是用于将在载体基底CSB上制造的第二基底120分开的层。牺牲层SCR可包括相对于第二基底120具有选择性蚀刻率的材料以及蚀刻剂。在一些实施例中，牺牲层SCR可包括通过激光或热减小粘附性的材料。
在形成牺牲层SCR之后，在牺牲层SCR上形成第二基底120。
现在将更详细地描述在牺牲层SCR上形成第二基底120。在形成牺牲层SCR之后，在牺牲层SCR上形成覆盖层CVL。覆盖层CVL可包括从有机绝缘材料和无机绝缘材料中选择的至少一种。例如，覆盖层CVL可包括从氧化硅和氮化硅中选择的至少一种。
在形成覆盖层CVL之后，在覆盖层CVL上形成触摸传感器TS。触摸传感器TS可包括设置在感测区(见图3的“SA”)中的触摸感测电极(见图3的“TSE”)、设置在非感测区(见图3的“NSA”)中的触摸垫(见图3的“TPD”)以及连接触摸感测电极TSE和触摸垫TPD的感测线(见图3的“SL”)。
在形成触摸传感器TS之后，在触摸传感器TS上形成第二基体基底SUB2。第二基体基底SUB2可以是透明柔性基底。例如，第二基体基底SUB2可包括从聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)中选择的至少一种。
在此实施例中，已作为示例描述了在形成牺牲层SCR之后在牺牲层SCR上顺序地形成覆盖层CVL、触摸传感器TS和第二基体基底SUB2的情况，但是本公开不限于此。例如，在形成牺牲层SCR之后，在牺牲层SCR上可顺序地形成第二基体基底SUB2、触摸传感器TS和覆盖层CVL。
参照图10，在牺牲层SCR上形成第二基底120之后，载体基底CSB与第二基底120彼此分开。这里，可根据牺牲层SCR的特性来改变将载体基底CSB和第二基底120彼此分开的方法。
例如，当牺牲层SCR包括相对于第二基底120具有选择性蚀刻率的材料以及蚀刻剂时，可使用蚀刻剂来去除牺牲层SCR，使得载体基底CSB和第二基底120可彼此分开。
在一些实施例中，当牺牲层SCR包括通过激光或加热来减小粘附性的材料时，可通过将激光或热施加到牺牲层SCR来减小牺牲层SCR的粘附性，并且载体基底CSB和第二基底120可物理上彼此分开。
参照图11，在将载体基底CSB和第二基底120彼此分开之后，通过将覆盖层CVL图案化来去除覆盖层CVL的一部分。可通过覆盖层CVL的图案化来暴露触摸垫TPD。
参照图12，在暴露触摸垫TPD之后，第二基底120弯曲。第二基底120弯曲的区域可以是触摸垫TPD设置在非感测区NSA中的区域。
参照图13，在第二基底120弯曲之后，在第一基底110上形成粘合层ADL。这里，可不在连接垫单元CPDA上设置粘合层ADL。粘合层ADL可包括使光能够透射通过粘合层ADL的粘合材料。例如，粘合层ADL可包括从可光固化的粘合剂、热固性粘合剂和压敏粘合剂(PSA)中选择的至少一种。
然后，在连接垫CPD上设置导电球CMB。可以以导电球CMB分布在各向异性导电膜或各向异性导电树脂中的方式来设置导电球CMB。
同时，在此实施例中，已作为示例描述了在形成粘合层ADL之后设置导电球CMB的情况，但是本公开不限于此。例如，可首先设置导电球CMB然后可形成粘合层ADL。
在连接垫CPD上设置导电球CMB之后，第二基底120可设置在第一基底110上。这里，连接垫CPD和触摸垫TPD可彼此相对。
参照图14，在第一基底110上设置第二基底120之后，通过对第一基底110和第二基底120施加热或压力或者通过对第一基底110和第二基底120照射光来将第一基底110和第二基底120结合到一起。
这里，可通过粘合层ADL将第一基底110和第二基底120结合到一起，连接垫CPD与触摸垫TPD可通过导电球CMB电连接。
在第二基底120弯曲的状态下的触摸垫TPD与连接垫CPD之间的距离可小于在第二基底120不弯曲的状态下的触摸垫TPD与连接垫CPD之间的距离。例如，触摸垫TPD与连接垫CPD之间的距离可随着第二基底120弯曲而减小。
如果触摸垫TPD与连接垫CPD之间的距离减小，那么导电球CMB的尺寸会可减小。如果导电球CMB的尺寸小，则虽然存在(或呈现)多个导电球CMB，但是可减小导电球CMB的尺寸的变化。因此，能够防止由于导电球CMB的尺寸的变化而导致的触摸垫TPD与连接垫CPD之间的接触故障(或者能够减少这样的接触故障的可能性或程度)。
此外，如果导电球CMB的尺寸减小，那么能够减少由于第一基底110与第二基底120之间的距离不均匀性导致的故障。例如，能够使设置有导电球CMB的区域中的第一基底110与第二基底120之间的距离以及不设置有导电球CMB的区域中的第一基底110与第二基底120之间的距离均匀(或一致)。
图15是示出根据本公开的另一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图5和图15，显示装置可包括第一基底110、与第一基底110相对的第二基底120以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括：第一基体基底SUB1；驱动层DDL，设置在第一基体基底SUB1上；光学层OPL，设置在驱动层DDL上；以及包封层ECL，设置在光学层OPL上。
第一基体基底SUB1可包括显示区DA和非显示区NDA。多个像素区PXA可设置在显示区DA中。非显示区NDA可与显示区DA相邻设置。
第一基体基底SUB1可包括透明绝缘材料，以使光能够透射通过第一基体基底SUB1。另外，第一基体基底SUB1可以是刚性基底或柔性基底。
驱动层DDL设置在第一基体基底SUB1上，并可包括设置在各个像素区PXA中的至少一个薄膜晶体管以及覆盖薄膜晶体管的保护层。
光学层OPL设置在驱动层DDL上，并可包括连接到薄膜晶体管的显示元件。
包封层ECL可设置在光学层OPL上。例如，包封层ECL可覆盖光学层OPL。另外，包封层ECL可防止氧和湿气渗透到显示元件DD中(或可减少氧和/或湿气的这样的渗透)。包封层ECL可包括多个无机层和多个有机层。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可设置在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中。
第二基底120可包括第二基体基底SUB2、设置在第二基体基底SUB2的一个表面(例如，第二基体基底SUB2的外表面)上的触摸传感器TS以及覆盖触摸传感器TS的覆盖层CVL。
第二基体基底SUB2可以是透明柔性基底。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的触摸垫TPD以及连接触摸感测电极TSE和触摸垫TPD的感测线SL。
覆盖层CVL可设置在触摸传感器TS上。由于去除了非感测区NSA的一部分，因此覆盖层CVL可允许触摸传感器TS的触摸垫TPD暴露。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么触摸垫TPD可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。导电构件可设置在连接垫CPD与触摸垫TPD之间。导电构件可包括导电球或导电粘合层CAL。在下文中，作为示例描述导电构件包括导电粘合层CAL的情况。导电粘合层CAL可电连接触摸垫TPD和连接垫CPD。导电粘合层CAL可包括导电膏。例如，导电粘合层CAL可包括从Ag膏、Cu膏、焊膏和ITO膏中选择的至少一种。
粘合层ADL可设置在第一基底110与第二基底120之间。粘合层ADL可将第一基底110和第二基底120结合到一起。
在本公开的实施例中，导电粘合层CAL被应用为电连接连接垫CPD和触摸垫TPD的导电构件。例如，导电球不用于电连接连接垫CPD和触摸垫TPD，因此能够防止因导电球的尺寸的变化导致的连接垫CPD与触摸垫TPD之间的接触故障(或者能够减少这样的接触故障的可能性或程度)。
图16是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图5和图16，显示装置可包括第一基底110、与第一基底110相对的第二基底120以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括：第一基体基底SUB1，包括显示区DA和非显示区NDA；驱动层DDL，设置在第一基体基底SUB1上，驱动层DDL包括至少一个薄膜晶体管；光学层OPL，设置在驱动层DDL上，光学层OPL包括连接到薄膜晶体管的显示元件；以及包封层ECL，覆盖光学层OPL。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可设置在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中。
第二基底120可包括：第二基体基底SUB2，包括感测区SA和非感测区NSA；触摸传感器TS，设置在第二基体基底SUB2的一个表面(例如，第二基体基底SUB2的外表面)上；以及覆盖层CVL，覆盖触摸传感器TS。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的触摸垫TPD以及连接触摸感测电极TSE和触摸垫TPD的感测线SL。
覆盖层CVL可设置在触摸传感器TS上。由于去除了非感测区NSA的一部分，因此覆盖层CVL可允许触摸传感器TS的触摸垫TPD暴露。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么触摸垫TPD可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。另外，触摸垫TPD可与连接垫CPD直接接触。
粘合层ADL可设置在第一基底110与第二基底120之间。粘合层ADL可将第一基底110和第二基底120结合到一起。
在本公开的实施例中，连接垫CPD和触摸垫TPD彼此直接接触，不需要导电球。因此，能够防止因导电球的尺寸的变化导致的连接垫CPD与触摸垫TPD之间的接触故障(或者能够减少这样的接触故障的可能性或程度)。
图17是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图5和图17，显示装置可包括第一基底110、与第一基底110相对的第二基底120以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括：第一基体基底SUB1，包括显示区DA和非显示区NDA；驱动层DDL，设置在第一基体基底SUB1上，驱动层DDL包括至少一个薄膜晶体管；光学层OPL，设置在驱动层DDL上，光学层OPL包括连接到薄膜晶体管的显示元件；以及包封层ECL，覆盖光学层OPL。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可设置在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中。
第二基底120可包括：第二基体基底SUB2，包括感测区SA和非感测区NSA；触摸传感器TS，设置在第二基体基底SUB2的一个表面(例如，第二基体基底SUB2的外表面)上；以及覆盖层CVL，覆盖触摸传感器TS。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的触摸垫TPD以及连接触摸感测电极TSE和触摸垫TPD的感测线SL。
覆盖层CVL可设置在触摸传感器TS上。由于去除了非感测区NSA的一部分，因此覆盖层CVL可允许触摸传感器TS的触摸垫TPD暴露。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么触摸垫TPD可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。
在非感测区NSA中，弹性构件ADC可设置在第二基体基底SUB2的随着第二基底120弯曲而设置为彼此面对的区域之间。弹性构件ADC可包括弹性膜和粘合剂，其中，即使当弹性膜通过外部压力或外部冲击而变形时，弹性膜也能够恢复其初始形状，粘合剂涂覆在弹性膜的两个表面上。因此，弹性构件ADC可用作允许保持(例如，至少基本上保持)第二基底120的弯曲形状的支撑体。
导电球CMB可设置在连接垫CPD与触摸垫TPD之间。导电球CMB可电连接触摸垫TPD和连接垫CPD。在此实施例中，已作为示例描述了使用导电球CMB电连接连接垫CPD和触摸垫TPD的情况，但是本公开不限于此。例如，可使用导电粘合层电连接连接垫CPD和触摸垫TPD。
图18是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图5和图18，显示装置可包括第一基底110、与第一基底110相对的第二基底120以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括：第一基体基底SUB1，包括显示区DA和非显示区NDA；驱动层DDL，设置在第一基体基底SUB1上，驱动层DDL包括至少一个薄膜晶体管；光学层OPL，设置在驱动层DDL上，光学层OPL包括连接到薄膜晶体管的显示元件；以及包封层ECL，覆盖光学层OPL。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可设置在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中。
第二基底120可包括：第二基体基底SUB2，包括感测区SA和非感测区NSA；触摸传感器TS，设置在第二基体基底SUB2的一个表面(例如，第二基体基底SUB2的外表面)上；以及覆盖层CVL，覆盖触摸传感器TS。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的触摸垫TPD以及连接触摸感测电极TSE和触摸垫TPD的感测线SL。
覆盖层CVL可设置在触摸传感器TS上。由于去除了非感测区NSA的一部分，因此覆盖层CVL可允许触摸传感器TS的触摸垫TPD暴露。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么触摸垫TPD可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。另外，触摸垫TPD可与连接垫CPD直接接触。
在非感测区NSA中，具有粘附性的弹性构件ADC可设置在第二基体基底SUB2的随着第二基底120弯曲而设置为彼此面对的区域之间。可通过弹性构件ADC保持(例如，至少基本上保持)第二基底120的弯曲形状。
图19是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图5和图19，显示装置可包括第一基底110、与第一基底110相对的第二基底120、设置在第二基底120的一个表面上的偏振层POL以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括：第一基体基底SUB1，包括显示区DA和非显示区NDA；驱动层DDL，设置在第一基体基底SUB1上，驱动层DDL包括至少一个薄膜晶体管；光学层OPL，设置在驱动层DDL上，光学层OPL包括连接到薄膜晶体管的显示元件；以及包封层ECL，覆盖光学层OPL。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可设置在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中。
第二基底120可包括：第二基体基底SUB2，包括感测区SA和非感测区NSA；触摸传感器TS，设置在第二基体基底SUB2的一个表面(例如，第二基体基底SUB2的外表面)上；以及覆盖层CVL，覆盖触摸传感器TS。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的触摸垫TPD以及连接触摸感测电极TSE和触摸垫TPD的感测线SL。
覆盖层CVL可设置在触摸传感器TS上。由于去除了非感测区NSA的一部分，因此覆盖层CVL可允许触摸传感器TS的触摸垫TPD暴露。
偏振层POL可设置在覆盖层CVL上。偏振层POL防止入射到显示装置中的外部光被反射(或者减少这样的反射的量或程度)，从而改善显示装置的显示质量。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么触摸垫TPD可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。
在非感测区NSA中，具有粘附性的弹性构件ADC可设置在第二基体基底SUB2的随着第二基底120弯曲而设置为彼此面对的区域之间。可通过弹性构件ADC保持(例如，至少基本上保持)第二基底120的弯曲形状。
导电球CMB可设置在连接垫CPD与触摸垫TPD之间。导电球CMB可电连接触摸垫TPD和连接垫CPD。在此实施例中，已作为示例描述了使用导电球CMB电连接连接垫CPD和触摸垫TPD的情况，但是本公开不限于此。例如，可使用导电粘合层来电连接连接垫CPD和触摸垫TPD。
图20是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图5和图20，显示装置可包括第一基底110、与第一基底110相对的第二基底120、设置在第一基底110与第二基底120之间的偏振层POL以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括：第一基体基底SUB1，包括显示区DA和非显示区NDA；驱动层DDL，设置在第一基体基底SUB1上，驱动层DDL包括至少一个薄膜晶体管；光学层OPL，设置在驱动层DDL上，光学层OPL包括连接到薄膜晶体管的显示元件；以及包封层ECL，覆盖光学层OPL。
偏振层POL可设置在包封层ECL与粘合层ADL之间。偏振层POL防止入射到显示装置中的外部光被反射(或者减少这样的反射的量或程度)，从而改善显示装置的显示质量。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可设置在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中。
第二基底120可包括：第二基体基底SUB2，包括感测区SA和非感测区NSA；触摸传感器TS，设置在第二基体基底SUB2的一个表面(例如，第二基体基底SUB2的外表面)上；以及覆盖层CVL，覆盖触摸传感器TS。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的触摸垫TPD以及连接触摸感测电极TSE和触摸垫TPD的感测线SL。
覆盖层CVL可设置在触摸传感器TS上。由于去除了非感测区NSA的一部分，因此覆盖层CVL可允许触摸传感器TS的触摸垫TPD暴露。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么触摸垫TPD可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。
在非感测区NSA中，具有粘附性的弹性构件ADC可设置在第二基体基底SUB2的随着第二基底120弯曲而设置为彼此面对的区域之间。可通过弹性构件ADC保持(例如，至少基本上保持)第二基底120的弯曲形状。
导电球CMB可设置在连接垫CPD与触摸垫TPD之间。导电球CMB可电连接触摸垫TPD和连接垫CPD。在此实施例中，已作为示例描述了使用导电球CMB电连接连接垫CPD和触摸垫TPD的情况，但是本公开不限于此。例如，可使用导电粘合层来电连接连接垫CPD和触摸垫TPD。
图21是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图5和图21，显示装置可包括第一基底110、与第一基底110相对的第二基底120、设置在第二基底120一个表面上的偏振层POL以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括：第一基体基底SUB1，包括显示区DA和非显示区NDA；驱动层DDL，设置在第一基体基底SUB1上，驱动层DDL包括至少一个薄膜晶体管；光学层OPL，设置在驱动层DDL上，光学层OPL包括连接到薄膜晶体管的显示元件；以及包封层ECL，覆盖光学层OPL。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可设置在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中。
第二基底120可包括：第二基体基底SUB2，包括感测区SA和非感测区NSA；触摸传感器TS，设置在第二基体基底SUB2的一个表面(例如，第二基体基底SUB2的外表面)上；以及覆盖层CVL，覆盖触摸传感器TS。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的触摸垫TPD、连接触摸感测电极TSE和触摸垫TPD的感测线SL以及从触摸垫TPD的一部分突出的突出凸块PTB。
覆盖层CVL可设置在触摸传感器TS上。由于去除了非感测区NSA的一部分，因此覆盖层CVL可允许触摸传感器TS的触摸垫TPD暴露。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么触摸垫TPD和突出凸块PTB可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。另外，突出凸块PTB可面对连接垫CPD设置。另外，突出凸块PTB可与连接垫CPD直接接触。
在非感测区NSA中，具有粘附性的弹性构件ADC可设置在第二基体基底SUB2的随着第二基底120弯曲而设置为彼此面对的区域之间。弹性构件ADC可用作允许保持(例如，至少基本上保持)第二基底120的弯曲形状的支撑体。
图22是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图5和图22，显示装置可包括第一基底110、与第一基底110相对的第二基底120以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括：第一基体基底SUB1，包括显示区DA和非显示区NDA；驱动层DDL，设置在第一基体基底SUB1上，驱动层DDL包括至少一个薄膜晶体管；光学层OPL，设置在驱动层DDL上，光学层OPL包括连接到薄膜晶体管的显示元件；以及包封层ECL，覆盖光学层OPL。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可设置在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中。
第二基底120可包括：第二基体基底SUB2，包括感测区SA和非感测区NSA；以及触摸传感器TS，设置在第二基体基底SUB2上。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的金属图案IMP以及连接触摸感测电极TSE和金属图案IMP的感测线SL。
触摸感测电极TSE和感测线SL可设置在第二基体基底SUB2的一个表面(例如，第二基体基底SUB2的面对第一基底110的表面)上。
金属图案IMP可包括第一图案IMP1、第二图案IMP2和第三图案IMP3。第一图案IMP1和第三图案IMP3可分别设置在第二基体基底SUB2的不同的表面上。
第一图案IMP1可设置在第二基体基底SUB2的一个表面(例如，其上设置有触摸感测电极TSE和感测线SL的表面)上。第二图案IMP2可设置在穿过第二基体基底SUB2的通孔PH中。另外，第二图案IMP2可连接第一图案IMP1和第三图案IMP3。第三图案IMP3可设置在第二基体基底SUB2的另一表面(例如，与其上设置有触摸感测电极TSE和感测线SL的表面背对的表面)上。
金属图案IMP可在第二基底120弯曲之前与感测线SL分隔开。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么金属图案IMP可电连接到感测线SL。因此，金属图案IMP可用作触摸垫。例如，第二基底120弯曲，第一图案IMP1可面对感测线SL。另外，第一图案IMP1可与感测线SL直接接触。另外，第三图案IMP3可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。
导电球CMB可设置在连接垫CPD与第三图案IMP3之间。导电球CMB可电连接第三图案IMP3和连接垫CPD。在此实施例中，已作为示例描述了使用导电球CMB电连接连接垫CPD和第三图案IMP3的情况，但是本公开不限于此。例如，可使用导电粘合层来电连接连接垫CPD和第三图案IMP3。
图23是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图5和图23，显示装置可包括第一基底110、与第一基底110相对的第二基底120以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括：第一基体基底SUB1，包括显示区DA和非显示区NDA；驱动层DDL，设置在第一基体基底SUB1上，驱动层DDL包括至少一个薄膜晶体管；光学层OPL，设置在驱动层DDL上，光学层OPL包括连接到薄膜晶体管的显示元件；以及包封层ECL，覆盖光学层OPL。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可设置在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中。
第二基底120可包括：第二基体基底SUB2，包括感测区SA和非感测区NSA；以及触摸传感器TS，设置在第二基体基底SUB2上。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的金属图案IMP以及连接触摸感测电极TSE和金属图案IMP的感测线SL。
触摸感测电极TSE和感测线SL可设置在第二基体基底SUB2的一个表面(例如，第二基体基底SUB2的面对第一基底110的表面)上。
金属图案IMP可包括第一图案IMP1、第二图案IMP2和第三图案IMP3。第一图案IMP1可设置在第二基体基底SUB2的其上设置有触摸感测电极TSE和感测线SL的表面上。第二图案IMP2可设置在穿过第二基体基底SUB2的通孔PH中。另外，第二图案IMP2可连接第一图案IMP1和第三图案IMP3。第三图案IMP3可设置在与第二基体基底SUB2的其上设置有第一图案IMP1的表面背对的表面上。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么第一图案IMP1可面对感测线SL，并且第三图案IMP3可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。
第一导电球CMB可设置在连接垫CPD与第三图案IMP3之间。第一导电球CMB可电连接第三图案IMP3和连接垫CPD。在此实施例中，已作为示例描述了使用第一导电球CMB电连接连接垫CPD和第三图案IMP3的情况，但是本公开不限于此。例如，可使用导电粘合层来电连接连接垫CPD和第三图案IMP3。
至少一个第二导电球CMB'可设置在第一图案IMP1与感测线SL之间。第二导电球CMB'可电连接第一图案IMP1和感测线SL。这里，第二导电球CMB'的尺寸可等于或小于第一导电球CMB的尺寸。在此实施例中，已作为示例描述了使用第二导电球CMB'电连接第一图案IMP1和感测线SL的情况，但是本公开不限于此。例如，可使用导电粘合层来电连接感测线SL和第一图案IMP1。
图24是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图5和图24，显示装置可包括第一基底110、与第一基底110相对的第二基底120以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括：第一基体基底SUB1，包括显示区DA和非显示区NDA；驱动层DDL，设置在第一基体基底SUB1上，驱动层DDL包括至少一个薄膜晶体管；光学层OPL，设置在驱动层DDL上，光学层OPL包括连接到薄膜晶体管的显示元件；以及包封层ECL，覆盖光学层OPL。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可设置在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中。
第二基底120可包括：第二基体基底SUB2，包括感测区SA和非感测区NSA；以及触摸传感器TS，设置在第二基体基底SUB2上。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的金属图案IMP以及连接触摸感测电极TSE和金属图案IMP的感测线SL。
触摸感测电极TSE和感测线SL可设置在第二基体基底SUB2的面对第一基底110的表面上。
金属图案IMP可包括第一图案IMP1、第二图案IMP2和第三图案IMP3。第一图案IMP1可设置在第二基体基底SUB2的其上设置有触摸感测电极TSE和感测线SL的表面上。第二图案IMP2可设置在穿过第二基体基底SUB2的通孔PH中。另外，第二图案IMP2可连接第一图案IMP1和第三图案IMP3。第三图案IMP3可设置在与第二基体基底SUB2的其上设置有第一图案IMP1的表面背对的表面上。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么第一图案IMP1可面对感测线SL，并且第三图案IMP3可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。
第一导电球CMB可设置在第一图案IMP1与感测线SL之间。第一导电球CMB可电连接第一图案IMP1和感测线SL。在此实施例中，已作为示例描述了使用第一导电球CMB电连接第一图案IMP1和感测线SL的情况，但是本公开不限于此。例如，可使用导电粘合层来电连接第一图案IMP1和感测线SL。
至少一个第二导电球CMB'可设置在连接垫CPD与第三图案IMP3之间。第二导电球CMB'可电连接第三图案IMP3和连接垫CPD。这里，第二导电球CMB'的尺寸可等于或小于第一导电球CMB的尺寸。在此实施例中，已作为示例描述了使用第二导电球CMB'电连接连接垫CPD和第三图案IMP3的情况，但是本公开不限于此。例如，可使用导电粘合层来电连接连接垫CPD和第三图案IMP3。
图25是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图5和图25，显示装置可包括第一基底110、与第一基底110相对的第二基底120以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括：第一基体基底SUB1，包括显示区DA和非显示区NDA；驱动层DDL，设置在第一基体基底SUB1上，驱动层DDL包括至少一个薄膜晶体管；光学层OPL，设置在驱动层DDL上，光学层OPL包括连接到薄膜晶体管的显示元件；以及包封层ECL，覆盖光学层OPL。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可设置在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中。
第二基底120可包括：第二基体基底SUB2，包括感测区SA和非感测区NSA；以及触摸传感器TS，设置在第二基体基底SUB2上。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的金属图案IMP以及连接触摸感测电极TSE和金属图案IMP的感测线SL。
触摸感测电极TSE和感测线SL可设置在第二基体基底SUB2的面对第一基底110的表面上。
金属图案IMP可包括第一图案IMP1、第二图案IMP2和第三图案IMP3。第一图案IMP1可设置在第二基体基底SUB2的其上设置有触摸感测电极TSE和感测线SL的表面上。另外，第一图案IMP1可具有感测线SL延伸的形状。第二图案IMP2可设置在穿过第二基体基底SUB2的通孔PH中。另外，第二图案IMP2可连接第一图案IMP1和第三图案IMP3。第三图案IMP3可设置在与第二基体基底SUB2的其上设置有第一图案IMP1的表面背对的表面上。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么第三图案IMP3可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。
导电球CMB可设置在连接垫CPD与第三图案IMP3之间。导电球CMB可电连接第三图案IMP3和连接垫CPD。在此实施例中，已作为示例描述了使用导电球CMB电连接连接垫CPD和第三图案IMP3的情况，但是本公开不限于此。例如，可使用导电粘合层来电连接连接垫CPD和第三图案IMP3。
在非感测区NSA中，具有粘附性的弹性构件ADC可设置在随着第二基底120弯曲而彼此面对的感测线SL与第一图案IMP1之间。弹性构件ADC可用作允许保持(例如，至少基本上保持)第二基底120的弯曲形状的支撑体。
图26是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图5和图26，显示装置可包括第一基底110、与第一基底110相对的第二基底120以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括：第一基体基底SUB1，包括显示区DA和非显示区NDA；驱动层DDL，设置在第一基体基底SUB1上，驱动层DDL包括至少一个薄膜晶体管；光学层OPL，设置在驱动层DDL上，光学层OPL包括连接到薄膜晶体管的显示元件；以及包封层ECL，覆盖光学层OPL。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可设置在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中。
第二基底120可包括：第二基体基底SUB2，包括感测区SA和非感测区NSA；以及触摸传感器TS，设置在第二基体基底SUB2上。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的金属图案IMP以及连接触摸感测电极TSE和金属图案IMP的感测线SL。
触摸感测电极TSE和感测线SL可设置在第二基体基底SUB2的面对第一基底110的表面上。
金属图案IMP可包括第一图案IMP1、第二图案IMP2和第三图案IMP3。第一图案IMP1可设置在第二基体基底SUB2的其上设置有触摸感测电极TSE和感测线SL的表面上。另外，第一图案IMP1可具有感测线SL延伸的形状。第二图案IMP2可设置在穿过第二基体基底SUB2的通孔PH中。另外，第二图案IMP2可连接第一图案IMP1和第三图案IMP3。第三图案IMP3可设置在与第二基体基底SUB2的其上设置有第一图案IMP1的表面背对的表面上。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么第三图案IMP3可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。第三图案IMP3可与连接垫CPD直接接触。
在非感测区NSA中，具有粘附性的弹性构件ADC可设置在随着第二基底120弯曲而彼此面对的感测线SL与第一图案IMP1之间。可通过弹性构件ADC保持(例如，至少基本上保持)第二基底120的弯曲形状。
图27是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图5和图27，显示装置可包括第一基底110、与第一基底110相对的第二基底120以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括：第一基体基底SUB1，包括显示区DA和非显示区NDA；驱动层DDL，设置在第一基体基底SUB1上，驱动层DDL包括至少一个薄膜晶体管；光学层OPL，设置在驱动层DDL上，光学层OPL包括连接到薄膜晶体管的显示元件；以及包封层ECL，覆盖光学层OPL。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可设置在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中。
第二基底120可包括：第二基体基底SUB2，包括感测区SA和非感测区NSA；触摸传感器TS，设置在第二基体基底SUB2上；以及覆盖层CVL。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的金属图案IMP、连接触摸感测电极TSE和金属图案IMP的第一感测线SL1、与金属图案IMP分隔开设置的触摸垫TPD以及连接金属图案IMP和触摸垫TPD的第二感测线SL2。
触摸感测电极TSE和第一感测线SL1可设置在第二基体基底SUB2的面对第一基底110的表面上。
金属图案IMP可包括第一图案IMP1、第二图案IMP2和第三图案IMP3。第一图案IMP1可设置在第二基体基底SUB2的其上设置有触摸感测电极TSE和第一感测线SL1的表面上。另外，第一图案IMP1可具有第一感测线SL1延伸的形状。第二图案IMP2可设置在穿过第二基体基底SUB2的通孔PH中。另外，第二图案IMP2可连接第一图案IMP1和第三图案IMP3。第三图案IMP3可设置在与第二基体基底SUB2的其上设置有第一图案IMP1的表面背对的表面上。
第二感测线SL2可设置在第二基体基底SUB2的其上设置有第三图案IMP3的表面上。另外，第二感测线SL2可具有第三图案IMP3延伸的形状。
触摸垫TPD可设置在第二基体基底SUB2的其上设置有第二感测线SL2的表面上。另外，触摸垫TPD可具有第二感测线SL2延伸的形状。例如，第三图案IMP3、第二感测线SL2和触摸垫TPD可设置在第二基体基底SUB2的外表面上。另外，可一体地形成第三图案IMP3、第二感测线SL2和触摸垫TPD。
覆盖层CVL可设置在第二基体基底SUB2的其上设置有第三图案IMP3、第二感测线SL2和触摸垫TPD的表面上。覆盖层CVL可覆盖第三图案IMP3和第二感测线SL2。另外，覆盖层CVL可暴露触摸垫TPD。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么触摸垫TPD可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。
导电球CMB可设置在连接垫CPD与触摸垫TPD之间。导电球CMB可电连接触摸垫TPD和连接垫CPD。在此实施例中，已作为示例描述了使用导电球CMB电连接连接垫CPD和触摸垫TPD的情况，但是本公开不限于此。例如，可使用导电粘合层来电连接连接垫CPD和触摸垫TPD。
在非感测区NSA中，具有粘附性的弹性构件ADC可设置在随着第二基底120弯曲而彼此面对的第一图案IMP1与第二基体基底SUB2之间。可通过弹性构件ADC保持(例如，至少基本上保持)第二基底120的弯曲形状。
图28是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图5和图28，显示装置可包括第一基底110、与第一基底110相对的第二基底120以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括：第一基体基底SUB1，包括显示区DA和非显示区NDA；驱动层DDL，设置在第一基体基底SUB1上，驱动层DDL包括至少一个薄膜晶体管；光学层OPL，设置在驱动层DDL上，光学层OPL包括连接到薄膜晶体管的显示元件；以及包封层ECL，覆盖光学层OPL。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可设置在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中。
第二基底120可包括：第二基体基底SUB2，包括感测区SA和非感测区NSA；以及触摸传感器TS，设置在第二基体基底SUB2上。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的金属图案IMP以及连接触摸感测电极TSE和金属图案IMP的感测线SL。
触摸感测电极TSE和感测线SL可设置在第二基体基底SUB2的面对第一基底110的表面上。
金属图案IMP可包括第一图案IMP1、第二图案IMP2和第三图案IMP3。第一图案IMP1可设置在第二基体基底SUB2的其上设置有触摸感测电极TSE和感测线SL的表面上。另外，第一图案IMP1可具有感测线SL延伸的形状。第二图案IMP2可设置在穿过第二基体基底SUB2的通孔PH中。另外，第二图案IMP2可连接第一图案IMP1和第三图案IMP3。第三图案IMP3可设置在与第二基体基底SUB2的其上设置有第一图案IMP1的表面背对的表面上。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么第三图案IMP3可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。
导电球CMB可设置在连接垫CPD与第三图案IMP3之间。导电球CMB可电连接第三图案IMP3和连接垫CPD。在此实施例中，已作为示例描述了使用导电球CMB电连接连接垫CPD和第三图案IMP3的情况，但是本公开不限于此。例如，可使用导电粘合层来电连接连接垫CPD和第三图案IMP3。
在非感测区NSA中，支撑构件ADS以及设置在支撑构件ADS的两个表面上的支撑构件粘合层ADF可设置在随着第二基底120弯曲而彼此面对的感测线SL与第一图案IMP1之间。支撑构件粘合层ADF可以是从粘合膜和粘合树脂中选择的至少一种。另外，支撑构件粘合层ADF可允许支撑构件ADS在感测线SL与第一图案IMP1之间固定。因此，可通过支撑构件ADS和支撑构件粘合层ADF保持(例如，至少基本上保持)第二基底120的弯曲形状。
图29是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的剖视图。在图29中，为了示出的方便，作为示例描述导电构件包括导电球的情况。
参照图1至图5和图29，显示装置可包括第一基底110、与第一基底110相对的第二基底120以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括：第一基体基底SUB1，包括显示区DA和非显示区NDA；驱动层DDL，设置在第一基体基底SUB1上，驱动层DDL包括至少一个薄膜晶体管；光学层OPL，设置在驱动层DDL上，光学层OPL包括连接到薄膜晶体管的显示元件；以及包封层ECL，覆盖光学层OPL。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可设置在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中。
第二基底120可包括：第二基体基底SUB2，包括感测区SA和非感测区NSA；以及触摸传感器TS，设置在第二基体基底SUB2上。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的金属图案IMP以及连接触摸感测电极TSE和金属图案IMP的感测线SL。
触摸感测电极TSE和感测线SL可设置在第二基体基底SUB2的面对第一基底110的表面上。
金属图案IMP可包括第一图案IMP1、第二图案IMP2和第三图案IMP3。第一图案IMP1可设置在第二基体基底SUB2的其上设置有触摸感测电极TSE和感测线SL的表面上。另外，第一图案IMP1可具有感测线SL延伸的形状。第二图案IMP2可设置在穿过第二基体基底SUB2的通孔PH中。另外，第二图案IMP2可连接第一图案IMP1和第三图案IMP3。第三图案IMP3可设置在与第二基体基底SUB2的其上设置有第一图案IMP1的表面背对的表面上。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么第三图案IMP3可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。
导电球CMB可设置在连接垫CPD与第三图案IMP3之间。导电球CMB可电连接第三图案IMP3和连接垫CPD。在此实施例中，已作为示例描述了使用导电球CMB电连接连接垫CPD和第三图案IMP3的情况，但是本公开不限于此。例如，可使用导电粘合层来电连接连接垫CPD和第三图案IMP3。
在非感测区NSA中，可设置支撑构件ADS和支撑构件粘合层ADF，支撑构件ADS设置在随着第二基底120弯曲而彼此面对的感测线SL与第一图案IMP1之间，支撑构件粘合层ADF设置在支撑构件ADS与第二基底120之间。支撑构件粘合层ADF可以是从粘合膜和粘合树脂中选择的至少一种。另外，支撑构件粘合层ADF可允许支撑构件ADS在第二基底120的弯曲区中固定。因此，可通过支撑构件ADS和支撑构件粘合层ADF保持(例如，至少基本上保持)第二基底120的弯曲形状。
图30是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图5和图30，显示装置可包括第一基底110、与第一基底110相对的第二基底120以及将第一基底110和第二基底120结合到一起的粘合层ADL。
第一基底110可包括：第一基体基底SUB1，包括显示区DA和非显示区NDA；驱动层DDL，设置在第一基体基底SUB1上，驱动层DDL包括至少一个薄膜晶体管；光学层OPL，设置在驱动层DDL上，光学层OPL包括连接到薄膜晶体管的显示元件；以及包封层ECL，覆盖光学层OPL。
包括连接垫CPD的连接垫单元CPDA可设置在第一基体基底SUB1上的非显示区NDA中。
第二基底120可包括：第二基体基底SUB2，包括感测区SA和非感测区NSA；以及触摸传感器TS，设置在第二基体基底SUB2上。
触摸传感器TS可包括设置在感测区SA中的触摸感测电极TSE、设置在非感测区NSA中的金属图案IMP以及连接触摸感测电极TSE和金属图案IMP的感测线SL。
触摸感测电极TSE和感测线SL可设置在第二基体基底SUB2的面对第一基底110的表面上。
金属图案IMP可包括第一图案IMP1、第二图案IMP2和第三图案IMP3。第一图案IMP1可设置在第二基体基底SUB2的其上设置有触摸感测电极TSE和感测线SL的表面上。另外，第一图案IMP1可具有感测线SL延伸的形状。第二图案IMP2可设置在穿过第二基体基底SUB2的通孔PH中。另外，第二图案IMP2可连接第一图案IMP1和第三图案IMP3。第三图案IMP3可设置在与第二基体基底SUB2的其上设置有第一图案IMP1的表面背对的表面上。
在本公开的实施例中，第二基底120的非感测区NSA的一部分可弯曲。如果第二基底120弯曲，那么第三图案IMP3可与连接垫单元CPDA的连接垫CPD相对设置。
导电球CMB可设置在连接垫CPD与第三图案IMP3之间。导电球CMB可电连接第三图案IMP3和连接垫CPD。在此实施例中，已作为示例描述了使用导电球CMB电连接连接垫CPD和第三图案IMP3的情况，但是本公开不限于此。例如，可使用导电粘合层来电连接连接垫CPD和第三图案IMP3。
在非感测区NSA中，可设置支撑构件ADS，支撑构件ADS设置在随着第二基底120弯曲而彼此面对的感测线SL与第一图案IMP1之间。支撑构件ADS的一部分可弯曲，以覆盖第二基底120的端部。
图31至图34是示出图1至图30中公开的第二基底的弯曲形状的透视图。
参照图31至图34，第二基底120可包括平坦区120A以及与平坦区120A接触的弯曲区120B。
平坦区120A可具有诸如以包括直边的封闭状多边形、包括弯曲的边的圆形、椭圆形等以及包括直边和弯曲边的半圆形、半椭圆形等为例的各种合适的形状。在本公开的实施例中，为了示出的方便，作为示例描述平坦区120A具有多边形形状的情况。
弯曲区120B可以是其中设置有位于非感测区(见图3和图4的“NSA”)中的触摸垫单元(见图3和图4的“TPDA”)的区域。因此，平坦区120A可以是除了第二基底120的弯曲区120B之外的区域(例如，平坦区120A可不包括弯曲区120B)。
弯曲区120B可具有各种合适的形状。例如，如图31中示出的，弯曲区120B可具有从平坦区120A的一侧延伸的形状。另外，如图32和图33中示出的，弯曲区120B可具有从平坦区120A的一侧的一部分延伸的形状。另外，如图34中示出的，第二基底120可包括彼此分隔开的两个弯曲区120B。这里，弯曲区120B可具有这样的形状：弯曲区120B在平坦区120A的一侧的多个部分处延伸为彼此分隔开。触摸垫单元TPDA可分别设置在弯曲区120B中。例如，第二基底120可包括彼此分开的两个触摸垫单元TPDA。
如上所述，显示装置可减小导电球的尺寸。因此，显示装置可防止由导电球的尺寸的变化导致的故障(或者可减少这样的故障的可能性或程度)。
如在此使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语被用作近似术语而不用作程度术语，并意图解释能被本领域普通技术人员意识到的在测量值或计算值中的固有偏差。此外，描述本公开的实施例时使用的“可(以)”指的是“本公开的一个或更多个实施例”。如在此使用的，术语“使用”和其变形可被认为分别与术语“利用”和其变形同义。另外，术语“示例性”意图指示例或说明。
此外，在此叙述的任何数值范围意图包括在该叙述的范围内包含的相同数值精度的所有子范围。例如，范围“1.0至10.0”意图包括在叙述的最小值1.0与叙述的最大值10.0之间的所有子范围(并包括叙述的最小值1.0和叙述的最大值10.0)，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如，例如2.4至7.6。在此叙述的任何最大数值限制意图包括包含在此的所有的较低的数值限制，在此说明书中叙述的任何最小数值限制意图包括包含在此的所有的较高的数值限制。因此，申请人保留修改此说明书，包括权利要求书的权利，以明确地叙述在此明确地叙述的范围内包括的任何子范围。
这里已经公开了示例实施例，尽管采用了具体术语，但仅以一般的和描述性的含义而非限制性的目的来使用和解释这些术语。在一些情况下，如对于到提交本申请时为止的本领域普通技术人员而言将明显的是，结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可单独使用，或者可与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有明确说明。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求书及其等同物中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种变化。

Claims (31)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底，包括包含像素区的显示区以及与所述显示区相邻的非显示区，所述第一基底包括位于所述非显示区中的连接垫；以及
第二基底，面对所述第一基底，所述第二基底包括基体基底以及位于所述基体基底上的触摸传感器，所述基体基底包括与所述显示区对应的感测区和与所述非显示区对应的非感测区，
其中，所述触摸传感器包括：触摸感测电极，位于所述感测区中；触摸垫，位于所述非感测区中；以及感测线，将所述触摸感测电极和所述触摸垫电连接，并且
其中，所述第二基底的所述非感测区弯曲，使得所述连接垫和所述触摸垫彼此面对。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述触摸感测电极和所述触摸垫位于所述基体基底的同一表面上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述连接垫与所述触摸垫之间的导电球。
4.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括从所述触摸垫朝向所述连接垫突出的突出凸块，以连接所述连接垫和所述触摸垫。
5.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述连接垫与所述触摸垫之间的导电粘合层。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述导电粘合层包括导电膏。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述连接垫和所述触摸垫彼此直接接触。
8.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第二基底的随着所述第二基底弯曲而彼此面对的区域之间的弹性构件，以保持所述第二基底的弯曲形状。
9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第二基底的一个表面上的偏振层。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述偏振层位于所述第二基底的外表面上。
11.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第一基底与所述第二基底之间的偏振层。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，穿过所述基体基底的通孔位于所述非感测区中，
其中，所述触摸垫包括：
第一图案，位于所述基体基底的其上设置有所述触摸感测电极和所述感测线的表面上；
第二图案，位于所述通孔中，所述第二图案连接到所述第一图案；以及
第三图案，位于与所述基体基底的其上设置有所述第一图案的表面背对的表面上，所述第三图案连接到所述第二图案。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，当所述第二基底弯曲时，所述感测线和所述第一图案彼此面对，所述连接垫和所述第三图案彼此面对。
14.根据权利要求13所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述连接垫与所述第三图案之间的导电球。
15.根据权利要求14所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述感测线与所述第一图案之间的导电球。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述感测线和所述第一图案彼此直接接触。
17.根据权利要求13所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述连接垫与所述第三图案之间的导电粘合层。
18.根据权利要求17所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述感测线与所述第一图案之间的导电粘合层。
19.根据权利要求1所述的显示装置，其中，穿过所述基体基底的通孔位于所述非感测区中，
其中，所述触摸垫包括：
第一图案，具有所述感测线延伸的形状；
第二图案，位于所述通孔中，所述第二图案连接到所述第一图案；以及
第三图案，位于与所述基体基底的其上设置有所述第一图案的表面背对的表面上，所述第三图案连接到所述第二图案。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，当所述第二基底弯曲时，所述连接垫和所述第三图案彼此面对。
21.根据权利要求20所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述连接垫与所述第三图案之间的导电球。
22.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述连接垫和所述第三图案彼此直接接触。
23.根据权利要求20所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述连接垫与所述第三图案之间的导电粘合层。
24.根据权利要求20所述的显示装置，其中，当所述第二基底弯曲时，所述感测线和所述第一图案彼此面对，并且
其中，所述显示装置还包括位于所述感测线与所述第一图案之间的弹性构件。
25.根据权利要求20所述的显示装置，其中，当所述第二基底弯曲时，所述感测线和所述第一图案彼此面对，并且
其中，所述显示装置还包括：
支撑构件，位于所述感测线与所述第一图案之间；以及
支撑构件粘合层，位于所述感测线与所述支撑构件之间以及所述第一图案与所述支撑构件之间。
26.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述触摸感测电极和所述触摸垫分别位于所述基体基底的不同的表面上。
27.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述感测线包括：
第一感测线，位于所述基体基底的其上设置有所述触摸感测电极的表面上；以及
第二感测线，位于所述基体基底的其上设置有所述触摸垫的表面上。
28.根据权利要求27所述的显示装置，所述显示装置还包括连接所述第一感测线和所述第二感测线的金属图案，
其中，所述金属图案包括：
第一图案，位于所述基体基底的其上设置有所述第一感测线的表面上；
第二图案，位于穿过所述基体基底的通孔中，所述第二图案连接到所述第一图案；以及
第三图案，位于所述基体基底的其上设置有所述第二感测线的表面上，所述第三图案连接到所述第二图案。
29.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括覆盖所述触摸感测电极和所述感测线的覆盖层。
30.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二基底包括：
平坦区；以及
至少一个弯曲区，具有位于其中的所述触摸垫，所述至少一个弯曲区从所述平坦区的一侧延伸为弯曲。
31.根据权利要求30所述的显示装置，其中，所述第二基底包括从所述平坦区的所述一侧延伸的两个弯曲区，所述两个弯曲区彼此分隔开。
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