CN110333251A - 一种边缘损伤纵深的计算方法及装置 - Google Patents

一种边缘损伤纵深的计算方法及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110333251A
CN110333251A CN201910707109.1A CN201910707109A CN110333251A CN 110333251 A CN110333251 A CN 110333251A CN 201910707109 A CN201910707109 A CN 201910707109A CN 110333251 A CN110333251 A CN 110333251A
Authority
CN
China
Prior art keywords
detected
damage
polishing
depth
silicon wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910707109.1A
Other languages
English (en)
Inventor
张婉婉
文英熙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Eswin Silicon Wafer Technology Co Ltd
Xian Eswin Material Technology Co Ltd
Original Assignee
Xian Eswin Silicon Wafer Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Eswin Silicon Wafer Technology Co Ltd filed Critical Xian Eswin Silicon Wafer Technology Co Ltd
Priority to CN201910707109.1A priority Critical patent/CN110333251A/zh
Publication of CN110333251A publication Critical patent/CN110333251A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/22—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring depth
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/32—Polishing; Etching
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明实施例提供了一种边缘损伤纵深的计算方法及装置，边缘损伤纵深的计算方法包括：对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理，使得待检测表面能够显现损伤界面，n为大于或等于1的整数；其中待检测样品是在待检测硅片上靠近边缘处沿着预设方向切割得到；每次抛光处理后对待检测表面进行蚀刻处理；根据每次待检测表面的蚀刻处理结果，确定待检测硅片的损伤纵深，损伤纵深为损伤界面到靠近损伤界面一侧处的边缘的垂直距离。其中损伤纵深可以用于表示待检测硅片边缘处的损伤深度，可以解决现有的损伤测定方法无法测定硅片边缘处的损伤深度的问题，进而可以获得高品质的硅片，以满足半导体的日益高度集成化的要求。

Description

一种边缘损伤纵深的计算方法及装置
技术领域
本发明涉及硅片的加工制造领域，特别涉及一种边缘损伤纵深的计算方法及装置。
背景技术
通常地，硅片的制造过程为：硅晶锭的生长、晶锭的滚磨、切割、研削、研磨等的多种的工序进行加工。在对晶锭进行滚磨、切割、研削、研磨等加工工序中会导致其表面区域产生机械加工损伤。另外，随着半导体的日益高度集成化，对硅片的表面特性要求趋向高品质化，能够准确分析硅片的加工损伤深度对于提高硅片制造工程的精度是尤为重要的。但是，由于垂直研磨工艺会导致硅片出现边缘部位坍塌或破碎的现象等，现有的损伤测定方法无法测量或准确测量硅片边缘处的损伤深度，通过现有的损伤测定方法无法获得高品质的硅片，无法满足半导体的日益高度集成化的要求。
发明内容
本发明实施例提供了一种边缘损伤纵深的计算方法及装置，以解决现有的损伤测定方法无法测定硅片边缘处的损伤深度的问题。
第一方面，为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种边缘损伤纵深的计算方法，包括：
对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理，使得所述待检测表面能够显现损伤界面，n为大于或等于1的整数；其中所述待检测样品是在待检测硅片上靠近边缘处沿着预设方向切割得到；
每次抛光处理后对所述待检测表面进行蚀刻处理；
根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，所述损伤纵深为所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧处的边缘的垂直距离。
可选地，在所述对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理的步骤之前，所述方法还包括：
对待检测硅片进行热处理；
沿着预设方向在所述待检测硅片上靠近边缘处切割得到待检测样品。
可选地，所述对待检测硅片进行热处理，包括：
对所述待检测硅片进行退火处理。
可选地，所述对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理，包括：
提供一夹具；
所述夹具夹持所述待检测样品，使得所述待检测表面与水平面平行；
对所述待检测表面进行n次化学软抛处理。
可选地，所述每次抛光处理后对所述待检测表面进行蚀刻处理，包括：
每次抛光处理后对待检测表面进行赖特蚀刻处理。
可选地，所述根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，包括：
每次对待检测表面抛光预设深度后，根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定每次抛光后的损伤测量长度Li，所述损伤测量长度Li用于表示在所述待检测表面上所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧的边缘的距离，其中i表示抛光次序，n≥i≥1且i为整数。
确定每次抛光后的所述损伤层界面与所述待检测表面之间的夹角αi；
根据损伤测量长度Li以及损伤层界面与待检测表面之间的夹角αi，确定每次抛光后的损伤纵深Di；
根据每次抛光后的损伤纵深Di，确定待检测硅片的损伤纵深D。
可选地，所述根据损伤测量长度Li以及损伤层界面与待检测表面之间的夹角αi，确定每次抛光的损伤纵深Di，包括：
根据以下公式确定每次抛光的损伤纵深Di
Di＝Li*sinαi
其中，Di表示第i次抛光后的损伤纵深，Li表示第i次抛光后的损伤测量长度；αi第i次抛光后的损伤层界面与待检测表面之间的夹角。
可选地，所述根据每次抛光后的损伤纵深Di，确定待检测硅片的损伤纵深D，包括：
根据以下公式确定待检测硅片的损伤纵深D
其中，Di表示第i次抛光后的损伤纵深，n表示最大抛光次数。
第二方面，本发明实施例还提供了一种边缘损伤纵深的计算装置，包括：
抛光模块，用于对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理，使得所述待检测表面能够显现损伤界面的位置，n为大于或等于1的整数；其中所述待检测样品是在待检测硅片上靠近边缘处沿着预设方向切割得到；
蚀刻模块，用于每次抛光处理后对所述待检测表面进行蚀刻处理；
确定模块，用于根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，所述损伤纵深为所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧处的边缘的垂直距离。
可选地，所述确定模块包括：
第一确定单元，用于每次对待检测表面抛光预设深度后，根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定每次抛光后的损伤测量长度Li，所述损伤测量长度Li用于表示在所述待检测表面上所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧的边缘的距离，其中i表示抛光次序，i为大于或等于1的整数；
第二确定单元，用于确定每次抛光后的所述损伤层界面与所述待检测表面之间的夹角αi；
第三确定单元，用于根据损伤测量长度Li以及损伤层界面与待检测表面之间的夹角αi，确定每次抛光后的损伤纵深Di；
第四确定单元，用于根据每次抛光后的损伤纵深Di，确定待检测硅片的损伤纵深D。
本发明的实施例具有如下有益效果：
在本发明实施例中，通过对待检测样品的待检测表面进行一次或多次抛光处理，并对抛光处理后的待检测表面进行蚀刻处理，并通过光学显微镜可以观测待检测表面的蚀刻处理结果，并根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，所述损伤纵深可以用于表示待检测硅片边缘处的损伤深度，可以解决现有的损伤测定方法无法测定硅片边缘处的损伤深度的问题，进而可以获得高品质的硅片，以满足半导体的日益高度集成化的要求。
附图说明
图1为本发明实施例的边缘损伤纵深的计算方法的流程示意图之一；
图2为本发明实施例的待检测样品的主视图；
图3为本发明实施例的待检测样品的俯视图；
图4为本发明实施例的边缘损伤纵深的计算方法的流程示意图之二；
图5为本发明实施例的边缘损伤纵深的计算方法的流程示意图之三；
图6为本发明实施例的边缘损伤纵深的计算装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
参见图1，本发明实施例提供了一种边缘损伤纵深的计算方法，该计算方法可以用于分析计算在硅片的制造过程中磨削、切割、研削或研磨等工序所导致的硅片表面及边缘的损伤深度，且该计算方法的准确度高，其对于制造高品质的硅片具有深远的意义。该计算方法具体包括如下步骤：
步骤101：对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理，使得所述待检测表面能够显现损伤界面，n为大于或等于1的整数；其中所述待检测样品是在待检测硅片上靠近边缘处沿着预设方向切割得到。
在本发明实施例中，所述硅片还可以称为硅晶圆、硅晶片或晶圆等。
在一些实施方式中，可以提供一夹具；所述夹具夹持所述待检测样品，使得所述待检测表面与水平面平行；进而对所述待检测表面进行n次化学软抛处理。
其中，化学软抛处理的大致过程为：将待检测样品置于化学抛光液中，并采用软抛光垫对待检测样品进行抛光。通过对待检测表面进行化学软抛处理，可以防止在对待检测表面进行抛光的过程中引入其他多余的损伤，可以提高测量准确程度。
在本发明实施例中，所述待检测样品可以是在待检测硅片上靠近边缘处沿着待检测硅片的晶向方向切割得到，单晶硅包括：<110>、<100>和<111>三个晶向。例如：为了不破坏待检测硅片表面以及边缘处的损伤层，可以沿着<110>晶向方向对待检测硅片进行切割，进而获得如图2和图3所示的待检测样品。
需要说明的是，切割得到的待检测样品需要包含边缘处的损伤界面。可以理解的是，切割得到的待检测样品不能过小或者过大，若待检测样品过小，有可能无法包含边缘处的损伤界面；若待检测样品过大，会增加抛光处理等工艺时间。即可以在待检测硅片上切割预设尺寸的待检测样品，所述预设尺寸可以根据实际检测需要确定，例如预设尺寸可以为1cm*1cm。
步骤102：每次抛光处理后对所述待检测表面进行蚀刻处理。
在本发明实施例中，每次抛光处理后对待检测表面进行赖特蚀刻处理。其中赖特蚀刻处理的大致过程是：将待检测样品置于赖特腐蚀液40s～60s，其中赖特腐蚀液可以为60mL HF(氢氟酸)+60mL HAc+60mL H2O+30mL铬酸溶液A(6.7)+30mL HNO3+2g Cu(NO3)2·3H2O。
在本发明实施例中，参见图2和图3，所述待检测表面21与待检测硅片的轴向端面平行，对待检测表面21抛光预设深度，并对待检测表面21进行蚀刻处理，然后，可以通过光学显微镜来观测每次所述待检测表面的蚀刻处理结果。其中可以将待检测样品置于光学显微镜下，通过光学显微镜观测待检测表面预设范围W内的蚀刻结果，进而可以确定待检测表面边缘处的损伤界面22。
进一步地，为了让损伤界面能够更清晰的显现，可以在步骤101之前，对待检测硅片进行热处理，例如，对待检测硅片进行退火处理。
步骤103：根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，所述损伤纵深为所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧处的边缘的垂直距离。
在本发明实施例中，通过光学显微镜可以得到所述待检测表面上的晶相图，由于损伤界面处的晶相与硅的晶相不同，即可以通过待检测表面的晶相图，确定所述损伤界面的位置以及损伤界面与靠近所述损伤界面一侧处的边缘的距离。
在本发明实施例中，通过待检测表面的蚀刻处理结果，可以确定在待检测表面上所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧处的边缘的距离。由于所述边缘与待检测表面之间的夹角是预设的，根据正弦定理可以求得所述损伤纵深为所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧处的边缘的垂直距离。
在本发明实施例中，所述损伤纵深可以用于表示待检测硅片边缘处的损伤深度，进而可以确定硅片表面的去除量来获得没有表面缺陷的硅片。
进一步地，参见图4，步骤103具体包括如下步骤：
步骤1031：每次对待检测表面抛光预设深度后，根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定每次抛光后的损伤测量长度Li，所述损伤测量长度Li用于表示在所述待检测表面上所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧的边缘的距离，其中i表示抛光次序，n≥i≥1且i为整数。
在本发明实施例中，可以根据需要确定每次抛光的预设深度，在本发明实施例中并不具体限定预设深度的取值范围。
步骤1032：确定每次抛光后的所述损伤层界面与所述待检测表面之间的夹角αi；
在本发明实施例中，硅片的边缘形状可以由客户所给的规格来决定的。可以理解的是，所述待检测硅片的轴向端面与其边缘的夹角可以是固定的，即每次抛光后的所述损伤层界面与所述待检测表面之间的夹角αi是固定且预设。或者，通过测量得到每次抛光后的所述损伤层界面与所述待检测表面之间的夹角αi。
步骤1033：根据损伤测量长度Li以及损伤层界面与待检测表面之间的夹角αi，确定每次抛光后的损伤纵深Di；
进一步地，可以根据以下公式确定每次抛光的损伤纵深Di
Di＝Li*sinαi
其中，Di表示第i次抛光后的损伤纵深，Li表示第i次抛光后的损伤测量长度；αi第i次抛光后的损伤层界面与待检测表面之间的夹角。
步骤1034：根据每次抛光后的损伤纵深Di，确定待检测硅片的损伤纵深D。
为了缩短损伤纵深的计算时间，可以对待检测表面进行一次抛光，在抛光后对待检测表面进行蚀刻处理，可以在待检测表面显现损伤界面，并测量损伤纵深D1，并将损伤纵深D1确定为待检测硅片的损伤纵深。
为了提高计算的准确性，可以对待检测表面进行多次抛光处理，每次抛光后对其进行蚀刻处理，并确定多次抛光后的损伤纵深Di求平均值，并将该平均值确定为所述待检测硅片的损伤纵深。
进一步地，可以根据以下公式确定待检测硅片的损伤纵深D
其中，Di表示第i次抛光后的损伤纵深，n表示最大抛光次数。
在本发明实施例中，通过对待检测样品的待检测表面进行一次或多次抛光处理，并对抛光处理后的待检测表面进行蚀刻处理，并通过光学显微镜可以观测待检测表面的蚀刻处理结果，并根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，损伤纵深可以用于表示待检测硅片边缘处的损伤深度，可以解决现有的损伤测定方法无法测定硅片边缘处的损伤深度的问题，进而可以获得高品质的硅片，以满足半导体的日益高度集成化的要求。
参见图5，本发明实施例还提供了另一种边缘损伤纵深的计算方法，该计算方法可以用于计算硅片的损伤纵深，该计算方法具体包括如下步骤：
步骤501：对待检测硅片进行热处理。
在本发明实施例中，为了便于显现损伤界面，可以对待检测硅片进行退火处理，例如：待检测硅片的热处理参数：在湿氧环境下，热处理温度为900℃～1100℃，热处理2小时～5小时。需要说明的是，可以根据不同成分的晶圆选取不同的热处理条件。可以理解的是，本发明实施例并不具体限定待检测硅片的热处理参数。
步骤502：沿着预设方向在所述待检测硅片上靠近边缘处切割得到待检测样品。
一般地，单晶硅包括：<110>、<100>和<111>三个晶向。在一些实施方式中，可以沿着<110>晶向方向在所述待检测硅片上靠近边缘处切割得到待检测样品。
例如：可以在所述待检测硅片上靠近边缘处切割预设尺寸的待检测样品，预设尺寸可以为1cm*1cm。
步骤503：对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理，使得所述待检测表面能够显现损伤界面，n为大于或等于1的整数；其中所述待检测样品是在待检测硅片上靠近边缘处沿着预设方向切割得到；
在本发明实施例中，步骤503的实施原理与步骤101相似，相似之处不再赘述。
步骤504：每次抛光处理后对所述待检测表面进行蚀刻处理；
在本发明实施例中，步骤504的实施原理与步骤102相似，相似之处不再赘述。
步骤505：根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，所述损伤纵深为所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧处的边缘的垂直距离。
在本发明实施例中，步骤505的实施原理与步骤103相似，相似之处不再赘述。
在本发明实施例中，首先对检测硅片进行热处理，再对热处理后的待检测硅片进行切割得到待检测样品，通过对待检测样品的待检测表面进行一次或多次抛光处理，并对抛光处理后的待检测表面进行蚀刻处理，并通过光学显微镜可以观测待检测表面的蚀刻处理结果，并根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，损伤纵深可以用于表示待检测硅片边缘处的损伤深度，可以解决现有的损伤测定方法无法测定硅片边缘处的损伤深度的问题，进而可以获得高品质的硅片，以满足半导体的日益高度集成化的要求。
为了解决现有的损伤测定方法无法确定硅片边缘处的损伤深度的问题，本发明实施例还提供了一种边缘损伤纵深的装置，边缘损伤纵深的装置的实施原理与图1、图4和图5所示的边缘损伤纵深的方法的实施原理相似，相似之处不再赘述。
参见图6，本发明实施例还提供了一种边缘损伤纵深的装置600，包括：
抛光模块601，用于对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理，使得所述待检测表面能够显现损伤界面的位置，n为大于或等于1的整数；其中所述待检测样品是在待检测硅片上靠近边缘处沿着预设方向切割得到；
蚀刻模块602，用于每次抛光处理后对所述待检测表面进行蚀刻处理；
确定模块603，用于根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，所述损伤纵深为所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧处的边缘的垂直距离。
可选地，所述边缘损伤纵深的装置还包括：
热处理模块，用于对待检测硅片进行热处理；
切割模块，用于沿着预设方向在所述待检测硅片上靠近边缘处切割得到待检测样品。
可选地，所述热处理模块包括：
热处理单元，用于对所述待检测硅片进行退火处理。
可选地，所述切割模块包括：
切割单元，用于沿着<110>晶向方向在所述待检测硅片上靠近边缘处切割得到待检测样品。
可选地，所述抛光模块601包括：
夹具单元，用于提供一夹具；所述夹具夹持所述待检测样品，使得所述待检测表面与水平面平行；
抛光单元，用于对所述待检测表面进行n次化学软抛处理。
可选地，所述蚀刻模块602包括：
蚀刻单元，用于每次抛光处理后对待检测表面进行赖特蚀刻处理。
可选地，所述确定模块603包括：
第一确定单元，用于每次对待检测表面抛光预设深度后，根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定每次抛光后的损伤测量长度Li，所述损伤测量长度Li用于表示在所述待检测表面上所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧的边缘的距离，其中i表示抛光次序，i为大于或等于1的整数；
第二确定单元，用于确定每次抛光后的所述损伤层界面与所述待检测表面之间的夹角αi；
第三确定单元，用于根据损伤测量长度Li以及损伤层界面与待检测表面之间的夹角αi，确定每次抛光后的损伤纵深Di；
第四确定单元，用于根据每次抛光后的损伤纵深Di，确定待检测硅片的损伤纵深D。
可选地，所述第三确定单元包括：
第一确定子单元，用于根据以下公式确定每次抛光的损伤纵深Di
Di＝Li*sinαi
其中，Di表示第i次抛光后的损伤纵深，Li表示第i次抛光后的损伤测量长度；αi第i次抛光后的损伤层界面与待检测表面之间的夹角。
可选地，所述第四确定单元包括：
第二确定子单元，用于根据以下公式确定待检测硅片的损伤纵深D
其中，Di表示第i次抛光后的损伤纵深，n表示最大抛光次数。
在本发明实施例中，通过抛光模块601对待检测样品的待检测表面进行一次或多次抛光处理，并通过蚀刻模块602对抛光处理后的待检测表面进行蚀刻处理，并通过光学显微镜可以观测待检测表面的蚀刻处理结果，并通过确定模块603根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，所述损伤纵深为所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧处的边缘的垂直距离。损伤纵深可以用于表示待检测硅片边缘处的损伤深度，可以解决现有的损伤测定方法无法测定硅片边缘处的损伤深度的问题，进而可以获得高品质的硅片，以满足半导体的日益高度集成化的要求。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种边缘损伤纵深的计算方法，其特征在于，包括：
对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理，使得所述待检测表面能够显现损伤界面，n为大于或等于1的整数；其中所述待检测样品是在待检测硅片上靠近边缘处沿着预设方向切割得到；
每次抛光处理后对所述待检测表面进行蚀刻处理；
根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，所述损伤纵深为所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧处的边缘的垂直距离。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理的步骤之前，所述方法还包括：
对待检测硅片进行热处理；
沿着预设方向在所述待检测硅片上靠近边缘处切割得到待检测样品。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对待检测硅片进行热处理，包括：
对所述待检测硅片进行退火处理。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理，包括：
提供一夹具；
所述夹具夹持所述待检测样品，使得所述待检测表面与水平面平行；
对所述待检测表面进行n次化学软抛处理。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述每次抛光处理后对所述待检测表面进行蚀刻处理，包括：
每次抛光处理后对待检测表面进行赖特蚀刻处理。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，包括：
每次对待检测表面抛光预设深度后，根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定每次抛光后的损伤测量长度Li，所述损伤测量长度Li用于表示在所述待检测表面上所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧的边缘的距离，其中i表示抛光次序，n≥i≥1且i为整数。
确定每次抛光后的所述损伤层界面与所述待检测表面之间的夹角αi；
根据损伤测量长度Li以及损伤层界面与待检测表面之间的夹角αi，确定每次抛光后的损伤纵深Di；
根据每次抛光后的损伤纵深Di，确定待检测硅片的损伤纵深D。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据损伤测量长度Li以及损伤层界面与待检测表面之间的夹角αi，确定每次抛光的损伤纵深Di，包括：
根据以下公式确定每次抛光的损伤纵深Di
Di＝Li*sinαi
其中，Di表示第i次抛光后的损伤纵深，Li表示第i次抛光后的损伤测量长度；αi第i次抛光后的损伤层界面与待检测表面之间的夹角。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述根据每次抛光后的损伤纵深Di，确定待检测硅片的损伤纵深D，包括：
根据以下公式确定待检测硅片的损伤纵深D
其中，Di表示第i次抛光后的损伤纵深，n表示最大抛光次数。
9.一种边缘损伤纵深的计算装置，其特征在于，包括：
抛光模块，用于对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理，使得所述待检测表面能够显现损伤界面，n为大于或等于1的整数；其中所述待检测样品是在待检测硅片上靠近边缘处沿着预设方向切割得到；
蚀刻模块，用于每次抛光处理后对所述待检测表面进行蚀刻处理；
确定模块，用于根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，所述损伤纵深为所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧处的边缘的垂直距离。
10.根据权利要求9所述的计算装置，其特征在于，所述确定模块包括：
第一确定单元，用于每次对待检测表面抛光预设深度后，根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定每次抛光后的损伤测量长度Li，所述损伤测量长度Li用于表示在所述待检测表面上所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧的边缘的距离，其中i表示抛光次序，i为大于或等于1的整数；
第二确定单元，用于确定每次抛光后的所述损伤层界面与所述待检测表面之间的夹角αi；
第三确定单元，用于根据损伤测量长度Li以及损伤层界面与待检测表面之间的夹角αi，确定每次抛光后的损伤纵深Di；
第四确定单元，用于根据每次抛光后的损伤纵深Di，确定待检测硅片的损伤纵深D。
CN201910707109.1A 2019-08-01 2019-08-01 一种边缘损伤纵深的计算方法及装置 Pending CN110333251A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910707109.1A CN110333251A (zh) 2019-08-01 2019-08-01 一种边缘损伤纵深的计算方法及装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910707109.1A CN110333251A (zh) 2019-08-01 2019-08-01 一种边缘损伤纵深的计算方法及装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110333251A true CN110333251A (zh) 2019-10-15

Family

ID=68148446

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910707109.1A Pending CN110333251A (zh) 2019-08-01 2019-08-01 一种边缘损伤纵深的计算方法及装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110333251A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111739815A (zh) * 2020-08-21 2020-10-02 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种测量晶圆损伤深度的方法、系统及计算机存储介质
CN113483722A (zh) * 2021-08-24 2021-10-08 西安奕斯伟材料科技有限公司 硅片边缘粗糙度检测治具及检测方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007300144A (ja) * 2002-11-14 2007-11-15 Toshiba Corp 半導体ウェーハの検査方法、半導体装置の開発方法、および半導体ウェーハ処理装置
TW201239144A (en) * 2011-01-19 2012-10-01 Sumco Corp Inspection method and fabricating method for silicon single crystal
CN104934339A (zh) * 2014-03-20 2015-09-23 晶科能源有限公司 一种晶体硅片位错检测方法
US20170154829A1 (en) * 2015-11-27 2017-06-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Etching method and etchant
CN107543837A (zh) * 2017-08-25 2018-01-05 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种砂轮精磨后硅片损伤层的检测方法
CN107623028A (zh) * 2016-07-13 2018-01-23 环球晶圆股份有限公司 半导体基板及其加工方法
CN107775521A (zh) * 2016-08-26 2018-03-09 镇江荣德新能源科技有限公司 一种太阳能级单晶硅片表面处理方法
CN108534732A (zh) * 2018-03-27 2018-09-14 中国建筑材料科学研究总院有限公司 硅酸盐玻璃亚表面损伤层厚度的检测方法
CN108962815A (zh) * 2018-07-17 2018-12-07 北京工业大学 一种soi材料的制备方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007300144A (ja) * 2002-11-14 2007-11-15 Toshiba Corp 半導体ウェーハの検査方法、半導体装置の開発方法、および半導体ウェーハ処理装置
TW201239144A (en) * 2011-01-19 2012-10-01 Sumco Corp Inspection method and fabricating method for silicon single crystal
CN104934339A (zh) * 2014-03-20 2015-09-23 晶科能源有限公司 一种晶体硅片位错检测方法
US20170154829A1 (en) * 2015-11-27 2017-06-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Etching method and etchant
CN107623028A (zh) * 2016-07-13 2018-01-23 环球晶圆股份有限公司 半导体基板及其加工方法
CN107775521A (zh) * 2016-08-26 2018-03-09 镇江荣德新能源科技有限公司 一种太阳能级单晶硅片表面处理方法
CN107543837A (zh) * 2017-08-25 2018-01-05 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种砂轮精磨后硅片损伤层的检测方法
CN108534732A (zh) * 2018-03-27 2018-09-14 中国建筑材料科学研究总院有限公司 硅酸盐玻璃亚表面损伤层厚度的检测方法
CN108962815A (zh) * 2018-07-17 2018-12-07 北京工业大学 一种soi材料的制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111739815A (zh) * 2020-08-21 2020-10-02 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种测量晶圆损伤深度的方法、系统及计算机存储介质
CN113483722A (zh) * 2021-08-24 2021-10-08 西安奕斯伟材料科技有限公司 硅片边缘粗糙度检测治具及检测方法
CN113483722B (zh) * 2021-08-24 2024-01-26 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 硅片边缘粗糙度检测治具及检测方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6174222B1 (en) Process for fabrication of semiconductor device, semiconductor wafer for use in the process and process for the preparation of the wafer
CN106367813B (zh) 一种半导体单晶硅晶棒及硅片参考面的加工方法
TWI614803B (zh) 單晶半導體晶圓以及製備半導體晶圓的方法
CN110333251A (zh) 一种边缘损伤纵深的计算方法及装置
US9806036B2 (en) Semiconductor wafer, semiconductor structure and method of manufacturing the semiconductor wafer
US8426810B2 (en) Method of planar imaging on semiconductor chips using focused ion beam
CN105067168B (zh) 一种磨削晶圆亚表面残余应力测试方法
JP4254584B2 (ja) 結晶欠陥の評価方法
CN112289700A (zh) 一种硅片检测方法
Oh et al. A comparative study between total thickness variance and site flatness of polished silicon wafer
JP3773477B2 (ja) 結晶欠陥の検査方法
JP6373233B2 (ja) 半導体ウェハの加工ダメージ評価方法
TW202336847A (zh) 矽晶圓的評價方法及矽晶圓的加工變質層去除方法
CN112701058B (zh) 晶圆键合力的测试方法
CN113483722B (zh) 硅片边缘粗糙度检测治具及检测方法
KR101812417B1 (ko) 실리콘 웨이퍼 에지의 앵글 폴리싱 장치 및 이를 이용한 실리콘 웨이퍼 에지의 기계적 손상 깊이 측정방법
CN109449120A (zh) 一种优化划片质量的方法
JP7040608B2 (ja) 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法
CN109755145B (zh) 晶片以及用于分析该晶片形状的方法
US9857319B2 (en) Method of measuring depth of damage of wafer
JP7232901B2 (ja) 半導体ウェハフィーチャを製作するための方法
TWI816513B (zh) 一種晶圓表面損傷深度測量方法及系統
JP4211643B2 (ja) 結晶欠陥の評価方法
KR101063068B1 (ko) 웨이퍼 표면처리 공정이 개선된 ｄｓｏｄ 분석방법
CN115876114A (zh) 用于测量硅片边缘损伤层深度的方法和装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20211020

Address after: 710000 room 1-3-029, No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi Province

Applicant after: Xi'an yisiwei Material Technology Co.,Ltd.

Applicant after: XI'AN ESWIN SILICON WAFER TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: Room 1323, block a, city gate, No.1 Jinye Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi 710065

Applicant before: XI'AN ESWIN SILICON WAFER TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
CB02 Change of applicant information

Address after: 710000 room 1-3-029, No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi Province

Applicant after: Xi'an Yisiwei Material Technology Co.,Ltd.

Applicant after: XI'AN ESWIN SILICON WAFER TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 710000 room 1-3-029, No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi Province

Applicant before: Xi'an yisiwei Material Technology Co.,Ltd.

Applicant before: XI'AN ESWIN SILICON WAFER TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information