CN107922832B - 全氟醚稳定化量子点 - Google Patents

全氟醚稳定化量子点 Download PDF

Info

Publication number
CN107922832B
CN107922832B CN201680047837.9A CN201680047837A CN107922832B CN 107922832 B CN107922832 B CN 107922832B CN 201680047837 A CN201680047837 A CN 201680047837A CN 107922832 B CN107922832 B CN 107922832B
Authority
CN
China
Prior art keywords
group
core
ligand
shell
composite particle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201680047837.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107922832A (zh
Inventor
P·B·阿姆斯特朗
裘再明
K·L·埃克特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
3M Innovative Properties Co
Original Assignee
3M Innovative Properties Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 3M Innovative Properties Co filed Critical 3M Innovative Properties Co
Publication of CN107922832A publication Critical patent/CN107922832A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107922832B publication Critical patent/CN107922832B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C319/00—Preparation of thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides
    • C07C319/14—Preparation of thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides of sulfides
    • C07C319/18—Preparation of thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides of sulfides by addition of thiols to unsaturated compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C327/00—Thiocarboxylic acids
    • C07C327/20—Esters of monothiocarboxylic acids
    • C07C327/28—Esters of monothiocarboxylic acids having sulfur atoms of esterified thiocarboxyl groups bound to carbon atoms of hydrocarbon radicals substituted by singly-bound oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562—Chalcogenides
    • C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C09K11/701—Chalcogenides
    • C09K11/703—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/20—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/02—2 layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/24—All layers being polymeric
    • B32B2250/244—All polymers belonging to those covered by group B32B27/36
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/40—Symmetrical or sandwich layers, e.g. ABA, ABCBA, ABCCBA
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/10—Coating on the layer surface on synthetic resin layer or on natural or synthetic rubber layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/26—Polymeric coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/422—Luminescent, fluorescent, phosphorescent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/202—LCD, i.e. liquid crystal displays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0096—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the lights guides being of the hollow type
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133615—Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/36—Micro- or nanomaterials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/774—Exhibiting three-dimensional carrier confinement, e.g. quantum dots
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/813—Of specified inorganic semiconductor composition, e.g. periodic table group IV-VI compositions
    • Y10S977/815—Group III-V based compounds, e.g. AlaGabIncNxPyAsz
    • Y10S977/818—III-P based compounds, e.g. AlxGayIn2P
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/813—Of specified inorganic semiconductor composition, e.g. periodic table group IV-VI compositions
    • Y10S977/824—Group II-VI nonoxide compounds, e.g. CdxMnyTe
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/89—Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
    • Y10S977/892—Liquid phase deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/949—Radiation emitter using nanostructure
    • Y10S977/95—Electromagnetic energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

本发明描述了复合粒子，该复合粒子包含荧光芯/壳纳米粒子以及结合到其表面的全氟醚配体。

Description

全氟醚稳定化量子点
背景技术
量子点增强膜(QDEF)用作用于LCD显示器的光源。红光和绿光量子点在QDEF中与蓝光LED一起用作光源以发出全光谱颜色。其优点在于，与典型LCD显示器相比改善了色域，并且与OLED显示器相比保持了低能耗。
一旦量子点被合成，就用结合到量子点的外表面的有机配体对其进行处理。用有机配体稳定化的胶态量子点纳米粒子(优选地，纳米晶体)可由于表面捕获钝化、在载体流体和/或聚合物基体中的分散稳定性的控制、针对聚集和降解的稳定化、以及对合成过程中纳米粒子(优选地，纳米晶体)生长动力学特性的影响，而具有改善的量子产率。因此，对于实现QDEF的最佳量子产率、可加工性以及功能寿命而言，优化有机配体很重要。
发明内容
在一个方面，本公开提供了复合粒子，该复合粒子包含：荧光半导体芯/壳纳米粒子(优选地纳米晶体)；以及附接到该芯/壳纳米粒子外表面的氟化配体，该配体由下式表示：
Rf-[X1-R2-X2-R3(L)n]m
其中
Rf为全氟醚基团，
R2为烃基基团，该烃基基团包括亚烷基、亚芳基、亚烷芳基和亚芳烷基；
R3为烃基基团，该烃基基团包括亚烷基、亚芳基、亚烷芳基和亚芳烷基；
X1为–CH2-O-、-O-、-CO2-、-CONR1-或-SO2NR1-，其中R1为H或C1-C4烷基；
X2为共价键、–S-、-O-或-NR1-、-CO2-、-CONR1-或-SO2NR1-，其中R1为H或C1-C4烷基；
n为至少一；
m为1或2
L为配体基团，该配体基团选自–CO2H、-SH、-P(O)(OH)2、-P(O)OH、-NH2-OH和-SO3H。在一些优选的实施方案中，式I的配体具有至少两个L配体基团。
在一个方面，本公开提供了复合粒子，该复合粒子包含：荧光半导体芯/壳纳米粒子(优选地纳米晶体)；以及附接到该芯/壳纳米粒子外表面的式I的配体。荧光半导体芯/壳纳米粒子包含：InP芯；包覆芯的内壳，其中该内壳包含硒化锌和硫化锌；以及包覆内壳的外壳，其中该外壳包含硫化锌。在另一个方面，该配体官能化复合粒子还包括流体载体。
这些复合粒子可用在用于光学显示器的涂层和膜中。荧光半导体纳米粒子在受到第一波长的光激发时发出第二波长的光的荧光信号，该光的第一波长比该光的第二波长短。
如本文所用：
术语“烷基”是指为烷烃的自由基的一价基团并且包括直链、支链、环状烷基基团，包括未被取代的和被取代的烷基基团两者。除非另外指明，否则烷基基团通常包含1至30个碳原子。在一些实施方案中，烷基基团包含1至20个碳原子、1至10个碳原子、1至6个碳原子、1至4个碳原子或1至3个碳原子。如本文所用，“烷基”的示例包括但不限于甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、异丁基、叔丁基、异丙基、正辛基、正庚基、乙基己基、环戊基、环己基、环庚基、金刚烷基、降冰片基等。除非另有说明，否则烷基基团可为一价或多价的。
术语“亚烷基”是指为烷烃的自由基的二价基团并且包括直链基团、支链基团、环状基团、二环基团、或它们的组合。除非另外指明，否则亚烷基基团通常具有1至30个碳原子。在一些实施方案中，亚烷基基团具有1至20个碳原子、1至10个碳原子、1至6个碳原子、或1至4个碳原子。
术语“芳基”是指为芳族并且任选地碳环的一价基团。芳基具有至少一个芳环。任何附加的环可以是不饱和的、部分饱和的、饱和的或芳族的。任选地，芳环可具有稠合至芳环的一个或多个附加的碳环。除非另外指明，否则芳基基团通常包含6至30个碳原子。在一些实施方案中，芳基基团包含6至20个碳原子、6至18个碳原子、6至16个碳原子、6至12个碳原子或6至10个碳原子。芳基基团的示例包括苯基、萘基、联苯基、菲基和蒽基。
杂芳基是包含1至3个杂原子诸如氮、氧或硫的芳基并且可包含稠环。一些杂芳基示例为吡啶基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、噻唑基、噁唑基、咪唑基、吲哚基、苯并呋喃基和苯并噻唑基。除非另外指明，否则芳基和杂芳基基团可为一价或多价的。
术语“亚芳基”是指为芳族并且任选地碳环的二价基团。亚芳基具有至少一个芳环。任何附加的环可以是不饱和的、部分饱和的或饱和的。任选地，芳环可具有稠合至芳环的一个或多个附加的碳环。亚芳基基团通常具有6至20个碳原子、6至18个碳原子、6至16个碳原子、6至12个碳原子、或6至10个碳原子。
术语“芳烷基”是指为被芳基基团取代的烷基基团的一价基团。术语“烷芳基”指为被烷基基团取代的芳基的一价基团。对于两种基团，烷基部分常常具有1至10个碳原子、1至6个碳原子、或1至4个碳原子，并且芳基部分常常具有6至20个碳原子、6至18个碳原子、6至16个碳原子、6至12个碳原子、或6至10个碳原子。
术语“亚芳烷基”是指为被芳基基团取代的亚烷基基团的二价基团。术语“亚烷芳基”是指为被烷基基团取代的亚芳基基团或附接到亚烷基基团的亚芳基基团的二价基团。对于两种基团，烷基或亚烷基部分通常均具有1至20个碳原子、1至10个碳原子、1至6个碳原子、或1至4个碳原子。对于两种基团，芳基或亚芳基部分通常均具有6至20个碳原子、6至18个碳原子、6至16个碳原子、6至12个碳原子、或6至10个碳原子。
术语“杂烷基”包括具有一个或多个独立地选自S、O和N的杂原子的直链、支链和环状烷基基团，该烷基基团包括未被取代的和被取代的烷基基团两者。除非另外指明，否则杂烷基基团通常包含1至20个碳原子。“杂烷基”是下述“杂(杂)烃基”的子集。如本文所用，“杂烷基”的示例包括但不限于甲氧基、乙氧基、丙氧基、3,6-二氧杂庚基、3-(三甲基甲硅烷基)-丙基、4-二甲基氨基丁烷基等。除非另有说明，否则杂烷基基团可为一价或多价的。
术语“烃基”包括烷基和芳基基团，包括烷芳基和芳烷基。
术语“(杂)烃基”包括烃基烷基和芳基基团、以及杂烃基杂烷基和杂芳基基团，后者包括一个或多个悬链氧杂原子诸如醚或氨基基团。杂烃基可任选地包含一个或多个悬链(链中)官能团，该悬链官能团包括酯官能团、酰胺官能团、脲官能团、氨基甲酸酯官能团和碳酸酯官能团。除非另外指明，否则非聚合(杂)烃基基团通常包含1至60个碳原子，并且可任选地包括取代基诸如羟基、氯、氨基和羧酸。除了针对上述“烷基”、“杂烷基”、“芳基”和“杂芳基”所述的那些之外，如本文所用，此类(杂)烃基的一些示例包括但不限于甲氧基、乙氧基、丙氧基、4-二苯氨基丁基、2-(2'-苯氧基乙氧基)乙基、3,6-二氧杂庚基、3,6-二氧杂己基-6-苯基。
如本文所用，术语“复合粒子”是指纳米粒子，该纳米粒子通常为芯/壳纳米粒子(优选地，纳米晶体)的形式，其在纳米粒子的表面上具有不通过普通溶解从表面除去的任何相关联的有机涂层或其它材料。此类复合粒子可用作“量子点”，该量子点由于使用半导体材料而在近紫外线(UV)到远红外线(IR)范围内具有可调发射。
术语“纳米粒子”是指具有在0.1纳米至1000纳米范围内，诸如0.1纳米至100纳米范围内或1纳米至100纳米范围内的平均粒径的粒子。术语“直径”不仅指大致球形的粒子的直径，而且还指沿结构的最短轴线的距离。用于测量平均粒径的合适技术包括例如扫描隧道显微镜法、光散射法和透射电子显微镜法。
纳米粒子的“芯”被理解为意指尚未施加壳的纳米粒子(优选地，纳米晶体)或者意指芯/壳纳米粒子的内部部分。纳米粒子的芯可具有均一的组成或者其组成可随芯内的深度变化。已知有许多材料用于芯纳米粒子中，并且在本领域中已知有许多方法用于将一个或多个壳施加到芯纳米粒子。芯具有与该一个或多个壳不同的组成。芯通常具有与芯/壳纳米粒子的壳不同的化学组成。
如本文所用，术语“光化辐射”是指电磁波谱的任何波长范围内的辐射。光化辐射通常处于紫外线波长范围内、可见光波长范围内、红外线波长范围内、或它们的组合。可使用本领域中已知的任何合适的能量源来提供光化辐射。
附图说明
图1为包含量子点的例示性膜制品的边缘区域的示意性侧视图。
图2为形成量子点膜的例示性方法的流程图。
图3为包括量子点制品的显示器的一个实施方案的示意图。
图4为白色点测量系统的示意图。
具体实施方式
本发明提供了包含荧光半导体纳米粒子的复合粒子，该荧光半导体纳米粒子在受到光化辐射激发时能发出荧光。这些复合粒子可用在光学显示器的涂层和膜中。
荧光半导体纳米粒子在受到合适激发时发出荧光信号。荧光半导体纳米粒子在受到第一波长的光化辐射激发时发出第二波长光化辐射的荧光，该第一波长比该第二波长短。在一些实施方案中，荧光半导体纳米粒子在暴露于电磁波谱紫外线区域中的波长的光时能发出电磁波谱可见光区域的荧光。在其它实施方案中，荧光半导体纳米粒子在电磁波谱的紫外线或可见光区域中受到激发时能发出红外线区域的荧光。在其它实施方案中，荧光半导体纳米粒子在受到紫外线区域中较短波长的光激发时能发出紫外线区域的荧光，在受到可见光区域中较短波长的光激发时能发出可见光区域的荧光，或者在受到红外线区域中较短波长的光激发时能发出红外线区域的荧光。荧光半导体纳米粒子通常能够发出下列波长范围内的荧光：诸如例如，在至多1200纳米(nm)、或至多1000nm、至多900nm、或至多800nm的波长下。例如，荧光半导体纳米粒子通常能够发出400纳米至800纳米范围内的荧光。
纳米粒子具有至少0.1纳米(nm)、或至少0.5nm、或至少1nm的平均粒径。纳米粒子具有至多1000nm、或至多500nm、或至多200nm、或至多100nm、或至多50nm、或至多20nm、或至多10nm的平均粒径。半导体纳米粒子，具体地尺寸在1nm至10nm范围内的半导体纳米粒子，已作为一类最具前景的先进材料用于显示技术。
半导体材料包括周期表中2族至16族、12族至16族、13族至15族、14族至16族以及14族半导体(使用1至18的现代族编号系统)的元素或复合物。一些合适的量子点包括金属磷化物、金属硒化物、金属碲化物或金属硫化物。示例性半导体材料包括但不限于Si、Ge、Sn、BN、BP、BAs、AIN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、lnAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、MgTe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCI、CuBr、CuI、Si3N4、Ge3N4、A12O3、(Ga,In)2(S,Se,Te)3、Al2CO、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe，以及两种或更多种此类半导体的适当组合。这些半导体材料可用于芯、一个或多个壳层、或者两者。
在某些实施方案中，示例性金属磷化物量子点包括磷化铟和磷化镓，示例性金属硒化物量子点包括硒化镉、硒化铅和硒化锌，示例性金属硫化物量子点包括硫化镉、硫化铅和硫化锌，并且示例性金属碲化物量子点包括碲化镉、碲化铅和碲化锌。其它合适的量子点包括砷化镓和磷化铟镓。示例性半导体材料可从美国纽约州特洛伊市的Evident科技公司(Evident Technologies,Troy,NY)商购获得。
用于本发明的纳米晶体(或其它纳米结构)可使用本领域技术人员已知的任何方法制备。合适的方法公开于WO2005/022120(Scher等人)、美国专利6,949,206(Whiteford)和US7267875(Whiteford等人)中，其各自的公开内容以引用方式全文并入本文。用于本发明的纳米晶体(或其它纳米结构)可由任何合适的材料制成，该材料合适地为无机材料，并且更合适地为无机导电材料或半导体材料。合适的半导体材料包括WO2005/022120(Scher等人)中公开的那些，并包括任何类型的半导体，包括II-VI族、III-V族、IV-VI族和IV族半导体。
合适的半导体材料包括但不限于Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(包括金刚石)、P、BN、BP、BAs、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、As、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、CuI、Si3N4、Ge3N4、Al2O3、(Ga,In)2(S,Se,Te)3、Al2CO，以及两种或更多种此类半导体的适当组合。
在某些方面，半导体纳米晶体或其它纳米结构可包含选自p型掺杂剂或n型掺杂剂的掺杂剂。可用于本发明的纳米晶体(或其它纳米结构)还可包含II-VI或III-V半导体。II-VI或III-V半导体纳米晶体和纳米结构的示例包括元素周期表中II族的元素，诸如Zn、Cd和Hg，与元素周期表中VI族的元素，诸如S、Se、Te、Po的任何组合；以及元素周期表中III族的元素，诸如B、Al、Ga、In和Tl，与元素周期表中V族的元素，诸如N、P、As、Sb和Bi的任何组合。
其它合适的无机纳米结构包括金属纳米结构。合适的金属包括但不限于Ru、Pd、Pt、Ni、W、Ta、Co、Mo、Ir、Re、Rh、Hf、Nb、Au、Ag、Ti、Sn、Zn、Fe、FePt等。
虽然可使用任何已知的方法来形成纳米晶体荧光体，但合适地，使用用于控制无机纳米材料荧光体生长的溶液相胶体法。参见，Alivisatos,A.P.，“半导体团簇、纳米晶体和量子点”，《科学》，第271卷，第933页，1996年(Alivisatos,A.P.,“Semiconductorclusters,nanocrystals,and quantum dots,”Science 271:933(1996))；X.Peng、M.Schlamp、A.Kadavanich、A.P.Alivisatos，“具有光稳定性和电子可及性的高度发光CdSe/CdS芯/壳纳米晶体的外延生长”，《美国化学会志》，第30卷，第7019-7029页，1997年(X.Peng,M.Schlamp,A.Kadavanich,A.P.Alivisatos,“Epitaxial growth of highlyluminescent CdSe/CdS Core/Shell nanocrystals with photostability andelectronic accessibility,”J.Am.Chem.Soc.30:7019-7029(1997))；以及C.B.Murray、D.J.Norris、M.G.Bawendi，“近单分散CdE(E＝硫、硒、碲)半导体纳米晶体的合成和表征”，《美国化学会志》，第115卷，第8706页，1993年(C.B.Murray,D.J.Norris,M.G.Bawendi,“Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE(E＝sulfur,selenium,tellurium)semiconductor nanocrystallites,”J.Am.Chem.Soc.115:8706(1993))。该制造工艺技术平衡了低成本加工性能且无需洁净室和昂贵的制造设备。在这些方法时，将在高温下发生热解的金属前体快速注入有机表面活性剂分子的热溶液中。这些前体在高温下裂解并反应，以使纳米晶体成核。在该初始成核阶段之后，通过向正在生长的晶体添加单体而使其进入生长阶段。结果得到了处于溶液中的独立式晶体纳米粒子，这些纳米粒子具有涂覆其表面的有机表面活性剂分子。
由于制备，纳米晶体荧光体具有结合到表面的非氟化配体。此类配体由以下通式表示：
R5-R4(L1)n III
其中
R5为具有C2至C30个碳原子的(杂)烃基基团；
R4为烃基基团，该烃基基团包括亚烷基、亚芳基、亚烷芳基和亚芳烷基；
n为至少一；
L1为配体基团，该配体基团包括–CO2H、-OH、-SH、-P(O)(OH)2、-P(O)OH、-NH2和-SO3H。
此类配体基团由式I的氟化合物配体部分或完全置换。
利用该方法，合成作为初始成核事件在数秒内发生，接着晶体在高温下生长数分钟。可改变参数，诸如温度、存在的表面活性剂的类型、前体材料，以及表面活性剂与单体的比率，以便改变反应的性质和历程。温度控制成核事件的结构相、前体分解速率和生长速率。有机表面活性剂分子调解溶解性和对纳米晶体形状的控制两者。
在半导体纳米晶体中，光诱导的发射由纳米晶体的带边状态引起。来自纳米晶体的带边发射与源于表面电子态的辐射衰变通道和非辐射衰变通道竞争。X.Peng,et al.,J.Am.Chem.Soc.30:7019-7029(1997)(X.Peng等人，《美国化学会志》，第30卷，第7019-7029页，1997年)。因此，表面缺陷诸如悬空键的存在提供了非辐射重组中心并有助于降低发射效率。将表面捕获状态钝化和除去的有效且永久的方法是在纳米晶体的表面上外延生长无机壳材料。X.Peng,et al.,J.Am.Chem.Soc.30:7019-7029(1997)(X.Peng等人，《美国化学会志》，第30卷，第7019-7029页，1997年)。可选择壳材料，使得电子能级相对于芯材料为I型(例如，具有较大的带隙以提供将电子和空穴局限于芯的潜在步骤)。因此，非辐射重组的概率可得以降低。
芯-壳结构是通过将含有壳材料的有机金属前体加入到含有芯纳米晶体的反应混合物而获得的。在这种情况下，不是在成核事件之后生长，而是芯起到晶核的作用，并且从它们的表面上生长壳。反应的温度保持较低以利于壳材料单体添加到芯表面，同时防止壳材料的纳米晶体的独立成核。反应混合物中存在表面活性剂以指导壳材料的受控生长并确保溶解性。当两种材料之间具有低晶格失配时，获得均匀的外延生长的壳。另外，球形形状起到将来自大曲率半径的界面应变能最小化的作用，从而防止形成可能劣化纳米晶体体系的光学性质的位错。
在合适的实施方案中，ZnS可用作使用已知合成方法的壳材料，从而产生高质量的发射。如上，若有必要，这种材料可容易地被取代，例如，如果改变了芯材料。另外的示例性芯和壳材料在本文中有所描述并且/或者在本领域中是已知的。
对于量子点的许多应用，在选择材料时通常考虑两个因素。第一个因素是吸收和发出可见光的能力。这一考虑使InP成为高度期望的基材。第二个因素是材料的光致发光效率(量子产率)。一般来讲，12族至16族量子点(诸如硒化镉)具有比13族至15族量子点(诸如InP)更高的量子产率。此前制备的InP芯的量子产率一直非常低(<1％)，因此，已通过制备以InP为芯并以具有更高带隙的另一种半导体化合物(例如ZnS)为壳的芯/壳结构，来设法改善量子产率。
因此，本公开的荧光半导体纳米粒子(即量子点)包括芯以及至少部分地围绕芯的壳。芯/壳纳米粒子可具有两个不同的层，即半导体或金属芯以及围绕芯的由绝缘或半导体材料制成的壳。芯往往包括第一半导体材料，而壳往往包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。例如，12族至16族(例如，CdSe)第一半导体材料可存在于芯中，而12族至16族(例如，ZnS)第二半导体材料可存在于壳中。
在本公开的某些实施方案中，芯包含金属磷化物(例如，磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、磷化铝(AlP))、金属硒化物(例如，硒化镉(CdSe)、硒化锌(ZnSe)、硒化镁(MgSe))或金属碲化物(例如，碲化镉(CdTe)、碲化锌(ZnTe))。在某些实施方案中，芯包含金属磷化物(例如，磷化铟)或金属硒化物(例如，硒化镉)。在本公开的某些优选实施方案中，芯包含金属磷化物(例如，磷化铟)。
壳可为单层或多层的。在一些实施方案中，壳为多层壳。壳可包含本文所述的芯材料中的任一种。在某些实施方案中，壳材料可为带隙能比半导体芯高的半导体材料。在其它实施方案中，合适的壳材料可相对于半导体芯具有良好的导带和价带偏差，并且在一些实施方案中，其导带可比芯的导带高，其价带可比芯的价带低。例如，在某些实施方案中，发出可见光区域能量的半导体芯，诸如例如CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、ZnTe、GaP、InP或GaAs，或者发出近红外线区域能量的半导体芯，诸如例如InP、InAs、InSb、PbS或PbSe，可涂覆有具有紫外线区域带隙能的壳材料，诸如例如ZnS、GaN和镁的硫属化合物(诸如MgS、MgSe和MgTe)。在其它实施方案中，发出近红外线区域的光的半导体芯可涂覆有具有可见光区域带隙能的材料，诸如CdS或ZnSe。
芯/壳纳米粒子的形成可通过多种方法进行。可用于制备半导体芯的合适的芯前体和壳前体在本领域中是已知的，并且可包含2族元素、12族元素、13族元素、14族元素、15族元素、16族元素、以及它们的盐形式。例如，第一前体可包括金属盐(M+X-)，其包含金属原子(M+)(诸如例如Zn、Cd、Hg、Mg、Ca、Sr、Ba、Ga、In、Al、Pb、Ge、Si或in盐)和抗衡离子(X-)，或有机金属物质，诸如例如二烷基金属络合物。带涂层的半导体纳米晶体芯和芯/壳纳米晶体的制备可见于例如Dabbousi et al.(1997)J.Phys.Chem.B 101:9463(Dabbousi等人，《物理化学杂志B》，1997年，第101卷，第9463页)；Hines et al.(1996)J.Phys.Chem.100:468-471(Hines等人，《物理化学杂志》，1996年，第100卷，第468-471页)；和Peng et al.(1997)J.Amer.Chem.Soc.119:7019-7029(Peng等人，《美国化学会志》，1997年，第119卷，第7019-7029页)；以及美国专利8,283,412(Liu等人)和US 8901333(Tulsky等人)。
在本公开的某些优选实施方案中，壳包含金属硫化物(例如，硫化锌或硫化镉)。在某些实施方案中，壳包含含锌化合物(例如，硫化锌或硒化锌)。在某些实施方案中，多层壳包括包覆芯的内壳，其中内壳包含硒化锌和硫化锌。在某些实施方案中，多层壳包括包覆内壳的外壳，其中外壳包含硫化锌。
在一些实施方案中，壳/芯纳米粒子的芯包含金属磷化物，诸如磷化铟、磷化镓或磷化铝。壳包含硫化锌、硒化锌或它们的组合。在一些更具体的实施方案中，芯包含磷化铟，并且壳为由内壳和外壳组成的多层，内壳包含硒化锌和硫化锌两者，外壳包含硫化锌。
壳(一层或多层)的厚度在各个实施方案中可有所不同，并且能够影响荧光波长、量子产率、荧光稳定性、以及纳米晶体的其它光稳定性特征。技术人员可选择适当的厚度以实现所需的特性，并且可修改制备芯/壳纳米粒子的方法以实现壳(一层或多层)的适当厚度。
本公开的荧光半导体纳米粒子(即，量子点)的直径可影响荧光波长。量子点的直径往往与荧光波长直接相关。例如，具有约2纳米至3纳米的平均粒径的硒化镉量子点往往发出可见光谱的蓝光或绿光区域的荧光，而具有约8纳米至10纳米的平均粒径的硒化镉量子点往往发出可见光谱的红光区域的荧光。
用表面改性剂对荧光半导体纳米粒子进行表面改性，以提高它们在液体中的分散性。也就是说，表面改性剂往往增大荧光半导体纳米粒子与氟化载体流体以及组合物的任何其它组分(例如，聚合物材料、聚合物材料的前体或它们的组合)的相容性。
表面改性涉及使荧光半导体纳米粒子与表面改性剂或表面改性剂的组合进行组合，该表面改性剂或表面改性剂的组合附接到荧光半导体纳米粒子的表面，并且修饰荧光半导体纳米粒子的表面特征。在本语境中，“附接”或“被附接”是指表面改性剂和荧光半导体纳米粒子之间的关联，这种关联对于表面改性的粒子而言足够稳定以适用于这些粒子的预期用途。这种关联可以是物理的(例如，通过吸收或吸附)、化学的(例如，通过共价键、离子键、氢键)、或它们的组合。
表面改性剂包含用于附接到荧光半导体纳米粒子的表面的一种或多种基团，和用于各种功能诸如使粒子与溶剂或载体流体相容、改善材料的量子产率的一种或多种基团。基团例如通过吸附、吸收、形成离子键、形成共价键、形成氢键或它们的组合而附接到表面。
量子效率(文献中还称为量子产率)是每个被吸收的光子出现的限定事件的数目(例如，针对每个被纳米粒子吸收的光子，由纳米粒子发出的光子数)。因此，本公开的一个一般实施方案提供了显示出45％或更高、或50％或更高、或55％或更高、或60％或更高的量子效率的一组纳米粒子。
可用于本公开的表面改性剂为由如前所述的式I表示的氟醚配体：
Rf-[X1-R2-X2-R3(L)n]m
其中
Rf为全氟醚基团，
R2为烃基基团，该烃基基团包括亚烷基、亚芳基、亚烷芳基和亚芳烷基；
R3为烃基基团，该烃基基团包括亚烷基、亚芳基、亚烷芳基和亚芳烷基；
X1为–CH2-O-、-O-、-S-、-CO2-、-CONR1-或-SO2NR1-，其中R1为H或C1-C4烷基；
X2为共价键、–S-、-O-或-NR1-、-CO2-、-CONR1-或-SO2NR1-，其中R1为H或C1-C4烷基；
n为至少一；
m为1或2
L为配体基团，该配体基团选自–CO2H、-SH、-P(O)(OH)2、-P(O)OH、-NH2-OH和-SO3H。
Rf基团可为直链、支链的并且由下式表示：
CaF2a+1-(O-CbF2b)c-，(如果一价)，或者
-CaF2a-(O-CbF2b)c-(如果二价)，
其中a为至少1，优选地1至10，更优选地2至6；
b为至少1，优选地1至10，更优选地2至6，并且c可为1至30的数。
全氟聚醚基团Rf可以是环状或无环的、直链或支链的、或它们的组合，并且可以是饱和或不饱和的。全氟醚具有至少一个悬链(链中)氧杂原子。
示例性全氟聚醚包括但不限于具有选自以下的全氟化重复单元的那些：-(CpF2p)-、-(CpF2pO)-、-(CF(Z))-、-(CF(Z)O)-、-(CF(Z)CpF2pO)-、-(CpF2pCF(Z)O)-、-(CF2CF(Z)O)-、或它们的组合。在这些重复单元中，p通常为1至10的整数。在一些实施方案中，p为1至8、1至6、1至4、1至3、或1至2的整数。基团Z为氟原子、全氟烷基基团、全氟醚基团、含氮全氟烷基基团、全氟聚醚、或全氟烷氧基基团，所有这些基团都可以是直链的、支链的或环状的。Z基团通常具有不超过12个的碳原子、不超过10个的碳原子、或不超过9个的碳原子、不超过4个的碳原子、不超过3个的碳原子、不超过2个的碳原子，或不超过1个的碳原子。在一些实施方案中，Z基团可具有不超过4个、不超过3个、不超过2个、不超过1个的氧原子、或不具有氧原子。在这些全氟聚醚结构中，不同的重复单元可沿链随机分布。
Rf基团的合适结构包括但不限于：Rf’-CF2O(CF2O)q(C2F4O)rCF2-、Rf’-(CF2)3O(C4F8O)r(CF2)3-、Rf’-CF2O(C2F4O)rCF2-、以及Rf’-CF(CF3)(OCF2CF(CF3))sOCtF2tO(CF(CF3)CF2O)sCF(CF3)-，其中Rf’为F或全氟烷基基团；q具有0至50、1至50、3至30、3至15或3至10的平均值；r具有0至50、3至30、3至15或3至10的平均值；s具有0至50、1至50、3至30、3至15或3至10的平均值；和(r+s)具有1至50或4至40的平均值；和(q+r)大于0；并且t为2至6的整数。
合成时，化合物通常包括Rf基团的混合物。该平均结构是对混合物组分进行平均所得的结构。这些平均结构中q、r和s的值可变化，只要化合物具有至少约300的数均分子量即可。可用的化合物通常具有400至5000、800至4000或1000至5000的分子量(数均分子量)。
优选地，Rf为数均分子量为至少1,000的六氟环氧丙烷(HFPO)低聚物。
配体的制备
配体可由全氟醚酯，诸如Rf-CO2CH3制备。该酯可与胺或羟基官能化合物反应以提供式I的配体，其中X1为酯、硫酯或酰胺：
Rf-[CO2CH3]m+H2N-R2-X2-R3(L)n→I
Rf-[CO2CH3]m+HO-R2-X2-R3(L)n→I
Rf-[CO2CH3]m+HS-R2-X2-R3(L)n→I
另选地，该酯可与具有亲核基团诸如胺的烯反应，并且所得的化合物通过烯反应官能化：
Rf-[CO2CH3]m→Rf-[CONHCH2CH＝CH2]m→Rf-[CONH-CH2CH2-CH2-S-R3(L)n]m。
另选地，该酯可与亲核硫醇化合物反应，然后通过烯反应进一步官能化：
Rf-[CO2CH3]m→Rf-[X1-R2-SH]m
Rf-[X1-R2-SH]m+CH2＝CH-R3(L)n→Rf-[X1-R2-SCH2CH2-R3(L)n]m
该酯可还原成羟基基团，从而促进具有-CH2-OH“X1”基团的化合物的制备。这继而可与乙烯基卤化物，诸如烯丙基溴化物反应以提供末端不饱和基团，这继而可通过烯反应官能化，其中m为1或2：
Rf-[CO2CH3]m→Rf-[CH2-OH]m→Rf-[CH2-O-CH2CH＝CH2]m→Rf-[CH2-O-CH2CH2-CH2-S-R3(L)n]m。
另选地，全氟聚醚酰基氟可与氟离子反应以产生具有亲核–CF2-O-基团的中间体。中间体可用末端烯烃，诸如用烯丙基溴化物官能化，或与式Y-R2-X2-R3(L)n的化合物反应，其中Y为离去基团诸如卤离子或甲苯磺酸根：
Rf-[CO-F]m→Rf-CF2-O-→Rf-[CF2-O-CH2CH＝CH2]m→Rf-[CF2-O-CH2CH2-CH2-S-R3(L)n]m，
或
Rf-[CF2-O-]m+Y-R2-X2-R3(L)n→I
配体官能化纳米粒子组合物的分散体还可包括氟化载体流体。优选地，该分散体包括氟化载体流体。通常选择的氟化载体流体与加入到荧光半导体纳米粒子表面的表面改性剂相容(即，可混溶)。配体官能化纳米粒子和氟化载体流体形成在用人眼观察时无色透明的涂层。同样，包含在分散体组合物中的聚合物材料的任何前体可溶于氟化载体流体中，并形成在用人的肉眼观察时无色透明的涂层。术语透明的意指透射可见光谱(约400nm至700nm波长)内的入射光的至少85％。术语无色意指对于厚度为500微米的样品，具有小于约1.5个单位、优选地小于约1.0个单位的CIELAB b*。
因为量子点通常在有机溶剂中制备并且配体官能化，所以氟化载体流体能够分离并除去任何有机溶剂。
任选的氟化载体流体在25℃下为惰性液体并且具有≥100℃，优选地≥150℃的沸点；并且可为全氟化或高度氟化液体化合物中的一种或混合物，该全氟化或高度氟化液体化合物在一些实施方案中，具有至少8个碳原子或更多碳原子，并且任选地包含一个或多个悬链杂原子(诸如二价氧、六价硫或三价氮)，并且具有小于5重量％、或小于1重量％的氢含量。优选较高沸点，使得在用于制备的有机溶剂除去时，载体流体保留。
可用于本公开的合适的氟化惰性流体包括例如全氟烷烃或全氟环烷烃，诸如全氟辛烷、全氟壬烷、全氟癸烷、全氟十四氢化菲、全氟萘烷和全氟甲基萘烷；全氟胺，诸如全氟三戊基胺、全氟三丁基胺、全氟三丙基胺、全氟三戊基胺和全氟-N-异丙基吗啉；全氟醚，诸如HCF2(OCF(CF3)CF2)sOCF2CF2H、HCF2(OCF(CF3)CF2)s-(OCF2)q-OCF2H(其中，下标s和q如对于氟化配体化合物所定义的)，全氟丁基四氢呋喃、全氟二丁基醚、全氟丁氧基乙氧基缩甲醛、全氟己基缩甲醛和全氟辛基缩甲醛；全氟聚醚；氢氟烃，诸如十五氟氢庚烷、1,1,2,2-四氟环丁烷、1-三氟甲基-1,2,2-三氟环丁烷和2-氢-3-氧杂十七氟辛烷。
在一些实施方案中，以使得光密度为至少10的量将配体官能化量子点加入流体载体，光密度被定义为溶液对于路径长度为1cm的池在440nm下的吸光度。
表面改性的荧光半导体纳米粒子可分散于溶液、悬浮液或分散体中，该溶液、悬浮液或分散体包含(a)氟化载体流体和(b)聚合物粘结剂、聚合物粘结剂的前体或它们的组合。配体官能化纳米粒子可分散于载体流体中，然后其分散于聚合物粘结剂中，从而形成纳米粒子在载体、流体中的液滴，这继而分散于聚合物粘结剂中。
聚合物粘结剂期望地提供阻挡性能，以排除氧气和湿气。如果水和/或氧气进入量子点制品，量子点就可能降解，并且最终在受到紫外线或蓝光照射激发时无法发光。减缓或消除沿层合物边缘的量子点降解对于延长较小电子设备中的显示器(诸如，用于例如手持式设备和平板电脑的显示器)的使用寿命而言特别重要。
示例性聚合物材料包括但不限于聚硅氧烷、氟化弹性体、聚酰胺、聚酰亚胺、己内酯、己内酰胺、聚氨酯、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酰胺和聚甲基丙烯酰胺。聚合物材料的合适前体(即前体材料)包括用于制备上面所列聚合物材料的任何前体材料。示例性前体材料包括可聚合成聚丙烯酸酯的丙烯酸酯、可聚合形成聚甲基丙烯酸酯的甲基丙烯酸酯、可聚合形成聚丙烯酰胺的丙烯酰胺、可聚合形成聚甲基丙烯酰胺的甲基丙烯酰胺、可聚合形成聚酯的环氧树脂和二羧酸、可聚合形成聚醚的二环氧化物、可聚合形成聚氨酯的异氰酸酯和多元醇，或者可聚合形成聚酯的多元醇和二羧酸。
在一些实施方案中，聚合物粘结剂为可热固化的环氧-胺组合物，其任选地还包含可辐射固化的丙烯酸酯，如申请人的共同未决的WO 2015095296中所述的(Eckert等人)；硫醇-环氧树脂，如US 62/148219(Qiu等人，于2015年4月16日提交的)中所述的，硫醇-烯烃-环氧树脂，如US 62148212(Qui等人，于2015年4月16日提交的)中所述的；硫醇-烯烃树脂，如US 62/080488(Qui等人，于2014年11月17日提交的)中所述的，硫醇有机硅，如US 61/950281(Qiu等人，于2014年3月10日提交的)中所述的；
量子点层可具有任何可用量的量子点，并且在一些实施方案中，量子点层可包含基于量子点层(点、任选的液体载体和聚合物粘结剂)的总重量计0.1重量％至10重量％、优选地0.1重量％至1重量％量子点。分散组合物还可包含表面活性剂(即，均化剂)、聚合引发剂和本领域中已知的其它添加剂。
在一些实施方案中，以使得光密度为至少10的量将配体官能化量子点加入流体载体，光密度被定义为每mL溶液对于路径长度为1cm的池在440nm下的吸光度。
一般来讲，将配体官能化量子点、聚合物粘结剂和任选的氟化载体流体溶剂组合，并经受高剪切混合，以制备配体官能化量子点在聚合物基体中的分散体。对基体进行选择，使得具有有限的相容性并且量子点在基体中形成单独的非聚集相。因为量子点通常在有机溶剂中制备并且配体官能化，所以载体流体能够分离并氟化除去任何有机溶剂。
然后涂覆包含配体官能化纳米粒子分散于粘结剂树脂中的液滴的分散体，并且热固化、自由基固化、或两者以锁住分散结构，并从分散的量子点排除氧气和水。
当使用可自由基固化的聚合物粘结剂时，可固化组合物还包含介于约0.1重量％和约5重量％范围内的量的光引发剂。
可用的光引发剂包括已知可用于光固化自由基多官能团(甲基)丙烯酸酯的那些。示例性光引发剂包括苯偶姻及其衍生物，诸如α-甲基苯偶姻；α-苯基苯偶姻；α-烯丙基苯偶姻；α-苄基苯偶姻；苯偶姻醚，诸如苯偶酰二甲基缩酮(例如，来自美国新泽西州弗伦翰公园的BASF公司(BASF,Florham Park,NJ)的“IRGACURE 651”)、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻正丁基醚；苯乙酮及其衍生物，诸如2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮(例如，来自美国新泽西州弗伦翰公园的BASF公司(BASF,Florham Park,NJ)的“DAROCUR 1173”)和1-羟基环己基苯基酮(例如，来自美国新泽西州弗伦翰公园的BASF公司(BASF,Florham Park,NJ)的“IRGACURE 184”)；2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-(4-吗啉基)-1-丙酮(例如，来自美国新泽西州弗伦翰公园的BASF公司(BASF,Florham Park,NJ)的“IRGACURE 907”)；2-苄基-2-(二甲基氨基)-1-[4-(4-吗啉基)苯基]-1-丁酮(例如，来自美国新泽西州弗伦翰公园的BASF公司(BASF,Florham Park,NJ)的“IRGACURE 369”)和氧化膦衍生物，诸如乙基-2,4,6-三甲基苯甲酰基苯基磷酸酯(例如，来自美国新泽西州弗伦翰公园的BASF公司(BASF，Florham Park，NJ)的“TPO-L”)，和Irgacure 819(苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦)，其购自美国新泽西州弗伦翰公园的BASF公司(BASF，Florham Park，NJ.)。
其它可用的光引发剂包括例如新戊偶姻(pivaloin)乙醚、茴香偶姻乙醚、蒽醌(例如，蒽醌、2-乙基蒽醌、1-氯蒽醌、1,4-二甲基蒽醌、1-甲氧基蒽醌或苯并蒽醌)、卤代甲基三嗪、二苯甲酮及其衍生物，碘鎓盐和锍盐、钛络合物诸如双(η5-2,4-环戊二烯-1-基)-双[2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)苯基]钛(例如，得自美国新泽西州弗伦翰公园的BASF公司(BASF,Florham Park,NJ)的“CGI 784DC”)；卤代甲基-硝基苯(例如，4-溴甲基硝基苯)、单酰基膦和双酰基膦(例如，“IRGACURE 1700”、“IRGACURE 1800”、“IRGACURE 1850”和“DAROCUR 4265”)。
可固化组合物可用优选地在250纳米至500纳米波长中的激活紫外线或可见光辐射进行照射，以聚合组分。紫外光源可具有以下两种类型：1)相对低强度的光源诸如背光源，其在280纳米至400纳米的波长范围内提供通常为10mW/cm2或更低的光强(如根据美国国家标准与技术研究所(United States National Institute of Standards andTechnology)认可的方法测量，例如用弗吉尼亚州斯特林的电子仪表与技术公司(Electronic Instrumentation&Technology,Inc.(Sterling,VA))制造的UVIMAPTM UM365L-S辐射计测量)，和2)相对高强度的光源诸如中压和高压汞灯、无电极汞灯、发光二极管、汞-氙灯、激光等，其在320nm至390nm的波长范围内提供通常介于10和5000mW/cm2之间的强度(如根据美国国家标准与技术研究(United States National Institute ofStandards and Technology)认可的方法测量，例如用弗吉尼亚州斯特林的电子仪表与技术公司(Electronic Instrumentation&Technology,Inc.(Sterling，VA))制造的PowerPuckTM辐射计测量)。
参见图1，量子点制品10包括第一阻挡层32、第二阻挡层34和位于第一阻挡层32与第二阻挡层34之间的量子点层20。量子点层20包括分散于基体24中的多个量子点22。
阻挡层32、阻挡层34可由任何可用的材料形成，该可用的材料可保护量子点22免于暴露在环境污染物(诸如例如，氧气、水和水蒸气)中。合适的阻挡层32、阻挡层34包括但不限于聚合物膜、玻璃膜和介电材料膜。在一些实施方案中，用于阻挡层32、阻挡层34的合适材料包括例如聚合物，诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)；氧化物，诸如氧化硅、氧化钛、或氧化铝(例如，SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3)；以及它们的合适组合。
更具体地，阻挡膜可选自多种构造。阻挡膜通常选择为使它们具有应用所要求的规定水平的氧和水透过率。在一些实施方案中，阻挡膜具有在38℃和100％相对湿度下小于约0.005g/m2/天；在一些实施方案中，在38℃和100％相对湿度下小于约0.0005g/m2/天；并且在一些实施方案中，在38℃和100％相对湿度下小于约0.00005g/m2/天的水蒸气透过率(WVTR)。在一些实施方案中，柔性阻挡膜具有在50℃和100％相对湿度下小于约0.05、0.005、0.0005或0.00005g/m2/天，或在85℃和100％相对湿度下甚至小于约0.005、0.0005、0.00005g/m2/天的WVTR。在一些实施方案中，阻挡膜具有在23℃和90％相对湿度下小于约0.005g/m2/天；在一些实施方案中，在23℃和90％相对湿度下小于约0.0005g/m2/天；并且在一些实施方案中，在23℃和90％相对湿度下小于约0.00005g/m2/天的氧气透过率。
示例性的可用阻挡膜包括通过原子层沉积、热蒸发、溅射和化学气相沉积法制备的无机膜。可用的阻挡膜通常是柔性且透明的。在一些实施方案中，可用的阻挡膜包含无机/有机多层。包含无机/有机多层的柔性超阻挡膜在例如U.S.7,018,713(Padiyath等人)中有所描述。此类柔性超阻挡膜可具有设置在聚合物膜基材上的第一聚合物层，该聚合物膜基材用由至少一个第二聚合物层隔开的两个或更多个无机阻挡层包覆。在一些实施方案中，阻挡膜包括一个无机阻挡层，该无机阻挡层插入设置在聚合物膜基材上的第一聚合物层、和第二聚合物层224之间。
在一些实施方案中，量子点制品10的每个阻挡层32、阻挡层34包括不同材料或组合物的至少两个亚层。在一些实施方案中，此类多层阻挡构造可更有效地减少或消除阻挡层32、阻挡层34中的针孔缺陷对准，从而提供更有效的屏蔽以避免氧气和湿气渗入基体24中。量子点制品10可包含任何合适的材料、或阻挡材料的组合、以及在量子点层20的一侧或两侧上的任何合适数量的阻挡层或亚层。阻挡层和亚层的材料、厚度和数量将取决于具体应用，并且将被合适地选择以使阻挡保护和量子点22亮度最大化，同时使量子点制品10的厚度最小化。在一些实施方案中，每个阻挡层32、阻挡层34本身为层合膜，诸如双重层合膜，其中每个阻挡膜层足够厚，以在辊对辊或层合制造工艺中消除褶皱。在一个例示性实施方案中，阻挡层32、阻挡层34为其暴露表面上具有氧化物层的聚酯膜(例如，PET)。
量子点层20可包括量子点或量子点材料22的一个或多个群体。在将蓝光LED所发出的蓝基色光降频转换为量子点所发出的二次光时，示例性量子点或量子点材料22发出绿光和红光。可控制红光、绿光和蓝光的各自的部分来实现由结合了量子点制品10的显示装置发出的白光的所期望白点。用于量子点制品10中的示例性量子点22包括但不限于具有ZnS壳的CdSe。用于本文所述量子点制品中的合适量子点包括但不限于芯/壳发光纳米晶体，包括CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbSe/PbS、CdSe/CdS、CdTe/CdS或CdTe/ZnS。在示例性实施方案中，发光纳米晶体包括外部配体涂层，并且发光纳米晶体分散于聚合物基体中。量子点和量子点材料22可从例如美国加利福尼亚州米尔皮塔斯的Nanosys公司(Nanosys Inc.,Milpitas,CA)商购获得。量子点层20可具有任何可用量的量子点22，并且在一些实施方案中，量子点层20可包含基于量子点层20的总重量计0.1重量％至1重量％量子点。
在一些实施方案中，量子点材料可包括分散于液体载体中的量子点。例如，液体载体可包括油，诸如氨基-硅油。
在一个或多个实施方案中，量子点层20可任选地包含散射小珠或散射颗粒。这些散射小珠或散射颗粒具有不同于基体材料24的折射率，折射率差值为至少0.05或至少0.1。这些散射小珠或散射颗粒可包括例如：聚合物，诸如有机硅、丙烯酸类、尼龙等等；或无机材料，诸如TiO2、SiOx、AlOx等等；以及它们的组合。在一些实施方案中，在量子点层20中包含散射颗粒可增加通过量子点层20的光程长度，并改善量子点的吸收能力和效率。在许多实施方案中，散射小珠或散射颗粒具有1微米至10微米、或2微米至6微米的平均粒度。在一些实施方案中，量子点材料20可任选地包含填料诸如热解法二氧化硅。
在一些优选的实施方案中，散射小珠或散射粒子是由美国俄亥俄州哥伦布市迈图特种化学品公司(Momentive Specialty Chemicals Inc.,Columbus,Ohio)分别以2.0、3.0、4.5和6.0微米粒度提供的TospearlTM 120A、130A、145A和2000B球形有机硅树脂。
量子点层20的基体24可由聚合物粘结剂或粘结剂前体形成，该聚合物粘结剂或粘结剂前体附着到形成阻挡层32、阻挡层34的材料以形成层合构造，并且还形成了量子点22的保护性基体。在一个实施方案中，通过固化或硬化粘合剂组合物来形成基体24，该粘合剂组合物包含环氧胺聚合物和任选的可辐射固化的甲基丙烯酸酯化合物。
参见图2，在另一个方面，本公开涉及一种形成量子点膜制品100的方法，该方法包括将包含量子点的粘合剂组合物涂覆在第一阻挡层102上，并将第二阻挡层设置在量子点材料104上。在一些实施方案中，方法100包括使可辐射固化的甲基丙烯酸酯化合物聚合(例如，辐射固化)以形成部分固化的量子点材料106，并且使粘结剂组合物聚合以形成固化的基体108。
在一些实施方案中，粘结剂组合物可通过加热进行固化或硬化。在其它实施方案中，粘合剂组合物也可通过施加辐射诸如例如紫外(UV)光进行固化或硬化。固化或硬化步骤可包括UV固化、加热或两者。在一些并非旨在限制的示例性实施方案中，UV固化条件可包括施加约10mJ/cm2至约4000mJ/cm2的UVA，更优选地约10mJ/cm2至约200mJ/cm2的UVA。加热和UV光也可单独施加或组合施加，以提高粘结剂组合物的粘度，这可允许在涂覆和加工线上更容易地处理。
在一些实施方案中，粘结剂组合物可在层合在叠置的阻挡膜32、阻挡膜34之间后进行固化。因此，粘结剂组合物粘度的提高在层合后立刻锁定了涂层的质量。通过在涂覆或层合后立刻固化，在一些实施方案中，固化的粘结剂使粘度增大至某个值，此时粘结剂组合物充当压敏粘合剂(PSA)，以在固化期间将层合物保持在一起，并大大减少固化期间的缺陷。在一些实施方案中，粘结剂的辐射固化与传统的热固化相比，可更好地控制涂覆、固化和幅材处理。
一旦粘结剂组合物至少部分地固化，就形成聚合物网络，这为量子点22提供保护性支承基体24。
侵入(包括边缘侵入)被定义为由于湿气和/或氧气侵入基体24而造成量子点性能损失。在各种实施方案中，固化基体24中湿气和氧气的边缘侵入量为在85℃下保持1周后小于约1.25mm，或在85℃下保持1周后小于约0.75mm，或在85℃下保持1周后小于约0.5mm。在各种实施方案中，至固化基体中的氧气渗透率小于约80(cc.密耳)/(m2天)，或小于约50(cc.密耳)/(m2天)。在各种实施方案中，固化基体的水蒸气透过率应当小于约15(20g/m2.密耳.天)，或小于约10(20g/m2.密耳.天)。
在各种实施方案中，量子点层20的厚度为约80微米至约250微米。
图3为包括本文所述的量子点制品的显示装置200的一个实施方案的示意图。该示意图仅作为示例提供，并不旨在进行限制。显示装置200包括具有光源204(诸如例如发光二极管(LED))的背光源202。光源204沿着发射轴235发光。光源204(例如，LED光源)发出的光通过输入边缘208进入中空光循环腔210中，该中空光循环腔上具有背反射器212。背反射器212可主要为镜面反射型、漫射型或它们的组合，并且优选地为高度反射型。背光源202还包括量子点制品220，该量子点制品包括其中分散有量子点222的保护性基体224。保护性基体224的两个表面由聚合物阻挡膜226、阻挡膜228界定，该聚合物阻挡膜可包括单层或多层。
显示装置200还包括前反射器230，该前反射器包括多个定向再循环膜或层，这些定向再循环膜或层是光学膜，其表面结构在更接近显示器轴的方向上重新导向偏轴光，这可增加通过显示装置轴向传播的光量，这提高了观看者所看到的图像的亮度和对比度。前反射器230还可包括其它类型的光学膜，诸如偏振片。在一个非限制性示例中，前反射器230可包括一个或多个棱镜膜232和/或增益漫射器。棱镜膜232可具有沿着轴伸长的棱镜，其可相对于光源204的发射轴235平行或垂直取向。在一些实施方案中，棱镜膜的棱镜轴可交叉。前反射器230还可包括一个或多个偏振膜234，该偏振膜可包括多层光学偏振膜、漫反射偏振膜等等。由前反射器230发出的光进入液晶(LC)面板280。背光结构和膜的多个示例可见于例如U.S.8848132(O’Neill等人)中。
本发明提供了各种复合粒子。
实施方案1为一种复合粒子，该复合粒子包含荧光半导体芯/壳纳米粒子；以及附接到该芯/壳纳米粒子外表面的式I的配体。
实施方案2为实施方案1所述的复合粒子，其中芯包含第一半导体材料，并且壳包含不同于第一半导体材料的第二半导体材料。
实施方案3为实施方案1或2所述的复合粒子，其中芯包含金属磷化物或金属硒化物。
实施方案4为实施方案3所述的复合粒子，其中芯包含InP或CdSe。
实施方案5为实施方案1至4中任一项所述的复合粒子，其中壳包含含锌化合物。
实施方案6为实施方案1至5中任一项所述的复合粒子，其中壳为多层壳。
实施方案7为实施方案6所述的复合粒子，其中多层壳包括包覆芯的内壳，其中内壳包含硒化锌和硫化锌。
实施方案8为实施方案7所述的复合粒子，其中多层壳包括包覆内壳的外壳，其中外壳包含硫化锌。
实施方案9为实施方案1至8中任一项所述的复合粒子，该复合粒子以至少1重量％的量分散于氟化载体流体中。
实施方案10为一种复合粒子，该复合粒子包含荧光半导体芯/壳纳米粒子，该荧光半导体芯/壳纳米粒子包含：InP芯；包覆芯的内壳，其中内壳包含硒化锌和硫化锌；以及包覆内壳的外壳，其中外壳包含硫化锌；以及附接到该芯/壳纳米粒子外表面的式I的配体。
还提供了各种量子点制品；
实施方案11为一种量子点膜制品，该量子点膜制品包括：
第一阻挡层；
第二阻挡层；以及
量子点层，该量子点层位于第一阻挡层与第二阻挡层之间，该量子点层包含分散于粘结剂基体中的量子点。
实施方案12为实施方案11所述的制品，其中该粘结剂基体包含固化组合物，其中该组合物包括聚硅氧烷、氟化弹性体、聚酰胺、聚酰亚胺、己内酯、己内酰胺、聚氨酯、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酰胺、以及聚甲基丙烯酰胺。
实施方案13为实施方案11至12中任一项所述的制品，其中粘结剂组合物还包含光引发剂。
实施方案14为实施方案11至13中任一项所述的制品，其中基体还包含具有在1至10微米范围内的平均粒度的散射粒子。
实施方案15为实施方案11至14中任一项所述的膜制品，其中第一阻挡层和第二阻挡层中的至少一者包含至少一种聚合物膜。
实施方案16为一种显示装置，该显示装置包括实施方案11至15中任一项所述的膜制品。
实施方案17为一种形成制品的方法，该方法包括将量子点材料涂覆在第一聚合物阻挡膜上，该量子点材料包含处于未固化粘结剂组合物中的量子点。
实施方案18为实施方案17所述的方法，该方法还包括固化粘结剂组合物。
实施方案19为实施方案18所述的方法，该方法还包括将第二聚合物阻挡膜施加到粘结剂组合物上。
提供以下的实施例对本发明做进一步的说明，这些实施例并非旨在以任何方式限制本发明。
实施例
材料
Figure BDA0001578997100000261
Figure BDA0001578997100000271
所有其它试剂和化学品得自标准化学供应商并且可直接使用。
测试方法
透射％使用马里兰州哥伦比亚的Byk HazeGuard Plus(Columbia,Maryland)测量。
边缘侵入量通过将涂层置于黑光上，然后用尺子测量呈黑暗状态(未照亮)的膜边缘的长度来测试。
外量子效率(EQE)通过使用绝对PL量子产率光谱仪C11347(新泽西州米德尔塞克斯的滨松公司(Hamamatsu Corporation,Middlesex,New Jersey))测量。
白点(颜色)通过将构造的QDEF膜置于循环系统(图4)中，并且用色度计(以商品名“PR650”购自加利福尼亚彻沃兹的图片研究公司(Photo Research,Inc.,Chatsworth,CA))测量来定量。具有蓝色LED光的增益立方体与QDEF膜(该膜包括红色和绿色量子点)和一对交叉的微复制增亮膜(以商品名“VIKUITI BEF”购自美国明尼苏达州圣保罗市3M公司(3M,St.Paul,MN))一起使用。白点测量值使用CIE 1931(x,y)常规来定量。
制备例1：制备HFPO衍生的甲酯
根据美国专利3,250,808(Moore等人)中所述的方法，由二甘醇二甲醚溶剂中六氟环氧丙烷的金属氟化物引发的低聚反应制备其中变量a具有约6的平均值的甲酯F(CF(CF3)CF2O)aCF(CF3)C(O)OCH3，将所述文献描述以引用方式并入本文。该产物通过蒸馏纯化以除去低沸组分。
制备例2：制备HFPO衍生的烯丙基醚
根据美国专利申请2014-0287248(Flynn等人)中所述的方法，通过硼氢化钠还原成醇，之后用烯丙基溴化物烯丙基化，由制备例1的甲酯制备其中变量a具有约6的平均值的烯丙基醚F(CF(CF3)CF2O)aCF(CF3)CH2OCH2CHCH2，将所述专利申请描述以引用方式并入本文。
实施例1：制备HFPO衍生的烯丙基胺
Figure BDA0001578997100000281
向附接有冷凝器的烧瓶中装入制备例1的甲酯(200g，150mmol)和烯丙基胺(13.2g，231mmol)。在搅拌下在保持在80℃下的油浴中，加热所得的2相悬浮液。在30min内，将2相悬浮液转换成澄清溶液。在加热3小时之后，将溶液冷却，并且然后用150mL的PF-5052稀释。该溶液用100mL的水性1M HCl洗涤3次。氟化相经Na2SO4干燥、过滤并在减压下浓缩以产生几乎定量收率的澄清粘性液体。
实施例2：制备HFPO衍生的酰胺琥珀酸
Figure BDA0001578997100000282
在附接有冷凝器的烧瓶中装入实施例1的聚合物(100.g，80.0mmol)、乙酸乙酯(400mL)、巯基琥珀酸(18g，120mmol)和Vazo-67(2.3g，12mmol)。通过将N2鼓泡通过液体15min来将混合物脱氧。然后将溶液加热至回流并搅拌过夜。通过在减压下旋转蒸发除去溶剂，并且将产物溶于300mL的PF-5052中。将溶液用350mL的5:2异丙醇:水混合物(按体积计)洗涤三次。通过在减压下旋转蒸发除去溶剂以产生108.5g的浅黄色蜡状固体(97％收率)。
实施例3：制备HFPO衍生的醚琥珀酸
Figure BDA0001578997100000291
在附接有冷凝器的烧瓶中装入制备例2的聚合物(5.0g，3.5mmol)、乙酸乙酯(20mL)、巯基琥珀酸(0.79g，5.3mmol)和Vazo-67(100mg，0.53mmol)。通过将N2鼓泡通过液体15min来将混合物脱氧。然后将溶液加热至回流并搅拌过夜。通过在减压下旋转蒸发除去溶剂，并且将产物溶于50mL的PF-5052中。将溶液用70mL的5:2异丙醇:水混合物(按体积计)洗涤三次。通过在减压下旋转蒸发除去溶剂以产生4.5g的澄清粘性油。
实施例4：制备HFPO衍生的醚硫酯
Figure BDA0001578997100000292
在附接有冷凝器的烧瓶中装入制备例2的聚合物(20.0g，14.0mmol)、乙酸乙酯(50mL)、Novec 7100(30mL)、硫代乙酸(1.60g，21.0mmol)和Vazo-67(400mg，2.1mmol)。通过将N2鼓泡通过液体15min来将混合物脱氧。然后将溶液在回流下加热并搅拌过夜。通过在减压下旋转蒸发除去溶剂，并且将产物溶于100mL的PF-5052中。将溶液用140mL的5:2异丙醇:水混合物(按体积计)洗涤三次。通过在减压下旋转蒸发除去溶剂以产生19g的澄清油。
实施例5：制备HFPO衍生的醚硫醇
Figure BDA0001578997100000301
在附接有冷凝器的烧瓶中装入实施例4的聚合物(15.0g，10.5mmol)、Novec 7100(20mL)、甲醇(10mL)、和对甲苯磺酸(2.0g，10.5mmol)。然后将溶液在回流下加热过夜。通过在减压下旋转蒸发除去溶剂，并且将产物溶于50mL的PF-5052中，溶液用50mL的异丙醇洗涤三次。通过在减压下旋转蒸发除去溶剂以产生14g的澄清油。
实施例6：制备全氟化油中的绿色InP/ZnS量子点分散体
在惰性气氛的手套箱中，在1000mL圆底烧瓶中装入20.4g的实施例2的HFPO衍生的琥珀酸聚合物、93.0g的Krytox 1506、和374mL的绿色生长溶液。该烧瓶配备有顶置式搅拌器并置于保持在80℃下的热板上。将混合物剧烈搅拌3小时，之后使其冷却并分离成2层过夜。橙绿色的量子点完全转移到较低的全氟化相中。除去澄清顶层，并用150mL的庚烷将全氟化层洗涤4次。每次洗涤涉及10min的剧烈搅拌，之后进行2至12小时的剧烈搅拌以使层完全分离。全部四次洗涤之后，在低压下除去残余的庚烷。将油通过5微米注射式过滤器过滤，从而产生具有低雾度和大约60的光密度(OD)的橙/绿色油。
实施例7：制备全氟化油中的混合的红色和绿色InP/ZnS量子点分散体
在惰性气氛的手套箱中，在250mL圆底烧瓶中装入9.83g的实施例2的HFPO衍生的琥珀酸聚合物、24.6mL的Krytox 1506、以及60mL的绿色生长溶液和60mL的红色生长溶液。该烧瓶配备有顶置式搅拌器并置于保持在80℃下的热板上。将混合物剧烈搅拌2小时，之后使其冷却并分离成2层过夜。橙棕色的量子点完全转移到较低的全氟化相中。除去澄清顶层，并用50mL的庚烷将全氟化层洗涤4次。每次洗涤涉及10min的剧烈搅拌，之后进行2至12小时的剧烈搅拌以使层完全分离。在全部四次洗涤之后，在低压下除去残余的庚烷，从而产生具有低雾度和大约40的OD的橙/棕色油。就量子产率测量而言，大约10μL的溶液稀释于4mL的Krytox 1506中。
实施例8：用FC-70作为稀释剂制备绿色InP/ZnS分散体。
使用鼓泡氮气并且然后置于惰性气氛手套箱中，将20g的实施例3聚合物和40g的FC-70的混合物脱气。向250mL圆底烧瓶中装入15mL的上述溶液和120mL的绿色生长溶液。该烧瓶配备有顶置式搅拌器并置于保持在80℃下的热板上。将混合物剧烈搅拌1小时，之后使其冷却并分离成2层。除去无色顶层，并且用30mL的庚烷洗涤底部氟化层两次，在每次洗涤期间搅拌5分钟。在低压下除去残余庚烷，从而产生具有大约80的OD的澄清橙-绿色油。
实施例9：用HFPO硫醇配体制备绿色InP/ZnS分散体。
在惰性气氛手套箱中，在小瓶中装入0.4mL的实施例5的聚合物、0.4mL的PF-5052、和2.0mL的绿色生长溶液。将小瓶置于保持在80℃下的热板上，并且将两相混合物搅拌15分钟。在冷却之后，除去透明顶层，从而产生具有25的OD的全氟化分散体。
比较例1：在绿色InP上与十二碳烯基琥珀酸(DDSA)配体交换
在惰性气氛手套箱中，在小瓶中装入2mL的绿色InP生长溶液、40mg的十二碳烯基琥珀酸、和80mg的月桂酸。将所得溶液在保持在80℃下的热板上搅拌2小时。在冷却之后，用4mL的庚烷稀释24μL的该溶液以用于量子产率测量。
比较例2：在1:1红色:绿色InP上与十二碳烯基琥珀酸(DDSA)配体交换
在惰性气氛手套箱中，在小瓶中装入1mL的绿色InP生长溶液、1mL的红色InP生长溶液、40mg的十二碳烯基琥珀酸、和80mg的月桂酸。将所得溶液在保持在80℃下的热板上搅拌2小时。在冷却之后，用4mL的庚烷稀释24μL的该溶液以用于量子产率测量。
对于两种未改性分散体、实施例6和7、以及比较例1和2的量子点分散体收集比较光学数据。数据示于表1。
表1：InP量子点分散体的溶液光学数据
量子点分散体 量子产率 峰值波长(s) 半极大处全宽度
绿色生长溶液 82.7％ 529nm 45nm
红色生长溶液 74.6％ 609nm 50nm
实施例6 80.6％ 530nm 42nm
实施例7 73.7％ 530nm，612nm 49nm(红色峰值)
比较例1 82.5％ 529nm 44nm
比较例2 79.3％ 529nm，611nm 49nm(红色峰值)
实施例10：在全氟化油中制备白色InP浓缩物
将实施例6的绿色InP溶液与实施例7的1:1红色:绿色InP溶液以表2中所示的相对量混合以制备溶液A。
表2：溶液A–全氟化油中的白色InP量子点浓缩物
材料 重量％
在OD＝60下全氟化油中的绿色InP(实施例6) 53.8％
在OD＝40下全氟化油中的1:1绿色:红色InP(实施例7) 46.2％
总和 100.0％
实施例11：在全氟化油中使用丙烯酸酯基体和InP量子点制备QDEF
为制备丙烯酸酯基体制剂，称为溶液B，将表3中所示的组分一起加入，在微波中加热20秒，并且然后保留在振荡器中过夜直至均匀混合。
表3：溶液B–丙烯酸酯基体
材料 重量％
CN2003B 49.7％
SR833 49.7％
TPO-L 0.7％
总和 100.00％
将点浓缩物(溶液A)以7.83重量％加入丙烯酸酯基体(溶液B)。点浓缩物和基体的溶液用考雷司铜铝合金叶片在1400rpm下混合3分钟。使用刮刀涂布机以100微米的厚度将该混合物涂覆在两个2密耳(50微米)阻挡膜之间。使用Clearstone UV LED灯，在385nm下，用紫外线(UV)辐射将涂层固化60秒。
实施例12：在全氟化油中使用硫醇-烯基体和InP量子点制备QDEF
按照与实施例11相同的过程，不同的是溶液C(其制剂示于表4中)替代溶液B。
表4：溶液C–硫醇-烯基体
材料 重量％
TEMPIC 63.9％
TAIC 35.5％
TPO-L 0.6％
总和 100.00％
实施例13：QDEF样品的加速老化测试
在85℃下老化1周，并且在寿命筛选箱中老化(在85℃的温度和152瓦/sr/m2的光强度下老化)1周之后，初始测试涂层。初始结果示于表6中。一周85℃老化结果示于表7中。寿命筛选箱结果示于表8中。
表6：QDEF涂层的光学特征
实施例 基体 透射％ 亮度(cd/m<sup>2</sup>) X Y EQE
11 溶液B 66.2 299.6 0.2309 0.2169 66.2％
12 溶液C 67.7 325.4 0.2465 0.2386 68.7％
表7：在85℃下老化1周之后，QDEF涂层的性能变化
Figure BDA0001578997100000331
表8：在寿命筛选箱中在加速老化之后的性能变化
实施例 基体 Δ亮度(％) Δx Δy Δx,y
11 溶液B -0.3％ 0.0110 -0.0123 0.0165
12 溶液C 2.4％ 0.0095 -0.0113 0.0147

Claims (11)

1.一种复合粒子，所述复合粒子包含荧光芯/壳纳米粒子以及
结合到纳米粒子的表面的由下式表示的氟醚配体：
Rf-[X1-R2-X2-R3(L)n]m
其中
Rf为全氟醚基团，
R2为烃基基团，所述烃基基团包括亚烷基、亚芳基、亚烷芳基和亚芳烷基；
R3为烃基基团，所述烃基基团包括亚烷基、亚芳基、亚烷芳基和亚芳烷基；
X1为–CH2-O-、-O-、-S-、-CO2-、-CONR1-或-SO2NR1-，其中R1为H或C1-C4烷基；
X2为共价键、–S-、-O-或-NR1-、-CO2-、-CONR1-或-SO2NR1-，其中R1为H或C1-C4烷基；
n为至少一；
m为1或2
L为配体基团，所述配体基团选自–CO2H、-SH、-P(O)(OH)2、-P(O)OH、-NH2、-OH和-SO3H。
2.根据权利要求1所述的复合粒子，其中存在至少两个L基团。
3.根据权利要求1所述的复合粒子，其中Rf由式CaF2a+1-(O-CbF2b)c-表示，其中a为至少1，b为至少1，并且c为1至10的数。
4.根据权利要求1所述的复合粒子，其中Rf由式-CaF2a-(O-CbF2b)c-表示，其中a为至少1，b为至少1，并且c为1至10的数。
5.根据权利要求1所述的复合粒子，所述复合粒子还包含结合到纳米粒子的表面的由下式表示的非氟化合物配体：
R5-R4(L1)n
其中
R5为具有C2至C30个碳原子的烃基基团或杂烃基基团；
R4为烃基基团，所述烃基基团包括亚烷基、亚芳基、亚烷芳基和亚芳烷基；
n为至少一；
L1为配体基团，所述配体基团选自–CO2H、-OH、-SH、-P(O)(OH)2、-P(O)OH、-NH2和-SO3H。
6.根据权利要求1所述的复合粒子，其中所述配体由下式表示：
Rf-X1-R2-S-CH(CO2H)CH2CO2H
其中
Rf为全氟醚基团，
R2为烃基基团，所述烃基基团包括亚烷基、亚芳基、亚烷芳基和亚芳烷基，并且
X1为–CH2-O-、-O-、-S-、-CO2-、-CONR1-或-SO2NR1-，其中R1为H或C1-C4烷基。
7.根据权利要求1所述的复合粒子，所述复合粒子还包括流体载体。
8.根据权利要求1所述的复合粒子，所述复合粒子包含：
荧光半导体芯/壳纳米粒子，所述荧光半导体芯/壳纳米粒子包含：
InP芯；
包覆芯的内壳，其中所述内壳包含硒化锌和硫化锌；以及
包覆内壳的外壳，其中所述外壳包含硫化锌；以及
结合到纳米粒子的表面的氟化配体，所述氟化配体由下式表示：
Rf-[X1-R2-X2-R3(L)n]m
其中
Rf为全氟醚基团，
R2为烃基基团，所述烃基基团包括亚烷基、亚芳基、亚烷芳基和亚芳烷基；
R3为烃基基团，所述烃基基团包括亚烷基、亚芳基、亚烷芳基和亚芳烷基；
X1为–CH2-O-、-O-、-S-、-CO2-、-CONR1-或-SO2NR1-，其中R1为H或C1-C4烷基；
X2为共价键、–S-、-O-或-NR1-、-CO2-、-CONR1-或-SO2NR1-，其中R1为H或C1-C4烷基；
n为至少一；
m为1或2
L为配体基团，所述配体基团选自–CO2H、-SH、-P(O)(OH)2、-P(O)OH、-NH2、-OH和-SO3H。
9.一种组合物，所述组合物包含聚合物粘结剂和根据权利要求1至7中任一项所述的复合粒子。
10.一种制品，所述制品包括量子点层，所述量子点层包含分散于聚合物基体粘结剂中的根据权利要求1至7中任一项所述的复合粒子，所述层位于两个阻挡膜之间。
11.根据权利要求10所述的制品，所述制品包含基于所述量子点层的总重量计0.1重量％至1重量％的量子点。
CN201680047837.9A 2015-08-19 2016-08-10 全氟醚稳定化量子点 Expired - Fee Related CN107922832B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562206932P 2015-08-19 2015-08-19
US62/206,932 2015-08-19
US201562209508P 2015-08-25 2015-08-25
US62/209,508 2015-08-25
PCT/US2016/046283 WO2017030857A1 (en) 2015-08-19 2016-08-10 Perfluoroether-stabilized quantum dots

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107922832A CN107922832A (zh) 2018-04-17
CN107922832B true CN107922832B (zh) 2021-05-25

Family

ID=56738234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680047837.9A Expired - Fee Related CN107922832B (zh) 2015-08-19 2016-08-10 全氟醚稳定化量子点

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10767108B2 (zh)
EP (1) EP3337872A1 (zh)
JP (1) JP2018528302A (zh)
KR (1) KR20180042285A (zh)
CN (1) CN107922832B (zh)
WO (1) WO2017030857A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180091933A (ko) 2015-12-31 2018-08-16 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 양자점을 갖는 입자를 포함하는 물품
KR20180099805A (ko) 2015-12-31 2018-09-05 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 경화성 양자점 조성물 및 물품
US11898744B2 (en) * 2016-09-13 2024-02-13 Sic Technology Co. Ltd Quantum structure thin film and quantum structure light-emitting module including the same
US10745569B2 (en) * 2016-10-23 2020-08-18 Sepideh Pourhashem Anti-corrosion nanocomposite coating
US20200115630A1 (en) * 2017-03-14 2020-04-16 3M Innovative Properties Company Additive stabilized composite nanoparticles
KR20190126105A (ko) * 2017-07-11 2019-11-08 티씨엘 코포레이션 양자점 및 그 제조방법
US20190044034A1 (en) * 2017-08-07 2019-02-07 Sabic Global Technologies B.V. Stable quantum dot extrusion film
CN109651597B (zh) * 2017-10-11 2022-03-01 Tcl科技集团股份有限公司 一种颗粒、有机配体、复合物材料及其制备方法与应用
TWI778156B (zh) 2017-10-27 2022-09-21 美商納諾西斯有限公司 應用多官能配位體改善量子點墨水的性能及穩定性
JP6975122B2 (ja) * 2018-11-06 2021-12-01 信越化学工業株式会社 樹脂組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、ｌｅｄ素子、バックライトユニット及び画像表示装置
JP2022513514A (ja) 2018-12-21 2022-02-08 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド １，２，２－トリフルオロ－１－トリフルオロメチルシクロブタン（ｔｆｍｃｂ）を含有する溶媒組成物
JP2020193249A (ja) * 2019-05-27 2020-12-03 信越化学工業株式会社 量子ドット、量子ドット組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、バックライトユニット及び画像表示装置
JP2021161393A (ja) * 2020-03-31 2021-10-11 住友化学株式会社 硬化性樹脂組成物及び表示装置
KR102604931B1 (ko) 2022-11-30 2023-11-22 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원 양자점 소재의 표면 개질 방법 및 이를 활용하는 led조명용 양자점 광학부재

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3250808A (en) 1963-10-31 1966-05-10 Du Pont Fluorocarbon ethers derived from hexafluoropropylene epoxide
JP2002332477A (ja) * 2001-01-18 2002-11-22 Mitsubishi Chemicals Corp フッ化アルキル配位子を結合してなる半導体超微粒子、及びこれを含有する薄膜状成形体
EP1537187B1 (en) 2002-09-05 2012-08-15 Nanosys, Inc. Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures
WO2005022120A2 (en) 2003-03-11 2005-03-10 Nanosys, Inc. Process for producing nanocrystals and nanocrystals produced thereby
US7018713B2 (en) 2003-04-02 2006-03-28 3M Innovative Properties Company Flexible high-temperature ultrabarrier
US7065285B2 (en) * 2003-12-01 2006-06-20 Lucent Technologies Inc. Polymeric compositions comprising quantum dots, optical devices comprising these compositions and methods for preparing same
TW201341440A (zh) 2004-06-08 2013-10-16 Sandisk Corp 奈米結構之沉積後包封：併入該包封體之組成物、裝置及系統
KR100957560B1 (ko) 2007-10-18 2010-05-11 한국생명공학연구원 양자점 나노입자를 함유한 퍼플루오르카본 나노에멀젼 및그 제조방법
TWI494655B (zh) 2008-02-07 2015-08-01 3M Innovative Properties Co 具有結構性薄膜之空孔背光裝置及具有該空孔背光裝置之顯示器
KR101005561B1 (ko) * 2008-06-21 2011-01-05 한국생명공학연구원 광학특성 나노입자 및 퍼플루오로카본으로 구성된 나노에멀젼을 이용한 다중모드 조영 방법
US8901333B2 (en) 2008-10-03 2014-12-02 Life Technologies Corporation Nanocrystals with functional ligands
KR101783487B1 (ko) 2009-05-01 2017-10-23 나노시스, 인크. 나노구조의 분산을 위한 기능화된 매트릭스
WO2012134629A1 (en) 2011-04-01 2012-10-04 Qd Vision, Inc. Quantum dots, method, and devices
CN103998546B (zh) 2011-11-15 2016-12-14 3M创新有限公司 具有润滑添加剂的氟化涂料
US20140079912A1 (en) 2012-09-17 2014-03-20 The Boeing Company Ir absorbing coatings comprisiing fluorinated nanoparticles
WO2015095032A1 (en) 2013-12-17 2015-06-25 3M Innovative Properties Company Composite nanoparticles including a malonic acid derivative
CN105829103B (zh) 2013-12-20 2018-10-19 3M创新有限公司 边缘侵入得到改善的量子点制品
JP6427876B2 (ja) * 2013-12-27 2018-11-28 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、硬化膜、発光素子および発光層の形成方法
EP3116972B1 (en) 2014-03-10 2018-07-25 3M Innovative Properties Company Composite nanoparticles including a thiol-substituted silicone
CN106164219B (zh) 2014-04-02 2019-03-01 3M创新有限公司 包含硫醚配体的复合纳米粒子
CN107109209B (zh) 2014-11-17 2020-11-03 3M创新有限公司 具有硫醇-烯烃基体的量子点制品
JP6469887B2 (ja) 2015-04-16 2019-02-13 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー チオール−アルケン−エポキシマトリックスを有する量子ドット物品
KR20170137882A (ko) 2015-04-16 2017-12-13 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 티올-에폭시 매트릭스를 갖는 양자점 물품

Also Published As

Publication number Publication date
US10767108B2 (en) 2020-09-08
JP2018528302A (ja) 2018-09-27
KR20180042285A (ko) 2018-04-25
US20180208835A1 (en) 2018-07-26
EP3337872A1 (en) 2018-06-27
CN107922832A (zh) 2018-04-17
WO2017030857A1 (en) 2017-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107922832B (zh) 全氟醚稳定化量子点
US9574132B2 (en) Composite nanoparticles including a thioether ligand
EP3480276B1 (en) Quantum dot composition, quantum dot polymer composite, and layered structures and electronic devices including the same
EP3511394A1 (en) Quantum dots, a composition or composite including the same, and an electronic device including the same
JP6234543B2 (ja) ナノ結晶用のアルキル−酸リガンド
CN108699433B (zh) 具有稳定含氟化合物共聚物的量子点
WO2015138174A1 (en) Composite nanoparticles including a thiol-substituted silicone
EP3898885B1 (en) Small molecule passivation of quantum dots for increased quantum yield
JP2020180278A (ja) エレクトロルミネッセンスデバイスのための無機配位子を有するナノ構造
US10829686B2 (en) Quantum dots with stabilizing fluorochemical agents
JP2020523434A (ja) 樹脂フィルムにおける改善された量子ドットの信頼性のためのチオール化親水性リガンド
WO2016151933A1 (ja) 組成物及びそれを含有する光学機能性膜
CN108291138B (zh) 用于纳米粒子的共聚稳定载体流体
US20230235225A1 (en) Nanostructure Ink Compositions for Inkjet Printing
KR20170092934A (ko) 광학 필름용 조성물 및 이를 포함하는 광학 필름
WO2017162878A1 (en) Core-shell nanoplatelets and uses thereof
US11999884B2 (en) Thermally stable polythiol ligands with pendant solubilizing moieties
KR20230074177A (ko) 펜던트 가용화 모이어티를 갖는 열적으로 안정된 폴리티올 리간드

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20210525

Termination date: 20210810

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee