CN108010863A - 凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆，所述凹陷缺陷的检测方法包括：提供一晶圆，在所述晶圆上形成覆盖层，所述覆盖层的厚度在以上；去除所述覆盖层后，检测所述晶圆上的凹陷缺陷。本发明提供的凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆中，通过在晶圆上形成覆盖层，使覆盖层的厚度在以上，在去除覆盖层时，可使得晶圆上具有的凹陷缺陷的尺寸增大，从而可方便的被晶圆检测设备检测出来，从而进行及时有效监控缺陷的发生，减少因此而造成的损失。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆。
背景技术
随着半导体产品器件尺寸的微缩以及制造技术的进步，越来越多的微小缺陷都将对半导体产品的良率产生巨大影响，可能严重影响形成的半导体器件的功能，从而造成良率缺失。为提高半导体器件的良率，在制造过程中，通常设有多道检测工序，以在制造过程中及时发现缺陷，并及时改进工艺，使得后续的晶圆的良率得以提高。
目前的晶圆检测设备可采用检测光束扫描待测晶圆表面，对晶圆表面反射回的光束进行处理获得晶圆表面的凹陷缺陷数据。在对凹陷缺陷等进行检测时，晶圆检测设备都有一定的测量范围，在晶圆上凹陷缺陷的尺寸过小时，晶圆检测设备很难捕捉到凹陷缺陷，从而容易造成批量的晶圆因缺陷而报废，造成大量损失。
因此，如何提供一种凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆来解决晶圆上的凹陷不方便检测的问题是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆，解决晶圆上的凹陷不方便检测的问题。
为了解决上述问题，本发明提供一种凹陷缺陷的检测方法，所述凹陷缺陷的检测方法包括：提供一晶圆，在所述晶圆上形成覆盖层，所述覆盖层的厚度在以上；去除所述覆盖层后，检测所述晶圆上的凹陷缺陷。
可选的，在所述凹陷缺陷的检测方法中，所述覆盖层的材料包含氧化硅和/或氮化硅。
可选的，在所述凹陷缺陷的检测方法中，所述凹陷缺陷位于所述晶圆上的有源区域。
可选的，在所述凹陷缺陷的检测方法中,去除所述覆盖层后，所述凹陷缺陷的尺寸大于
可选的,在所述凹陷缺陷的检测方法中，在所述晶圆的表面形成所述覆盖层前，对所述晶圆进行清洁工艺。
可选的，在所述凹陷缺陷的检测方法中，在去除所述覆盖层前，对所述晶圆进行刻蚀工艺。
可选的，在所述凹陷缺陷的检测方法中，所述晶圆包括单晶硅基底。
本发明还提供一种用于检测凹陷缺陷的晶圆,所述用于检测凹陷的晶圆包括基底和形成于所述基底上的覆盖层,所述覆盖层的厚度在以上,所述基底上的凹陷缺陷被所述覆盖层覆盖。
在选的,在所述用于检测凹陷缺陷的晶圆中,所述覆盖层的材料包含氧化硅和/或氮化硅。
在选的,在所述用于检测凹陷缺陷的晶圆中,所述凹陷缺陷位于晶圆上的有源区域。
本发明提供的凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆中，通过在晶圆上形成覆盖层，使覆盖层的厚度在以上，在去除覆盖层时，可使得晶圆上具有的凹陷缺陷的尺寸增大，从而可方便的被晶圆检测设备检测出来，从而进行及时有效监控缺陷的发生，减少因此而造成的损失。
附图说明
图1为本发明实施例的凹陷缺陷的检测方法的流程图；
图2-5为本发明实施例具有凹陷缺陷的晶圆的剖面结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
如图1所示,本发明提供一种凹陷缺陷的检测方法，所凹陷缺陷的检测方法包括:
S10、提供一晶圆，在所述晶圆上形成覆盖层，所述覆盖层的厚度在以上；
S20、去除所述覆盖层后，检测所述晶圆上的凹陷缺陷。
为使本发明的特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细说明。
如图2所示，提供一晶圆10，这里的晶圆10可以是在某一工艺中形成的晶圆，对此晶圆10上检测是否出现凹陷缺陷，然后如图3所示，通过在所述晶圆上形成覆盖层20，覆盖层20即覆盖晶圆10的上和/或下表面，依工艺需要，可以分别晶圆的两面都进行检测，为了方便描述，下面的实施方式中只对一面的检测进行相应描述。
在本实施例中，所述覆盖层20的材料包含氧化硅和/或氮化硅，如果存在凹陷缺陷，在覆盖层20的形成过程中，在凹陷缺陷处会导致进一步的使凹陷缺陷向下扩展，使原来较小尺寸难以检测到的凹陷缺陷，转变成尺寸较大容易被晶圆检测设备检测出来，当然凹陷缺陷应包含凹痕、坑等同样类型的缺陷种类，凹陷缺陷可能是由于污染物的诱导从而异常生长形成，例如各种金属粒子，例如当凹陷缺陷的尺寸在25nm以下时可能会超出晶圆检测设备的检测量程，无法准确实现凹陷缺陷的检测。
在本实施例中，所述凹陷缺陷位于所述晶圆10上的有源区域(AA，Active Area)，有源区域可形成有源器件,在外加电源时会工作，当有源区域出现删除缺陷时，电子在通过有源区域时，会对晶圆上器件的电气性能影响较大。
可选的，所述凹陷缺陷的尺寸大于凹陷缺陷的形状可能为不规则的形状，其尺寸关系应以凹陷处最远两点的距离，也就是以凹陷缺陷的最大尺寸数据作为尺寸大小，当尺寸大于可较为方便的被晶圆检测设备检测出来，可以理解的是，在其它尺寸时，例如或 时以及它们之间的区间 或都可以较好的实现本发明的目的。
在本实施例中，在所述晶圆10的表面形成所述覆盖层前，对所述晶圆进行清洁工艺，从而可防止晶圆表面的其它颗粒物等残留影响到覆盖层的形成，使检测晶圆表面的凹陷缺陷不受其它的影响，保证凹陷缺陷的检测方法的准确性。
如图4所示，在去除所述覆盖层20前,对所述晶圆10进行刻蚀工艺,可在晶圆上形成所需要的图案等,使满足后续工艺的需要,同时,进行刻蚀工艺的图案位置也不会存在凹陷缺陷的问题,通过刻蚀工艺后的晶圆来防止图案位置等无效区域存在的凹陷缺陷的影响。可以理解的是,在刻蚀工艺时，也可以配合在图案位置的填充等其它工艺，例如还可以进行CMP工艺等。
可选的，所述晶圆20包括单晶硅基底，覆盖层可形成于单晶硅基底，从而可检测单晶硅基底上的凹陷缺陷。
如图5所示，去除所述覆盖层后，即可以通过湿法刻蚀等方式将覆盖层去除掉，检测所述晶圆10上的凹陷缺陷，凹陷缺陷可通过检测光束扫描待测晶圆表面检测出来，由于原本较小尺寸的凹陷缺陷在形成覆盖层时增大，从而使原本较小尺寸的凹陷缺陷可以被量程不足的晶圆检测设备更为方便的检测出来，提高了检测能力，及时发现凹陷缺陷，有效的减少了损失。
继续参考图4所示，在提供一种凹陷缺陷的检测方法的同时，还提供一种用于检测凹陷缺陷的晶圆，所述用于检测凹陷缺陷的晶圆包括基底和形成于所述基底上的覆盖层20，所述覆盖层20的厚度在以上，所述基底上的凹陷缺陷被所述覆盖层20覆盖。
在本实施例中，所述覆盖层20的材料包含氧化硅和/或氮化硅，可通过化学气相沉积等方式将覆盖层20形成于晶圆上，将覆盖层20去除后即可进行检测，从而可检测出晶圆上的凹陷缺陷。在具体实施过程中，在形成覆盖层后即完成了用于检测凹陷缺陷的晶圆，由于使得凹陷缺陷的尺寸大小增大，在去除覆盖层后即可进行检测，也就是使得凹陷缺陷更为方便的被检测到。
同样的，所述凹陷缺陷位于晶圆上的有源区域，从而减少对晶圆上其它区域的检测。
本发明提供的凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆中，通过在晶圆上形成覆盖层，使覆盖层的厚度在以上，在去除覆盖层时，可使得晶圆上具有的凹陷缺陷的尺寸增大，从而可方便的被晶圆检测设备检测出来，从而进行及时有效监控缺陷的发生，减少因此而造成的损失。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (10)
1.一种凹陷缺陷的检测方法，其特征在于，所述凹陷缺陷的检测方法包括：
提供一晶圆，在所述晶圆上形成覆盖层，所述覆盖层的厚度在以上；
去除所述覆盖层后，检测所述晶圆上的凹陷缺陷。
2.如权利要求1所述凹陷缺陷的检测方法，其特征在于，所述覆盖层的材料包含氧化硅和/氮化硅。
3.如权利要求1所述凹陷缺陷的检测方法，其特征在于，所述凹陷缺陷位于所述晶圆上的有源区域。
4.如权利要求1所述凹陷缺陷的检测方法，其特征在于，所述凹陷缺陷的尺寸大于
5.如权利要求1-4中任意一项所述凹陷缺陷的检测方法，其特征在于，在所述晶圆的表面形成所述覆盖层前，对所述晶圆进行清洁工艺。
6.如权利要求1-4中任意一项所述凹陷缺陷的检测方法，其特征在于，在去除所述覆盖层前，对所述晶圆进行刻蚀工艺。
7.如权利要求1-4中任意一项所述凹陷缺陷的检测方法，其特征在于，所述晶圆包括单晶硅基底。
8.一种用于检测凹陷缺陷的晶圆，其特征在于，所述用于检测凹陷缺陷的晶圆包括基底和形成于所述基底上的覆盖层，所述覆盖层的厚度在以上，所述基底上的凹陷缺陷被所述覆盖层覆盖。
9.如权利要求8所述用于检测凹陷缺陷的晶圆，其特征在于，所述覆盖层的材料包含氧化硅和/或氮化硅。
10.如权利要求8或9中所述用于检测凹陷缺陷的晶圆，其特征在于，所述凹陷缺陷位于晶圆上的有源区域。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114121700A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-03-01 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 通过特殊图形缺陷监测铜研磨后氧化物凹陷程度的方法 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07283282A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-27 | Sony Corp | 絶縁膜の欠陥検出方法 |
| JPH11238772A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Daido Steel Co Ltd | 化合物半導体基板および化合物半導体の不良素子除去方法 |
| US6248661B1 (en) * | 1999-03-05 | 2001-06-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for monitoring bubble formation and abnormal via defects in a spin-on-glass planarization, etchback process |
| US6569695B1 (en) * | 2002-02-25 | 2003-05-27 | Macronix International Co., Ltd. | Method for monitoring particles and defects on wafer surface and in process |
| CN1516258A (zh) * | 2003-01-06 | 2004-07-28 | 旺宏电子股份有限公司 | 浅沟渠隔离区的制造方法 |
| TWI236724B (en) * | 2003-12-09 | 2005-07-21 | Macronix Int Co Ltd | Method of wafer defect monitoring |
| JP4087345B2 (ja) * | 2004-03-02 | 2008-05-21 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハの結晶欠陥の評価方法 |
| JP4784391B2 (ja) * | 2006-05-16 | 2011-10-05 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | ウェーハの欠陥検出方法 |
| US20130045583A1 (en) * | 2011-07-13 | 2013-02-21 | Soitec | Method for measuring defects in a silicon substrate |
| CN103681392A (zh) * | 2012-09-06 | 2014-03-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 机械性刮伤检测的方法 |
| CN103822813A (zh) * | 2014-03-10 | 2014-05-28 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 半导体器件测试样品的制作方法 |
| CN104851820A (zh) * | 2014-02-19 | 2015-08-19 | 北大方正集团有限公司 | 半导体器件的缺陷检测方法 |
| JP2016212009A (ja) * | 2015-05-12 | 2016-12-15 | 信越半導体株式会社 | 欠陥検査方法 |
-
2017
- 2017-12-07 CN CN201711288821.XA patent/CN108010863B/zh active Active
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07283282A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-27 | Sony Corp | 絶縁膜の欠陥検出方法 |
| JPH11238772A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Daido Steel Co Ltd | 化合物半導体基板および化合物半導体の不良素子除去方法 |
| US6248661B1 (en) * | 1999-03-05 | 2001-06-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for monitoring bubble formation and abnormal via defects in a spin-on-glass planarization, etchback process |
| US6569695B1 (en) * | 2002-02-25 | 2003-05-27 | Macronix International Co., Ltd. | Method for monitoring particles and defects on wafer surface and in process |
| CN1516258A (zh) * | 2003-01-06 | 2004-07-28 | 旺宏电子股份有限公司 | 浅沟渠隔离区的制造方法 |
| TWI236724B (en) * | 2003-12-09 | 2005-07-21 | Macronix Int Co Ltd | Method of wafer defect monitoring |
| JP4087345B2 (ja) * | 2004-03-02 | 2008-05-21 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハの結晶欠陥の評価方法 |
| JP4784391B2 (ja) * | 2006-05-16 | 2011-10-05 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | ウェーハの欠陥検出方法 |
| US20130045583A1 (en) * | 2011-07-13 | 2013-02-21 | Soitec | Method for measuring defects in a silicon substrate |
| CN103681392A (zh) * | 2012-09-06 | 2014-03-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 机械性刮伤检测的方法 |
| CN104851820A (zh) * | 2014-02-19 | 2015-08-19 | 北大方正集团有限公司 | 半导体器件的缺陷检测方法 |
| CN103822813A (zh) * | 2014-03-10 | 2014-05-28 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 半导体器件测试样品的制作方法 |
| JP2016212009A (ja) * | 2015-05-12 | 2016-12-15 | 信越半導体株式会社 | 欠陥検査方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114121700A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-03-01 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 通过特殊图形缺陷监测铜研磨后氧化物凹陷程度的方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108010863B (zh) | 2021-10-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 430205 No.18, Gaoxin 4th Road, Donghu Development Zone, Wuhan City, Hubei Province Patentee after: Wuhan Xinxin Integrated Circuit Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 430205 No.18, Gaoxin 4th Road, Donghu Development Zone, Wuhan City, Hubei Province Patentee before: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd. Country or region before: China |
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| CP03 | Change of name, title or address |