TW202336847A - 矽晶圓的評價方法及矽晶圓的加工變質層去除方法 - Google Patents
矽晶圓的評價方法及矽晶圓的加工變質層去除方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202336847A TW202336847A TW111138936A TW111138936A TW202336847A TW 202336847 A TW202336847 A TW 202336847A TW 111138936 A TW111138936 A TW 111138936A TW 111138936 A TW111138936 A TW 111138936A TW 202336847 A TW202336847 A TW 202336847A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- silicon
- processing
- evaluation method
- maximum depth
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 118
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 118
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 118
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 32
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 119
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 9
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 13
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001530 Raman microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
本發明為一種矽晶圓的評價方法，其特徵在於包含：在殘存有加工變質層之裸矽晶圓面內的複數處，使用顯微拉曼光譜儀獲得矽的一次拉曼峰位置；由在前述複數處所獲得之前述矽的一次拉曼峰位置生成峰偏移的直方圖；由前述直方圖算出平均值A與標準差S；及，由前述平均值A及前述標準差S估算殘存於前述矽晶圓之加工變質層的最大深度D。藉此，提供一種矽晶圓的評價方法，其能夠正確地估算殘存加工變質層之裸矽晶圓中的加工變質層的最大深度。
Description
本發明關於矽晶圓的評價方法及矽晶圓的加工變質層去除方法。
在矽晶圓的製造中，切片、研光（lapping）等利用研削機構加工之步驟是以改進翹曲和厚度等晶圓的形狀作為主要任務，但另一方面，會產生裂縫（crack）和條痕（streak）等而在裸矽晶圓（bare silicon wafer）中留下殘存有加工所造成之應力之層也就是加工變質層（損傷）。這些加工變質層會藉由後續步驟也就是蝕刻和研磨來進行去除，但除了實際蝕刻和研磨來評價品質之外，要確認所需的加工餘量是困難的。例如，如專利文獻1所述，作為以往的方法，舉出了自角磨（angle polish）至掃描式電子顯微鏡（SEM）觀察等，但依據由晶圓的何位置切出試料、試料的前處理等等而造成發生變化、還有觀察視野狹窄故錯過損傷較深之處等等，而無法正確估算。因此，不指望如專利文獻1所述之方法般地單一且局部的採取方法。
另一方面，提出有一種手法，其使用拉曼光譜法而非破壞性地分析對象試料。
例如，專利文獻2記載了一種方法，其在顯微拉曼光譜法中分析附著在晶圓表面的異物時，藉由將物鏡的焦點位置挪移至分析對象試料的上方或下方來高感度化。
專利文獻3記載了一種方法，其藉由測定並比較石英坩堝的表面及結晶層、非晶層的拉曼光譜來判斷繼續使用之合格與否的水準。
專利文獻4記載了一種方法，其藉由拉曼散射光的峰偏移來測定平坦面上的台階（terrace）的寬度。
專利文獻5記載了一種在藍寶石上矽（silicon on sapphire，SOS）基板上的矽薄膜剝離、研磨後使用拉曼散射光的峰偏移法來測定矽薄膜中的應變（損傷）之方法、和應變（損傷）與峰偏移之相關性。
專利文獻6記載了一種方法，其在絕緣體上應變矽（strained silicon on insulator，SSOI）基板上的矽薄膜使用藉由拉曼光譜法獲得之峰偏移來測定應變矽薄膜中的應變水準。
（先前技術文獻）
（專利文獻）
專利文獻1：日本特開第2003-062740號公報
專利文獻2：日本特開第2017-083369號公報
專利文獻3：日本特開第2019-119618號公報
專利文獻4：日本特開第2008-109012號公報
專利文獻5：日本特開第2011-138932號公報
專利文獻6：日本特表第2009-503907號公報
[發明所欲解決的問題]
然而，上述手法並非能夠正確地估算殘存在裸矽晶圓中的加工變質層的最大深度的方法。
因此，期望開發一種評價方法，其能夠正確地估算殘存在裸矽晶圓中的加工變質層的最大深度。
本發明是為了解決上述問題而成者，目的在於提供能夠正確地估算殘存在裸矽晶圓中的加工變質層的最大深度之矽晶圓的評價方法、以及能夠自殘存加工變質層之裸矽晶圓確實地去除加工變質層之矽晶圓的加工變質層去除方法。
[用以解決問題的技術手段]
為了解決上述問題，本發明提供一種矽晶圓的評價方法，其特徵在於包含：在殘存有加工變質層之裸矽晶圓面內的複數處，使用顯微拉曼光譜儀（Raman spectroscopic microscope）獲得矽的一次拉曼峰位置；由在前述複數處所獲得之前述矽的一次拉曼峰位置生成峰偏移的直方圖；由前述直方圖算出平均值A與標準差S；及，由前述平均值A及前述標準差S估算殘存於前述矽晶圓之加工變質層的最大深度D。
若為如此之本發明的矽晶圓的評價方法，則能夠正確且非破壞性地估算殘存於裸矽晶圓（特別是研光和研削後的晶圓）之加工變質層的最大深度。另外，基於此估算，能夠決定恰如其分的蝕刻餘量及/或研磨餘量。
較佳是：以A+3S作為指標估算前述加工變質層的最大深度D。
藉由使用上述指標，能夠更加正確地估算加工變質層的最大深度。
例如，能夠評價表面粗糙度在100μm×100μm之視野中為1nm以上之前述矽晶圓。
評價對象只要是殘存有加工變質層之裸矽晶圓則無特別限定，但例如能夠評價表面粗糙度在100μm×100μm之視野中為1nm以上之矽晶圓。
較佳是：在前述顯微拉曼光譜儀中使用的光源波長設為532nm。
基於將光源波長設為532nm而使用顯微拉曼光譜儀所獲得之矽的一次拉曼峰位置作直方圖，藉由基於該直方圖，能夠更加正確地估算加工變質層的最大深度D。
較佳是：為了算出前述平均值A及前述標準差S，將獲得前述矽的一次拉曼峰位置之處設為200處以上。
藉由將獲得矽的一次拉曼峰位置之處設為200處以上，能夠更加正確地估算加工變質層的最大深度D。
另外，本發明提供一種矽晶圓的加工變質層去除方法，其特徵在於：以超過藉由本發明之矽晶圓的評價方法所估算之最大深度D之加工餘量，將前述矽晶圓供給至蝕刻及/或研磨。
藉由以超過藉由本發明之矽晶圓的評價方法所估算之最大深度D之加工餘量而將矽晶圓供給至蝕刻及/或研磨，能夠確實地去除殘存於裸矽晶圓之加工變質層。藉由確實地去除加工變質層，能夠獲得例如滿足蝕刻及/或研磨後的局部光散射（localize light scatter，LLS）缺陷的個數的規格之矽晶圓。
[發明的功效]
如上所述，若為本發明的矽晶圓的評價方法，則能夠正確地估算殘存於裸矽晶圓之加工變質層的最大深度。
另外，若為本發明的矽晶圓的加工變質層去除方法，則能夠自殘存加工變質層之裸矽晶圓確實地去除加工變質層。另外，由於不會作成必需以上的加工餘量，故對於提升生產力及良率有所貢獻。
如上所述，謀求開發能夠正確地估算殘存在裸矽晶圓中的加工變質層的最大深度之矽晶圓的評價方法、以及能夠自殘存加工變質層之裸矽晶圓確實地去除加工變質層之矽晶圓的加工變質層去除方法。
本發明人針對上述問題重複深入探討的結果，發現下述而完成本發明：在殘存有加工變質層之裸矽晶圓面內的複數處，使用顯微拉曼光譜儀獲得矽的一次拉曼峰位置，由在複數處所獲得之矽的一次拉曼峰位置生成峰偏移的直方圖，將所生成之峰偏移的直方圖視為是常態分布而算出平均值及標準差，基於所算出之平均值與標準差而進行加工變質層的最大深度D之估算，藉此，能夠正確地估算殘存在評價對象之裸矽晶圓之加工變質層的最大深度D。
亦即，本發明為一種矽晶圓的評價方法，其特徵在於包含：在殘存有加工變質層之裸矽晶圓面內的複數處，使用顯微拉曼光譜儀獲得矽的一次拉曼峰位置；由在前述複數處所獲得之前述矽的一次拉曼峰位置生成峰偏移的直方圖；由前述直方圖算出平均值A與標準差S；及，由前述平均值A及前述標準差S估算殘存於前述矽晶圓之加工變質層的最大深度D。
另外，本發明為一種矽晶圓的加工變質層去除方法，其特徵在於：以超過藉由本發明之矽晶圓的評價方法所估算之最大深度D之加工餘量，將前述矽晶圓供給至蝕刻及/或研磨。
以下，針對本發明，參照圖式作詳細說明，但本發明並非限定於此。
＜矽晶圓的評價方法＞
[關於評價對象之晶圓]
利用本發明之矽晶圓的評價方法所評價之矽晶圓是殘存有加工變質層之裸矽晶圓。更具體而言是蝕刻前的步驟之裸矽晶圓，例如，切片後、研光後、研削後等之裸矽晶圓。加工變質層意指這些加工造成的應力殘存於矽晶圓之層。若將其定量地呈現，例如，能夠呈現為表面粗糙度在100μm×100μm之視野中為1nm以上之矽晶圓。並且，若進行了蝕刻，則對於估算損傷深度所必需之加工變質層會被去除，故不期望是蝕刻後的晶圓。評價對象之矽晶圓的表面粗糙度的上限並無特別限定，例如，能夠將表面粗糙度在100μm×100μm之視野中為1μm以下之矽晶圓作為評價對象。若為此上限以下，則能夠確實地抑制在顯微鏡的觀察視野中出現失焦的區域，而能夠防止測定精度的低下。
[關於測定]
在本發明中，在殘存有加工變質層之裸矽晶圓面內的複數處，使用顯微拉曼光譜儀而獲得矽的一次拉曼峰位置。
例如，能夠藉由自使用光源波長為532nm之雷射顯微拉曼光譜儀所獲得之光譜，對矽的一次拉曼峰位置（520 cm
-1附近）藉由洛倫茲函數（Lorentz function）作擬合（fitting）來求取，並將其峰偏移值設為一處的數據。
在本發明的研究中，將進行游離磨粒（loose abrasive）切片、固定磨粒（fixed abrasive）切片、研光、藉由磨石實行之研削等各種加工後的裸矽晶圓，針對1000處而測定峰偏移值的結果，標準差S小者為0.031cm
-1。若為180處以上的測定點，則能夠以可靠度99%而在區間±0.005cm
-1獲得該數值。藉由將測定點設為200處以上，能夠以更高的可靠度獲得該數值。測定點的較佳上限並無特別限定，但例如能夠設為10000處以下。藉由將測定點設為180處以上且10000處以下，能夠不花費太多測定時間即獲得充分的測定精度。
[關於直方圖之生成、以及平均值A及標準差S之算出]
在本發明的矽晶圓的評價方法中，由在評價對象的裸矽晶圓的複數處所獲得之矽的一次拉曼峰位置生成峰偏移的直方圖，並由所生成之直方圖算出平均值A與標準差S。
第1圖以實線表示能夠在本發明的矽晶圓的評價方法中獲得的峰偏移的直方圖的一個示例。另外，以虛線表示使該直方圖近似於常態分布者。
例如，能夠將實線之峰偏移的直方圖視為以虛線表示之常態分布，而由該常態分布算出平均值A與標準差S。在第1圖的峰偏移的直方圖中，平均值A為0.989cm
-1，標準差S為0.030cm
-1。
[關於加工變質層的最大深度D之估算]
在本發明的矽晶圓的評價方法中，由如上述般地算出之平均值A及標準差S來估算殘存於矽晶圓之加工變質層的最大深度D。
例如，較佳是以A+3S作為指標估算前述加工變質層的最大深度D。
更具體而言，較佳是使用指標A+3S及係數K並利用數學式：D＝K×(A+3S)來估算加工變質層的最大深度D。
此處，係數K是依據所使用之測定器的機差和所求取的晶圓表面的局部光散射（LLS）缺陷數量等而有所差異之係數，其例如能夠利用經驗及/或實驗來確定。
由以上所說明之由峰偏移的直方圖算出之平均值A及標準差S，估算評價對象也就是殘存於裸矽晶圓之加工變質層的最大深度D，藉此，可決定能夠確實地去除殘存之加工變質層之適當的加工餘量。
另一方面，角磨和穿透式電子顯微鏡（TEM）等局部觀察、及專利文獻5的實施例等，並非在正好能夠生成峰偏移的直方圖之處進行測定，而是等同於由此直方圖進行數點測定。在這種測定中，估算加工變質層的最大深度D就機率上而言是困難的。
＜矽晶圓的加工變質層去除方法＞
在本發明之矽晶圓的加工變質層去除方法中，以超過藉由本發明之矽晶圓的評價方法所估算的最大深度D之加工餘量，將矽晶圓供給至蝕刻及/或研磨。
藉此，能夠確實地去除殘存於裸矽晶圓之加工變質層。而且，藉由確實地去除加工變質層，能夠獲得例如滿足蝕刻及/或研磨後的局部光散射（LLS）缺陷的個數的規格之矽晶圓。
只要能夠達成超過藉由本發明之矽晶圓的評價方法所估算的最大深度D之加工餘量，則併用複數加工亦無妨。
另一方面，若超過所估算之最大深度D，則不會以必需以上的加工餘量施行加工，故能夠提升生產力和良率。
[實施例]
以下，使用實施例及比較例來具體說明本發明，但本發明並非限定於此。
＜實施例1及2、以及比較例1及2＞
[關於晶圓]
作為評價對象之晶圓，將樣品晶圓A與樣品晶圓B分別準備10片，該樣品晶圓A是由直徑300mm之p型矽單晶利用以1000粒度（grit size）之游離磨粒方式所切斷而成，該樣品晶圓B是進行以1500粒度之研光而成。
樣品晶圓A的表面粗糙度的平均在100μm×100μm的視野中為351nm。樣品晶圓B的表面粗糙度的平均在100μm×100μm的視野中為226nm。
[測定及直方圖之生成]
由上述樣品晶圓A挑出三片，在晶圓面內合計200處，使用顯微拉曼光譜儀而獲得矽的一次拉曼峰位置。所使用之光源波長設為532nm。以相同的程序，針對樣品晶圓B，亦在合計200處獲得矽的一次拉曼峰位置。
由在合計200處所獲得之矽的一次拉曼峰位置，生成樣品晶圓A及B各自的峰偏移的直方圖。
隨後，由所生成之直方圖，算出平均值A與標準差S。結果，進行游離磨粒切片之樣品晶圓A，其平均值A=1.021cm
-1，標準差S=0.052cm
-1。另外，進行研光之樣品晶圓B，其平均值A=0.784cm
-1，標準差S=0.042cm
-1。
[加工變質層的最大深度D之估算]
準備了利用2000粒度之研削磨石進行平面研削之參考晶圓。針對所準備之參考晶圓，以與對樣品晶圓A及B所進行者相同的程序在面內合計200處獲得矽的一次拉曼峰位置，並由在合計200處所獲得之矽的一次拉曼峰位置生成峰偏移的直方圖。由所生成之直方圖，算出平均值A0與標準差S0。平均值A0為0.381cm
-1，標準差S0為0.065cm
-1。
隨後，將參考晶圓的研削面各研磨厚度0.5μm。
研磨機是在不二越機械工業的DSP-20B上貼附發泡聚氨酯墊，載體是在鈦基板上使用在玻璃纖維含浸有環氧樹脂之纖維強化塑膠（FRP）作為插件者，漿料是含有平均粒徑35nm之二氧化矽磨粒之基於氫氧化鉀（KOH）者。
每研磨0.5μm，將研磨面的局部光散射（LLS）缺陷個數，利用KLA製之微粒測定器SP1來測定。將每次測定之粒徑尺寸500nm以上的局部光散射（LLS）缺陷個數為小於10個時的合計加工餘量設為D0。合計加工餘量D0為8.6μm。
使用以上所求取之A0、S0及D0，由數學式：K=D0/(A0+3S0)算出係數K。係數K為14.9μm/cm
-1。
使用上述平均值A、標準差S及係數K，由數學式：D=K×(A+3S)估算樣品晶圓A及B的加工變質層的最大深度D。
其結果，進行游離磨粒切片之樣品晶圓A的加工變質層的最大深度D，其估算為D=17.5μm。另外，進行研光之樣品晶圓B的加工變質層的最大深度D，其估算為D=13.6μm。因此，如下所說明，附加研磨餘量而進行研磨，並利用清洗後的微粒測定器SP1測定500nm以上的局部光散射（LLS）缺陷的個數，確認了10片的平均缺陷個數。
（實施例1）
在實施例1中，對於樣品晶圓A，以超過先前所估算之加工變質層的最大深度D（D=17.5μm）之18μm、20μm及22μm之加工餘量分別進行研磨。研磨條件設為與用於求取係數K之研磨條件相同。
（比較例1）
在比較例1中，對於樣品晶圓A，以先前所估算之加工變質層的最大深度D（D=17.5μm）以下之12μm、14μm及16μm之加工餘量分別進行研磨。研磨條件設為與用於求取係數K之研磨條件相同。
（實施例2）
在實施例2中，對於樣品晶圓B，以超過先前所估算之加工變質層的最大深度D（D=13.6μm）之14μm、16μm、18μm、20μm及22μm之加工餘量分別進行研磨。研磨條件設為與用於求取係數K之研磨條件相同。
（比較例2）
在比較例2中，對於樣品晶圓B，以先前所估算之加工變質層的最大深度D（D=13.6μm）以下之10μm及12μm之加工餘量分別進行研磨。研磨條件設為與用於求取係數K之研磨條件相同。
第2圖是顯示實施例1及2、以及比較例1及2中的研磨餘量與平均缺陷個數之關係的圖表。
由第2圖之方形的標繪（plot）及實線的圖表可知，在對於進行游離磨粒切片之樣品晶圓A以超過所估算之加工變質層的最大深度D（D＝17.5μm）之加工餘量進行研磨之實施例1中，平均缺陷個數達成規格也就是10以下。另一方面，在對於樣品晶圓A以所估算之加工變質層的最大深度D（D＝17.5μm）以下之加工餘量進行研磨之比較例1中，平均缺陷個數無法達成規格也就是10以下。
另外，由第2圖之圓形的標繪及虛線的圖表可知，在對於進行研光之樣品晶圓B以超過所估算之加工變質層的最大深度D（D＝13.6μm）之加工餘量進行研磨之實施例2中，平均缺陷個數達成規格也就是10以下。另一方面，在對於樣品晶圓B以所估算之加工變質層的最大深度D（D＝13.6μm）以下之加工餘量進行研磨之比較例2中，平均缺陷個數無法達成規格也就是10以下。
並且，本發明不限於上述實施方式。上述實施方式為例示，任何具有與本發明的申請專利範圍所記載之技術思想實質相同的構成並發揮同樣的作用效果者，皆包含於本發明的技術範圍內。
無
第1圖是本發明的矽晶圓的評價方法中所使用的直方圖的一個示例。
第2圖是顯示實施例1及2、以及比較例1及2中的研磨餘量與平均缺陷個數之關係的圖表。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
Claims (10)
- 一種矽晶圓的評價方法，其特徵在於包含： 在殘存有加工變質層之裸矽晶圓面內的複數處，使用顯微拉曼光譜儀獲得矽的一次拉曼峰位置； 由在前述複數處所獲得之前述矽的一次拉曼峰位置生成峰偏移的直方圖； 由前述直方圖算出平均值A與標準差S；及， 由前述平均值A及前述標準差S估算殘存於前述矽晶圓之加工變質層的最大深度D。
- 如請求項1所述之矽晶圓的評價方法，其中，以A+3S作為指標估算前述加工變質層的最大深度D。
- 如請求項1所述之矽晶圓的評價方法，其中，評價表面粗糙度在100μm×100μm之視野中為1nm以上之前述矽晶圓。
- 如請求項2所述之矽晶圓的評價方法，其中，評價表面粗糙度在100μm×100μm之視野中為1nm以上之前述矽晶圓。
- 如請求項1所述之矽晶圓的評價方法，其中，在前述顯微拉曼光譜儀中使用的光源波長設為532nm。
- 如請求項2所述之矽晶圓的評價方法，其中，在前述顯微拉曼光譜儀中使用的光源波長設為532nm。
- 如請求項3所述之矽晶圓的評價方法，其中，在前述顯微拉曼光譜儀中使用的光源波長設為532nm。
- 如請求項4所述之矽晶圓的評價方法，其中，在前述顯微拉曼光譜儀中使用的光源波長設為532nm。
- 如請求項1～8中任一項所述之矽晶圓的評價方法，其中，為了算出前述平均值A及前述標準差S，將獲得前述矽的一次拉曼峰位置之處設為200處以上。
- 一種矽晶圓的加工變質層去除方法，其特徵在於： 以超過藉由請求項1～9中任一項所述之矽晶圓的評價方法所估算之最大深度D之加工餘量，將前述矽晶圓供給至蝕刻及/或研磨。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021-185360 | 2021-11-15 | ||
| JP2021185360A JP2023072744A (ja) | 2021-11-15 | 2021-11-15 | シリコンウェーハの評価方法及びシリコンウェーハの加工変質層除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202336847A true TW202336847A (zh) | 2023-09-16 |
Family
ID=86335679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111138936A TW202336847A (zh) | 2021-11-15 | 2022-10-14 | 矽晶圓的評價方法及矽晶圓的加工變質層去除方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2023072744A (zh) |
| CN (1) | CN118176571A (zh) |
| TW (1) | TW202336847A (zh) |
| WO (1) | WO2023084978A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102023129379A1 (de) | 2022-11-07 | 2024-05-08 | Aoyama Seisakusho Co., Ltd | Metallelement, Verbindungsstruktur zwischen Metallelement und Metallplatte, Verbindungsstruktur zwischen Metallelement und Platten aus ungleichem Material die aus Harz, Metall und dergleichen hergestellt sind, verbundener Artikel und Verfahren zum Herstellen eines verbundenen Artikels |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08114548A (ja) * | 1994-10-18 | 1996-05-07 | Sony Corp | 結晶性評価方法 |
| JP4808278B2 (ja) * | 1999-01-06 | 2011-11-02 | 株式会社東京精密 | 平面加工装置及び方法 |
| JP3578975B2 (ja) * | 2000-06-13 | 2004-10-20 | 住友大阪セメント株式会社 | シリコンウエハの高速鏡面研磨方法 |
| JP2004296912A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Kyocera Corp | ウェハ支持基板 |
| JP2022149234A (ja) * | 2021-03-25 | 2022-10-06 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | ウェハ研磨方法 |
-
2021
- 2021-11-15 JP JP2021185360A patent/JP2023072744A/ja active Pending
-
2022
- 2022-10-11 WO PCT/JP2022/037864 patent/WO2023084978A1/ja unknown
- 2022-10-11 CN CN202280072025.5A patent/CN118176571A/zh active Pending
- 2022-10-14 TW TW111138936A patent/TW202336847A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023084978A1 (ja) | 2023-05-19 |
| CN118176571A (zh) | 2024-06-11 |
| JP2023072744A (ja) | 2023-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Pei et al. | Grinding induced subsurface cracks in silicon wafers | |
| JP7406914B2 (ja) | ＳｉＣウェハ及びＳｉＣウェハの製造方法 | |
| US11551922B2 (en) | Method of polishing silicon wafer including notch polishing process and method of producing silicon wafer | |
| JP5862492B2 (ja) | 半導体ウェーハの評価方法及び製造方法 | |
| JP4420023B2 (ja) | 半導体ウェーハの測定方法、その製造工程の管理方法、及び半導体ウェーハの製造方法 | |
| TWI417955B (zh) | 經磊晶塗覆的矽晶圓和製造經磊晶塗覆的矽晶圓的方法 | |
| US10513798B2 (en) | Method for determining defect region | |
| US11948819B2 (en) | Method of evaluating silicon wafer, method of evaluating silicon wafer manufacturing process, method of manufacturing silicon wafer, and silicon wafer | |
| TW202336847A (zh) | 矽晶圓的評價方法及矽晶圓的加工變質層去除方法 | |
| WO2023026948A1 (ja) | ＧａＮ基板の表面加工方法およびＧａＮ基板の製造方法 | |
| JP6373233B2 (ja) | 半導体ウェハの加工ダメージ評価方法 | |
| JPWO2019198558A1 (ja) | ガラス板、ガラス板の製造方法および端面検査方法 | |
| TWI737339B (zh) | 單結晶矽的電阻率測定方法 | |
| JP2009027095A (ja) | 半導体ウェハの評価方法、半導体ウェハの研削方法、及び半導体ウェハの加工方法 | |
| US6443817B1 (en) | Method of finishing a silicon part | |
| JP7457896B2 (ja) | 加工変質層の評価方法及び評価システム | |
| Dojima et al. | 4H-SiC Full Wafer Mapping Image of CMP-Finished Sub-Surface Damage by Laser Light Scattering | |
| TWI742711B (zh) | 單結晶矽的氧濃度或碳濃度的測定方法 | |
| KR20100033084A (ko) | 실리콘 에피층 내에 존재하는 결함 분석 방법 | |
| TW202234543A (zh) | 加工變質層的評價方法及半導體單晶基板的製造方法 | |
| Wu et al. | Experimental Investigation of Ultra-Thin Silicon Wafers Warpage | |
| JP4128687B2 (ja) | 半導体ウェーハ表面の清浄度管理方法およびエッチング代検出方法 | |
| KR101668237B1 (ko) | 질화물 반도체 기판의 표면 가공방법 | |
| Velidandla et al. | Automated process metrology in solar cell manufacturing | |
| Sasani et al. | Relationship between concentration, time and surface roughness of GaAs wafer in lapping process: an experimental investigation |