CN107852123B - 电子控制装置以及搭载了该电子控制装置的电动助力转向装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电子控制装置以及搭载了该电子控制装置的电动助力转向装置，该电子控制装置以不增加成本的方式通过FET短路检测单元来诊断逆变器FET的短路故障，并使得能够适当地处理诊断结果，同时还具备用来诊断是否存在FET短路检测单元的故障的功能。本发明的电子控制装置经由MCU并且通过由具有高端FET以及低端FET的电桥构成的逆变器来对电动机进行驱动控制，其具备基于高端FET以及低端FET的各个连接点电压来检测出高端FET以及低端FET的短路故障的FET短路检测单元和用来检测出FET短路检测单元的故障的检测单元故障诊断功能，检测单元故障诊断功能在启动时诊断FET短路检测单元的故障，当检测出FET短路检测单元的故障的时候，关断高端FET以及低端FET，在没有检测出FET短路检测单元的故障的情况下，FET短路检测单元诊断高端FET以及低端FET的短路故障。

Description

电子控制装置以及搭载了该电子控制装置的电动助力转向 装置
技术领域
本发明涉及一种电动助力转向装置，其通过微控制器单元(MCU)(中央处理单元(CPU)、微处理器单元(MPU)、微型计算机等)并经由由具有高端(H侧)FET(场效应晶体管)以及低端(L侧)FET的电桥构成的逆变器来对电动机进行驱动控制。本发明尤其涉及一种电子控制装置，其能够可靠地检测出FET的短路故障，从而使得不会有过载电流流动。另外，本发明还涉及一种高性能的电子控制装置以及搭载了该电子控制装置的电动助力转向装置，该电子控制装置能够抑制逆变器的电源流向控制系统的电源的暗电流。
背景技术
搭载了电子控制装置并且利用电动机的旋转力将转向辅助力(辅助力)赋予给车辆的转向机构的电动助力转向装置(EPS)，将电动机的驱动力经由减速机构由诸如齿轮或皮带之类的传送机构，向转向轴或齿条轴施加转向辅助力，以便进行辅助控制。为了正确地产生转向辅助力的扭矩，这样的现有的电动助力转向装置进行电动机电流的反馈控制。反馈控制通过调整电动机外加电压，以便使转向辅助指令值(电流指令值)与电动机电流检测值之间的差变小，一般来说，通过调整PWM(脉冲宽度调制)控制的占空比(duty ratio)信号来进行电动机外加电压的调整。通过由FET电桥构成的逆变器来驱动电动机。
参照图1对电动助力转向装置的一般结构进行说明。如图1所示，转向盘(方向盘)1的转向轴(柱轴或方向盘轴)2经过减速齿轮3、万向节4a和4b、齿轮齿条机构5、转向横拉杆6a和6b，再通过轮毂单元7a和7b，与转向车轮8L和8R连接。另外，在转向轴2上设有用于检测出转向盘1的转向扭矩Th的扭矩传感器10和用于检测出转向角θ的转向角传感器14，对转向盘1的转向力进行辅助的电动机20通过减速齿轮3与转向轴2连接。作为电源的电池13对用于控制电动助力转向装置的控制单元(ECU)30进行供电，并且，经过点火开关11，点火信号被输入到控制单元30中。控制单元30基于由扭矩传感器10检测出的转向扭矩Th和由车速传感器12检测出的车速Vel，进行辅助控制的电流指令值的运算，由通过对运算出的电流指令值实施补偿等而得到的电压控制指令值Vref来控制供应给电动机20的电流。此外，转向角θ也可以从与电动机20相连接的旋转传感器处获得。
另外，用于收发车辆的各种信息的CAN(Controller Area Network，控制器局域网络)40被连接到控制单元30，车速Vel也能够从CAN40处获得。此外，用于收发CAN40以外的通信、模拟/数字信号、电波等的非CAN41也可以被连接到控制单元30。
在这样的电动助力转向装置中，尽管控制单元30主要由MCU(微控制器单元)(也包含CPU(中央处理单元)、MPU(微处理器单元)、微型计算机等)来构成，但该MCU内部由程序执行的一般功能例如如图2所示那样。
参照图2对控制单元30的功能以及动作进行说明。如图2所示，来自扭矩传感器10的转向扭矩Th以及来自车速传感器12的(或来自CAN40的)车速Vel被输入到电流指令值运算单元31中，电流指令值运算单元31基于转向扭矩Th以及车速Vel并利用辅助图(assistmap)等来运算出电流指令值Iref1。运算出的电流指令值Iref1在加法单元32A与来自用于改善特性的补偿单元34的补偿信号CM相加，相加后得到的电流指令值Iref2在电流限制单元33中被限制了最大值，被限制了最大值的电流指令值Irefm被输入到减法单元32B中，减法单元32B从电流指令值Irefm中减去电动机电流检测值Im。
PI控制单元35对在减法单元32B中得到的减法结果I(＝Irefm-Im)进行PI(比例积分)控制，经PI控制后得到的电压控制指令值Vref与调制信号(载波)CF一起被输入到PWM控制单元36中以便运算出占空比，根据已经运算出占空比的PWM信号并经由逆变器37来对电动机20进行PWM驱动。电动机电流检测器38检测出电动机20的电动机电流值Im，由电动机电流检测器38检测出的电动机电流值Im被反馈输入到减法单元32B中。
补偿单元34先在加法单元344中将检测或估计出的自对准扭矩(SAT)343与惯性补偿值342相加，然后，在加法单元345中再将在加法单元344得到的加法结果与收敛性控制值341相加，最后，将在加法单元345得到的加法结果作为补偿信号CM输入到加法单元32A中以便进行特性改善。
在电动机20为三相无刷电动机的情况下，PWM控制单元36以及逆变器37的详细结构例如为图3所示那样的结构。PWM控制单元36由占空比运算单元36A和栅极驱动单元36B来构成，其中，占空比运算单元36A基于电压控制指令值Vref并按照所规定的公式来运算出三个相的PWM的占空比信号D1～D6；栅极驱动单元36B通过占空比信号D1～D6对作为半导体开关元件的FET进行导通或关断(ON/OFF)驱动，并且，进行死区时间的补偿。调制信号(载波)CF被输入到占空比运算单元36A中，占空比运算单元36A与调制信号CF同步，运算出PWM的占空比信号D1～D6。
另外，逆变器37由具有高端FET1～FET3以及低端FET4～FET6的三相电桥来构成，通过按照PWM的占空比信号D1～D6来分别导通或关断FET1～FET6以便对电动机20进行驱动控制。
此外，用于在辅助控制停止时等为了安全而切断电流供给的电动机开放开关23被插入在逆变器37与电动机20之间。电动机开放开关23由被插入到各个相的带有寄生二极管的FET来构成。
在这样的电动助力转向装置的逆变器中，在现有技术中，在逆变器37的FET1～FET6发生了短路故障的情况下，为了防止“过载电流在逆变器37中持续流动”，如图4所示那样，设有用于检测出逆变器37的电流的电流检测电路37A和被分别设置在MCU以及逆变器37的电源线上的电源继电器(机械继电器或半导体继电器)37B以及37C。尽管在图4的示例中以一分路电阻方式来检测出逆变器电流，但也可以通过二分路电阻方式或三分路电阻方式来检测出逆变器电流。
MCU诊断“是否有过载电流在逆变器37中流动”，在检测出这样的短路故障的情况下，通过关闭电源继电器37B以及37C来切断过载电流，从而确保系统的安全。例如，日本特开平10-167085号公报(专利文献1)公开了一种用来保护二相电动机的逆变器的保护电路。然而，存在“用于切断过载电流的电源继电器价格昂贵”的问题，不适合被用于“尤其是需要降低成本的”车辆的电动助力转向装置中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-167085号公报
专利文献2：日本专利第3860104号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
为了解决这个问题，市场上出现了具有切断过载电流的功能的产品(例如，由德国的英飞凌科技股份有限公司制造的“TLE7183F”)，其所具有的切断过载电流的功能为这样一种功能，即，通过将用于“监视逆变器的高端FET以及低端FET的各个漏(D)源(S)电压，并且，检测出‘虽然对FET进行关断(OFF)驱动，但FET的漏源电压低，发生了短路故障’”的FET短路检测电路内置在用于驱动逆变器的FET的电路内，这样不使用电源继电器就可以关断逆变器的FET，从而切断过载电流。
然而，在上述产品中，因为没有设置用于诊断“FET短路检测电路是否在正常工作”的电路或诊断功能，所以在发生了FET短路检测电路检测不出来的“不可检测故障”的情况下，就检测不出该“不可检测故障”。因此，在那之后，当逆变器的FET继续工作的时候，会存在“在发生了逆变器FET的短路故障的情况下，因为检测不出短路故障，所以过载电流可能会在逆变器中持续流动”的问题。
还有，在删除了用于切断过载电流的电源继电器的情况下，逆变器的电源与电池之间总是处于电导通状态，例如，为了通过MCU来监视逆变器的电源电压，如果像现有技术一样仅仅经由电阻分压电路来进行连接的话，则存在“起因于分压电阻的暗电流变大”的问题。
另外，作为用来抑制流动在ECU中的暗电流的电动助力转向装置，有日本专利第3860104号公报(专利文献2)所公开的现有技术。在专利文献2中，在电动机运行控制单元与电源之间配置了用于进行电源供给和切断电源的电源继电器，在关掉点火开关的时刻进行渐减处理之后，关闭电源继电器。因此，存在“如果没有关掉点火开关的话，则获得不了暗电流的抑制效果”的问题。
本发明是鉴于上述情况而完成的，本发明的目的在于提供一种电子控制装置以及搭载了该电子控制装置的高安全性的电动助力转向装置，该电子控制装置以不增加成本的方式通过FET短路检测单元来诊断逆变器FET的短路故障，并使得能够适当地处理诊断结果，同时还具备用来诊断是否存在FET短路检测单元的故障的功能，并且能够以与是否关掉点火开关无关的方式来抑制流入到控制系统的暗电流。
解决技术问题的技术方案
本发明涉及一种电子控制装置，其经由微控制器单元(MCU)并且通过由具有高端FET以及低端FET的电桥构成的逆变器来对电动机进行驱动控制，本发明的上述目的可以通过下述这样实现，即：具备FET短路检测单元和检测单元故障诊断功能，所述FET短路检测单元基于所述高端FET以及所述低端FET的各个连接点电压来检测出所述高端FET以及所述低端FET的短路故障，所述检测单元故障诊断功能检测出所述FET短路检测单元的故障，所述检测单元故障诊断功能在启动时诊断所述FET短路检测单元的故障，当检测出所述FET短路检测单元的故障的时候，关断所述高端FET以及所述低端FET，在没有检测出所述FET短路检测单元的故障的情况下，所述FET短路检测单元诊断所述高端FET以及所述低端FET的短路故障。
还有，本发明的上述目的还可以通过下述这样更有效地实现，即：通过电阻分压电路对所述各个连接点电压进行分压，并将分压后的电压供应给所述FET短路检测单元；或，当检测出所述短路故障的时候，至少关断所述高端FET以及所述低端FET中的没有检测出所述短路故障的一方的FET；或，所述检测单元故障诊断功能内置于所述MCU；或，所述FET短路检测单元，当检测出所述高端FET以及所述低端FET中的某一方的短路故障的时候，经由通知端子将“检测出短路故障”这个信息通知给所述MCU；或，所述FET短路检测单元基于所述高端FET用的第1阈值以及所述低端FET用的第2阈值来检测出所述短路故障；或，通过由所述MCU运算出的PWM(脉冲宽度调制)的占空比信号对所述逆变器进行驱动，所述检测单元故障诊断功能为这样一种诊断功能，即，在启动时，通过所述MCU输出用来强制关断所述逆变器的栅极关闭信号，并使其与所述高端FET的所述占空比信号或所述低端FET的所述占空比信号一起进行运算，以便强制使所述短路故障的异常条件成立，将所规定的信号输出到所述通知端子；或，所述通知端子为NDIAG端子；或，通过由所述MCU运算出的PWM的占空比信号对所述逆变器进行驱动，所述检测单元故障诊断功能具有这样一种诊断功能，即，在所述FET短路检测单元检测出所述短路故障的情况下，为了确认是否能够关断并停止所述逆变器，所述MCU输出用来强制使所述FET短路检测单元的错误通知转移到FET短路检测状态的信号，并使其与所述高端FET的所述占空比信号或所述低端FET的所述占空比信号一起进行运算，而且还通过监视所述逆变器的高低连接点电压，以便诊断所述逆变器是否已经被停止了；或，暗电流抑制用开关被插入在控制系统的电路之间，所述MCU，在启动时，打开所述暗电流抑制用开关，所述检测单元故障诊断功能，当检测出所述短路故障的时候，关断所述高端FET以及所述低端FET，所述MCU，当所述MCU的动作停止的时候，关掉所述暗电流抑制用开关；或，通过电阻分压电路对所述各个连接点电压进行分压，并将分压后的电压供应给所述FET短路检测单元；或，所述暗电流抑制用开关为包括FET在内的晶体管，反向连接保护用的寄生二极管被连接到所述晶体管；或，所述控制系统至少包括所述MCU、所述电阻分压电路和所述FET短路检测单元。
通过搭载上述各个电子控制装置并将其应用在车辆的辅助控制用电动机，就能够实现上述目的的电动助力转向装置。
发明的效果
因为本发明是由包括用于对逆变器的高端FET以及低端FET进行导通或关断(ON/OFF)驱动的栅极驱动单元在内的FET驱动电路、基于高端FET以及低端FET的各个连接点电压来检测出逆变器的高端FET以及低端FET的短路故障的FET短路检测单元和用来诊断FET短路检测单元的故障(包括异常)的检测单元故障诊断功能来构成的，所以能够检测出逆变器的高端FET以及低端FET的短路故障，并且，还能够诊断出FET短路检测单元的故障，这样就能够提供高安全性的电动助力转向装置。并且，能够削减被配置在逆变器的电源线上的用来切断在发生逆变器的FET短路故障时产生的过载电流的高价的电源继电器或开关。
还有，因为在启动时，打开暗电流抑制用开关；在检测出FET短路故障的时候，关掉暗电流抑制用开关，所以暗电流抑制用开关以与是否关掉点火开关无关的方式仅仅在ECU工作期间中被打开，这样就能够抑制流入到控制系统的暗电流。
另外，通过MCU内或外部的检测单元故障诊断功能，就能够确认“FET短路检测单元是否在正常工作”，当FET短路检测单元发生故障的时候，通过关断逆变器的FET，这样就检测不出“发生了作为第一个故障的FET短路检测电路检测不出来的不可检测故障”，并且，在那之后，通过使逆变器的FET继续工作，发生了作为第二个故障的逆变器的FET的短路故障的情况下，就能够防止“过载电流在逆变器中持续流动”，从而能够维持电动助力转向装置的安全。
附图说明
图1是表示电动助力转向装置的概要的结构图。
图2是表示电动助力转向装置的控制系统的结构示例的结构框图。
图3是表示一般的PWM控制单元以及逆变器的结构示例的线路图。
图4是表示现有的具有保护功能的逆变器的结构示例的线路图。
图5是表示本发明的结构示例的结构框图。
图6是表示诊断用电阻分压电路的详细结构的结构框图。
图7是详细地表示本发明的结构示例的一部分(FET短路检测单元)(第1实施方式)的线路图。
图8是表示NDIAG端子的结构示例的结构框图。
图9是表示FET短路检测单元(U相)的详细结构的结构框图。
图10是表示FET短路检测单元(U相)的详细结构的结构框图。
图11是表示本发明的动作示例(第1实施方式)的流程图。
图12是表示本发明的动作示例的时序流程图。
图13是表示本发明的动作示例的时序流程图。
图14是表示本发明的结构示例(第2实施方式)的结构框图。
图15是表示本发明的动作示例(第2实施方式)的流程图。
具体实施方式
本发明为一种电子控制装置，其通过MCU(CPU、MPU、微型计算机等)并经由由作为半导体开关元件的FET的电桥(高端FET(H侧)、低端FET(L侧))构成的逆变器，来对电动机进行驱动控制，尤其是对车辆的辅助控制用电动机进行驱动控制。本发明的电子控制装置是由包括用于对逆变器的FET进行导通或关断(ON/OFF)驱动的栅极驱动单元在内的FET驱动电路、基于高端FET以及低端FET的各个连接点电压来检测出逆变器的高端FET以及低端FET的短路故障的FET短路检测单元和为了诊断FET短路检测单元的故障(包括异常)而被配置在MCU内或MCU外的检测单元故障诊断功能来构成的。通过FET短路检测单元，检测出在逆变器的高端以及低端中的某一方发生的FET的短路故障，当检测出短路故障的时候，关断逆变器的高端FET以及低端FET(至少关断逆变器的高端FET以及低端FET中的没有检测出短路故障的一方的FET)。
还有，当电动助力转向装置被启动的时候，通过MCU内的检测单元故障诊断功能来诊断FET短路检测单元的故障，当检测出FET短路检测单元的故障的时候，通过栅极驱动单元来关断逆变器的FET，也就是说，停止逆变器。或者，当电动助力转向装置被启动的时候，打开暗电流抑制用开关，通过MCU内的检测单元故障诊断功能来诊断FET短路检测单元的故障，当检测出FET短路检测单元的故障的时候，通过栅极驱动单元来关断逆变器的FET，并且，关掉暗电流抑制用开关。
另外，在本发明中，通过MCU内或MCU外的检测单元故障诊断功能，就能够诊断并确认“FET短路检测单元是否在正常工作”，当检测出FET短路检测单元的故障的时候，立刻关断逆变器的FET。通过这样做，就检测不出“发生了作为第一个故障的FET短路检测电路检测不出来的不可检测故障”，并且，在那之后，通过使逆变器的FET继续工作，发生了作为第二个故障的逆变器的FET的短路故障，就能够防止“过载电流在逆变器中持续流动”，从而能够维持系统的安全。还有，通过如上所述那样地被保证了安全性的FET短路检测单元，就能够削减被配置在逆变器的电源线上的用来切断在发生逆变器FET的短路故障时产生的过载电流的高价的电源继电器。因此，能够实现小型化并且降低成本。
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。作为实施方式，对将本发明的电子控制装置应用在电动助力转向装置中的示例进行说明。
如图5所示，本发明是由MCU100、反向连接保护用的FET13A、栅极驱动单元150、诊断用电阻分压电路120、FET短路检测单元110、暗电流抑制用开关130和电源用电阻分压电路140来构成的，其中，MCU100进行整体的控制；被插入在电池13与电源VR之间的FET13A基于来自MCU100的切换信号SW2而被导通或关断(ON/OFF)；栅极驱动单元150形成“通过由MCU100运算出的占空比信号HD1～HD3(高端(H侧)FET)以及LD4～LD6(低端(L侧)FET)对逆变器37的FET1～FET6进行驱动”的FET驱动电路；诊断用电阻分压电路120通过电阻电路对逆变器37的连接点(中点)电压(高端FET的源极(S)和低端FET的漏极(D))进行分压；FET短路检测单元110经由诊断用电阻分压电路120来检测出逆变器37的FET短路故障；与电源VR相连接的暗电流抑制用开关130基于来自MCU100的切换信号SW1而被打开或关掉(ON/OFF)；电源用电阻分压电路140根据MCU100的输入电压范围来进行电平移动，以便检测出来自暗电流抑制用开关130的电压HS。
FET13A为反向连接保护用的FET，其防止在反向连接时起因于逆变器FET的寄生二极管13D的短路。本发明通过FET短路检测功能来删除用于切断电源VR的电源继电器，仅仅通过反向连接保护用的FET13A来进行处理。因为作为一个矛盾现象，暗电流经由反向连接保护用的FET13A的寄生二极管13D流动，所以作为对此矛盾现象所采取的措施，设置了暗电流抑制用开关130。来自暗电流抑制用开关130的电压HS被供应给诊断用电阻分压电路120、FET短路检测单元110以及电源用电阻分压电路140。还有，用于吸收过电压的齐纳二极管Z1～Z6被分别连接到逆变器37的FET1～FET6的各个栅极与各个源极之间。
诊断用电阻分压电路120的详细结构为图6所示的结构(三个相)。如图6所示，诊断用电阻分压电路120通过被插入在电源(VR)与接地(GND)之间的电阻R121以及R122对高端FET与低端FET之间的连接点电压进行分压，并且，将分压后的电压分别经由电阻R11～R13以三相方式供应给FET短路检测单元110。当高端FET以及低端FET被关断的时候，将高端FET与低端FET之间的连接点电压分压成“1/2×VR”，然后，输出各个相的分压电压SHU(U相)、SHV(V相)以及SHW(W相)。
FET短路检测单元110基于通过诊断用电阻分压电路120而获得的分压电压SHU、SHV以及SHW来检测出逆变器37的高端FET以及低端FET的短路故障，并且，检测出“在高端FET和低端FET中的哪一方(哪些FET)发生了短路故障”，当检测出FET的短路故障的时候，输出“错误通知EN”。错误通知EN被输入到栅极驱动单元150中，栅极驱动单元150将输出HD1g、HD2g、HD3g、LD4g、LD5g以及LD6g设为“L”信号，关断逆变器37的FET1～FET6。还有，FET短路检测单元110经由作为通知端子的NDIAG端子将“检测出短路故障”这个信息通知给MCU100，并且，将“错误信号ERA”发送给警报输入电路104，经由警报输入电路104输出“栅极关闭指令GF”，基于栅极关闭指令GF并经由栅极驱动单元150来停止逆变器37。
还有，MCU100具有用来诊断FET短路检测单元110的故障的检测单元故障诊断功能，当通过诊断检测出FET短路检测单元110的故障的时候，经由警报输入电路104输出栅极关闭指令GF，基于栅极关闭指令GF并经由栅极驱动单元150来停止逆变器37。或者，也可以以不经由警报输入电路104的方式，通过被输入到栅极驱动单元150的占空比信号HD1～HD3以及LD4～LD6来输出栅极关闭指令，停止逆变器。
图7示出了FET短路检测单元110以及栅极驱动单元150的详细的结构示例。如图7所示，来自诊断用电阻分压电路120的分压电压SHU、SHV以及SHW被分别输入到FET短路检测单元110内的高端侧(H侧)比较器(3个)117的负端子输入(-)，并且还被分别输入到低端侧(L侧)比较器(3个)117的正端子输入(+)。FET短路检测单元110具备SPI通信电路112，SPI通信电路112将H侧设定信号vthh_Sh和L侧设定信号vthl_Sh分别发送给阈值设定单元113和阈值设定单元114。电压HS被供应给阈值设定单元113，阈值设定单元114处于接地状态。阈值设定单元113基于设定信号vthh_Sh来设定阈值HREF，阈值设定单元114基于设定信号vthl_Sh来设定阈值LREF，阈值HREF为“HS-vthh_Sh”，阈值LREF为“vthl_Sh”。阈值HREF被输入到H侧比较器117的各个正端子输入(+)，阈值LREF被输入到L侧比较器117的各个负端子输入(-)。比较器117按照下述表1分别对连接点(分压)电压SHU、SHV以及SHW与阈值HREF以及LREF进行比较，并且，输出分别具有值“H”或值“L”的比较器输出shuh、shvh、shwh、shul、shvl以及shwl。
表1
比较器输入 比较器输出 输入信号 异常状态
SHU＞LREF shul＝H LD4＝H HD1g的外部FET短路
SHV＞LREF shvl＝H LD5＝H HD2g的外部FET短路
SHW＞LREF shwl＝H LD6＝H HD3g的外部FET短路
SHU＜HREF shuh＝H HD1＝H HD4g的外部FET短路
SHV＜HREF shvh＝H HD2＝H HD5g的外部FET短路
SHW＜HREF shwh＝H HD3＝H HD6g的外部FET短路
其中，
HREF＝HS-Vthh_sh(H侧检测阈值)，LREF＝Vthl_sh(L侧检测阈值)成立
也就是说，关于与高端FET1～FET3相对应的高端比较器，成为下述式1；关于与低端FET4～FET6相对应的低端比较器，成为下述式2。
式1
当SHU＜HREF的时候，shuh＝H；当SHU≧HREF的时候，shuh＝L
当SHV＜HREF的时候，shvh＝H；当SHV≧HREF的时候，shvh＝L
当SHW＜HREF的时候，shwh＝H；当SHW≧HREF的时候，shwh＝L
式2
当SHU＞LREF的时候，shul＝H；当SHU≦LREF的时候，shul＝L
当SHV＞LREF的时候，shvl＝H；当SHV≦LREF的时候，shvl＝L
当SHW＞LREF的时候，shwl＝H；当SHW≦LREF的时候，shwl＝L
此外，在上述表1中，LD4为来自MCU100(占空比运算单元101)的输入信号(占空比信号)，其被用来驱动U相的低端FET4；LD5为来自MCU100的输入信号(占空比信号)，其被用来驱动V相的低端FET5；LD6为来自MCU100的输入信号(占空比信号)，其被用来驱动W相的低端FET6；HD1为来自MCU100的输入信号(占空比信号)，其被用来驱动U相的高端FET1；HD2为来自MCU100的输入信号(占空比信号)，其被用来驱动V相的高端FET2；HD3为来自MCU100的输入信号(占空比信号)，其被用来驱动W相的高端FET3。这些占空比信号LD4、LD5、LD6、HD1、HD2以及HD3被分别输入到各自所对应的AND电路116中。
来自6个比较器的比较结果shuh、shvh、shwh、shul、shvl以及shwl与占空比信号LD4、LD5、LD6、HD1、HD2以及HD3一起被分别输入到6个AND电路116中。AND电路116的各个输出被分别输入到6个滤波器115中。滤波器115为用于判定是否持续了例如10μs的数字滤波器。被输入到滤波器115中的clk4m为用于进行10μs的计时的时钟信号。还有，来自SPI通信电路112的用来变更计时时间的“设定变更信号CCH”被输入到滤波器115中。此外，SPI通信电路112为与MCU100之间的接口，其能够变更滤波器时间，并且还能够以伪方式将错误逻辑的内部值设定为错误状态。
滤波器115的各个输出shuho、shvho、shwho、shulo、shvlo以及shwlo被输入到错误逻辑电路111中，错误逻辑电路111输出“错误通知EN”(gate_en_u、gate_en_v、gate_en_w以及gate_en_r)，并且，经由NDIAG端子将它们通知给MCU100。错误逻辑电路111为这样一种电路，即，其基于FET短路检测的异常判定结果来关断NDIAG的输出、高端FET1～FET3以及低端FET4～FET6，并且，为了进行FET短路检测的故障判定，其能够改变来自SPI通信电路112的内部值。
关于NDIAG端子的动作确认，如图8所示，通过使用MCU100的SPI通信来设定由SPI通信电路112和错误逻辑电路111构成的寄存器diag_dg＝“1”，这样就能够确认“NDIAG功能是否在正常工作”。此外，寄存器为错误逻辑电路111内的各种存储器，其示出了集成电路(IC)的状态信息和结构信息。
也就是说，通过SPI通信来设定寄存器diag_dg＝“1”或“0”的话，则在寄存器diag_dg＝0的场合，通过否定单元103成为NDIAG＝H；在寄存器diag_dg＝1的场合，通过否定单元103成为NDIAG＝L。通过进行基于MCU100的NDIAG的期待值比较，这样就能够确认“NDIAG是否在正常工作”。通过再次设定寄存器diag_dg＝0，使得成为NDIAG＝H，通常的异常检测功能发挥作用。
接下来，参照示出了U相的结构的图9以及图10，对FET短路检测动作确认进行说明。图9示出了FET短路检测，图10示出了检测出故障时的FET驱动关闭情况下的确认结构。
在图9中，通过MCU100设定ALARM1或ALARM2，这样就能够确认“FET1～FET6的短路检测功能是否在正常工作”。也就是说，经由警报输入电路104输入ALARM1或ALARM2＝L，将作为驱动逻辑单元151的输入的“栅极关闭指令信号GF”设定为“H”。因为基于ALARM1或ALARM2＝L，驱动逻辑单元151的输出HD1g成为HD1g＝L，所以分压电压SHU成为电源(VR)与接地(GND)之间的中间电压，比较器117的输出shul成为shul＝H。因为来自MCU100的占空比信号LD4＝H和比较器117的输出shul＝H，所以AND电路116的输出(寄存器scul)＝H，成为“短路检测状态”，成为NDIAG＝L。因此，通过监视NDIAG，就能够诊断“短路检测功能是否在正常工作”。通过使用SPI通信来清除错误逻辑电路111内的寄存器(scul)，使得成为NDIAG＝H。
图10示出了检测出故障时的FET驱动关闭情况下的确认结构，通过使用MCU100的SPI通信来设定各相寄存器shuh_dg、shul_dg、shvh_dg、shvl_dg、shwh_dg和shwl_dg，就能够确认“在检测出FET1～FET6的故障的时候，FET1～FET6是否被关断”。也就是说，在寄存器shul_dg＝“1”的场合，通过SPI通信电路112的SPI通信来设定寄存器sh_op＝“001”或“010”(在检测出故障的时候，FET驱动＝关闭)，通过SPI通信来设定寄存器shul_dg＝1。在寄存器shul_dg＝1的状态，成为寄存器scul＝1(短路检测状态)，成为NDIAG＝L，基于这个NDIAG＝L来输入来自MCU100的占空比信号LD4＝H的话，则通过监视高端FET1与低端FET4之间的连接点电压，就能够检测出“FET1以及FET4已经被关断”。通过再次设定寄存器shul_dg＝0，使得成为寄存器scul＝0和NDIAG＝H，通常的异常检测功能发挥作用。
此外，错误逻辑电路111实施LBIST(Logic Built-In Self Test，逻辑内置自检)，在寄存器shul_dg＝0的场合，当实际上处于短路检测状态的时候，成为NDIAG＝L。关于其他的相，也可以用同样的方式来实施动作确认。
在这样的结构中，参照图11的流程图对其动作示例(第1实施方式)进行说明。
动作被启动的话(步骤S1)，则使MCU100内的检测单元故障诊断功能开始工作(步骤S2)，诊断“FET短路检测单元110是否发生了故障”(步骤S3)。当通过检测单元故障诊断功能诊断出FET短路检测单元110的故障的时候，MCU100输出ALARM1或ALARM2，警报输入电路104输出栅极关闭指令GF(步骤S4)，通过将栅极关闭指令GF输入到栅极驱动单元130中，以便停止逆变器37(步骤S5)。
另一方面，在上述步骤S3，在没有检测出FET短路检测单元110的故障的情况下，FET短路检测单元110诊断逆变器37的FET的短路故障(步骤S10)。FET短路检测单元110通过表1的比较来进行逆变器37的高端FET以及低端FET的故障诊断，首先，判定“高端FET是否发生了短路故障”(步骤S11)，在高端FET发生了短路故障的情况下，通过错误通知EN来关断低端FET，并且还关断高端FET(步骤S12)。接下来，判定“低端FET是否发生了短路故障”(步骤S13)，在低端FET发生了短路故障的情况下，通过错误通知EN来关断高端FET，并且还关断低端FET(步骤S14)。
此外，也可以将高端FET和低端FET的短路故障的检测顺序反过来。
低端(L侧)FET的短路故障的检测是这样来进行的，即，当高端(H侧)FET处于导通状态(ON状态)的时候(＝当低端FET处于关断状态(OFF状态)的时候)，监视低端FET的漏极电压SHU、SHV以及SHW，如果漏极电压SHU、SHV以及SHW均低于阈值HREF的话，则判断为“发生了短路故障”；如果漏极电压SHU、SHV以及SHW均等于或高于阈值HREF的话，则判断为“没有发生短路故障”。在检测出短路故障的情况下，来自FET短路检测单元110的“错误通知EN”被输入到栅极驱动单元150中，以便关断逆变器FET。具体而言，在通常情况下，如果FET没有发生故障的话，在高端FET处于导通状态＝低端FET处于关断状态的情况下，将高端FET的导通电阻设为RON，将电流设为ION，则连接点电压SHU、SHV以及SHW成为下述式3。
式3
连接点电压＝供给电压HS－RON×ION
如果低端FET发生了短路故障的话，则连接点电压SHU、SHV以及SHW相当于0V。在本实施方式中，将H侧设定信号vthh_Sh和L侧设定信号vthl_Sh设定为1V，为了避免错误的检测，将它们设定为比“高端FET的导通电阻RON×电流ION”大得多的值。
还有，作为栅极驱动单元150的输入信号的HD1～HD3以及LD4～LD6为用来驱动逆变器37的FET1～FET6的来自MCU100的占空比信号，栅极驱动单元150基于这些占空比信号HD1～HD3以及LD4～LD6来驱动逆变器37的FET1～FET6。然而，因为内部电路的延迟和逆变器FET的容量，所以针对占空比信号HD1～HD3以及LD4～LD6的输入，经过时间延迟后，逆变器FET才会被导通或关断(ON/OFF)。为了防止“因此时的时间延迟而造成的FET短路故障的错误的检测”，仅仅在FET短路检测单元110内的比较器117的输入条件持续了10μs的情况下，判断为“检测出FET短路”。
接下来，对“MCU100检测出FET短路检测单元110的故障”的动作进行说明。
在启动时，通过MCU100内的检测单元故障诊断功能来诊断是否存在FET短路检测单元110的故障，当存在FET短路检测单元110的故障的时候，MCU100输出ALARM1或ALARM2，警报输入电路104将栅极关闭指令GF输出到栅极驱动单元150中，以便关断逆变器FET。具体而言，设置了“用于在栅极驱动单元150的输出HD1g～HD3g以及LD4g～LD6g被关断(OFF)的情况下，进行电阻分压以便使逆变器37的高端FET1～FET3以及低端FET4～FET6的连接点电压SHU、SHV以及SHW成为逆变器电源电压(≒电池电压12V)×0.5倍≒6V”的诊断用电阻分压电路120。在启动时，通过MCU100输出“用来强制关断栅极驱动单元150的输出HD1g～HD3g以及LD4g～LD6g”的栅极关闭指令GF，并且，将“H”信号输入到被输入到栅极驱动单元150中的占空比信号HD1～HD3以及LD4～LD6中的某一个占空比信号中，以便强制使上述检测出的FET短路故障的异常条件成立，通过监视NDIAG成为逻辑输出“L”(在没有检测出短路故障的时候，成为逻辑输出“H”)，以便诊断检测出的FET短路故障是否为“不可检测故障”。
还有，在FET短路检测单元110检测出FET短路故障的情况下，为了确认是否能够关断逆变器FET，MCU100输出“用来强制使FET短路检测单元110的错误通知EN转移到FET短路检测状态”的信号(SPI)，并且，将“H”信号输入到被输入到栅极驱动单元150中的占空比信号HD1～HD3以及LD4～LD6中的某一个占空比信号中，而且还通过监视逆变器37的高端FET以及低端FET的连接点电压SHU、SHV以及SHW，以便诊断“逆变器FET是否已经被关断了”。如果逆变器FET还没有被关断的话，则当占空比信号HD1～HD3为“H”的时候，连接点电压SHU、SHV以及SHW变成与逆变器37的电源电压(电压VR)相等；当占空比信号LD4～LD6为“H”的时候，连接点电压SHU、SHV以及SHW变成与0V(接地)相等，因为不会变成逆变器FET已经被关断了的场合的“逆变器电源电压(VR)×0.5”，所以能够检测出“逆变器FET还没有被关断”。
在FET短路检测单元110进行FET短路检测的场合以及在检测出FET短路故障时被MCU100诊断为不能关断逆变器FET的场合，MCU100将被输入到栅极驱动单元150的占空比信号HD1～HD3以及LD4～LD6设定为“L”(＝OFF)，作为系统，维持安全状态(辅助停止状态)。
通过检测单元故障诊断功能，就能够确认“FET短路检测单元110是否在正常工作”，当检测出FET短路检测单元110的故障的时候，通过立刻关断逆变器FET，这样就检测不出“发生了作为第一个故障的FET短路检测电路110检测不出来的不可检测故障”，并且，在那之后，通过使逆变器FET继续工作，发生了作为第二个故障的逆变器FET的短路故障，就能够防止“过载电流在逆变器中持续流动”，从而能够维持系统的安全。还有，通过如上所述那样地被保证了安全性的FET短路检测单元110，就能够削减被配置在逆变器的电源线上的用来切断在发生逆变器FET的短路故障时产生的过载电流的高价的电源继电器。
接下来，参照图12以及图13的时序图，对FET短路检测的时序动作示例进行说明。
图12示出了“在时刻t1在低端(L侧)FET发生了短路故障，在时刻t2检测出该短路故障，在时刻t8解除了短路故障”的样子。当在时刻t2检测出短路故障的时候，滤波器输出shuho～shwho从“L”变化到“H”，如图12(H)～图12(J)所示那样，NDIAG被锁存到“L”，占空比信号HD1g～HD3g以及LD4g～LD6g被锁存到“OFF”。
图13示出了“在时刻t10在高端(H侧)FET发生了短路故障并且检测出该短路故障，在时刻t17解除了短路故障”的样子。当在时刻t10检测出短路故障的时候，滤波器输出shulo～shwlo从“L”变化到“H”，如图13(H)～图13(J)所示那样，NDIAG被锁存到“L”，占空比信号HD1g～HD3g以及LD4g～LD6g被锁存到“OFF”。
还有，在逆变器37的电源(电压VR)与诸如MCU100之类的控制单元之间设有由半导体开关(例如，FET或晶体管)构成的暗电流抑制用开关130，在启动MCU100之后，通过MCU100来打开暗电流抑制用开关130，当MCU100的动作停止的时候(当MCU100没有被通电的时候)，通过切换信号SW1来关掉暗电流抑制用开关130。通过这样做，就能够抑制从ECU动作停止中(MCU动作停止中)的逆变器的电源(电压VR)流向控制单元的暗电流(第2实施方式)。
与图7相对应的图14示出了本发明的第2实施方式。如图14所示，由FET131构成的暗电流抑制用开关130被插入在电源VR与控制系统之间，暗电流抑制用开关130的输出电压HS被供应给阈值设定单元113等。具有用来切断暗电流的功能的寄生二极管131D被连接到暗电流抑制用开关130的FET131。尽管在本实施方式中以FET为例，但也可以使用诸如一般的晶体管之类的半导体晶体管。
在这样的结构中，参照图15的流程图对其动作示例(第2实施方式)进行说明。
动作被启动的话(步骤S20)，则MCU100输出切换信号SW1，导通(ON)暗电流抑制用开关130的FET131(步骤S21)，接下来，使MCU100内的检测单元故障诊断功能开始工作(步骤S22)，诊断“FET短路检测单元110是否发生了故障”(步骤S23)。当通过检测单元故障诊断功能诊断出FET短路检测单元110的故障的时候，MCU100输出ALARM1或ALARM2，警报输入电路104输出栅极关闭指令GF(步骤S24)，通过将栅极关闭指令GF输入到栅极驱动单元130中，以便停止逆变器37(步骤S25)。然后，输出切换信号SW1，关断(OFF)暗电流抑制用开关130的FET131(步骤S26)。通过这样做，就能够抑制从MCU动作停止中的逆变器37的电源VR流向控制系统的暗电流，从而可以抑制无用的电池消耗。
另一方面，在上述步骤S23，在没有检测出FET短路检测单元110的故障的情况下，FET短路检测单元110诊断逆变器37的FET的短路故障(步骤S30)。FET短路检测单元110通过表1的比较来进行逆变器37的高端FET以及低端FET的故障诊断，首先，判定“高端FET是否发生了短路故障”(步骤S31)，在高端FET发生了短路故障的情况下，通过错误通知EN来关断低端FET，并且还关断高端FET(步骤S32)。然后，通过切换信号SW1来关断(OFF)暗电流抑制用开关130的FET131(步骤S33)。通过这样做，就能够抑制从MCU动作停止中的逆变器37的电源VR流向控制系统的暗电流。
接下来，判定“低端FET是否发生了短路故障”(步骤S34)，在低端FET发生了短路故障的情况下，通过错误通知EN来关断高端FET，并且还关断低端FET(步骤S35)。然后，通过切换信号SW1来关断(OFF)暗电流抑制用开关130的FET131(步骤S36)。通过这样做，就能够抑制从MCU动作停止中的逆变器37的电源VR流向控制系统的暗电流。
在高端FET以及低端FET都没有发生短路故障的情况下，重复进行上述动作。此外，也可以将高端FET和低端FET的短路故障的检测顺序反过来。
尽管在上述第1实施方式以及第2实施方式中，在检测出FET短路故障的时候，将高端FET以及低端FET锁存到“OFF”，但本发明并不限于此，也可以只在FET短路检测期间中进行关断动作。还有，也可以只将发生了故障的相的高端FET以及低端FET作为需要被关断的FET，另外，也可以关断逆变器的所有的FET。
还有，尽管在上述实施方式中，将设定信号vthh_Sh和vthl_Sh设定为1V，但本发明并不限于此，为了避免错误的检测，也可以将它们设定为比“高端FET的导通电阻RON×电流ION”大得多的值。还有，尽管将短路故障检测的确定时间设定为10μs，但本发明并不限于此，也可以将其设定为一个“考虑了栅极驱动单元的时间延迟和逆变器FET的开关时间”的足够长的时间。另外，也可以将如上所述的逻辑“H”和逻辑“L”反过来。
此外，尽管在上述第1实施方式以及第2实施方式中，将暗电流抑制用的半导体开关配置在MCU与逆变器的电源(电压VR)之间，也就是说，将暗电流抑制用的半导体开关配置在FET短路检测单元与逆变器的电源(电压VR)之间，但本发明并不限于此，也可以将半导体开关设置在从逆变器的电源(电压VR)连接到控制单元的产生暗电流的所有的路径上。还有，尽管在上述实施方式中，MCU具备了用来诊断是否存在FET短路检测单元的故障的功能，但也可以将该功能配置在MCU的外部。
还有，尽管在上述实施方式中，对将电子控制装置应用在电动助力转向装置中的示例进行了说明，但也可以将本发明的电子控制装置应用在其他的使用了逆变器的装置中。
附图标记说明
1 转向盘(方向盘)
2 柱轴(转向轴或方向盘轴)
10 扭矩传感器
12 车速传感器
20 电动机
23 电动机开放开关
30 控制单元(ECU)
31 电流指令值运算单元
35 PI控制单元
36 PWM控制单元
37 逆变器
100 MCU(微控制器单元)
101 占空比运算单元
110 FET短路检测单元
111 错误逻辑电路
112 SPI通信电路
113、114 阈值设定单元
117 比较器
120 诊断用电阻分压电路
130 暗电流抑制用开关
140 电源用电阻分压电路
150 栅极驱动单元
151 驱动逻辑单元

Claims (21)

1.一种电子控制装置，其经由MCU(微控制器单元)并且通过由具有高端FET以及低端FET的电桥构成的逆变器来对电动机进行驱动控制，其特征在于：
具备FET短路检测单元和检测单元故障诊断功能，
所述FET短路检测单元基于所述高端FET以及所述低端FET的各个连接点电压来检测出所述高端FET以及所述低端FET的短路故障，
所述检测单元故障诊断功能检测出所述FET短路检测单元的故障，
所述检测单元故障诊断功能在启动时诊断所述FET短路检测单元的故障，当检测出所述FET短路检测单元的故障的时候，关断所述高端FET以及所述低端FET，
在没有检测出所述FET短路检测单元的故障的情况下，所述FET短路检测单元诊断所述高端FET以及所述低端FET的短路故障，
所述FET短路检测单元基于所述高端FET用的第1阈值以及所述低端FET用的第2阈值来检测出所述短路故障，
通过由所述MCU运算出的PWM的占空比信号对所述逆变器进行驱动，所述检测单元故障诊断功能为这样一种诊断功能，即，在启动时，通过所述MCU输出用来强制关断所述逆变器的栅极关闭信号，并使其与所述高端FET的所述占空比信号或所述低端FET的所述占空比信号一起进行运算，以便强制使所述短路故障的异常条件成立，将所规定的信号输出到通知端子。
2.根据权利要求1所述的电子控制装置，其特征在于：当检测出所述短路故障的时候，至少关断所述高端FET以及所述低端FET中的没有检测出所述短路故障的一方的FET。
3.根据权利要求1所述的电子控制装置，其特征在于：所述检测单元故障诊断功能内置于所述MCU。
4.根据权利要求1所述的电子控制装置，其特征在于：当检测出所述高端FET以及所述低端FET中的某一方的短路故障的时候，所述FET短路检测单元经由所述通知端子将“检测出短路故障”这个信息通知给所述MCU。
5.根据权利要求1所述的电子控制装置，其特征在于：所述通知端子为NDIAG端子。
6.根据权利要求1所述的电子控制装置，其特征在于：
暗电流抑制用开关被插入在控制系统的电路之间，
所述暗电流是从所述逆变器的电源流向所述控制系统的电流，
在启动时，所述MCU打开所述暗电流抑制用开关，
当检测出所述短路故障的时候，所述检测单元故障诊断功能关断所述高端FET以及所述低端FET，
当所述MCU的动作停止的时候，所述MCU关掉所述暗电流抑制用开关。
7.根据权利要求6所述的电子控制装置，其特征在于：所述暗电流抑制用开关为包括FET在内的晶体管，反向连接保护用的寄生二极管被连接到所述暗电流抑制用开关。
8.根据权利要求6所述的电子控制装置，其特征在于：所述控制系统至少包括所述MCU、电阻分压电路和所述FET短路检测单元。
9.一种电子控制装置，其经由MCU(微控制器单元)并且通过由具有高端FET以及低端FET的电桥构成的逆变器来对电动机进行驱动控制，其特征在于：
具备FET短路检测单元和检测单元故障诊断功能，
所述FET短路检测单元基于所述高端FET以及所述低端FET的各个连接点电压来检测出所述高端FET以及所述低端FET的短路故障，
所述检测单元故障诊断功能检测出所述FET短路检测单元的故障，
所述检测单元故障诊断功能在启动时诊断所述FET短路检测单元的故障，当检测出所述FET短路检测单元的故障的时候，关断所述高端FET以及所述低端FET，
在没有检测出所述FET短路检测单元的故障的情况下，所述FET短路检测单元诊断所述高端FET以及所述低端FET的短路故障，
通过电阻分压电路对所述各个连接点电压进行分压，并将分压后的电压供应给所述FET短路检测单元，
所述FET短路检测单元基于所述高端FET用的第1阈值以及所述低端FET用的第2阈值来检测出所述短路故障，
通过由所述MCU运算出的PWM的占空比信号对所述逆变器进行驱动，所述检测单元故障诊断功能为这样一种诊断功能，即，在启动时，通过所述MCU输出用来强制关断所述逆变器的栅极关闭信号，并使其与所述高端FET的所述占空比信号或所述低端FET的所述占空比信号一起进行运算，以便强制使所述短路故障的异常条件成立，将所规定的信号输出到通知端子。
10.根据权利要求9所述的电子控制装置，其特征在于：当检测出所述短路故障的时候，至少关断所述高端FET以及所述低端FET中的没有检测出所述短路故障的一方的FET。
11.根据权利要求9所述的电子控制装置，其特征在于：所述检测单元故障诊断功能内置于所述MCU。
12.根据权利要求9所述的电子控制装置，其特征在于：当检测出所述高端FET以及所述低端FET中的某一方的短路故障的时候，所述FET短路检测单元经由所述通知端子将“检测出短路故障”这个信息通知给所述MCU。
13.根据权利要求9所述的电子控制装置，其特征在于：所述通知端子为NDIAG端子。
14.根据权利要求9所述的电子控制装置，其特征在于：
暗电流抑制用开关被插入在控制系统的电路之间，
所述暗电流是从所述逆变器的电源流向所述控制系统的电流，
在启动时，所述MCU打开所述暗电流抑制用开关，
当检测出所述短路故障的时候，所述检测单元故障诊断功能关断所述高端FET以及所述低端FET，
当所述MCU的动作停止的时候，所述MCU关掉所述暗电流抑制用开关。
15.一种电子控制装置，其经由MCU并且通过由具有高端FET以及低端FET的电桥构成的逆变器来对电动机进行驱动控制，其特征在于：
具备FET短路检测单元和检测单元故障诊断功能，
所述FET短路检测单元基于所述高端FET以及所述低端FET的各个连接点电压来检测出所述高端FET以及所述低端FET的短路故障，
所述检测单元故障诊断功能检测出所述FET短路检测单元的故障，
所述检测单元故障诊断功能在启动时诊断所述FET短路检测单元的故障，当检测出所述FET短路检测单元的故障的时候，关断所述高端FET以及所述低端FET，
在没有检测出所述FET短路检测单元的故障的情况下，所述FET短路检测单元诊断所述高端FET以及所述低端FET的短路故障，
所述FET短路检测单元基于所述高端FET用的第1阈值以及所述低端FET用的第2阈值来检测出所述短路故障，
通过由所述MCU运算出的PWM的占空比信号对所述逆变器进行驱动，所述检测单元故障诊断功能具有这样一种诊断功能，即，在所述FET短路检测单元检测出所述短路故障的情况下，为了确认是否能够关断并停止所述逆变器，所述MCU输出用来强制使所述FET短路检测单元的错误通知转移到FET短路检测状态的信号，并使其与所述高端FET的所述占空比信号或所述低端FET的所述占空比信号一起进行运算，而且还通过监视所述逆变器的高低连接点电压，以便诊断所述逆变器是否已经被停止了。
16.根据权利要求15所述的电子控制装置，其特征在于：当检测出所述短路故障的时候，至少关断所述高端FET以及所述低端FET中的没有检测出所述短路故障的一方的FET。
17.根据权利要求15所述的电子控制装置，其特征在于：所述检测单元故障诊断功能内置于所述MCU。
18.根据权利要求15所述的电子控制装置，其特征在于：当检测出所述高端FET以及所述低端FET中的某一方的短路故障的时候，所述FET短路检测单元经由通知端子将“检测出短路故障”这个信息通知给所述MCU。
19.根据权利要求15所述的电子控制装置，其特征在于：
暗电流抑制用开关被插入在控制系统的电路之间，
所述暗电流是从所述逆变器的电源流向所述控制系统的电流，
在启动时，所述MCU打开所述暗电流抑制用开关，
当检测出所述短路故障的时候，所述检测单元故障诊断功能关断所述高端FET以及所述低端FET，
当所述MCU的动作停止的时候，所述MCU关掉所述暗电流抑制用开关。
20.根据权利要求15所述的电子控制装置，其特征在于：通过电阻分压电路对所述各个连接点电压进行分压，并将分压后的电压供应给所述FET短路检测单元。
21.一种电动助力转向装置，其特征在于：搭载了权利要求1、9、15中任意一项所述的电子控制装置。
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