CN107946296A - 一种静电保护用lemds_scr器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种静电保护用LEMDS_SCR器件，包括深埋氧层、P型陷区、衬底和N型漂移区，所述衬底位于所述深埋氧层的上方，所述P型陷区和N型漂移区位于所述衬底的表面，所述N型漂移区远离P型陷区的一侧具有P+掺杂区和N+掺杂区，所述P+掺杂区和N+掺杂区的下方设置有一个嵌入的P+注入区，所述嵌入的P+注入区位于N型漂移区里面。本发明通过在P+掺杂区与N+掺杂区下掺杂嵌入的P+注入区，使得N+区域／P+注入区率先发生雪崩击穿，产生的大量非平衡载流子再进一步去触发N漂移区／P+衬底的反向PN结，从而使得寄生SCR加速开启，将瞬态的过冲电压钳位在一个安全的值，从而对内部核心电路的栅氧化层起到有效的保护作用。
Description
技术领域
本发明涉及微电子领域，特别涉及一种静电保护用LEMDS_SCR器件。
背景技术
随着半导体卡紧日趋小型化、高密度和多功能，特别像便携式产品等对主板面积要求比较严格，很容易受到静电放电（Electro-Static discharge, ESD）的影响，在SOI工艺下的横向扩散金属氧化物半导体可控硅保护器件（Laterally diffused metal oxidesemiconductor-Silicon controlled rectifier, LDMOS-SCR）广泛应用于LDMOS的ESD保护，在人体放电模式（Human-Body Model, HBM）事件下能起到有效的ESD保护作用。但是在组件充电模式（Charged-Device Model, CDM）事件下LDMOS-SCR却不能起到有效的保护作用，这主要是因为CDM事件的特点是速度快、过充大，但是LDMOS-SCR其开启时间较长，在CDM事件到来时不能及时开启，导致电压过冲击穿栅氧化层从而造成内部核心电路的瘫痪。
如图1所示，为了改善LDMOS 的抗ESD 性能，可以采用内嵌SCR 的LDMOS 结构(LDMOS_SCR)，即在传统的LDMOS 结构中的漏端增加一个P+ 注入区来增加一个寄生的SCR，利用SCR优越的ESD 性能来泄放大电流。然而，这种LDMOS_SCR 结构的维持电压Vhold 相比于普通LDMOS 的Vhold 电压值大大降低，远低于高压功率管的电源电压，从而易导致器件正常工作时发生闩锁（latch_up），使得器件不受前级驱动的控制，甚至导致器件损毁。
因而现有技术还有待改进和提高。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足之处，本发明的目的在于提供一种静电保护用LEMDS_SCR器件，可以在CDM事件下更快开启，将瞬态的过冲电压钳位在一个安全的值，从而对内部核心电路的栅氧化层起到有效的保护作用。
为了达到上述目的，本发明采取了以下技术方案：
一种静电保护用LEMDS_SCR器件，包括深埋氧层、P型陷区、衬底和N型漂移区，所述衬底位于所述深埋氧层的上方，所述P型陷区和N型漂移区位于所述衬底的表面，所述N型漂移区远离P型陷区的一侧具有P+掺杂区和N+掺杂区，所述P+掺杂区和N+掺杂区的下方设置有一个嵌入的P+注入区，所述嵌入的P+注入区位于N型漂移区里面。
所述的静电保护用LEMDS_SCR器件中，所述P+掺杂区与所述N+掺杂区相邻，所述P+掺杂区相比N+掺杂区更靠近P型陷区。
所述的静电保护用LEMDS_SCR器件中，所述P型陷区具有与源极金属相连的N+ 源区和P+ 接触区，所述P+接触区与所述N+源区不接触。
所述的静电保护用LEMDS_SCR器件中，所述P型陷区和所述N型漂移区相互接触或不接触。
所述的静电保护用LEMDS_SCR器件中，所述P+掺杂区和N+掺杂区均位于所述嵌入的P+注入区的表面上。
所述的静电保护用LEMDS_SCR器件中，所述衬底为P+衬底。
相较于现有技术，本发明提供的静电保护用LEMDS_SCR器件，包括深埋氧层、P型陷区、衬底和N型漂移区，所述衬底位于所述深埋氧层的上方，所述P型陷区和N型漂移区位于所述衬底的表面，所述N型漂移区远离P型陷区的一侧具有P+掺杂区和N+掺杂区，所述P+掺杂区和N+掺杂区的下方设置有一个嵌入的P+注入区，所述嵌入的P+注入区位于N型漂移区里面。本发明通过在P+掺杂区与N+掺杂区下掺杂嵌入的P+注入区，使得N+区域／P+注入区率先发生雪崩击穿，产生的大量非平衡载流子再进一步去触发N漂移区／P+衬底的反向PN结，从而使得寄生SCR加速开启，将瞬态的过冲电压钳位在一个安全的值，从而对内部核心电路的栅氧化层起到有效的保护作用。
附图说明
图1为现有的LEMDS_SCR器件的结构图。
图2为本发明提供的静电保护用LEMDS_SCR器件的结构图。
图3为LEMDS_SCR器件的测试系统的等效原理图。
图4为现有的LEMDS_SCR器件与本发明提供的静电保护用LEMDS_SCR器件的测试开启时间对比图。
具体实施方式
本发明提供一种静电保护用LEMDS_SCR器件，可以在CDM事件下更快开启，将瞬态的过冲电压钳位在一个安全的值，从而对内部核心电路的栅氧化层起到有效的保护作用。
为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图2，本发明提供的一种静电保护用LEMDS_SCR器件，包括深埋氧层1、P型陷区2、衬底3和N型漂移区4，所述衬底3位于所述深埋氧层1的上方，所述P型陷区2和N型漂移区4位于所述衬底3的表面，所述N型漂移区4远离P型陷区2的一侧具有P+掺杂区5和N+掺杂区6，本发明通过在N型漂移区4，即LDMOS-SCR器件结构的漏端引入了N+掺杂区6，增加了漏区的偏置电阻，使漏区形成正向偏置的PN结，在ESD事件到来时，可以很好的缩短开启时间，提高LDMOS-SCR器件的开启速度。
进一步来说，本发明在所述P+掺杂区5和N+掺杂区6的下方设置有一个嵌入的P+注入区7，所述嵌入的P+注入区7位于N型漂移区4里面，在CDM事件发生时，N+掺杂区6／P+注入区7相对于N型漂移区4／衬底2有着较高的掺杂浓度使得其率先发生雪崩击穿，产生的大量非平衡载流子流经源区的P＋引出端，因为偏置寄生SCR中的NPN所需要的电流是固定的，所以降低了对N型漂移区4／衬底2反向击穿所产生的非平衡在流子，进而降低了N型漂移区4／衬底的雪崩击穿电压，从而降低了整体的触发电压，从而使得寄生SCR可以加速开启，从而降低了LDMOS-SCR器件的开启时间，在CDM事件下可以起到有效的ESD保护作用。
本发明通过在P+掺杂区与N+掺杂区下掺杂嵌入的P+注入区，使得N+区域／P+注入区率先发生雪崩击穿，产生的大量非平衡载流子再进一步去触发N漂移区／P+衬底的反向PN结，从而使得寄生SCR加速开启，将瞬态的过冲电压钳位在一个安全的值，从而对内部核心电路的栅氧化层起到有效的保护作用。
具体来说，请参阅图2，所述P+掺杂区5与所述N+掺杂区6相邻，所述P+掺杂区5相比N+掺杂区6更靠近P型陷区3。
优选的实施例中，所述P型陷区3具有与源极金属相连的N+ 源区8和P+ 接触区9，所述P+接触区9与所述N+源区8不接触。
进一步的实施例中，所述P型陷区3和所述N型漂移区4相互接触或不接触，本发明对此不作限定。
请参阅图2，本发明中所述P+掺杂区5和N+掺杂区6均位于所述嵌入的P+注入区7的表面上，通过在漏区P+掺杂区5与N+掺杂区6下掺杂嵌入的P+注入区7，使得N+掺杂区6／P+注入区7率先发生雪崩击穿，产生的大量非平衡载流子再进一步去触发N型漂移区4／衬底2的反向PN结，从而使得寄生SCR加速开启。开启之后嵌入的P+注入区7还能够在漏区附近起到很好的整流作用，使得漏区附近的电流分布的更均匀。
优选的实施例中，所述衬底为P+衬底。
在具体对LEMDS_SCR器件的开启时间进行测试时，请参阅图3，首先设置一个可以有效的模拟CDM事件的打击效果的超快传输线脉冲（Very-fast Transmission LinePulsing， VF-TLP)测试系统。系统中给定输入信号为一个电压幅值为50V的脉冲电压，上升时间与下降时间都设置为0.2ns，持续时间为5ns。它产生的脉冲信号经过50欧姆的串联电阻后作用到待测试的LEMDS_SCR器件上，即被测器件（Device Under Test， DUT）。
定义ESD保护器件在VF-TLP测试下的开启时间为瞬态电压的峰值与［稳定值（3ns－5ns平均）＋（峰值－稳定值）／10］的时间差，请参阅图4，从TCAD仿真结果可以看出本发明提供的的LDMOS-SCR器件相比传统的LDMOS-SCR器件提高了开启速度，降低了开启时间，从而使其在CDM事件下能够起到更有效的保护。
综上所述，本发明提供的静电保护用LEMDS_SCR器件，包括深埋氧层、P型陷区、衬底和N型漂移区，所述衬底位于所述深埋氧层的上方，所述P型陷区和N型漂移区位于所述衬底的表面，所述N型漂移区远离P型陷区的一侧具有P+掺杂区和N+掺杂区，所述P+掺杂区和N+掺杂区的下方设置有一个嵌入的P+注入区，所述嵌入的P+注入区位于N型漂移区里面。本发明通过在P+掺杂区与N+掺杂区下掺杂嵌入的P+注入区，使得N+区域／P+注入区率先发生雪崩击穿，产生的大量非平衡载流子再进一步去触发N漂移区／P+衬底的反向PN结，从而使得寄生SCR加速开启，将瞬态的过冲电压钳位在一个安全的值，从而对内部核心电路的栅氧化层起到有效的保护作用。
可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (6)
1.一种静电保护用LEMDS_SCR器件，包括深埋氧层、P型陷区、衬底和N型漂移区，所述衬底位于所述深埋氧层的上方，所述P型陷区和N型漂移区位于所述衬底的表面，其特征在于，所述N型漂移区远离P型陷区的一侧具有P+掺杂区和N+掺杂区，所述P+掺杂区和N+掺杂区的下方设置有一个嵌入的P+注入区，所述嵌入的P+注入区位于N型漂移区里面。
2.根据权利要求1所述的静电保护用LEMDS_SCR器件，其特征在于，所述P+掺杂区与所述N+掺杂区相邻，所述P+掺杂区相比N+掺杂区更靠近P型陷区。
3.根据权利要求2所述的静电保护用LEDMDS_SCR器件，其特征在于，所述P型陷区具有与源极金属相连的N+ 源区和P+ 接触区，所述P+接触区与所述N+源区不接触。
4.根据权利要求3所述的静电保护用LEMDS_SCR器件，其特征在于，所述P型陷区和所述N型漂移区相互接触或不接触。
5.根据权利要求4所述的静电保护用LEMDS_SCR器件，其特征在于，所述P+掺杂区和N+掺杂区均位于所述嵌入的P+注入区的表面上。
6.根据权利要求5所述的静电保护用LEMDS_SCR器件，其特征在于，所述衬底为P+衬底。
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|---|---|
| CN (1) | CN107946296A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118073425A (zh) * | 2024-04-24 | 2024-05-24 | 北京智芯微电子科技有限公司 | 抗电磁环境干扰高可靠ldmos静电泄放器件、制备方法及芯片 |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050179087A1 (en) * | 2004-02-13 | 2005-08-18 | Geeng-Lih Lin | LDMOS transistor with improved ESD protection |
| CN102044563A (zh) * | 2009-10-16 | 2011-05-04 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Ldmos器件及其制造方法 |
| CN102832233A (zh) * | 2012-08-30 | 2012-12-19 | 北京大学 | Scr型ldmos esd器件 |
| EP2608272A1 (en) * | 2011-12-23 | 2013-06-26 | Imec | N-channel LDMOS device |
| CN103426927A (zh) * | 2012-05-18 | 2013-12-04 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Ldmos晶体管及制造方法 |
| CN103606544A (zh) * | 2013-09-12 | 2014-02-26 | 电子科技大学 | 一种抗静电释放的ldmos器件 |
| CN103715233A (zh) * | 2014-01-10 | 2014-04-09 | 江南大学 | 一种具有高维持电压的ldmos结构的esd保护器件 |
| CN104051505A (zh) * | 2014-06-23 | 2014-09-17 | 北京大学 | 一种ldmos esd器件 |
| US8878284B2 (en) * | 2012-04-30 | 2014-11-04 | Texas Instruments Incorporated | Programmable SCR for LDMOS ESD protection |
| CN104600111A (zh) * | 2013-10-31 | 2015-05-06 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Ldmos器件 |
| CN104766885A (zh) * | 2014-01-08 | 2015-07-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种对称隔离ldmos器件及其制造方法 |
| CN103258814B (zh) * | 2013-05-15 | 2015-07-29 | 电子科技大学 | 一种集成电路芯片esd防护用ldmos scr器件 |
| CN105244349A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-01-13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 静电保护电路 |
| CN105742281A (zh) * | 2016-03-30 | 2016-07-06 | 南京邮电大学 | 一种pn结辅助触发scr-ldmos结构的高压esd保护器件 |
| CN105810583A (zh) * | 2014-12-30 | 2016-07-27 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 横向绝缘栅双极型晶体管的制造方法 |
-
2017
- 2017-10-23 CN CN201710991134.8A patent/CN107946296A/zh active Pending
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050179087A1 (en) * | 2004-02-13 | 2005-08-18 | Geeng-Lih Lin | LDMOS transistor with improved ESD protection |
| CN102044563A (zh) * | 2009-10-16 | 2011-05-04 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Ldmos器件及其制造方法 |
| EP2608272A1 (en) * | 2011-12-23 | 2013-06-26 | Imec | N-channel LDMOS device |
| US8878284B2 (en) * | 2012-04-30 | 2014-11-04 | Texas Instruments Incorporated | Programmable SCR for LDMOS ESD protection |
| CN103426927A (zh) * | 2012-05-18 | 2013-12-04 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Ldmos晶体管及制造方法 |
| CN102832233A (zh) * | 2012-08-30 | 2012-12-19 | 北京大学 | Scr型ldmos esd器件 |
| CN103258814B (zh) * | 2013-05-15 | 2015-07-29 | 电子科技大学 | 一种集成电路芯片esd防护用ldmos scr器件 |
| CN103606544A (zh) * | 2013-09-12 | 2014-02-26 | 电子科技大学 | 一种抗静电释放的ldmos器件 |
| CN104600111A (zh) * | 2013-10-31 | 2015-05-06 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Ldmos器件 |
| CN104766885A (zh) * | 2014-01-08 | 2015-07-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种对称隔离ldmos器件及其制造方法 |
| CN103715233A (zh) * | 2014-01-10 | 2014-04-09 | 江南大学 | 一种具有高维持电压的ldmos结构的esd保护器件 |
| CN104051505A (zh) * | 2014-06-23 | 2014-09-17 | 北京大学 | 一种ldmos esd器件 |
| CN105810583A (zh) * | 2014-12-30 | 2016-07-27 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 横向绝缘栅双极型晶体管的制造方法 |
| CN105244349A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-01-13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 静电保护电路 |
| CN105742281A (zh) * | 2016-03-30 | 2016-07-06 | 南京邮电大学 | 一种pn结辅助触发scr-ldmos结构的高压esd保护器件 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118073425A (zh) * | 2024-04-24 | 2024-05-24 | 北京智芯微电子科技有限公司 | 抗电磁环境干扰高可靠ldmos静电泄放器件、制备方法及芯片 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20180420 |