JP6373233B2 - 半導体ウェハの加工ダメージ評価方法 - Google Patents
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Description
上記加工プロセスを経た半導体ウェハの加工面には加工変質層(加工ダメージ)が形成されている。この加工ダメージは、デバイス製造プロセスにおいてスリップ転位等の結晶欠陥を誘発したり、半導体ウェハの機械的強度を低下させたり、電気的特性に悪影響を及ぼしたりすることが知られている。そのため、半導体ウェハの加工面に発生する加工ダメージを評価して完全に除去する必要がある。
例えば非特許文献1には、アングルポリシング法(斜め研磨法)が記載されている。非特許文献1では、ウェハから切り出した試験片を、加工面に対して5°の傾斜角度で斜め研磨し、走査型電子顕微鏡で傾斜面を観察して顕微鏡写真上のスケールから亀裂長さを読み取り、厚さ方向の亀裂深さ(ダメージ深さ)を算出している。試験片の加工面に傾斜角度5°の傾斜面を形成すると、ダメージ深さが約11倍に拡大され、ダメージ深さを測定しやすくなる。
X線トポグラフ法は結晶歪に敏感であり、加工ダメージの観察に適している。なお、X線トポグラフ法には、ラング法やベルクバレット法のように、X線源から発生した一次X線を直接、試料結晶に入射させ、試料結晶で回折したX線で像を形成する1結晶法と、X線源から発生した一次X線を第1結晶に入射させて第1結晶で回折したX線を試料結晶に入射させ、試料結晶で回折したX線で像を形成する2結晶法とがある(例えば特許文献1参照)。
前述したアングルポリシング法の場合、試験片の一辺が数mm〜10mm程度と小さいため試験片に最大ダメージが含まれているとは限らないことに加えて、ダメージ深さが浅い場合、斜め研磨の傾斜角度を小さくしなければならないが、傾斜角度を小さくすると、加工面と傾斜面との境界が不明確となってダメージ深さの算定が困難となる。
一方、ステップエッチング法は、ウェハ全体の観察が可能であるが、測定分解能が段差高さに依存するという問題がある。また、繰り返しポリシング法は、ダメージ深さを特定するまでウェハ表面のポリシングとウェハ表面の観察を繰り返し行わなければならないため多大な手間を要するうえ、測定分解能が一回のポリシング量に依存するという問題がある。
(1)半導体ウェハの加工面に傾斜面を形成するため、該半導体ウェハの加工面の少なくとも一部を該加工面に対して斜めに研磨する第1ステップ。
(2)前記加工面に対して斜めに研磨された前記半導体ウェハを平面視し、該半導体ウェハに形成されたオリエンテーションフラット上の一点を原点として、前記原点から前記オリエンテーションフラットと直交する方向に延びる軸をX軸、前記原点から前記オリエンテーションフラットの方向に延びる軸をY軸、前記原点を通過し前記X軸及び前記Y軸と直交する軸をZ軸とする三次元座標軸を設定し、前記半導体ウェハの表面形状を測定して該半導体ウェハの表面形状を前記三次元座標軸における(X,Y,Z)座標として記憶する第2ステップ。
(3)前記半導体ウェハに形成された傾斜面を観察又は測定し、前記傾斜面に露呈した加工ダメージが消失する位置を前記三次元座標軸における(X,Y)座標として記憶する第3ステップ。
(4)前記半導体ウェハの表面形状を示す前記(X,Y,Z)座標と前記加工ダメージが消失する位置を示す前記(X,Y)座標に基づいて前記半導体ウェハのダメージ深さを算出する第4ステップ。
(1)前記加工面に対して斜めに研磨された前記半導体ウェハの表面形状をX−Z平面上にプロットするステップ。
(2)前記半導体ウェハの加工面を前記X−Z平面上に近似直線としてプロットするステップ。
(3)前記加工ダメージが消失する位置を示す前記X座標における前記傾斜面及び前記近似直線のZ座標を求め、前記傾斜面のZ座標と前記近似直線のZ座標との差分を前記半導体ウェハのダメージ深さとするステップ。
その際、半導体ウェハの加工面をX−Z平面上における近似直線として求め、加工ダメージが消失する位置を示すX座標における傾斜面のZ座標と近似直線のZ座標との差分を半導体ウェハのダメージ深さとすれば、斜め研磨の傾斜角度が小さく加工面と傾斜面との境界が不明確な場合でもダメージ深さを高い精度で算出することができる。
[第1ステップ]
本ステップでは、半導体ウェハの加工面に傾斜面を形成する。その際、図1に示す研削装置14を用いて半導体ウェハ10の加工面を該加工面に対して斜め研削した後、図2に示す研磨治具20を用いて研磨装置25により半導体ウェハ10の傾斜面を研磨する。半導体ウェハ10に形成する傾斜面の傾斜角度θは0°超0.2°以下とする。
なお、図3並びに図4の場合における半導体ウェハ10の傾斜面12は、半導体ウェハ10の中心軸を挟んで、半導体ウェハ10に形成されたオリエンテーションフラット31(以下、「オリフラ」と呼ぶ。)の反対側加工面の少なくとも一部に形成されているが、加工面の加工条痕の方向が、オリフラ31と平行な場合などは、座標系を90°回転させて対応することが望ましい。
半導体ウェハ10が上面に固着された傾斜台13を回転テーブル18上に固定し、スピンドル17を回転させながら徐々に下降させ、回転する研削砥石15によって半導体ウェハ10の加工面の約半分を該加工面に対して斜めに研削する。
研磨パッド24の上に研磨スラリーを滴下しながら、研磨パッド24(回転定盤19)を回転させることにより半導体ウェハ10の傾斜面を研磨する。
研磨が終了した半導体ウェハ10を傾斜台13から取り外して洗浄し、平坦度測定機(図示省略)や三次元測定機(図示省略)などを用いて半導体ウェハ10の表面形状を測定する。そして、半導体ウェハ10の表面形状を三次元座標軸における(X,Y,Z)座標として記憶装置(図示省略)に保存する。
加工面11に対して斜めに研磨された半導体ウェハ10を平面視し、半導体ウェハ10に形成されたオリフラ31上の一点を原点として、原点からオリフラ31と直交する方向に延びる軸をX軸、原点からオリフラ31の方向に延びる軸をY軸、原点を通過しX軸及びY軸と直交する軸をZ軸とする(図4参照)。
半導体ウェハ10に形成された傾斜面12、特にダメージ深さ判別領域33を、測定顕微鏡(図示省略)や座標表示機能の付いた微分干渉顕微鏡(図示省略)などを用いて観察又は測定し、あるいはX線トポグラフィやラマン分光の面データから、傾斜面12に露呈した加工ダメージ30が消失する消失位置32を判別する(図3、図4参照)。そして、判別した消失位置32を三次元座標軸における(X,Y)座標として記憶装置に保存する。
また、微分干渉顕微鏡は、照明光源とコンデンサレンズとの間に偏光子及びノマルスキープリズムを順次配置し、対物レンズと結像面との間にノマルスキープリズム及び検光子を順次配置した構成とされている。照明光源からの光線を偏光子により直線偏光に変換した後、ノマルスキープリズムにより常光線と異常光線とに分離し、コンデンサレンズを経て被観察物体に照射し、被観察物体を通過した常光線と異常光線とを対物レンズを経てノマルスキープリズムで同一光路上に合成した後、検光子で干渉させて結像面に干渉像を形成する。微分干渉顕微鏡を用いることにより、加工ダメージが消失する位置を、より高精度に測定することが可能となる。
本ステップでは、半導体ウェハ10の表面形状を示す(X,Y,Z)座標と加工ダメージ30が消失する消失位置32を示す(X,Y)座標に基づいて半導体ウェハ10のダメージ深さを算出する。
具体的には、以下の手順により半導体ウェハ10のダメージ深さを算出する。
半導体ウェハには、オフ角4°の単結晶4インチ4H−SiCウェハを使用した。傾斜角度が1/538(=0.106°)とされた傾斜台に半導体ウェハを固着し、研削装置を用いて半導体ウェハの加工面を該加工面に対して斜め研削した後、研磨治具を用いて研磨装置により半導体ウェハの傾斜面を研磨した。研磨後の傾斜面の傾斜角度は1/526であった。
・半導体ウェハの加工ダメージは、スライス直後よりラッピング直後のほうが大きい。
・Si面よりC面のほうがダメージ深さのバラツキが大きい。
Claims (3)
- 半導体ウェハ加工時に該半導体ウェハの加工面に発生する加工ダメージを評価する方法であって、
半導体ウェハの加工面に傾斜面を形成するため、該半導体ウェハの加工面の少なくとも一部を該加工面に対して斜めに研磨する第1ステップと、
前記加工面に対して斜めに研磨された前記半導体ウェハを平面視し、該半導体ウェハに形成されたオリエンテーションフラット上の一点を原点として、前記原点から前記オリエンテーションフラットと直交する方向に延びる軸をX軸、前記原点から前記オリエンテーションフラットの方向に延びる軸をY軸、前記原点を通過し前記X軸及び前記Y軸と直交する軸をZ軸とする三次元座標軸を設定し、前記半導体ウェハの表面形状を測定して該半導体ウェハの表面形状を前記三次元座標軸における(X,Y,Z)座標として記憶する第2ステップと、
前記半導体ウェハに形成された傾斜面を観察又は測定し、前記傾斜面に露呈した加工ダメージが消失する位置を前記三次元座標軸における(X,Y)座標として記憶する第3ステップと、
前記半導体ウェハの表面形状を示す前記(X,Y,Z)座標と前記加工ダメージが消失する位置を示す前記(X,Y)座標に基づいて前記半導体ウェハのダメージ深さを算出する第4ステップとを備えることを特徴とする半導体ウェハの加工ダメージ評価方法。 - 請求項1記載の半導体ウェハの加工ダメージ評価方法において、前記第4ステップは、
前記加工面に対して斜めに研磨された前記半導体ウェハの表面形状をX−Z平面上にプロットするステップと、
前記半導体ウェハの加工面を前記X−Z平面上に近似直線としてプロットするステップと、
前記加工ダメージが消失する位置を示す前記X座標における前記傾斜面及び前記近似直線のZ座標を求め、前記傾斜面のZ座標と前記近似直線のZ座標との差分を前記半導体ウェハのダメージ深さとするステップとを備えることを特徴とする半導体ウェハの加工ダメージ評価方法。 - 請求項1又は2記載の半導体ウェハの加工ダメージ評価方法において、前記半導体ウェハの加工面を該加工面に対して斜めに研磨する際、研磨によって最も薄くなる半導体ウェハ外周部の厚さが研磨前の厚さの1/2以上となるような傾斜角度とすることを特徴とする半導体ウェハの加工ダメージ評価方法。
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