CN107871764B - 具有裂纹感测线的显示装置 - Google Patents

具有裂纹感测线的显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107871764B
CN107871764B CN201710839854.2A CN201710839854A CN107871764B CN 107871764 B CN107871764 B CN 107871764B CN 201710839854 A CN201710839854 A CN 201710839854A CN 107871764 B CN107871764 B CN 107871764B
Authority
CN
China
Prior art keywords
line
display device
crack sensing
disposed
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710839854.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107871764A (zh
Inventor
朴鲜
孙智媛
尹秀娟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN107871764A publication Critical patent/CN107871764A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107871764B publication Critical patent/CN107871764B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/861—Repairing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133388—Constructional arrangements; Manufacturing methods with constructional differences between the display region and the peripheral region
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136254—Checking; Testing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G02F1/13685—Top gates
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供一种具有裂纹感测线的显示装置，所述显示装置包括基底、绝缘层和裂纹感测线，基底包括具有多个像素以显示图像的显示区域和围绕显示区域的非显示区域。绝缘层设置在非显示区域中并包括凹部。裂纹感测线设置在凹部中并沿着凹部延伸，并电连接到多个像素中的至少一个像素。凹部设置在绝缘层的表面或内部处，并沿着非显示区域延伸。

Description

具有裂纹感测线的显示装置
技术领域
发明总体上涉及显示装置，更具体地，涉及在显示装置中感测裂纹和/或耐受开裂的显示装置。
背景技术
当在显示装置的制造工艺中产生裂纹时，湿气会渗透到显示装置的显示区域中。由于裂纹而渗透的湿气会导致显示装置中的缺陷。因此，当可以防止在显示装置中产生裂纹时，或者当可以感测产生的裂纹时，可以减少显示装置中的缺陷。
本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对发明构思的背景技术的理解，因此其可以包含不形成对本领域的普通技术人员而言在该国家已知的现有技术的信息。
发明内容
根据发明的原理构造的显示装置包括裂纹感测线，该裂纹感测线能够通过感测在显示装置中产生的裂纹来改善产品良率，并且/或者防止在仅存在对显示装置的质量基本没影响的微小的裂纹时将显示装置指定为缺陷装置，并且/或者通过防止在显示装置中产生的裂纹的扩散来改善对裂纹的耐受。
另外的方面将在随后的详细描述中进行阐述，并且部分地，通过公开将是明显的，或者可通过发明构思的实践而被获知。
根据发明的一个方面，显示装置包括：基底，包括具有多个像素以显示图像的显示区域和围绕显示区域的非显示区域；绝缘层，设置在非显示区域中并包括凹部；裂纹感测线，设置在凹部中并沿着凹部延伸，并电连接到多个像素中的至少一个像素，其中，凹部设置在绝缘层的表面或内部处，并沿着非显示区域延伸。
凹部可以具有四边形形状。
凹部可以具有多边形突起或弯曲突起。
裂纹感测线可以具有与多边形突起对应的多边形凹部或与弯曲突起对应的弯曲凹部。
显示装置还可以包括第一线和第二线。多个像素可以以具有行方向和列方向的矩阵布置，第一线可以连接到在行方向上布置的第一像素，第二线可以连接到在列方向上布置的第二像素，裂纹感测线可以电连接到第一像素和第二像素中的至少一个。
多个像素中的每个可以包括一个或更多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管可以包括作为控制端子的栅电极、作为输入端子的源电极、作为沟道单元的有源层和作为输出端子的漏电极，裂纹感测线可以包括与栅电极、源电极和漏电极中的至少一个的材料相同的材料。
显示装置还可以包括彼此交叉的多条栅极线和多条数据线，其中，裂纹感测线连接到栅极线和数据线中的至少一条。
绝缘层可以延伸到显示区域中，栅电极、源电极和漏电极中的至少一个可以设置在位于绝缘层中的电极凹部中，电极凹部可以位于绝缘层的表面或内部处，并位于显示区域中。
显示装置还可以包括与裂纹感测线相邻设置的至少一条保护线，其中，保护线设置在位于绝缘层中的保护线凹部中。
保护线凹部可以位于绝缘层的表面或内部处，并沿着非显示区域中的凹部延伸，保护线可以沿着凹部延伸。
保护线可以与裂纹感测线基本平行地延伸。
多个像素中的每个可以包括一个或更多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管可以包括作为控制端子的栅电极、作为输入端子的源电极、作为沟道单元的有源层和作为输出端子的漏电极，保护线可以包括与栅电极、源电极和漏电极中的至少一个的材料相同的材料。
至少一条保护线可以被电隔离。
显示装置还可以包括与裂纹感测线相邻的至少一个坝状物，其中，坝状物设置在绝缘层的表面或内部处。
坝状物可以与裂纹感测线基本平行地延伸。
多个像素中的每个可以包括一个或更多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管可以包括作为控制端子的栅电极、作为输入端子的源电极、作为沟道单元的有源层和作为输出端子的漏电极，坝状物可以包括与栅电极、源电极和漏电极中的至少一个的材料相同的材料。
坝状物可以包括设置在裂纹感测线的相对侧处的多个坝状物。
裂纹感测线可以包括多条裂纹感测线，至少一个坝状物设置在裂纹感测线之间。
至少一个坝状物可以被电隔离。
凹部可以包括具有沟道状形状的沟槽。
因此，发明的示例性实施例提供一种显示装置，该显示装置能够通过感测在显示装置中产生的裂纹来改善产品良率，并且通过仅存在对显示装置的质量基本没影响的微小的裂纹来防止显示装置被指定为缺陷装置，并且通过防止在显示装置中产生的裂纹的扩散来改善对裂纹的耐受。
前面的一般描述和下面的详细描述是示例性和说明性的，并且意图提供所要求保护的主题的进一步说明。
附图说明
包括附图以提供发明构思的进一步理解，附图包括在本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思的原理。
图1是根据发明的原理构造的显示装置的第一实施例的俯视图。
图2是示出图1的显示装置的设置在第二绝缘层中的沟槽中的裂纹感测线的剖视图。
图3示出图1的显示装置的电路图，该电路图示出裂纹感测线、栅极和像素之间的电连接。
图4是示出发明的裂纹感测线的一个实施例的图2的区域A的放大图。
图5是示出由图3的显示装置的电路图产生的示例性信号的波形图。
图6是示出发明的裂纹感测线的第二实施例的图2的区域A的放大图。
图7是示出发明的裂纹感测线的第三实施例的图2的区域A的放大图。
图8是示出设置在第一绝缘层的沟槽中的裂纹感测线的发明的显示装置的第二实施例的剖视图。
图9是示出设置在包封部外部的裂纹感测线的发明的显示装置的第三实施例的剖视图。
图10是示意性地示出发明的显示装置的第三实施例的示出保护线以防止裂纹在装置中扩散的俯视图。
图11是沿图10的线X-X’截取的剖视图。
图12是示意性地示出发明的显示装置的第四实施例的示出坝状物以防止裂纹在装置中扩散的俯视图。
图13是沿图12的线XII-XII’截取的剖视图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体的细节，以提供对各种示例性实施例的彻底理解。然而，明显的是，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节或者在一个或更多个等同布置的情况下实施。在其它情况下，公知的结构和装置以框图的形式示出以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。
在附图中，为了清楚和描述的目的，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在其它元件或层上、直接连接到或结合到其它元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一(种/者)”以及“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。同样的数字始终表示同样的元件。如这里所用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出的项的任意和全部组合。
虽然在这里可使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可被称为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
为了描述的目的，在这里可使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”和“上面的”等的空间相对术语，并由此来描述如图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。除了图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包含设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果图中的设备被翻转，那么被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可包含上方和下方两种方位。另外，设备可被另外定位(例如，旋转90度或在其它方位)，这样，相应地解释这里使用的空间相对描述符。
这里使用的术语是出于描述具体实施例的目的，并非意图限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(种/者)”和“该/所述”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
这里参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种示例性实施例。如此，由例如制造技术和/或公差导致的示出的形状的变化将是预期的。因此，这里公开的示例性实施例不应被解释为局限于具体示出的区域的形状，而是将包括因例如制造导致的形状的偏差。例如，示出为矩形的注入区将通常在其边缘处具有圆形的或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区到非注入区的二元变化。同样地，由注入形成的埋区可导致在埋区与发生注入的表面之间的区域的一些注入。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状不意图示出装置的区域的实际形状，并且不意图是限制性的。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。除非这里明确地如此定义，否则术语(诸如通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与在相关领域的上下文中的它们的意思一致的意思，并且将不以理想化的或过于形式化的含义来解释它们。
现在将参照图1至图4描述根据发明的一个或更多个示例性实施例的显示装置。
图1是根据发明的原理构造的显示装置的第一实施例的俯视图。图2是图1的显示装置的示出设置在第二绝缘层中的沟槽中的裂纹感测线的剖视图。图3示出图1的显示装置的电路图，该电路图示出裂纹感测线、栅极和像素之间的电连接。图4是示出发明的裂纹感测线的一个实施例的图2的区域A的放大图。具体地，图2示出了显示装置的显示区域DA中的一个像素PX的设置有薄膜晶体管TFT的部分的剖面以及通过沿着与裂纹感测线CD1和CD2的纵向轴线垂直的方向切割非显示区域NDA的裂纹感测线CD1和CD2延伸所经过的部分而获得的剖面。
首先，参照图1，显示装置包括用于显示图像的显示区域DA和设置在显示区域DA周围的非显示区域NDA。在图1中，示出了非显示区域NDA被定位成围绕显示区域DA的四边。然而，示例性实施例不限于此，非显示区域NDA可以位于显示区域DA的一个或更多个边的外部。例如，非显示区域NDA可以位于显示区域DA的一些边缘的周围。
显示区域DA包括多个像素PX。作为显示图像的最小单元的像素PX中的每个可以包括分别显示红色、绿色和蓝色的第一像素R、第二像素G和第三像素B。设置在一列的像素PX可以显示相同的颜色，显示不同颜色的像素PX的列可以交替地设置。然而，显示装置的像素PX的定位不限于此。像素PX可以显示除了红色、绿色和蓝色之外的不同颜色。
将参照图2和图3描述每个像素PX的示例性结构。一个像素PX包括设置在基底SUB上的至少一个薄膜晶体管TFT。
基底SUB可以是包括玻璃、聚合物、不锈钢或本领域知晓的其它材料的绝缘基底。
基底SUB可以是柔性的、可伸展的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。例如，基底SUB可以用作包括诸如聚酰亚胺的树脂的柔性膜。
薄膜晶体管TFT包括有源层AL、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。栅电极GE可以连接到栅极线(未示出)，源电极SE可以连接到数据线D。栅极线可以与数据线D交叉并在第一方向DR1上延伸，数据线D可以在与第一方向DR1交叉的第三方向DR3上延伸。
有源层AL可以由多晶硅或氧化物半导体形成。有源层AL包括不掺杂杂质的沟道区以及设置在沟道区的相对侧上并掺杂杂质的源区和漏区。
栅电极GE设置在有源层AL上，并且第一绝缘层IL1设置在栅电极GE与有源层AL之间。源电极SE和漏电极DE设置在覆盖栅电极GE的第二绝缘层IL2上，并且分别通过形成在第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2中的接触孔连接到有源层AL的源区和漏区。漏电极DE通过形成在第三绝缘层IL3中的接触孔连接到有机发光二极管OLED的第一电极E1。在图2中，栅电极GE位于有源层AL上方，然而，栅电极可以位于有源层下方。在一个或更多个示例性实施例中，栅电极GE、源电极SE和漏电极DE中的至少一个可以包括诸如铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)的金属，或者包括这些金属的合金中的至少一种的导电材料，并且可以形成为单层或多层结构。
第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3可以设置在显示区域DA和非显示区域NDA中。在一个或更多个示例性实施例中，第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3中的至少一个可以包括有机绝缘材料或诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氟氧化硅(SiOF)和氧化铝(AlOx)的无机绝缘材料，并且可以形成为单层或多层结构。
有机发光二极管OLED包括连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE的第一电极E1、设置在第一电极E1上的有机发射层EL和设置在有机发射层EL上的第二电极E2。限定待形成有机发射层EL的区域的像素限定层IL4可以设置在第一电极E1上，并且有机发射层EL可以设置在像素限定层IL4的开口中。
第一电极E1可以是用作空穴注入电极的阳极，第二电极E2可以是用作电子注入电极的阴极。可选择地，第一电极E1可以是用作电子注入电极的阴极，第二电极E2可以是用作空穴注入电极的阳极。
有机发射层EL可以设置在第一电极E1与第二电极E2之间，并且可以由低分子量有机材料或诸如PEDOT(聚(3,4-乙撑二氧噻吩))等的高分子量有机材料制成。有机发射层EL可以包括用于发射红色光的红色有机发射层、用于发射绿色光的绿色有机发射层以及用于发射蓝色光的蓝色有机发射层中的一种。红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层分别形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素上以实现彩色图像。
包封部EN可以遍布基底SUB的显示区域DA和非显示区域NDA而设置在基底SUB上。包封部EN通过覆盖基底SUB以及置于基底SUB与包封部EN之间的有机发光二极管OLED来包封显示装置。包封部EN用于保护有机发光二极管OLED。包封部EN可以包括有机层OL和设置在有机层OL上的无机层IL。包封部EN可以形成为薄膜包封部。在一个或更多个示例性实施例中，包封部EN可以包括交替地堆叠的至少一个有机层和至少一个无机层。具体地，可以设置多个无机层和多个有机层，并且多个无机层和多个有机层可以相互交替地堆叠。例如，包封部EN可以具有其中至少一个有机层嵌入在至少两个无机层之间的至少一个夹层结构。
将参照图3和图4以及图1来描述非显示区域NDA。多条信号线连接到像素PX。至少一些信号线设置在基底的非显示区域NDA中。
设置在非显示区域NDA中的信号线可以包括第一测试栅极线TEST_GATE、第二测试栅极线DC_GATE、第一测试信号线TEST_DATA1、多条第二测试信号线DC_R、DC_G和DC_B、第一裂纹感测线CD1以及第二裂纹感测线CD2。
设置在非显示区域NDA中的第一开关元件Q1的控制端子可以连接到第一测试栅极线TEST_GATE，并且第一开关元件Q1的输入端子可以连接到第一测试信号线TEST_DATA1。第一开关元件Q1的输出端子可以连接到多条数据线D，所述多条数据线D分别连接到像素PX中的每个像素的薄膜晶体管TFT。
第二开关元件Q2的控制端子可以连接到第二测试栅极线DC_GATE，并且第二开关元件Q2的输入端子可以连接到第二测试信号线DC_R、DC_G和DC_B。第二开关元件Q2的输出端子可以连接到数据线D。像素PX的第一像素R可以通过第二开关元件Q2中的一个连接到第二测试信号线DC_R。像素PX的第二像素G可以通过第二开关元件Q2中的一个连接到第二测试信号线DC_G，像素PX的第三像素B可以通过第二开关元件Q2中的一个连接到第二测试信号线DC_B。
第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2可以设置在非显示区域NDA中并位于显示区域DA的相对侧处。
第一裂纹感测线CD1通过第一连接器CP1a和第二连接器CP1b连接到至少一条数据线D。连接到第一裂纹感测线CD1的数据线D可以连接到第二测试信号线DC_G。第一裂纹感测线CD1的第一端可以通过第二连接器CP1b连接到第二开关元件Q2的输入端子。
第一裂纹感测线CD1可以通过在非显示区域NDA的左侧处在第一方向R1上从第一连接器CP1a延伸，经由端部环路改变方向，并且在与第一方向R1相反的第二方向R2上延伸而连接到第二连接器CP1b。因此，第一裂纹感测线CD1可以设置在非显示区域NDA的左侧周围。
类似地，第二裂纹感测线CD2通过第三连接器CP2a和第四连接器CP2b连接到数据线D中的至少一条。连接到第二裂纹感测线CD2的数据线D可以连接到第二测试信号线DC_G。第二裂纹感测线CD2的第一端可以通过第四连接器CP2b连接到第二开关元件Q2的输入端子。
第二裂纹感测线CD2可以通过在非显示区域NDA的右侧处在第一方向R1上从第三连接器CP2a延伸，经由端部环路改变方向，并且在与第一方向R1相反的第二方向R2上延伸而连接到第四连接器CP2b。因此，第二裂纹感测线CD2可以设置在非显示区域NDA的右侧周围。
因此，第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2可以通过沿第一方向R1延伸并且沿与第一方向R1相反的第二方向R2返回而形成为具有基本环形的形状，并且显示区域DA置于其间。此外，第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2的形状可以如示出的相同或不同。虽然这里描述了裂纹感测线连接到显示装置的多条数据线中的至少一条数据线并经由所述至少一条数据线而连接到设置在列方向上的像素的示例，但是发明不限于此，裂纹感测线也可以连接到显示装置的多条栅极线中的至少一条栅极线，并且经由所述至少一条栅极线而连接到设置在行方向上的像素。
参照图2和图4，第一裂纹感测线CD1可以埋藏在设置在第二绝缘层IL2中的第一沟槽TR中。第一沟槽TR具有由与第一裂纹感测线CD1的剖面形状对应的宽度和深度限定的剖面。第一沟槽TR可以形成为具有由两个侧壁、一个底表面和开口顶部限定的具有窄宽度的细长沟道状形状。通过沿着由第一方向DR1和第二方向DR2形成的平面切割第一沟槽TR而获得的剖面可以具有四边形的形状。第一沟槽TR可以通过在非显示区域NDA的左侧处在第一方向R1上延伸且在与第一方向R1相反的第二方向R2上返回而形成为具有基本环形的形状。第一裂纹感测线CD1埋藏在第一沟槽TR中，因此，第一裂纹感测线CD1和第一沟槽TR的形状可以基本彼此对应。第一裂纹感测线CD1可以形成为适合于第一沟槽TR中。然而，第一裂纹感测线CD1的宽度和面积可以比第一沟槽TR的宽度和面积小。第一裂纹感测线CD1可以包括与源电极SE或漏电极DE的材料相同的材料，并可以设置在与源电极SE或漏电极DE的层相同的层处或相同的层中。
当在堆叠第二绝缘层IL2之后形成用于将源电极SE和漏电极DE连接到有源层AL的接触孔时，可以形成第一沟槽TR。此外，当形成源电极SE和漏电极DE时，可以通过使用与源电极SE和漏电极DE的材料相同的材料形成第一裂纹感测线CD1。
第二裂纹感测线CD2可以埋藏在设置在第二绝缘层IL2中的第二沟槽(图4中未示出)中。第二沟槽可以设置在第二绝缘层IL2中以具有与第二裂纹感测线CD2的面积和深度对应的面积和深度。第二沟槽可以通过在非显示区域NDA的右侧处在第一方向R1上延伸并在与第一方向R1相反的第二方向R2上返回而形成为具有基本环形的形状。第二裂纹感测线CD2埋藏在第二沟槽中，因此，第二裂纹感测线CD2和第二沟槽的形状可以基本彼此对应。第二裂纹感测线CD2可以包括与源电极SE和漏电极DE的材料相同的材料，并可以设置在与源电极SE和漏电极DE的层相同的层中或相同的层处。
当在堆叠第二绝缘层IL2之后形成用于将源电极SE和漏电极DE连接到有源层AL的接触孔时，可以形成第二沟槽。此外，当形成源电极SE、漏电极DE和第一裂纹感测线CD1时，可以通过使用与源电极SE、漏电极DE和第一裂纹感测线CD1的材料相同的材料形成第二裂纹感测线CD2。
在上文中，已经描述了根据发明的示例性实施例的显示装置，但是示例性实施例不限于此并且可以根据发明的广泛原理具有许多修改。例如，第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2的第一端可以连接到第二开关元件Q2的输出端子。此外，连接到第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2的数据线D可以连接到第二测试信号线DC_R或第二测试信号线DC_B，而不是第二测试信号线DC_G。另外，第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2可以分别连接到与不同信号线连接的数据线。例如，第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2中的每条可以连接到第一测试栅极线TEST_GATE和第二测试栅极线DC_GATE中的一条。
此外，裂纹感测线CD1和CD2的设计不限于示例性的图示。例如，裂纹感测线CD1和CD2可以设置成在非显示区域NDA中循环反复多次，可以以之字形形状设置，或者可以设置为使得一条裂纹感测线在非显示区域NDA中延伸以围绕显示区域DA。由于裂纹感测线CD1和CD2更密集地设置在非显示区域NDA中，因此可以在宽的区域中感测裂纹而不会漏掉可能含有裂纹的区域。可以使用能够感测裂纹的裂纹感测线CD1和CD2的任何定位，而不限于特定形状。此外，可以使用一条或更多条裂纹感测线。
在上述示例性实施例中，已经描述了将发明应用于有机发光二极管显示器的示例。然而，示例性实施例可以应用于包括液晶显示器的各种类型的显示装置。当示例性实施例应用于液晶显示器时，可以包括液晶层而不是有机发射层EL，并且还可以包括背光单元。
在下文中，将参照图2至图5描述根据发明的原理的显示装置的示例性操作和效果。
图5是示出由图3的显示装置的电路图产生的示例性信号的波形图。
参照图3和图5，当将栅极导通信号以第一时间段H1施加到第一测试栅极线TEST_GATE时，连接到数据线D的第一开关元件Q1导通，以将第一信号V1从第一测试信号线TEST_DATA1施加到数据线D。第一信号V1可以用作驱动像素PX显示白色的信号，当将第一信号V1施加到数据线D时，像素PX可以显示白色。
在将栅极截止信号施加到第一测试栅极线TEST_GATE之后将栅极导通信号以第二时间段H2施加到第二测试栅极线DC_GATE时，连接到数据线D的第二开关元件Q2导通，以将第二信号V2从第二测试信号线DC_R、DC_G和DC_B施加到数据线D。第二信号V2可以用作驱动像素PX以显示黑色的信号，像素PX可以通过将第二信号V2施加到数据线D来显示黑色。
在这种情况下，假设由于施加到显示装置的外部冲击导致在位于显示区域DA的边缘处的非显示区域NDA中产生裂纹，第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2会损坏。因此，连接到第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2的数据线D的电阻增大，因此，施加到连接到第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2的像素的电压V_T不会在给定的时间期间内被充电到第二信号V2，由此与第二信号V2产生电压差ΔV。当产生电压差ΔV时，连接到第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2的像素不会显示黑色，并会显示相关亮度。因此，可以通过这样的亮线来感测在与显示区域DA的边缘相邻的非显示区域NDA中可能已经产生的裂纹。
根据发明的原理，第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2被埋藏在绝缘层的沟槽中，因此，与裂纹感测线设置在绝缘层上而被暴露相比更耐受开裂。因此，裂纹感测线CD1和CD2不会受到对显示装置的质量基本没有影响的微小的裂纹的损坏，并且这样的裂纹不会通过连接到裂纹感测线CD1和CD2的像素和测试线而被感测到。因此，对于装置中产生明显的裂纹的情况，具有微小的裂纹的显示装置不会被确定为有缺陷。因此，尽管在非显示区域NDA中产生对显示装置的质量基本上不引起影响的微小的裂纹，也可以防止显示装置被指定为缺陷装置。
此外，由于未被微小的裂纹损坏的裂纹感测线CD1和CD2沿着非显示区域NDA以往复或环状的形式设置，所以即使产生微小的裂纹，也防止了产生的裂纹被裂纹感测线CD1和CD2转移。因此，可以基本上防止裂纹在显示区域DA中扩散。
相反，当产生裂纹使得裂纹感测线CD1和CD2被损坏时，可以通过连接到裂纹感测线CD1和CD2的像素来感测裂纹。
如此，裂纹感测线CD1和CD2不受微小的裂纹的影响，而是受到对产品质量产生影响的裂纹的影响。因此，可以在防止微小的或无关紧要的开裂的不必要的裂纹感测的同时，感测导致错误的裂纹。
在下文中，将参照图6和图7描述根据发明的原理构造的裂纹感测线的其它实施例。关于与上述示例性实施例的组件和构造相同的组件和构造的描述不是必要的，并且将被省略以避免赘述。
图6是示出发明的裂纹感测线的第二实施例的图2的区域A的放大图。
第一裂纹感测线CD1’可以埋藏在设置在第二绝缘层IL2中的第一沟槽TR’中。第一沟槽TR’还可以包括四边形突起QP。第一沟槽TR’可以形成为具有两个侧壁和一个底表面，在第二方向DR2上凸起的四边形突起QP可以从底表面向上延伸。通过沿着由第一方向DR1和第二方向DR2形成的平面切割四边形突起QP而获得的剖面可以具有四边形形状。
第一裂纹感测线CD1’的形状可以对应于第一沟槽TR’的形状。在第一裂纹感测线CD1’中，在第二方向DR2上凹陷的四边形凹部QD可以位于与四边形突起QP对应的区域处。第一裂纹感测线CD1’和第一沟槽TR’的形状可以彼此对应。
尽管未示出，但是与第一裂纹感测线CD1’相似，第二裂纹感测线可以埋藏在包括第二绝缘层IL2的四边形突起的第二沟槽中。可选择地，第二裂纹感测线的形状可以与第一裂纹感测线CD1’的形状不同。
图7是示出发明的裂纹感测线的图2的区域A的第三实施例的放大图。
第一裂纹感测线CD1”可以埋藏在设置在第二绝缘层IL2中的第一沟槽TR”中。第一沟槽TR还可以包括三角形突起TP。第一沟槽TR”可以形成为具有两个侧壁和一个底表面，并且沿第二方向DR2凸起的三角形突起TP可以从底表面向上延伸。通过沿着由第一方向DR1和第二方向DR2形成的平面切割三角形突起TP而获得的剖面可以具有三角形形状。
第一裂纹感测线CD1”的形状可以对应于第一沟槽TR”的形状。在第一裂纹感测线CD1”中，在第二方向DR2上凹陷的三角形凹部TD可以位于与三角形突起TP对应的区域处。第一裂纹感测线CD1”和第一沟槽TR”的形状可以彼此对应。
尽管未示出，但是与第一裂纹感测线CD1”相似，第二裂纹感测线可以埋藏在包括第二绝缘层IL2的三角形突起的第二沟槽中。可选择地，第二裂纹感测线可以埋藏在包括第二绝缘层IL2的四边形突起的第二沟槽中，并且第二裂纹感测线的形状可以与第一裂纹感测线CD1”的形状不同。此外，突起不限于三角形形状。例如，可以设置多边形突起或弯曲突起。在这种情况下，裂纹感测线还可以具有与多边形突起或弯曲突起对应的匹配的多边形凹部或弯曲凹部。
在下文中，额外地，将参照图8和图9描述根据发明的原理构造的显示装置的示例性实施例。关于与上述示例性实施例的组件和构造相同的组件和构造的描述是不必要的，并且将被省略以避免赘述。
图8是发明的显示装置的第二实施例的示出了设置在第一绝缘层的沟槽中的裂纹感测线的剖视图。
第一裂纹感测线CD1可以埋藏在设置在第一绝缘层IL1中的第一沟槽TR中。具有与第一裂纹感测线CD1的宽度和深度对应的宽度和深度的第一沟槽TR可以设置在第一绝缘层IL1中。第一沟槽TR可以形成为具有窄的宽度的细长的沟道状形状，并且具有两个侧壁和一个底表面。通过沿着由第一方向DR1和第二方向DR2形成的平面切割第一沟槽TR而获得的剖面可以具有四边形形状。
第一裂纹感测线CD1埋藏在第一沟槽TR中。第一裂纹感测线CD1和第一沟槽TR的形状可以基本上彼此对应。第一裂纹感测线CD1可以包括与栅电极GE的材料相同的材料。
可以通过使堆叠的第一绝缘层IL1图案化来形成第一沟槽TR。此后，可以通过使用与栅电极GE的材料相同的材料与栅电极GE一起形成第一裂纹感测线CD1。
类似地，第二裂纹感测线可以埋藏在设置在第一绝缘层IL1中的第二沟槽(图8中未示出)中，并且还可以包括与栅电极GE的材料相同的材料。
然而，示例性实施例不限于所示的结构。例如，设置在第一绝缘层IL1中的第一沟槽TR或第二沟槽可以在其底表面包括四边形或三角形突起，第一裂纹感测线CD1或第二裂纹感测线可以在与四边形或三角形突起对应的区域处包括四边形或三角形凹部。可选择地，第一裂纹感测线CD1的形状和第二裂纹感测线的形状可以彼此不同。第一裂纹感测线CD1可以埋藏在第一绝缘层IL1中，第二裂纹感测线可以埋藏在第二绝缘层IL2中。
图9是发明的显示装置的第三实施例的示出设置在包封部的外部的裂纹感测线的剖视图。
非显示区域NDA的第一裂纹感测线CD1可以埋藏在第二绝缘层IL2中而不与包封部EN叠置。换句话说，裂纹感测线可以设置在包封部外部的第二绝缘层中。设置在显示区域DA中的栅电极GE可以埋藏在第一绝缘层IL1中，源电极SE或漏电极DE可以埋藏在第二绝缘层IL2中。
埋藏在第一绝缘层IL1中的栅电极GE可以通过如下步骤形成：堆叠第一绝缘层IL1，使用于埋藏栅电极GE的电极沟槽图案化，在电极沟槽中形成栅电极。接下来，堆叠第二绝缘层IL2，可以使第一沟槽TR以及用于将源电极SE和漏电极DE连接到有源层AL的电极沟槽图案化，第一裂纹感测线CD1、源电极SE和漏电极DE可以形成为被埋藏在第二绝缘层IL2中。
然而，示例性实施例不限于这些结构。例如，栅电极GE、源电极SE和漏电极DE中的至少一个可以埋藏在绝缘层中。例如，第一裂纹感测线CD1和栅电极GE可以埋藏在第一绝缘层IL1中，源电极SE和漏电极DE可以埋藏在第二绝缘层IL2中。在这种情况下，第一沟槽TR可以设置在第一绝缘层IL1中并可以在其底表面处包括四边形或三角形突起，第一裂纹感测线CD1可以在与四边形或三角形突起对应的区域处包括四边形或三角形凹部。
在下文中，将参照图10和图11描述发明的另一示例性实施例。关于与上述示例性实施例的组件和构造相同的组件和构造的描述是不必要的，并且将被省略以避免赘述。
图10是示意性地示出发明的显示装置的第三实施例的示出了保护线以防止裂纹在装置中扩散的俯视平面图。图11是沿图10的线X-X’截取的剖视图。具体地，图11中的X-X’部分示出了沿图10的线X-X’截取的剖面。
保护线可以设置在第一裂纹感测线CD1的相对侧处，或者位于第一裂纹感测线CD1之间以有助于防止裂纹的扩散。保护线可以不电连接到显示装置的其它组件并且/或者可以不彼此连接。第一保护线PCD1可以设置在第一裂纹感测线CD1的左侧处，第二保护线PCD2可以设置在第一裂纹感测线CD1之间，第三保护线PCD3可以设置在第一裂纹感测线CD1的右侧处。第一裂纹感测线CD1与包封部EN部分地叠置。
第一保护线PCD1、第二保护线PCD2和第三保护线PCD3可以沿第一裂纹感测线CD1设置以围绕显示区域DA的左边缘。第一保护线PCD1、第二保护线PCD2和第三保护线PCD3中的每条可以与第一裂纹感测线CD1平行。第一保护线PCD1、第二保护线PCD2或第三保护线PCD3可以包括与第一裂纹感测线CD1、源电极SE或漏电极DE的材料相同的材料。
第一保护线PCD1、第二保护线PCD2和第三保护线PCD3可以分别埋藏在设置在第二绝缘层IL2中的第一保护线沟槽PTR1、PTR2和PTR3中。具体地，第一保护线PCD1可以埋藏在第一保护线沟槽PTR1中，第二保护线PCD2可以埋藏在第一保护线沟槽PTR2中，第三保护线PCD3可以埋藏在第一保护线沟槽PTR3中。具有与第一保护线PCD1对应的面积和深度的第一保护线沟槽PTR1、具有与第二保护线PCD2对应的面积和深度的第一保护线沟槽PTR1以及具有与第三保护线PCD3对应的面积和深度的第一保护线沟槽PTR3可以设置在第二绝缘层IL2中。
第一保护线沟槽PTR1、PTR2和PTR3中的每个可以形成为具有窄宽度的细长沟道状形状并且具有两个侧壁和一个底表面。通过沿着由第一方向DR1和第二方向DR2形成的平面切割第一保护线沟槽PTR1、PTR2和PTR3而获得的剖面可以分别具有四边形形状。第一保护线沟槽PTR1、PTR2和PTR3可以沿着第一沟槽TR设置以围绕非显示区域NDA的左半部。第一保护线沟槽PTR1、PTR2和PTR3可以与第一沟槽TR平行。第一保护线PCD1与第一保护线沟槽PTR1的形状可以彼此对应，第二保护线PCD2与第一保护线沟槽PTR2的形状可以彼此对应，第三保护线PCD3与第一保护线沟槽PTR3的形状可以彼此对应。
第一保护线沟槽PTR1、PTR2和PTR3可以在堆叠第二绝缘层IL2之后与第一沟槽TR以及用于将源电极SE和漏电极DE连接到有源层AL的接触孔一起形成。此外，第一保护线PCD1、第二保护线PCD2或第三保护线PCD3可以通过使用与源电极SE、漏电极DE和第一裂纹感测线CD1在它们形成时的材料相同的材料来形成。
保护线可以设置在第二裂纹感测线CD2的相对侧处，或者位于第二裂纹感测线CD2之间。第四保护线PCD4可以设置在第二裂纹感测线CD2的左侧处，第五保护线PCD5可以设置在第二裂纹感测线CD2之间，第六保护线PCD6可以设置在第二裂纹感测线CD2的右侧处。第四保护线PCD4、第五保护线PCD5和第六保护线PCD6可以沿着第二裂纹感测线CD2设置以围绕显示区域DA的右边缘。第四保护线PCD4、第五保护线PCD5和第六保护线PCD6中的每条可以与第二裂纹感测线CD2平行。第四保护线PCD4、第五保护线PCD5或第六保护线PCD6可以包括与第二裂纹感测线CD2、源电极SE或漏电极DE的材料相同的材料。
与第四保护线PCD4、第五保护线PCD5和第六保护线PCD6对应的第二保护线沟槽(图11中未示出)可以设置在第二绝缘层IL2中。第四保护线PCD4、第五保护线PCD5和第六保护线PCD6可以埋藏在设置在第二绝缘层IL2中的第二保护线沟槽中。
第二保护线沟槽中的每个可以形成为具有窄宽度的细长沟道状形状并且具有两个侧壁和一个底表面。通过沿着由第一方向DR1和第二方向DR2形成的平面切割第二保护线沟槽中的每个而获得的剖面可以具有四边形形状。第二保护线沟槽可以沿着第二沟槽(未示出)设置以围绕显示区域DA的右边缘。第二保护线沟槽可以与第二沟槽平行。
第二保护线沟槽可以在堆叠第二绝缘层IL2之后与第一沟槽TR以及用于将源电极SE和漏电极DE连接到有源层AL的接触孔一起形成。此外，第四保护线PCD4、第五保护线PCD5和第六保护线PCD6可以通过使用与源电极SE、漏电极DE和第二裂纹感测线CD2在它们形成时的材料相同的材料来形成。第一保护线沟槽PTR1、PTR2和PTR3以及第二保护线沟槽可以彼此对称，但是它们不必然是彼此对称的。
在图10中，示出了一条第一保护线PCD1，但是第一保护线PCD1可以具有断开部分，即，可以具有多条保护线。类似地，第二保护线PCD2、第三保护线PCD3、第四保护线PCD4、第五保护线PCD5和第六保护线PCD6中的每个可以具有断开部分，即，可以具有多条保护线。可以省略第一保护线PCD1、第二保护线PCD2、第三保护线PCD3、第四保护线PCD4、第五保护线PCD5和第六保护线PCD6中的一条或更多条，并且第一保护线PCD1、第二保护线PCD2、第三保护线PCD3、第四保护线PCD4、第五保护线PCD5和第六保护线PCD6中的每条可以包括一条或更多条保护线。因此，显示装置可以包括一条或更多条保护线，并且保护线的数量可以大于6。此外，第一保护线沟槽PTR1、PTR2和PTR3或第二保护线沟槽中的每个可以在其底表面处包括四边形或三角形突起，并且每条保护线可以在与四边形或三角形突起对应的区域处包括四边形或三角形凹部。此外，一条或更多条保护线可以埋藏在第一绝缘层IL1中。在这种情况下，可以通过使用与栅电极GE的材料相同的材料一起形成保护线。保护线的设计可以根据裂纹感测线的设计而改变，使得保护线基本上平行于裂纹感测线。
保护线被埋藏在绝缘层的沟槽中，因此更耐受开裂。因此，保护线可以用于防止显示装置中产生的裂纹扩散到显示区域DA。因此，可以提供更耐受开裂的显示装置。
在下文中，将参照图12和图13描述发明的另一示例性实施例。关于与上述示例性实施例的组件和构造相同的组件和构造的描述是不必要的，并且将被省略以避免赘述。
图12是示意性地示出了发明的显示装置的第四实施例的示出坝状物以防止裂纹在装置中扩散的俯视平面图。图13是沿图12的线XII-XII’截取的剖视图。具体地，图13中的XII-XII’部分示出了沿图12的线XII-XII’截取的剖面。
坝状物可以设置在第一裂纹感测线CD1的相对侧处或设置在第一裂纹感测线CD1之间以有助于防止裂纹的扩散。坝状物可以不电连接到显示装置的其它组件并且/或者可以不彼此连接。第一坝状物DAM1可以设置在第一裂纹感测线CD1的左侧处，第二坝状物DAM2可以设置在第一裂纹感测线CD1之间，第三坝状物DAM3可以设置在第一裂纹感测线CD1的右侧处。
第一坝状物DAM1、第二坝状物DAM2和第三坝状物DAM3可以设置在第一绝缘层IL1上。
第一坝状物DAM1、第二坝状物DAM2和第三坝状物DAM3可以沿着第一裂纹感测线CD1设置以围绕显示区域DA的左边缘。第一坝状物DAM1、第二坝状物DAM2和第三坝状物DAM3中的每个可以平行于第一裂纹感测线CD1。第一坝状物DAM1、第二坝状物DAM2或第三坝状物DAM3可以包括与栅电极GE的材料相同的材料。例如，第一坝状物DAM1、第二坝状物DAM2或第三坝状物DAM3可以包括铜(Cu)。第一坝状物DAM1、第二坝状物DAM2或第三坝状物DAM3可以通过使用与在形成栅电极GE时的材料相同的材料来与栅电极GE一起形成。
类似地，坝状物可以设置在第二裂纹感测线CD2的相对侧处或者设置在第二裂纹感测线CD2之间。第四坝状物DAM4可以设置在第二裂纹感测线CD2的左侧处，第五坝状物DAM5可以设置在第二裂纹感测线CD2之间，第六坝状物DAM6可以设置在第二裂纹感测线CD2的右侧处。第四坝状物DAM4、第五坝状物DAM5和第六坝状物DAM6可以设置在第一绝缘层IL1上。
第四坝状物DAM4、第五坝状物DAM5和第六坝状物DAM6可以沿着第二裂纹感测线CD2设置以围绕显示区域DA的右边缘。第四坝状物DAM4、第五坝状物DAM5和第六坝状物DAM6中的每个可以与第二裂纹感测线CD2平行。第四坝状物DAM4、第五坝状物DAM5或第六坝状物DAM6可以包括与栅电极GE的材料相同的材料，诸如铜(Cu)。第四坝状物DAM4、第五坝状物DAM5或第六坝状物DAM6可以通过使用与在形成栅电极GE时的材料相同的材料来与栅电极GE一起形成。
尽管图13示出了坝状物设置在第一绝缘层IL1上的示例，但是一个或更多个坝状物可以设置在第二绝缘层IL2上。在这种情况下，可以通过使用与源电极SE或漏电极DE的材料相同的材料形成坝状物。此外，尽管在图13中的坝状物之间形成间隙，但是可以形成一个没有间隙的坝状物。可以省略第一坝状物DAM1、第二坝状物DAM2、第三坝状物DAM3、第四坝状物DAM4、第五坝状物DAM5和第六坝状物DAM6中的一个或更多个，并且第一坝状物DAM1、第二坝状物DAM2、第三坝状物DAM3、第四坝状物DAM4、第五坝状物DAM5和第六坝状物DAM6中的每个可以没有间隙地设置。即，显示装置可以包括一个或更多个坝状物，并且坝状物的数量可以大于六。坝状物的设计可以根据裂纹感测线的设计而改变，使得坝状物基本上平行于裂纹感测线。此外，可以在显示装置中设置图12至图13的坝状物以及图10至图11的保护线二者。
坝状物可以用于防止在显示装置中产生的裂纹被转移到显示区域DA，因此，可以提供一种更强抵抗裂纹的显示装置。
尽管已经在此描述了某些示例性实施例和实施方式，但是其它实施例和修改将通过本描述是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是由给出的权利要求以及各种明显的修改和等同布置的更宽广的范围来限定。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括具有多个像素以显示图像的显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；
绝缘层，设置在所述显示区域和所述非显示区域中并包括设置在所述非显示区域中的凹部；
裂纹感测线，设置在所述凹部中并沿着所述凹部延伸，并电连接到所述多个像素中的至少一个像素，
其中，所述凹部设置在所述绝缘层的表面或内部处，并沿着所述非显示区域延伸。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述凹部包括多边形突起或弯曲突起，
其中，所述裂纹感测线具有与所述多边形突起对应的多边形凹部或与所述弯曲突起对应的弯曲凹部。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述多个像素以具有设置在行方向上的第一像素和设置在列方向上的第二像素的矩阵来布置，所述裂纹感测线电连接到所述第一像素和所述第二像素中的至少一者。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述多个像素中的每个像素包括一个或更多个薄膜晶体管，
每个薄膜晶体管包括作为控制端子的栅电极、作为输入端子的源电极、作为沟道单元的有源层和作为输出端子的漏电极，
所述裂纹感测线包括与所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一个的材料相同的材料。
5.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括彼此交叉的多条栅极线和多条数据线，
其中，所述裂纹感测线连接到所述栅极线和所述数据线中的至少一条，
其中，所述绝缘层延伸到所述显示区域中，
所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一个设置在位于所述绝缘层中的电极凹部中，
所述电极凹部位于所述绝缘层的表面或内部处，并位于所述显示区域中。
6.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括与所述裂纹感测线相邻设置的至少一条保护线，
其中，所述保护线设置在位于所述绝缘层中的保护线凹部中。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述保护线凹部位于绝缘层的表面或内部处，并沿着所述非显示区域中的所述凹部延伸，
所述保护线沿着所述凹部延伸。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述保护线与所述裂纹感测线基本平行的延伸。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述至少一条保护线被电隔离。
10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括与所述裂纹感测线相邻的至少一个坝状物，其中，所述坝状物设置在所述绝缘层的表面或内部处，
其中，所述坝状物与所述裂纹感测线基本平行地延伸。
CN201710839854.2A 2016-09-28 2017-09-18 具有裂纹感测线的显示装置 Active CN107871764B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0125107 2016-09-28
KR1020160125107A KR102555323B1 (ko) 2016-09-28 2016-09-28 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107871764A CN107871764A (zh) 2018-04-03
CN107871764B true CN107871764B (zh) 2023-08-18

Family

ID=61685666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710839854.2A Active CN107871764B (zh) 2016-09-28 2017-09-18 具有裂纹感测线的显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10319750B2 (zh)
KR (1) KR102555323B1 (zh)
CN (1) CN107871764B (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102601650B1 (ko) * 2016-07-26 2023-11-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102397900B1 (ko) 2016-12-08 2022-05-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6947536B2 (ja) * 2017-05-26 2021-10-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107731754B (zh) * 2017-10-23 2019-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置
CN107910375A (zh) * 2017-11-02 2018-04-13 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
CN108417561B (zh) * 2018-03-06 2020-05-05 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板以及显示装置
CN110415631B (zh) 2018-04-26 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及检测方法
CN109142453B (zh) * 2018-08-30 2021-01-01 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示面板检测方法
CN109187645B (zh) * 2018-09-25 2021-01-19 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示面板的检测方法
CN109301084B (zh) * 2018-09-28 2020-06-16 京东方科技集团股份有限公司 封装结构、电子装置及封装方法
CN108986672A (zh) * 2018-09-29 2018-12-11 武汉华星光电技术有限公司 显示面板、显示模组及电子装置
KR20200047941A (ko) 2018-10-26 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102581273B1 (ko) 2018-11-30 2023-09-22 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR102651937B1 (ko) * 2018-12-27 2024-03-27 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102642351B1 (ko) * 2018-12-31 2024-02-28 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
CN109752421B (zh) * 2019-01-31 2021-08-24 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109697947B (zh) * 2019-02-26 2022-02-11 昆山国显光电有限公司 显示装置及裂纹感测的方法
CN109901747B (zh) * 2019-02-26 2022-03-11 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109950286B (zh) * 2019-03-28 2021-04-06 昆山国显光电有限公司 显示面板
CN110211493A (zh) * 2019-04-12 2019-09-06 上海天马微电子有限公司 柔性显示面板和柔性显示装置
KR20200145976A (ko) * 2019-06-21 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 전자 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
CN110567687B (zh) * 2019-09-17 2021-05-25 京东方科技集团股份有限公司 一种用于评价显示面板中挡墙的方法及测试系统
US11417257B2 (en) * 2019-12-26 2022-08-16 Lg Display Co., Ltd. Display device
CN111044578B (zh) * 2019-12-31 2022-10-28 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其裂纹位置定位方法、显示装置
KR20210105451A (ko) * 2020-02-18 2021-08-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210143960A (ko) 2020-05-20 2021-11-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220058700A (ko) * 2020-10-29 2022-05-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220068302A (ko) * 2020-11-18 2022-05-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105869551A (zh) * 2015-02-06 2016-08-17 三星显示有限公司 显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4605499B2 (ja) * 2004-10-28 2011-01-05 富士電機ホールディングス株式会社 有機ｅｌディスプレイの封止構造
US7705924B2 (en) * 2005-02-22 2010-04-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and test method thereof
JP6138480B2 (ja) 2012-12-20 2017-05-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102076666B1 (ko) 2013-04-11 2020-02-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시패널
KR101473312B1 (ko) 2013-05-31 2014-12-16 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 터치스크린패널과 그것을 구비한 플렉시블 디스플레이 장치
KR101519519B1 (ko) 2013-09-17 2015-05-12 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 신축성 배선을 이용하여 형성된 무 베젤 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR20160032791A (ko) * 2014-09-16 2016-03-25 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102409454B1 (ko) * 2015-02-02 2022-06-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
US9614183B2 (en) 2015-04-01 2017-04-04 Apple Inc. Organic light-emitting diode displays with crack detection and crack propagation prevention circuitry

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105869551A (zh) * 2015-02-06 2016-08-17 三星显示有限公司 显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180035288A (ko) 2018-04-06
US20190267407A1 (en) 2019-08-29
KR102555323B1 (ko) 2023-07-13
US10319750B2 (en) 2019-06-11
US20180090517A1 (en) 2018-03-29
CN107871764A (zh) 2018-04-03
US10665620B2 (en) 2020-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107871764B (zh) 具有裂纹感测线的显示装置
US11315454B2 (en) Display device
US11557520B2 (en) Display device including a test unit
US11664284B2 (en) Display device
KR102509413B1 (ko) 표시 장치
US10886493B2 (en) Display device including a crack detection line
US10304921B2 (en) Display device
US20190157312A1 (en) Flexible Display Device
US8896801B2 (en) Liquid crystal display and manufacturing method thereof
CN107845642B (zh) 显示装置
CN114361233A (zh) 显示装置
US10134773B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
US9286820B2 (en) Thin film transistor array panel and display device including the same
US9508748B2 (en) Thin film transistor display panel and liquid crystal display
CN104752472A (zh) 有机发光显示器件及其制造方法
KR101740192B1 (ko) 유기발광표시패널
US10288926B2 (en) Display device
CN106249495A (zh) 显示面板及其阵列基板
KR100951359B1 (ko) 박막 다이오드 표시판 및 그 제조 방법
US20170115536A1 (en) Display device
US20220052036A1 (en) Electrostatic protection structure, tft substrate, and display panel
KR102430051B1 (ko) 유기 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant