TWI614803B - 單晶半導體晶圓以及製備半導體晶圓的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明關於一種單晶半導體晶圓，其在250微米的限制波長下具有最多0.8奈米的平均粗糙度Ra ，其中在邊緣排除為1毫米的情況下，ESFQR值的平均值（ESFQRavg ）是8奈米或更小。 本發明亦關於一種製備單晶半導體晶圓的方法，包含指定順序的以下步驟： 同時雙面拋光半導體晶圓， 對半導體晶圓的至少一表面的至少一部分使用一流體射流進行局部材料去除加工，該流體射流含有懸浮硬物質顆粒且藉由噴嘴被引導到該表面的一小區域上，其中該噴嘴在該表面待處理的那部分上方移動，其方式使得半導體晶圓的一預定幾何參數被改進，以及 拋光半導體晶圓的該至少一個表面。

Description

單晶半導體晶圓以及製備半導體晶圓的方法
本發明係關於一種在一鄰接邊緣的區域內具有低粗糙度Ra 以及優異平整度（flatness）的單晶半導體晶圓。本發明亦關於一種適於製備這種半導體晶圓的多階段（multi-stage）方法。
單晶半導體晶圓，即矽晶圓係用於製備電子元件，必須具有一非常平整的表面。否則，在光刻（photolithography）期間，奈米範圍內的結構不能在表面上清晰地成像。由於電子元件的小型化不斷在進一步發展，對於平整度的要求亦不斷增強。在這種情況下，由於多種作用，矽晶圓直接鄰接邊緣的區域可能尤其難以調平（level）。雙面拋光（double-side polishing，DSP）是一種適合的方法，其用於在大量生產中在邊緣區域內實現具有良好局部幾何值（local geometry value）的極其平整的矽晶圓。作為示例，如果邊緣排除（edge exclusion）為1毫米，可以實現大約30奈米的 ESFQR值的平均值（ESFQRavg ）。參數ESFQR及其測定係根據SEMI標準M67-1108所定義。這涉及在徑向佈置於矽晶圓邊緣處的測量範疇（measurement field）上所測定的局部平整度值。矽晶圓所有測量範疇的ESFQR值的平均值係縮寫為ESFQRavg 。
然而，因為多種影響變數，例如拋光漿料不向邊緣流動以及拋光墊的下陷（depression）所導致不可避免的缺陷，邊緣處的平整度很難同樣藉由雙面拋光來顯著改進。透過對加工實施（process implementation）及輔助設備（auxiliary）的合適選擇，確實可以相對自由地將加工後半導體晶圓的總體輪廓（global profile）從凸起（convex）設為凹陷（concave）。然而，即使整體上具有凹陷形狀，也不可能避免在直接鄰接晶圓邊緣的厚度上的減小。後者係直接影響可實現的ESFQR值。
由於的雙面拋光相關限制，已開發出一種可以針對性且局部地改進矽晶圓平整度的方法。此涉及PACE方法（「電漿輔助化學蝕刻（Plasma Assisted Chemical Etching）」）。在此情況中，將一尺寸為幾毫米的電漿蝕刻頭以限定的速度引導到晶圓表面上方，其中在特定位置處的材料去除係由電漿蝕刻頭在相關位置處的停留時間所測定，即藉由該蝕刻頭的速度測定。
EP0798766A1描述了PACE在改進平整度中的用途。在此情況中，在機械加工之後，首先拋光一半導體晶圓，然後測量其厚度分佈。隨後基於位置相關厚度測量（location-dependent thickness measurement）的結果，使晶圓經受PACE方法，其中，控制後者使得在較厚位置處比在較薄位置處去除更多的材料，從而補償局部厚度差。然後，晶圓係經受無霧拋光（haze-free polishing），以消除由PACE步驟引起的晶格的粗糙及失調（disturbance）（所謂的「損傷（damage）」）。
由於PACE之後的粗糙度及損傷係相對高的，在隨後的無霧拋光期間必須去除例如3微米之大量材料，以便消除粗糙及損傷。這又與在晶圓最外邊緣區域中之平整度上不可避免的劣化相關聯，使得即使藉助於PACE也不能實現在邊緣區域中任意良好的平整度。此外，原則上，通常作為單面拋光進行的無霧拋光係不能實現較長波粗糙度（longer-wave roughness）（例如具有250微米的限制波長（limiting wavelength））的良好調平，尤其在使用軟的無霧拋光墊的時候。
本發明所述目的係由所述問題引起。
本發明的目的係藉由一種在250微米的限制波長下具有最多0.8奈米的平均粗糙度Ra 的單晶半導體晶圓所實現，其特徵在於，在邊緣排除為1毫米的情況下，ESFQRavg 是8奈米或更小。
同樣，該目的還藉由一種用於製備單晶半導體晶圓的方法來實現，該方法包含指定順序的以下步驟： -同時雙面拋光半導體晶圓， -對半導體晶圓的至少一個表面的至少一部分使用一流體射流（fluid jet）進行局部材料去除加工（local material-removing processing），該流體射流含有懸浮的硬物質顆粒並且藉助於一噴嘴被引導到該表面的一小區域上，其中該噴嘴在該表面待處理的那部分上方移動，其方式使得半導體晶圓的一預定幾何參數被改進，並且 -拋光半導體晶圓的該至少一個表面。
根據本發明的方法係使用已知用於光學玻璃加工的「流體射流拋光」（Fluid Jet Polishing，FJP）技術，以便顯著地改進單晶半導體晶圓的平整度。相對於單晶半導體晶圓，玻璃是不具有一有序晶格（ordered crystal lattice）的非晶固體。相對於結晶材料，在非晶材料的情況下，由硬物質顆粒高速撞擊在待加工表面上的作用所導致的晶格結構的失調係不會發生。然而，出乎意料地，即使在單晶半導體晶圓的情況下，FJP仍不會導致相對較深的晶格損傷。因此，使已藉由FJP處理的半導體晶圓的那一側經受短暫無霧拋光而去除少量材料，就足以獲得均勻的低粗糙度及無損傷的表面。在無霧拋光期間的少量去除係確保藉由FJP實現的遠至最外邊緣的平整度僅經由無霧拋光受到很少的損害。
因此，根據本發明的方法使得製備請求項1所述的半導體晶圓首次成為可能，一方面，該半導體晶圓具有經拋光半導體晶圓的典型低粗糙度，而在另一方面，同時具有無法藉由拋光實現的遠至最外邊緣的平整度。即使使用PACE，也沒有獲致這種性質的組合。
根據本發明的方法係直接獲致請求項1所述的半導體晶圓。較佳地，請求項1所述的半導體晶圓因此具有經拋光的表面，其上沒有沉積一磊晶層。如果隨後沉積一磊晶層，則可以藉由合適的加工實施再次（稍微）改進邊緣處的平整度。因此，根據本發明的半導體晶圓也適合作為用於製備在邊緣區域內具有優異平整度的磊晶塗布半導體晶圓的基板。
發明之詳細說明及較佳實施態樣如下。
根據本發明的半導體晶圓的特徵在於粗糙度Ra （「平均粗糙度」）是0.8奈米或更小，較佳為0.5奈米或更小，如典型的經拋光的半導體晶圓。所指的值係關於藉由白光干涉法（white light interferometry）用250微米之限制波長所測定的平均粗糙度。然而，與此同時，根據本發明的半導體晶圓具有8奈米或更小、較佳5奈米或更小的ESFQRavg 值（表徵邊緣區域內的平整度）。藉由根據先前技術的無霧拋光，可以實現低至0.2奈米或者甚至0.1奈米的粗糙度Ra 。
因此，根據本發明的半導體晶圓遠不及PACE加工之後的粗糙；另一方面，相較於根據先前技術雙面拋光及單面拋光之後的半導體晶圓，根據本發明的半導體晶圓在邊緣處明顯更為平整。
較佳地，對於二種元素銅及鎳中的每一種，根據本發明的半導體晶圓所具有的（藉由多UTP（poly-silicon ultra-trace profiling（多晶矽超痕量剖析），poly-UTP）方法測定的）含量是最多3x1010 ／平方公分（cm-2 ），較佳最多1x1010 ／平方公分。多UTP方法將在下面的段落中描述。如果藉由PACE進行加工，則不能實現這樣低的金屬濃度。PACE係導致半導體晶圓被如銅及鎳的金屬污染，由於該等金屬的高擴散速率，汙染係不限於晶圓的表面，因此也不能藉由適當的清潔來去除。
多UTP方法是一種同時檢測塊體金屬（bulk metal）及表面金屬的方法。回收率（recovery rate）非常高。該方法尤其適用於主要檢測快速擴散的元素，例如銅及鎳。在一石英管反應器中，厚度大約是1微米的多晶矽層係作為外部吸氣劑（external getter）而沉積在待分析的矽晶圓的二側上。在進一步熱處理的過程中，銅及鎳係將近定量地從塊體擴散到單晶矽與多晶矽之間的介面。冷卻後，該多晶矽層被濕化學法腐蝕掉。然後蒸發蝕刻溶液，將殘餘物再溶解在HF／HNO3 的混合物中並溶解在超純水中。最終藉由ICP-MS（「電感耦合電漿質譜法（ inductively coupled plasma mass spectrometry）」）來測定其中溶解有雜質的溶液。每種單獨金屬的總量係以每平方公分（cm-2 ）的原子數為單位來表示。
較佳地，根據本發明的半導體晶圓實質上，即90%（相對於物質的量）或更大程度上由矽組成。其較佳具有圓形形狀，具有至少300毫米之直徑，甚至更大的直徑，例如也可以達到450毫米。
製備該半導體晶圓的一種可能性係由以下更詳細描述的方法提供。
較佳地，首先製備根據先前技術的半導體晶圓：為此，通常將一單晶切割成晶圓（較佳使用多線鋸（multiwire saw，MWS））。然後，對半導體晶圓進行機械加工（藉由研磨（lapping）或磨削（grinding）或其組合）及化學加工（酸性或鹼性蝕刻或其組合）。
根據本發明，如此製備的半導體晶圓的二側係同時經受化學機械拋光。該方法步驟也稱為雙面拋光（DSP），並且描述在例如DE102013201663A1中。較佳地，雙面拋光係與整體上為1至20微米，特別佳為2至12微米的材料去除相關聯。這表示在半導體晶圓二側上的材料去除的總和，即在厚度上造成的減小。在雙面拋光之後，半導體晶圓的表面較佳在限制波長為10微米時具有0.01至0.1奈米的平均粗糙度Ra ，且在限制波長為250微米時具有0.07至0.7奈米的Ra 。
在進行雙面拋光之後，半導體晶圓的平整度係根據本發明藉由FJP方法而改進。為此，首先應定義待最佳化的幾何參數；其次，必須知道在雙面拋光後半導體晶圓的幾何參數。
為了描述半導體晶圓的幾何參數，存在有對於整個半導體晶圓或對於單個位置定義的大量可選參數，並且如何定義用於平整度測量的參考平面以及如何根據與該參考平面的偏差來計算參數的值也有所不同。尤其，使用何種特別有意義的參數係取決於隨後用於製備電子元件的製程及其單個步驟。特別常見的幾何參數是：例如，參數GBIR（總體平整度參數（global flatness parameter），使用由半導體晶圓的背面（backside）所定義的參考平面）與SFQR（局部位置參考平整度參數（local, site-referenced flatness parameter），使用由正面所定義的參考平面）。特殊情況是參數ESFQR，其以類似於參數SFQR的方式定義，但是測量區塊為徑向佈置且以限於半導體晶圓的邊緣區域的方式。所提到的參數係根據SEMI標準所定義，ESFQR根據SEMI標準M67-1108定義。所引用的SEMI標準提出具有徑向長度為30毫米的測量區塊來用於ESFQR。測量區塊的寬度由等分成相同大小的72個分區（sector）所產生。本說明書中所有ESFQR與ESFQRavg 值係關於考慮到1毫米的邊緣排除的測量區塊定義。
原則上，對於任何任意幾何參數，FJP方法可以用於最佳化半導體晶圓的幾何參數。例如，如果要製備如請求項1所述的半導體晶圓，則應當使用參數ESFQR進行最佳化。
藉由FJP方法而幾何最佳化的第二先決條件是雙面拋光之後的半導體晶圓的幾何參數為已知的。為此，有二種可用於根據本發明的方法的可能性：
a）在對每個半導體晶圓進行同時雙面拋光之後，測量其幾何參數。這種單獨測量係作為基礎，用於測定藉由FJP必須去除多少材料以及在半導體晶圓的哪個位置去除，以便將預定幾何參數改進為期望值。
b）如果雙面拋光在經拋光半導體晶圓的幾何方面產生高度可再現的結果，則也可以省去每單個半導體晶圓的幾何測量。在這種情況下，以下方式可能就足夠：基於從以相同方式製備的半導體晶圓的測量所獲得的資料，例如藉由對特定數量的測量樣本進行平均，來對隨後的FJP方法計算位置相關的材料去除。
在根據本發明的方法的下一步驟中，半導體晶圓的至少一個表面（通常為後來在其上製備電子元件的表面）係藉由FJP方法而加工。作為局部加工方法的FJP方法係能夠根據待加工半導體晶圓的表面上的位置而去除不同量的材料，且因此從雙面拋光之後的已知幾何參數出發來改進幾何參數。
FJP方法是一種使用拋光劑射流的局部材料去除加工。拋光劑係由一其中懸浮有硬物質顆粒的流體所組成。藉助於一噴嘴，將射流引導到表面的一小區域上。噴嘴係在表面待處理的那部分上方移動，其中噴嘴本身或半導體晶圓或適當組合的該二者可以移動。作為示例，半導體晶圓的旋轉可以有利地與噴嘴的線性運動組合。例如，噴嘴相對於半導體晶圓的相對運動能夠以平行的、直線（逐行（line by line）） 實現、螺旋地實現或在平行於半導體晶圓邊緣的圓形路徑上實現。待加工的區域在各種情況下可以僅掃過一次或者多次或可存在交疊。
較佳地，位置相關的材料去除可以藉由噴嘴在一位置的停留持續時間來控制，即藉由噴嘴在該位置處在半導體晶圓的表面上方運動的速度。在噴嘴的低速度下係實現相對高的材料去除，反之亦然。較佳地，噴嘴的運動係基於在雙面拋光之後半導體晶圓的當前的幾何參數來控制，從而去除影響待最佳化幾何參數的局部隆起（elevation）。以這種方式來改進關於相關參數的半導體晶圓的幾何參數。
較佳地，對於根據本發明的方法，使用例如在WO02/074489A1中描述的FJP方法的變體（variant），且其中拋光劑射流從其出現的噴嘴係以0.5至3毫米、較佳為0.7至2毫米的距離被引導在待加工的表面上方，使得在噴嘴的端側與加工表面之間產生一環形間隙（annular gap）。噴嘴較佳具有4至8毫米的直徑。環形間隙的表面積係小於拋光劑流入噴嘴的入口的橫截面積。拋光劑係積累在噴嘴與待加工表面之間，並且主要平行於待加工表面且透過環形間隙而實質上徑向地向外部流動。在該變體中，材料去除主要係藉由徑向地向外部流動之具有懸浮的硬物質顆粒的流體來實現，特別是以在空間上限定在環形間隙的區域中的形式，而在噴嘴中心區域內不發生材料的去除。
FJP方法的替代變體係透過一相對於拋光表面而傾斜設置的噴嘴來實現拋光劑的水平速度分量（horizontal speed component）。這提供了以下優點：在上述變體中噴嘴中心區域內的少量材料去除所導致在表面粗糙度上的增加係被避免。與此對比，缺點是去除輪廓（removal profile）的旋轉對稱性（rotational symmetry）的損失。然而，藉由將複數個噴嘴傾斜佈置且與一共用加工點（common processing point）精確地或近似地對準的佈置，可以至少部分地對此進行補救。噴嘴裝置的流動工程設計（flow engineering design）使其可以根據加工需求而設置不同的去除輪廓。
在此提到的FJP方法的所有變體可以作為替代方案而用於根據本發明方法的半導體晶圓的幾何校正，且在每種情況下提供關於去除速率、去除輪廓及可實現的表面粗糙度（achievable surface roughness）之特定參數值。總體而言，此變體將在下文中稱為術語「FJP方法」。
如果半導體晶圓實質上由矽組成，較佳使用pH在7與11.5之間的氧化矽顆粒的漿料作為拋光劑。氧化矽顆粒的比例較佳是0.1至2%（重量%）。拋光劑的銅含量較佳為最高0.04 ppm，鎳含量較佳為最高0.1 ppm。
由於使用FJP方法只能實現低材料去除速率，因此較佳不處理半導體晶圓的整個表面（較佳為正面），而是僅處理其中待最佳化幾何參數值其結果特別差的局部區域。作為示例，FJP加工可以限於鄰接晶圓邊緣的區域，以便針對參數ESFQR來改進邊緣區域內的平整度。雷射標記（laser marking）區域的FJP後加工（post-processing）也是較佳的，因為該區域在雙面拋光之後通常具有輕微的隆起。該隆起可以藉由局部限制於雷射標記區域的FJP處理來調平。
在FJP處理之後，為了加工控制的目的，可以重新進行幾何測量。
之後，使預先經受FJP處理的半導體晶圓的至少該側面經受化學機械拋光。在這種情況下，消除了經雙面拋光區域與經FJP處理區域之間的粗糙度差異，且半導體晶圓獲得以無霧方式拋光的均勻光滑的表面。較佳地，這種拋光係作為單面拋光實施，其中材料去除較佳不大於1微米，特別佳不大於0.5微米。較佳地，為此使用一種拋光機，其包括具有複數個旋轉對稱壓力區（rotationally symmetrical pressure zone）的拋光頭，例如在EP847835A1中所述的拋光機。這與少量材料去除一起能夠實質上維持藉由在半導體晶圓的邊緣區域內的FJP所設置的平整度。
下文描述根據本發明方法的特別佳的實施態樣。
第一個特別佳的實施態樣係特別 適合用於改進半導體晶圓的邊緣區域內的平整度，以便最佳化參數ESFQR。
在本實施態樣中，較佳進行雙面拋光，使得半導體晶圓在邊緣附近有略微隆起的情況下具有最佳可能的總體平整度（即低GBIR）。GBIR較佳≤200奈米，特別佳≤150奈米。同時，藉由雙面拋光應該已經實現相對小的邊緣下降（edge roll-off），較佳ESFQRavg ≤40奈米，且特別佳≤30奈米。
舉例言之，這可以藉由，在雙面拋光期間，相對於經拋光半導體晶圓的最終厚度，適當選擇用於引導半導體晶圓的載板（carrier plate）的厚度來實現：如果經拋光半導體晶圓的最終厚度小於載板的厚度，則經拋光半導體晶圓具有略微凹陷的徑向輪廓。在這種情況下，也不能避免在最外邊緣處（即，在從晶圓邊緣向內約3毫米的範圍內）的邊緣下降，這限制了藉由雙面拋光可實現的ESFQR值。然而，進行雙面拋光，使得該邊緣下降可以在隨後的FJP步驟中伴隨盡可能少的材料去除而被消除。在雙面拋光期間的材料去除較佳是8至10微米。第1圖中的曲線1顯示這種類型的徑向輪廓，例如在本實施態樣中藉由雙面拋光而製備的徑向輪廓。
在隨後的FJP步驟中，僅需要在邊緣區域內進行幾何校正。由於待加工的區域是旋轉對稱的，因此在FJP加工期間，較佳使噴嘴依照一或多個圓形路徑或者螺旋地在待加工的區域上方移動。在本實施態樣中，可以省去對半導體晶圓的整個正面的FJP加工。邊緣區域內的隆起較佳係藉由FJP在盡可能少的材料去除下去除，其程度使得邊緣下降被完全去除且遠至最外邊緣的徑向輪廓是平整的或均勻地上升。第1圖中的曲線2顯示藉由FJP以這種方式校正的輪廓。在所示的情況下，在FJP步驟中，在總體上僅為大約20立方毫米（mm3 ）的非常少的材料去除的情況下，可以改進邊緣區域的平整度，使得可以實現8奈米或更小，或者甚至5奈米或更小的優異ESFQRavg 值。ESFQRavg 值可以降低至大約1至2奈米。少量材料去除係提供了FJP方法節約時間的應用、且由此是節約費用的應用。
在第二個實施態樣中 ，FJP加工係用於改進在雙面拋光之後並非為最佳的輪廓。作為示例，由於非最佳的加工實施或者由於在雙面拋光期間的無意的偏差，可能出現稍微凹陷的徑向輪廓，其與第一個特別佳的實施態樣相比具有更寬的邊緣下降。類似地，該邊緣下降係藉由隨後的FJP加工而完全去除。在本實施態樣中，FJP係用於半導體晶圓的後加工，否則半導體晶圓可能由於雙面拋光期間的偏差而不得不被拋棄。至於其餘部分，本實施態樣與第一個特別佳的實施態樣沒有不同。第2圖顯示FJP加工之前（曲線1）與FJP加工之後（曲線2）的徑向輪廓。在這種情況下，即使8奈米或更小的優異ESFQRavg 值並未在這種情況下實現，在半導體晶圓的邊緣區域內平整度的顯著改進仍已經可以顯著地改進邊緣區域的平整度，其中材料去除僅為10立方毫米。
在第三個特別佳的實施態樣中 ，FJP方法係用於去除雷射標記位置處的隆起，該隆起可以在雙面拋光之後確定。由於在雙面拋光期間矽及氧化矽具有不同的去除速率，在雷射標記周圍的隆起可能出現。在雷射標記處，氧化物可局部地產生，這減慢了在雙面拋光期間的材料去除並因此作為隆起而保留下來。在這種情況下，也只加工雷射標記的區域，而不是半導體晶圓的整個正面。
在第四個特別佳的實施態樣中 ，FJP方法係用於消除表面的局部失調。例如，該失調可以是在低溫氧化物（low temperature oxide，LTO）沉積過程中於半導體晶圓背面上出現的局部隆起。它們被稱為所謂的「尖峰（spike）」，並且通常出現在半導體晶圓的邊緣區域內。為了能夠去除在相同位置處不可再現地出現的這種局部隆起，在進行FJP步驟之前，必須使每個半導體晶圓經受幾何測量。
示例性實施態樣的以上描述應當被理解為是示例性的。如此提供之本揭露首先使得本領域技術人員能夠理解本發明及其相關優點，其次，在本領域技術人員的理解範圍內，還所述包括結構與方法的明顯的改變及修改。因此，所有這樣的改變與修改及等同物旨在由申請專利範圍的保護範圍所涵蓋。
1‧‧‧半導體晶圓在DSP之後與FJP之前的徑向輪廓
2‧‧‧半導體晶圓在FJP之後的徑向輪廓
第1圖顯示半導體晶圓正面（front side）的一較佳徑向輪廓（radial profile），該輪廓係藉由同時雙面拋光而製備，以及顯示一藉由隨後的FJP加工而由其製備的輪廓。 第2圖顯示半導體晶圓正面的另一徑向輪廓，該輪廓係藉由同時雙面拋光而製備，以及顯示一藉由隨後的FJP加工而由其製備的輪廓。
1‧‧‧半導體晶圓在DSP之後與FJP之前的徑向輪廓
2‧‧‧半導體晶圓在FJP之後的徑向輪廓

Claims (12)

  1. 一種單晶半導體晶圓，其在250微米的限制波長(limiting wavelength)下具有最多0.8奈米的平均粗糙度Ra，其中，在邊緣排除(edge exclusion)為1毫米的情況下，ESFQR值的平均值(ESFQRavg)是8奈米或更小。
  2. 如請求項1所述的單晶半導體晶圓，其中，ESFQRavg是5奈米或更小。
  3. 如請求項1或2所述的單晶半導體晶圓，其中，藉由多UTP(poly-silicon ultra-trace profiling(多晶矽超痕量剖析)，poly-UTP)方法測定的元素銅及鎳的金屬含量是最多3×1010/平方公分(cm-2)。
  4. 如請求項1或2所述的單晶半導體晶圓，其中，該半導體晶圓實質上由矽組成。
  5. 如請求項4所述的單晶半導體晶圓，其直徑是至少300毫米。
  6. 一種用於製備單晶半導體晶圓的方法，其包含指定順序的以下步驟：-同時雙面拋光半導體晶圓；-對半導體晶圓的至少一個表面的至少一部分使用一流體射流(fluid jet)進行局部材料去除加工(local material-removing processing)，該流體射流含有懸浮的硬物質顆粒並且藉助於一噴嘴被引導到該表面的一小區域上，其中該噴嘴在該表面待處理的那部分上方移動，其方式使得半導體晶圓的一預定幾何參數被改進，其中該局部材料去除加工係基於在對同一個半導體晶圓進行同時雙面拋光之後所進行的幾何參數的位置相關測量(location-dependent measurement)來進行；以及-拋光半導體晶圓的該至少一個表面。
  7. 如請求項6所述的方法，其中，基於在對相同類型的半導體晶圓進行相同類型的同時雙面拋光之後所進行的已知的幾何參數的位置相關測量，而在不對待處理的半導體晶圓本身進行該測量的情況下，進行局部材料去除加工。
  8. 如請求項6或7所述的方法，其中，該幾何參數是參數ESFQR。
  9. 如請求項6或7所述的方法，其中，材料去除加工是藉由一噴嘴進行，該噴嘴以0.5至3毫米的距離被引導到待加工的表面上方，且包含懸浮的硬物質顆粒的流體射流經由該噴嘴而出現，其中該流體在該噴嘴與該表面之間積累，且其中材料去除主要是藉由在該表面與該噴嘴的邊緣之間平行於該表面流出之包含懸浮的硬物質顆粒的流體而實現。
  10. 如請求項6或7所述的方法，其中，在該最終的半導體晶圓的至少一側的拋光中去除不超過1微米的材料。
  11. 如請求項6或7所述的方法，其中，在半導體晶圓的同時雙面拋光期間，在邊緣附近的區域內製備出一具有限定隆起(defined elevation)的輪廓(profile)。
  12. 如請求項11所述的方法，其中，在局部材料去除加工期間，該噴嘴以圓形路徑或螺旋地被引導在隆起所在的邊緣附近的區域上方，使得隆起在局部材料去除加工的過程中至少被部分去除。
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