CN107892571A - 一种低价态氧化钽光学镀膜材料及制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种低价态氧化钽光学镀膜材料及制备方法，属于光学镀膜材料技术领域。按五氧化二钽与金属钽粉的质量比1：0.3～1:3的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。制备的低价态氧化钽光学镀膜材料用于生产光学元件。本发明的优点是在五氧化二钽中加入一定量金属钽粉，经成型造粒或压片，真空烧结，形成低价态的稳定氧化钽，可在大气中长期存放，不会发生价态的变化，这样就解决了真空烧结五氧化二钽在大气中不稳定的问题。

Description

一种低价态氧化钽光学镀膜材料及制备方法
技术领域
本发明涉及一种低价态氧化钽光学镀膜材料及制备方法，属于光学镀膜材料技术领域。
背景技术
在光学镀膜领域，五氧化二钽是常用的一种镀膜材料，由于其折射率稳定，在光通讯镀膜领域，高折射率材料通常用真空烧结的五氧化二钽。但真空烧结的五氧化二钽，一个致命的特征是材料处于亚稳定状态。在潮湿空气中，烧结后的黑色五氧化二钽会慢慢氧化变成灰白色，这导致材料在使用过程中出现喷溅。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明提供一种低价态氧化钽光学镀膜材料及制备方法。
一种低价态氧化钽光学镀膜材料，由五氧化二钽和金属钽粉烧结而成。
五氧化二钽和金属钽粉的摩尔百分比在1：0.3～1：3之间，在真空条件下烧结而成，烧结温度为在1350℃～1750℃之间，可以形成TaO2、Ta2O3、TaO等几种低态氧化钽。
低价态氧化钽光学镀膜材料可以是不同尺寸颗粒，也可以是不同尺寸的片。
光学镀膜材料用于生产光学元件。
一种低价态氧化钽光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；
按五氧化二钽与金属钽粉的质量比1：0.3～1:3的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。
本发明的优点是在五氧化二钽中加入一定量金属钽粉，经成型造粒或压片，真空烧结，形成低价态的稳定氧化钽，可在大气中长期存放，不会发生价态的变化，这样就解决了真空烧结五氧化二钽在大气中不稳定的问题。
具体实施方式
显然，本领域技术人员基于本发明的宗旨所做的许多修改和变化属于本发明的保护范围。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。
为便于对实施例的理解，下面将结合做进一步的解释说明，且各个实施例并不构成对本发明的限定。
实施例1：
一种低价态氧化钽光学镀膜材料及制备方法，在五氧化二钽中加入一定量金属钽粉，经成型造粒或压片，真空烧结，形成低价态的稳定氧化钽，可在大气中长期存放，不会发生价态的变化，这样就解决了真空烧结五氧化二钽在大气中不稳定的问题。
针对真空处理的五氧化二钽在空气中不稳定的特性，采用五氧化二钽和金属钽粉的混合，成型烧结，形成低价态氧化钽，
低价态氧化钽的质量比为：
五氧化二钽和金属钽粉的摩尔百分比在1：0.3～1:3。
原理如下：
Ta2O5+Ta(真空高温)→Ta2Ox，
通过调整Ta2O5和Ta粉的比例，可以形成稳定的不同低价态的氧化钽，例如如下反应：
2Ta2O5+Ta＝5TaO2，
3Ta2O5+4Ta＝5Ta2O3，
Ta2O5+3Ta＝5TaO，
一种低价态氧化钽光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；
按五氧化二钽与金属钽粉的质量比1：0.3～1:3的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。
实施例2：
一种低价态氧化钽光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；
按五氧化二钽与金属钽粉的质量比2∶1的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。
实施例3：
一种低价态氧化钽光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；
按五氧化二钽与金属钽粉的质量比3∶1的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。
实施例4：
一种低价态氧化钽光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；
按五氧化二钽与金属钽粉的质量比7∶3的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。
实施例5：
一种低价态氧化钽光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；
按五氧化二钽与金属钽粉的质量比3∶2的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。
实施例6：
一种低价态氧化钽光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；
按五氧化二钽与金属钽粉的质量比1∶1的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。
实施例7：
一种低价态氧化钽光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；
按五氧化二钽与金属钽粉的质量比3∶4的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。
实施例8：
一种低价态氧化钽光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；
按五氧化二钽与金属钽粉的质量比1∶3的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。
所述实施例2至实施例8的低价态氧化钽光学镀膜材料进行镀膜实验，实验结果见表1，
真空镀膜机中进行实验，镀膜机直径1100，基片温度200℃，蒸发速率为10A°/S，结果如下：
表1对比实验
通过表1所列各比例，低价态氧化钽镀膜材料，该材料不仅能够在空气环境下长时间放置，不发生慢性氧化等现象，而且在镀膜过程中不会发生喷溅、成膜均匀。
实施例9：
一种低价态氧化钽光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；
按五氧化二钽与金属钽粉的质量比1∶3的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。
实施例10：
一种低价态氧化钽光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；
按五氧化二钽与金属钽粉的质量比0.3∶1的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。
实施例11：
一种低价态氧化钽光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；
按五氧化二钽与金属钽粉的质量比0.6∶2的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。
如上所述，对本发明的实施例进行了详细地说明，但是只要实质上没有脱离本发明的发明点及效果可以有很多的变形，这对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，这样的变形例也全部包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种低价态氧化钽光学镀膜材料，其特征在于由五氧化二钽和金属钽粉烧结而成；
五氧化二钽和金属钽粉的摩尔百分比在1：0.3～1:3之间，在真空条件下烧结而成，烧结温度为在1350℃～1750℃之间，可以形成TaO2、Ta2O3、TaO几种低态氧化钽。
2.根据权利要求1所述的一种低价态氧化钽光学镀膜材料，其特征在于低价态氧化钽光学镀膜材料是不同尺寸颗粒，或者是不同尺寸的片。
3.一种低价态氧化钽光学镀膜材料制备方法,其特征在于含有以下步骤；
按五氧化二钽与金属钽粉的质量比1：0.3～1:3的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。
4.根据权利要求3所述的一种低价态氧化钽光学镀膜材料制备方法，其特征在于制备的低价态氧化钽光学镀膜材料用于生产光学元件。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113200569A (zh) * 2021-04-07 2021-08-03 巨玻固能(苏州)薄膜材料有限公司 一种镀膜材料及其制备方法与应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1465963A (zh) * 2002-07-01 2004-01-07 上海成和塑料有限公司 红外线干涉膜滤光镜
CN102206804A (zh) * 2010-03-31 2011-10-05 W.C.贺利氏有限公司 溅射靶及其制备方法
WO2013058066A1 (ja) * 2011-10-18 2013-04-25 株式会社村田製作所 発光セラミックス
CN109709737A (zh) * 2019-02-27 2019-05-03 暨南大学 一种新型电致变色薄膜的制作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1465963A (zh) * 2002-07-01 2004-01-07 上海成和塑料有限公司 红外线干涉膜滤光镜
CN102206804A (zh) * 2010-03-31 2011-10-05 W.C.贺利氏有限公司 溅射靶及其制备方法
WO2013058066A1 (ja) * 2011-10-18 2013-04-25 株式会社村田製作所 発光セラミックス
CN109709737A (zh) * 2019-02-27 2019-05-03 暨南大学 一种新型电致变色薄膜的制作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
化工百科全书编辑委员会: "《化工百科全书》", 31 December 1997 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113200569A (zh) * 2021-04-07 2021-08-03 巨玻固能(苏州)薄膜材料有限公司 一种镀膜材料及其制备方法与应用

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