CN1079581A - 多层陶瓷电容器芯组块的制造工艺 - Google Patents

多层陶瓷电容器芯组块的制造工艺 Download PDF

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CN1079581A
CN1079581A CN92103847A CN92103847A CN1079581A CN 1079581 A CN1079581 A CN 1079581A CN 92103847 A CN92103847 A CN 92103847A CN 92103847 A CN92103847 A CN 92103847A CN 1079581 A CN1079581 A CN 1079581A
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黄顺贤
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Abstract

本发明是一种多层陶瓷电容器芯组块的制造工 艺,是利用湿法制造工艺所制成的芯组块,不易分层, 其质致密,工艺简单的优点和流延法制造工艺的自动 金属刀片切割机切割效率高,不易出废品的优点而设 计的一种新的制造工艺,它克服了湿法制造工艺每印 刷一次在基板上更换一次基板上的聚四氟乙烯胶带 和在切割时芯组块的边缘易掉边和效率低的缺点,不 仅提高了产品的质量,也提高了生产效率,是目前制 造多层陶瓷电容器芯组块的理想工艺。

Description

本发明适用于多层陶瓷电容器芯组块的制造。
目前国内外制造多层陶瓷电容器芯组块的工艺有两种:
一种是湿法制造工艺,另一种是流延法制造工艺。
湿法制造工艺是多层陶瓷电容器芯组块的主要工艺之一,其工艺流程如下所示:
Figure 92103847X_IMG2
用瓷介浆料和电极浆料交替印刷成芯组块的方法见说明书附图1。图中1是芯组块,2是粘在基板上的聚四氟乙烯胶带,3是基板。
用金刚石砂轮刀片切割法见说明书附图2。图中1是金刚石砂轮刀片,2是滚切后的单个芯组块,3是粘在基板上的聚四氟乙烯胶带,4是基板。
卸片的方法是将切割成单个芯组块从基板上取下,见说明书附图3。图中1是待卸的芯组块,2是已卸下的单个芯组块,3是基板。
流延法制造工艺流程如下所示:
Figure 92103847X_IMG3
湿法制造工艺的优点是:芯组块致密,不易分层。缺点是:
1、由于多层陶瓷电容器芯组块硬而脆,在金刚石砂轮外园刀滚切时,边缘容易造成掉边和起裂现象。
2、金刚石砂轮外园滚切效率低,粉尘大。
3、由于芯组块是牢固地粘附在基板上的聚四氟乙烯胶带上,在卸取切好的单个芯组块时,容易造成底层和四边起裂,掉层等损伤。
流延法制造工艺的优点是:在切割单个芯组块时,是在自动金属刀片切割机上进行的,这不但不易造成单个芯组块底层和周边起裂的现象,而且效率高。缺点是芯组块不够致密,较易出现分层现象。
本发明的目的是:将湿法制造工艺制成的芯组块其质致密、工艺简单的优点和流延法制造工艺的自动金属刀片切割机切割芯组块不容易出现废品、效率高的优点,结合起来所研制的一种具有湿法和流延法工艺优点的一种新的制造工艺。这种工艺主要克服了湿法制造工艺长期以来废品率高、效率低的缺点。
本发明的制造工艺流程如下所示:
Figure 92103847X_IMG4
一种多层陶瓷电容器芯组块的制造工艺,它的工艺过程是,用改性的瓷介浆料和电极浆料,在粘有聚四氟乙烯胶带的基板上,交替地印刷成芯组块,然后用金刚石砂轮刀片滚切成单个的芯组块,本发明的特征是:将金刚石砂轮刀片滚切成单个芯组块,改进为在自动金属刀片切割机上切割,金属刀片相对于芯组块做垂直上下地切割成单个的芯组块。(见说明书附图4:1是自动金属刀片切割机的刀片,2是交替印刷成的芯组块,3是聚四氟乙烯胶带,4是基板。)
本发明与原湿法制造工艺的比较表
实施例:用改性的2E3瓷介浆料和改性的AgPd10电极浆料,在丝网印刷机上的粘有聚四氟乙烯胶带的基板上交替地印刷成符合要求层数的芯组块,然后卸取下,再用自动金属刀片切割机切割成单个芯组块,取下后放在温度为910℃的窑炉中烧成,烧成好后在单个芯组块的端面沾上银浆,再经850℃的窑炉烧渗,再经测试容量、损耗角正切值、电阻、电压合格后就制成了多层陶瓷电容器的芯组块。

Claims (1)

1、一种多层陶瓷电容器芯组块的制造工艺它是用改性的瓷介浆料和电极浆料,在聚四氟乙烯胶带的基板上交替地印刷成芯组块,然后用金刚石砂轮刀片滚切成单个的芯组块,本发明的特征是:将金刚石砂轮刀片滚切芯组块改进为在自动金属刀片切割机上切割,金属刀片相对于芯组块做垂直上下地切割成单个的芯组块,是湿法制造工艺和流延法制造工艺相结合的一种新的制造工艺。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100336142C (zh) * 2003-09-19 2007-09-05 株式会社村田制作所 切割装置及切割方法
US7501658B2 (en) 2003-07-18 2009-03-10 Samsung Electronics, Co., Ltd. Electro-luminescence device including a thin film transistor and method of fabricating an electro-luminescence device
CN108455982A (zh) * 2018-03-28 2018-08-28 天津大学 一种超薄型陶瓷流延方法及其设备系统

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PB01 Publication
C01 Deemed withdrawal of patent application (patent law 1993)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication