CN107851715B - 用于使用混合加工方法来制造荫罩的方法以及由此制造的荫罩 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于制造金属荫罩的方法，并且涉及一种用于制造具有其上形成的掩膜图案的荫罩的方法，本主题为用于使用混合加工方法来制造荫罩的方法以及由此制造的荫罩，用于制造荫罩的方法包括：用于在基底的上侧上执行湿法蚀刻的湿法蚀刻步骤；以及用于在其中形成湿法蚀刻图案的基底的下侧或者上侧上执行激光加工的激光加工步骤，由此形成对湿法蚀刻的图案的延续的激光加工的图案。因此，湿法蚀刻和激光加工被混合使用，并且因此解决了由于传统激光加工工艺导致的生产力恶化问题，并且示出了能够借助于湿法蚀刻提供高质量荫罩的效果。

Description

用于使用混合加工方法来制造荫罩的方法以及由此制造的 荫罩
技术领域
本发明一般地涉及制造金属荫罩的方法和由该方法制造的荫罩。更具体地，本发明涉及制造金属荫罩的方法以及由该方法制造的荫罩，其中包括湿法刻蚀和激光加工的混合加工被用于形成荫罩上的包括湿法刻蚀的图案和激光加工的图案的掩模图案。
背景技术
金属掩模一般被用于在制造有机电致发光(EL)器件、有机半导体元件等时的真空沉积工艺。
此类金属掩模具有三维(3D)结构，其具有多个圆形孔或锥形结构。通过将金属掩模布置在衬底上并且向该衬底的特定区域沉积期望图案的发光层来制造诸如有机EL器件的半导体元件。
美国专利号5348825和5552662公开了用于制造金属掩模的常规湿法刻蚀方法，该方法包括制造荫罩的化学湿法刻蚀方法。应用于目前工业场所的荫罩是化学湿法刻蚀类型。
下面参照图1对常规湿法刻蚀的简要说明进行描述。
1.抗蚀剂涂覆：将光刻胶2涂覆在金属膜1的两个面上。
2.图案涂覆：通过使用玻璃掩模图案3(或石英掩模)在光刻胶2上执行曝光工艺。
3.显影：在玻璃掩模图案3(或石英掩模)转移到光刻胶2的上表面上之后，去除用于形成图案的玻璃掩模3并且通过执行显影工艺而选择性地去除光刻胶2。
4.第一次刻蚀：在其中形成有图案的光刻胶2的上表面上执行湿法刻蚀，以去除金属膜1的一部分，从而通过使用刻蚀液将光刻胶2去除(光刻胶2的孔)。
5.填充：在其中去除了其的一部分的金属膜1的上表面中填充抗刻蚀的填充材料。填充抗刻蚀的填充材料以在对金属膜1的下表面执行刻蚀时保护由第一次刻蚀所形成的金属掩模的上表面的形状。
6.第二次刻蚀：刻蚀金属膜1的下表面。
7.去除：将抗刻蚀填充材料和光刻胶去除，并且最终获得金属荫罩。
以上工艺列出了通过使用湿法刻蚀制造金属荫罩的典型工艺，并且根据以上工艺开发了各种修改。例如，可以跳过步骤“5.填充”，或者在同一时间对金属膜的两面进行刻蚀。然而，一般通过使用图1中所描述的化学湿法刻蚀的技术来制造金属掩模。
湿法刻蚀具有如图2中所示的各向同性特征。换言之，在金属膜被去除的同时金属膜在从光刻胶的孔的所有方向上同等地受到刻蚀液的影响。因此，金属膜的横截面形状被形成为具有半圆形状，如图3中所示。因此，在金属膜上最终形成的金属掩模包括其中孔的边缘(参见附图中圈出的部分)非常薄的孔。
因此，孔的边缘的厚度可能对精确且稳定地确保孔的尺寸或形状具有不利影响。
出于这个原因，一般不在金属膜的一面(上表面或下表面)上执行金属膜的湿法刻蚀，而是如图3中所示在金属膜的两面上执行。通过使用在美国专利号5348825、5552662等中公开的各种方法在金属膜的两面上执行湿法刻蚀。
通过使用常规方法形成其中在上表面上形成的掩模与在下表面上形成的掩模彼此相交的交叉线(横截面中的交叉点)。此外，可以通过在金属膜的任意一面上执行具有弱强度的湿法刻蚀来实现包括具有小尺寸的锥形结构(图3中的32)的金属膜。通过使用此类锥形结构可以确保孔的尺寸和形状。出于此原因，在现有技术中底切的高度(图3中的t)被声明为金属膜的整个厚度T的30％～40％。
然而，由湿法刻蚀的各向同性特征形成此类锥形结构，因此其可以被形成为具有底切形状。
当通过使用此类金属掩模向显示器件的衬底沉积电致发光材料时，具有此类底切形状的金属膜显示出了其限制。当通过金属掩模的孔沉积电致发光材料时，由于底切形状，电致发光材料被不均匀地沉积在衬底上。
换言之，底切形状导致在对应于该底切形状的衬底的位置上的电致发光材料的逐渐沉积。因此，当通过使用此类金属掩模进行制造时，发生显示器件的性能下降。
同时，已知当前湿法刻蚀可以被应用最高到300ppi(每英寸像素)。然而，难以使用常规湿法刻蚀方法来生产具有QHD(大概500ppi)或UHD(大概800ppi)的分辨率的显示器件。
图4是说明常规湿法刻蚀的各向同性形状的视图((1)、(2)和(3)的公式显示了形状(A，B，D，E，T，节距和刻蚀因数)的因数之间的相关性)，并且通过形状的因数之间的相互作用公式。
可以对在使用湿法刻蚀时实现显示器件的高分辨率的限制进行解释。因此，该图并没有示出在基底的两面上执行的湿法刻蚀。
一般地，要求的分辨率越高，则要求的图4中的节距的值越小，并且因此宽度B的值也应该越小。根据公式(3)，为了得到宽度B的较小值，则要求PR宽度A或深度D的较小值。
然而，PR宽度A的值不可以变成无限小的值，因为由于曝光工艺的特征难以获得PR宽度A的非常小的值。即使获得了无限小的值，其可以导致刻蚀因数的下降。
此外，对于将深度值D设置到小的值而言也存在限制。这是因为，尽管使用了对金属掩模的两面进行刻蚀的方法，但参照图3，当深度D值变得较小时底切的尺寸变得较大，因此电致发光材料被不均匀地沉积在衬底上。另外，由于存在在湿法刻蚀期间处理金属板所要求的最小厚度，所以金属掩模的厚度T不可以被减小。
此外，难以通过仅仅执行湿法刻蚀来实现具有高分辨率的显示器件。可以在俯视图中所显示的精细结构上找到原因。
不仅在掩模的横截面形状中也在掩模的俯视形状中显示了湿法刻蚀的各向同性特征。如图5中所示，掩模的实际加工的3D形状具有碗形状，因此掩模的四个边不是圆形的且不是锐利的。此类特征是难以应用于显示器件(要求锐利的四边形或多边形沉积区域)的特征。特别是，对于此类特征要被应用于具有诸如QHD或UHD的高分辨率的显示器件中而言是困难的。
因此，由于上述形状的因数之间的限制和相关性，难以通过使用常规湿法刻蚀来实现具有QHD(大概500ppi)或UHD(大概800ppi)的分辨率的显示器件。
同时，近来，通过使用超短脉冲激光来制造金属荫罩。韩国专利申请公开号10-2013-0037482和10-2015-0029414是典型的技术，并且本发明的申请人还提交了针对相关发明的申请(韩国专利申请号10-2014-0182140和10-2015-0036810)。
图6是示出通过使用激光来制造金属荫罩的基本工艺的视图。
通过使用激光来制造金属荫罩的方法包括：
1.在沿着对应于掩模孔的形状的第一环形曲线移动激光束的同时将激光束照射到衬底上面的第一照射步骤；以及
2.在沿着设置在第一环形曲线内并且具有小于第一环形曲线的内部区域的第二环形曲线移动激光束的同时将激光束照射到衬底上面的第二照射步骤。
3.此外，通过使用激光来制造金属荫罩的另一种方法包括：将具有第一能量的激光束照射到其中在衬底上形成掩模孔的位置上面的第一照射步骤；以及将具有低于第一能量的第二能量的激光束照射到其上面照射了第一照射步骤的激光束的同一位置上面的第二照射步骤。
为了提高加工的金属掩模的精确度，通过使用此类激光来制造金属荫罩的方法一般使用超短脉冲激光。一般由通过使用超短脉冲激光的各种低强度脉冲的累积来对去除或加工金属基底。
使用激光的此类方法具有通过配置特定的光学系统或改变激光或脉冲调制的强度变化而指定在金属基底上所照射的激光束的能量分布或强度的效果。
例如，可以通过配置具有特定能量分布的光学系统和控制激光以及衬底的相对移动(参照图7)来制造具有适当锥形结构而不包括底切的金属掩模。
然而，上述方法的最大限制在于难以确保能够用于工业场所的生产力。
换言之，使用激光的金属加工方法以激光的脉冲序列连续地向金属基底施加能量，并且引起从金属基底的表面被逐渐地去除的基底的金属材料的去除。在这里，可以通过向金属基底施加增大的照射的激光的强度来增大加工速度(去除的材料的量)。然而，由于施加到金属基底的高能量引起的热不能够被充分地消散并且被累积在金属基底上，因此累积的热导致加工质量的下降。
此外，施加到金属基底的表面的激光的高能量脉冲引起金属基底的其他表面上的毛刺(burr)。激光的能量脉冲被施加到金属基底上，逐渐地加工掩模并且产生穿透金属基底的形状。然而，当金属基底被大部分去除并且金属基底具有非常薄的厚度时，刚好在掩模穿透金属基底之前，则高能量脉冲的冲击作为穿过金属基底突出到相对表面的力。在因瓦合金材料的情况下，毛刺的高度可以从掩模的背面的几微米到几十微米。
当通过使用包括在掩模的背面上形成的此类毛刺的荫罩来沉积有机发光材料时，由于荫罩不是完全粘在玻璃上，所以可能发生玻璃损坏，并且因此荫罩突出到玻璃之外。因此，由屏蔽效应使沉积性能下降。
总之，为了确保高质量荫罩，应该通过施加具有用于加工所需的最小能量的多个激光脉冲来逐渐地加工金属材料。然而，难以通过使用此类方法来确保足够的生产力。
发明内容
技术问题
已经提出本发明以解决相关技术中的问题，并且本发明的目的是提供一种制造荫罩的方法以及使用该方法制造的荫罩，其中包括湿法刻蚀和激光加工的混合加工被用于形成荫罩上的包括激光加工的图案和湿法刻蚀的图案的掩模图案。
技术方案
为了实现以上目的，根据本发明的一个方面，提供了制造荫罩的方法，其中混合加工被用于形成荫罩上的掩模图案，该方法包括：通过从基底上方执行湿法刻蚀而形成湿法刻蚀的图案；以及通过从其上形成有湿法刻蚀的图案的基底上方或从其下方执行激光加工来形成从湿法刻蚀的图案延续的激光加工的图案。
而且，在形成激光加工的图案时，具有对应于荫罩的掩模图案的掩模图案的掩膜部件可以被形成在基底的上表面上方，并且可以将激光束从该掩膜部件上方照射。
在这里，可以以复数形式提供掩膜部件，具有不同宽度的各个掩膜部件被形成在该掩膜部件上，并且当从该掩膜部件上方照射激光束时，可以将激光束从该掩膜部件中的每一个上方进行照射，因此激光束的照射被多次执行。
而且，当多次执行激光束的照射时，随着激光束的照射进行到最后照射而从具有较窄宽度孔的掩模图案的掩膜部件上方照射激光束。
此外，可以由通过光刻工艺形成的光刻胶而在基底的上表面上方形成掩膜部件的掩模图案，并且当从掩膜部件上方照射激光束时，可以将激光束照射到掩膜部件的掩模图案的光刻胶被去除的区域。
而且，掩膜部件可以是相移掩模(PSM)，其具有多个掩模图案，所述多个掩膜图案具有不同宽度且能够以不同角来偏移激光束的相位，并且当从掩膜部件上方照射激光束时，可以将激光束从相移掩模(PSM)上方照射到基底上面以穿透将激光束的相位进行偏移的掩模图案。
另外，掩膜部件可以包括激光束穿透其的主体，和形成在该主体的上表面上的狭缝形状的掩模图案，掩膜部件包括在主体的宽度方向上彼此间隔开的多个激光阻挡部件和为在激光阻挡部件之间限定的空间且经由其透射激光束的多个激光透射部件，其中狭缝形状的掩模图案被配置为使得激光阻挡部件的宽度在从主体的外部至中心的方向上变得较窄，并且激光透射部件的宽度在从主体的外部至中心的方向上变得较宽，其中当从掩膜部件上方照射激光束时，并且可以将激光束从掩膜部件的狭缝形状的掩模图案上方照射，使得在对应于具有相对较宽宽度的激光透射部件的部分处照射到基底上面的激光束的强度高于在对应于具有相对较窄宽度的激光透射部件的部分处照射到基底上面的激光束的强度。
同时，形成激光加工的图案可以包括：在基底上面设置单元加工区域的第一步；在沿着从单元加工区域的第一边界至第二边界的第一扫描路径移动激光束的同时执行激光加工以在单元加工区域内形成激光加工的图案的第二步；将激光束转到下一个方向、将激光束移动一个步距、并且在沿着第二扫描路径移动激光束的同时执行激光加工以在单元加工区域内形成激光加工的图案的另一部分的第三步；以及在沿着第n扫描路径移动激光束的同时重复第二步和第三步直到完成激光加工，从而在单元加工区域的整个区域上完成激光加工。
在这里，形成激光加工的图案可以进一步包括设置扫描路径中的每一个的加工深度。
而且，形成激光加工的图案可以进一步包括：在单元激光加工区域内的激光加工的图案区域上设置多个能量区域；以及通过根据激光束的强度序列由能量区域设置累积的能量分布来设置能量区域中的每一个的加工深度。
另外，由激光加工形成的激光加工的图案可以具有在从激光加工的表面方向上逐渐减少的内直径。
此外，形成湿法刻蚀的图案可以包括：在基底的上表面上形成光刻胶图案以形成湿法刻蚀的图案，并且在基底上沿着光刻胶被去除的区域执行湿法刻蚀。
而且，在形成激光加工的图案时，可以在与湿法刻蚀方向相同或相反的方向执行激光加工。
另外，可以在与湿法刻蚀方向相同或相反的方向形成由激光加工形成的激光加工的图案以从湿法刻蚀的图案延续。
可以通过湿法刻蚀至多达基底的整个厚度的50％至95％来形成湿法刻蚀的图案，并且可以通过激光加工至基底的其余厚度来形成激光加工的图案。
而且，当通过在从激光加工的表面方向上逐渐减小激光加工的图案的内直径而使其为锥形时，激光加工的图案的锥角可以被设置为从30度至90度的范围。
另外，由激光加工形成的激光加工的图案可以在其背面上具有毛刺，该毛刺从背面突出至等于或小于1μm的高度。
有益效果
本发明使用包括湿法刻蚀和激光加工的混合加工用于制造荫罩。该方法产生解决常规激光加工的生产力下降的效果，并且使用湿法刻蚀提供具有高质量的荫罩。
此外，在本发明中，由湿法刻蚀形成金属掩模的近似形状，因此要通过激光加工而被额外去除的金属材料的量是非常小的。相应地，要施加到金属材料的激光脉冲的数目被减小，并且常规方法(通过使用激光来激光加工整个金属掩模的方法)的热累积效应也被显著地减小。因此，存在提供具有高质量的荫罩的效果。
另外，可以通过用低能量脉冲执行激光加工而将形成在荫罩的背面上的毛刺最小化。而且，本发明可以制造没有任何毛刺的荫罩。
此外，通过使用包括湿法刻蚀和激光加工的混合加工解决了由湿法刻蚀的各向同性特征导致的底切问题。相应地，防止了沉积在衬底上的电致发光材料的逐渐沉积，沉积的电致发光材料的边界变得清晰，并且因此显示器件的性能得到提升。
而且，通过使用包括湿法刻蚀和激光加工的混合加工，用于形成荫罩的形状的因数不局限于其限制，并且因此本发明的荫罩可以被用于实现具有QHD(大概500ppi)或UDH(大概800ppi)的分辨率的显示器件。
附图说明
图1是根据常规化学湿法刻蚀制造荫罩的方法的示意图。
图2是通过常规化学湿法刻蚀制造的荫罩的示意图。
图3是通过常规双面湿法刻蚀制造的荫罩的示意图。
图4是说明常规湿法刻蚀的各向同性形状的视图(对示出形状(A，B，D，E，T，节距和刻蚀因数)的因数之间的相关性的公式(1)、(2)和(3)的说明)。
图5是示出常规湿法刻蚀的以俯视图绘制的各向同性形状的视图。
图6是通过常规激光加工制造荫罩的方法的示意图。
图7是示出通过使用常规激光加工形成的荫罩的照片的视图。
图8是根据本发明的实施例制造荫罩的方法的示意图。
图9是根据本发明的另一实施例制造荫罩的方法的示意图。
图10至图15是根据本发明的各种实施例的激光加工的示意图。
图16至图22是根据本发明的其他各种实施例的激光加工的示意图。
图23是根据本发明的实施例的孔的锥角(a)的示意图。
具体实施方式
本发明一般地涉及制造用于沉积工艺的金属荫罩同时制造有机EL器件或有机半导体的方法。更具体地，本发明涉及制造金属荫罩的方法，其中包括湿法刻蚀和激光加工的混合加工被用于在荫罩上形成具有激光加工的图案和湿法刻蚀的图案的掩模图案。
因此，可以解决常规激光加工的生产力下降，并且通过执行湿法刻蚀提供了具有高质量的荫罩。
在下文中，将参照附图详细地描述本发明的示例性实施例。图8是根据本发明的实施例的制造荫罩的方法的示意图，图9是根据本发明的另一实施例的制造荫罩的方法的示意图，图10至图15是根据本发明的各种实施例的激光加工的示意图，图16至图22是根据本发明的其他各种实施例的激光加工的示意图，并且图23是根据本发明的实施例的孔的锥角(a)的示意图。
如图8和图9中所示，在根据本发明的制造荫罩的方法中，混合加工被用于在荫罩上形成掩模图案。该方法包括：通过从基底110上方执行湿法刻蚀而形成湿法刻蚀的图案120；并且通过从其上形成有湿法刻蚀的图案120的基底110上方或从该基底110下方执行激光加工而形成从湿法刻蚀的图案120延续的激光加工的图案130。
换言之，本发明的方法制造包括具有湿法刻蚀的图案120和激光加工的图案130的掩模图案的荫罩。
在这里，形成在荫罩上的多个掩模图案具有对应于要沉积在衬底上的薄膜图案的形状的形状。掩模图案是沉积材料穿透其的区域，并且在基底110上除多个掩模图案区域以外的区域是沉积材料不能穿透其的阻挡区域。
换言之，荫罩被配置为具有包括沉积材料不能穿透其的阻挡区域和被形成为彼此间隔开的多个掩模图案的掩模图案以及阻挡区域。如上所述，荫罩的掩模图案是指多个掩模图案的布置的形状或布置的配置。
本发明公开了用于制造具有此类掩模图案的荫罩的方法，并且公开了制造荫罩的方法，其中使用混合加工形成具有由湿法刻蚀形成的湿法刻蚀的图案和由激光加工形成的激光加工的图案的掩模图案。
图8是根据本发明的实施例的制造荫罩的方法的示意图，其中通过从基底110上方(基底110的上表面)执行湿法刻蚀而在基底110上面形成湿法刻蚀的图案120，并且通过从其上形成有湿法刻蚀的图案120的基底110上方(基底110的上表面)照射激光束L而形成从湿法刻蚀的图案120延续的激光加工的图案130。
换言之，为了实现被用于具有高分辨率的产品的金属掩模，不在基底110的两个面上执行湿法刻蚀。如图8中所示，首先，在基底110的一个面上执行湿法刻蚀，并且然后在基底110上另外执行激光加工以在与湿法刻蚀方向相同的方向上形成孔以精确地形成荫罩的孔。
图9是示出根据本发明的另一实施例的制造荫罩的方法的视图，其中通过从基底110上方(基底110的上表面)执行湿法刻蚀而在基底110上形成湿法刻蚀的图案120，并且通过从其上面形成有湿法刻蚀的图案120的基底110下方(基底110的下表面)照射激光束L而形成从湿法刻蚀的图案120延续的激光加工的图案130。
换言之，首先，在基底110的一个表面上执行湿法刻蚀，并且然后在基底110的另一表面上另外执行激光加工以形成孔，因此确保了孔的规格和形状的稳定性。
在这里，可以通过由使用合适的光学系统将照射的激光束的能量分布形状控制为接近平顶(flat-top)束而使掩模图案的底切形状最小化。因此，可以在沉积过程期间将有机发光材料尽可能均匀地且最大程度地沉积在衬底上。此实施例具有可以在其上没有形成光刻胶的表面上执行激光加工的优点。
而且，当在基底的两个表面上执行湿法刻蚀时，基本上通过在两个表面上执行湿法刻蚀来形成底切形状。然后，通过使用激光束局部地去除底切形状，从而可以形成精确的孔。
首先，通过湿法刻蚀近似地形成金属掩模的形状，因此该方法具有在执行另外的激光加工时金属材料的去除的量非常少的优点。
相应地，可以减少要施加到金属材料的激光脉冲的数目，并且相比于常规激光加工(由激光加工来加工整个金属掩模的方法)还可以显著地减少热累积效应。
因此，可以制造具有包括精确孔的精细结构的金属掩模。
当根据本发明形成湿法刻蚀的图案120时，在基底110的上表面上形成光刻胶图案以形成湿法刻蚀的图案120，并且沿着其中去除了光刻胶的基底110执行湿法刻蚀。
如图8中所示，可以通过在与湿法刻蚀方向相同的方向执行激光加工来形成将稍后描述的从湿法刻蚀的图案120延续的激光加工的图案130。可替选地，如图9中所示，可以通过在与湿法刻蚀方向相反的方向在基底110上执行激光加工来形成从湿法刻蚀的图案120延续的激光加工的图案130。
当在与湿法刻蚀方向相反的方向形成激光加工的图案130时，由激光加工形成的激光加工的图案130可以具有厚度t，其等于或少于基底110的整个厚度的40％。由激光加工的图案130的厚度来确保荫罩的孔的规格和形状的稳定性。
因此，如图8中所示，根据需要，可以在与湿法刻蚀方向相同的方向(基底的上表面->基底的上表面)形成激光加工的图案，或者可替选地，如图9中所示，可以在与湿法刻蚀方向相反的方向(基底的上表面->基底的下表面)形成激光刻蚀的图案。
本发明公开了如图10至图15以及图16至图22中所示的激光加工的各种修改，特别是，公开了以从湿法刻蚀的表面方向逐渐地减小激光加工的图案130的内直径而形成锥形的激光加工的图案130的适当方法。
当根据本发明的实施例通过激光加工形成激光加工的图案130时，在基底110的上表面上方形成具有对应于荫罩的掩模图案的掩模图案的掩膜部件，并且将激光束L从该掩膜部件的上方照射。
图10是用于说明多个掩膜部件230a、230b和230c的视图并且示出了根据本发明的第一实施例通过激光加工形成激光加工的图案130的方法。
提供了多个掩膜部件230a、230b和230c，并且在掩膜部件230a、230b和230c上形成了具有不同宽度的相应的掩模图案。在掩膜部件230a、230b和230c上方照射激光束L的过程包括从掩膜部件230a、230b和230c中的每一个上方照射激光束L，使得激光束L被多次照射。当多次执行激光束L照射时，随着激光束L的照射进行到最后照射而从具有较窄宽度孔的掩模图案的掩膜部件230a、230b和230c上方顺次照射激光束L。
换言之，针对根据第一实施例的制造荫罩的方法的荫罩的掩模图案具有在纵向方向上穿透掩膜部件230a、230b和230c的孔形状。换言之，在第一实施例中，通过将激光束L穿透多个掩膜部件230a、230b和230c(具有激光束L分别穿透其的不同尺寸的孔231a、231b和231c)来加工基底110。因此，获得了具有激光加工的带有斜坡孔(sloped aperture)的荫罩。
首先，参照图11，描述了多个掩膜部件230a、230b和230c。例如，提供了三个掩膜部件230a、230b和230c。在下文中，将掩膜部件230a、230b和230c描述为第一掩膜部件230a、第二掩膜部件230b和第三掩膜部件230c。
在这里，当照射激光束L时首先使用第一掩膜部件230a，并且其具有为三个掩膜部件230a、230b和230c之中最大的孔区域(在下文中，第一孔231a)。接着第一掩膜部件230使用第二掩膜部件230b，并且其具有小于第一掩膜部件230a的第一孔231a的孔区域(在下文中，第二孔231b)。
此外，最后使用第三掩膜部件230c，并且其具有小于第二掩膜部件230b的第二孔231b的孔区域(在下文中，第三孔231c)。掩膜部件230a、230b和230c的第一至第三孔231a、231b和231c具有同心轴。
而且，第一至第三孔231a、231b和231c的区域小于穿透衍射光学部件的激光束L的区域。在这里，可以将激光束L照射到总是具有相同区域的基底110上面，并且该区域大于第一孔231a。
因此，激光束L的区域大于第一至第三孔231a、231b和231c的区域。因此，穿透衍射光学部件的激光束L中的穿透第一至第三孔231a、231b和231c的激光束L通过穿过变焦透镜部件和投影部件而被照射到基底110上面。朝着第一至第三孔231a、231b和231c的外部区域照射的激光束L被阻挡或遮挡并且不被照射到基底110上面。在这里，在必要情况下，根据要形成在荫罩上的掩模图案的尺寸，通过调整变焦透镜部件的透镜之间的距离来调整激光束L的间隔和图案，并且之后将已调整的激光束L照射到基底110上面。
虽然第一实施例使用三个掩膜部件230a、230b和230c，但是并不限于此。可以使用两个或多于四个掩膜部件。
此外，虽然第一至第三掩膜部件230a、230b和230c是由铬(Cr)基材料制成的，但是并不限于此。多种材料可适用于遮挡或阻挡激光束L的掩膜部件。
在下文中，详细地描述了根据第一实施例的使用由激光加工形成的激光加工的图案130制造荫罩的方法。
首先，将基底110布置在台上。在这里，根据第一实施例的基底110具有平板形状并且由金属(例如，因瓦合金)制成。
然后，激光束L被配置为穿过衍射光学部件、掩膜部件230、变焦透镜部件、投影部件并到达基底110的上表面。在这里，根据荫罩的尺寸和形状来调整变焦透镜部件的透镜之间的距离。接下来，从光束源输出激光束L，并且将激光束L通过穿透第一掩膜部件230a的第一孔231a、变焦透镜部件和投影部件而照射到基底110上面。
在这里，将穿透衍射光学部件并朝着第一掩膜部件230a照射的激光束L的区域形成为宽于第一孔231a的区域，使得通过穿透掩膜部件230而在基底110上实现边缘锐化。因此精细激光图案刻蚀是可行的。将穿透衍射光学部件和第一掩膜部件230a的激光束L中的穿透第一孔231a的激光束L照射到基底110上面，并且通过第一掩膜部件230a阻挡朝着第一孔231a之外的区域照射的激光束L。
换言之，虽然穿过衍射光学部件的激光束L的区域宽于第一孔231a，但是由第一掩膜部件230a(参考图10a)将激光束L的区域调整为对应于第一孔231a的区域。当针对预定的时间将激光束L照射到对应于第一孔231a的基底110上面时，通过诸如破坏组合结构等的反应现象而将其上照射了激光束L的基底110的区域去除到预定的深度。
因此，如图10b中所示，在基底110上形成具有预定深度的凹槽(在下文中，第一凹槽121)。
当通过使用第一掩膜部件230a在基底110上形成第一凹槽121时，将第一掩膜部件230a取走，并且将第二掩膜部件230b布置在基底110的上表面上方。
在这里，将第二掩膜部件230b的位置调整为使得形成在基底110上的第一凹槽121的中心和第二掩膜部件230b的第二孔231b的中心变为同心轴。
接下来，如图10b中所示，当输出激光束L时，激光束L通过穿过第二掩膜部件230b的第二孔231b而被照射到基底110上面。在这里，穿过衍射光学部件并且朝着第二掩膜部件230b照射的激光束L的区域宽于第二孔231b的区域。
因此，穿透衍射光学部件并朝着第二掩膜部件230b照射的激光束L中的穿透第二孔231b的激光束L被照射到基底110上面，并且由第二掩膜部件230b阻挡朝着第二孔231b之外区域照射的激光束L。
换言之，由第二掩膜部件230b将激光束L的区域调整为对应于第二孔231b的区域，并且之后将激光束照射到基底110上面(参照图10b)。将穿透第二孔231b的激光束L照射到第一凹槽121上面，并且其上照射了激光束L的区域小于第一凹槽121的下表面。
当针对预定时间将激光束L照射到第一凹槽121的下表面上面时，通过诸如破坏组合结构等的反应现象而将其上照射了激光束L的基底110的区域去除到预定的深度，因此在第一凹槽121的下表面上形成第二凹槽122，如图10c中所示。
然后，当通过使用第二掩膜部件230b在基底110上面形成第二凹槽122时，将第二掩膜部件230b取走，并且将第三掩膜部件230c布置在衍射光学部件与变焦透镜部件之间。
在这里，通过使用变焦透镜部件和投影部件将第三掩膜部件230c的位置或激光束L的位置调整为使得形成在基底110上的第二凹槽122的中心与第三掩膜部件230c的第三孔231c的中心变为同心轴。然后，当通过操作光束源输出激光束L时，如图10c中所示，将激光束L通过穿过第三掩膜部件230c的第三孔231c、变焦透镜部件和投影部件照射到基底110上面。
在这里，朝着第三掩膜部件230c照射的激光束L的区域宽于第三孔231c。因此，将朝着第三掩膜部件230c照射的激光束L中的穿透第三孔231c的激光束L照射到基底110上面，并且由第三掩膜部件230c阻挡朝着第三孔231c之外的区域照射的激光束L。
换言之，由第三掩膜部件230c将激光束L的区域调整为对应于第三孔231c的区域(参照图10c)。将穿透第三孔231c的激光束L照射到第二凹槽122上面，并且其上照射了激光束L的区域小于第二凹槽122的下表面。
当针对预定的时间将激光束L照射到第二凹槽122的下表面上时，通过诸如破坏组合结构等的反应现象而将其上面照射了激光束L的基底110的区域去除到预定的深度，因此在第二凹槽122的下表面上形成第三凹槽123，并且基底110向下表面敞开，如图10d中所示。
因此，通过使用第三掩膜部件230c的激光加工而在第二凹槽122的下表面上形成第三凹槽123。最后，如图10d中所示，在基底110上形成在纵向方向上穿透基底110的激光加工的图案130，并且激光加工的图案130具有其中直径或内部直径朝着基底110的下表面逐渐减小的孔形状。
第一至第三掩膜部件230a、230b和230c分别包括多个孔。通过穿过衍射光学部件而被分支的激光束L穿透被映射为一对一的掩膜部件230的掩模图案，并且分支的激光束L在同一时间到达基底110，使得在基底上110上形成多个激光加工的图案130。而且，当基底110的区域是大的时，可以通过使用台面来移动基底110而在基底110的整个区域上形成多个激光加工的图案130来制造荫罩。
图12是根据本发明的第二实施例的顺次示出通过激光加工形成激光加工的图案130的方法的视图。图13是用于对根据第二实施例的方法制造荫罩而提供的掩膜部件进行说明的视图。
根据第二实施例制造荫罩的方法使用相移掩模技术，并且将相移掩模用于掩膜部件240。在本领域中使用相移掩模的刻蚀图案方法是众所周知的，并且该方法通过对透射的光施加相移而使用在透射的光之间的相互干渉。
根据第二实施例的制造荫罩的方法的荫罩的掩模图案使用具有多个相移器241、242和243的掩膜部件240。换言之，根据本发明的第二实施例的掩膜部件240具有以台阶形状布置的多个相移器241、242和243。
在本领域中相移掩模(PSM)是众所周知的，并且可以使用已知的和多种类型的相移掩模中的任何一种。
例如，如图13中所示，将用于第二实施例的掩膜部件240的相移掩模配置为包括具有预定区域的主体，该主体包括激光束L穿透其的相移器241、242和243以及被布置在相移器241、242和243的外部(在这里激光束L被阻挡)的激光阻挡部件244。
换言之，掩膜部件240的主体的部分是包括相移器241、242和243的区域，并且相移器241、242和243的外围区域是在其处激光束L被阻挡的激光阻挡区域。
在这里，以复数形式提供相移器241、242和243，各个相移器彼此具有不同的区域。相移器241、242和243被顺次地布置在主体的高度方向上并且具有台阶形状。根据本发明的第二实施例，多个相移器241、242和243具有通过加工主体而形成的凹槽。
换言之，根据第二实施例的掩膜部件240包括：具有带有第一区域的凹槽形状并且从主体的上表面形成的具有第一深度A1的第一相移器241；具有带有小于第一相移器241的区域(第一区域)的第二区域的凹槽形状并且从主体的上表面上形成的具有深于第一深度A1的第二深度A2的第二相移器242；具有带有小于第二相移器242的区域(第二区域)的第三区域的凹槽形状并且从主体的上表面上形成的具有深于第二深度A2的第三深度A3的第三相移器243；以及被布置在主体的水平方向的区域上的第一相移器241的外部的激光阻挡部件244。
将第一相移器241、第二相移器242和第三相移器243的相位偏移约例如60度、120度和180度。因此，从掩膜部件240的上方照射的激光束L的相位通过穿透第一至第三相移器241、242和243而被逐渐地偏移或反转。
换言之，在第一相移器241与第二相移器242之间的边界上以及在第二相移器242与第三相移器243之间的边界上，激光束L的相位被连续地偏移。
在这里，由第一相移器241、第二相移器242和第三相移器243之间的相位差(例如，60度、120度和180度)发生激光束L的强度变化和相移。从技术上来说，如图12b中所示，激光束L以级联分散或形状照射。然而，由于分辨率的限制，激光束L实际上并不是以级联形状照射，并且被照射为具有如图12c中所示的斜坡。
可以通过刻蚀主体而获得以上描述的具有第一至第三相移器241、242和243的掩膜部件240。
此外，主体可以由激光束L穿透其的石英制成，由石英制成的主体可以包括第一至第三相移器241、242和243。激光阻挡部件244可以被包括在主体的内部且是阻挡激光束L的膜、薄膜或块体。当然，激光阻挡部件244也可以不被包括在主体内部，而可以被布置在主体的上表面中或第一相移器241的外部中。
在上面，尽管通过将主体本身加工成具有具有第一至第三相移器241、242和243的凹槽形状而获得第二实施例的掩膜部件240，但是并不限于此。可以在主体的上表面上形成其中激光束L的相位被偏移的薄膜。在这里，形成在主体的上表面上的薄膜的相移器被形成为具有在主体的高度方向上的级联形状台阶。
在下文中，参照图12，公开了根据本发明的第二实施例由激光加工形成激光加工的图案130的方法。
首先，将基底110布置在台面上。将第二实施例的掩膜部件240布置在衍射光学部件与变焦透镜部件之间。然后，通过操作光束源使激光束L输出并朝着掩膜部件240照射。
在这里，所照射的激光束L中的朝向第一至第三相移器241、242和243的激光束L穿透变焦透镜部件和投影部件并且被照射到基底110上面。朝向激光阻挡部件244的激光束L不被照射到基底110上面并且被激光阻挡部件244阻挡。从掩膜部件240上方照射并穿透第一至第三相移器241、242和243的激光束L的相位被逐渐地且连续地偏移。因此，如图12b中所示，获得了其中内直径或宽度朝着基底110的下表面逐渐地减小的激光加工的图案130。
图14是顺次地示出根据本发明的第三实施例由激光加工形成激光加工的图案130的方法的视图。图15是用于对根据第三实施例的方法制造荫罩而提供的掩膜部件进行说明的视图。
如图中所示，根据第三实施例制造荫罩的方法使用狭缝掩膜部件，并且该狭缝掩膜部件被用于制造荫罩。如图15a和图15b中所示，狭缝掩模包括激光束L穿透其的主体251，并且阻挡激光束L的多个激光阻挡部件252a、252b和252c被形成在主体251的上表面上或内部。通过形成具有不同宽度的多个激光阻挡部件252a、252b和252c来调整照射到基底110上面的激光束L的强度。
根据本发明的实施例，为了制造具有其中内直径朝着基底110的下表面逐渐减小的梯形或四角锥形状的荫罩，将根据第三实施例的掩膜部件250配置为使得多个激光阻挡部件252a、252b和252c被彼此间隔开地形成在主体上，并且在激光阻挡部件252a、252b和252c之间所限定的空间是其中激光束L经由其透射的区域。如图15a和图15b中所示，将多个激光阻挡部件252a、252b和252c配置为使得激光阻挡部件252a、252b和252c的宽度在从主体的外部至中心的方向上变得较窄。
换言之，将掩膜部件250配置为使得在一个激光阻挡部件(252a、252b和252c中的一个)与另一个激光阻挡部件(252a、252b和252c中的一个)之间的激光透射部件的宽度在从主体的外部至中心的方向上变得较窄。
当将激光束L从此类掩膜部件250的上方照射时，在对应于具有相对较宽宽度的激光透射部件的部分处的照射到基底110上的激光束L的强度高于在对应于具有相对较窄宽度的激光透射部件的部分处照射到基底110上的激光束L的强度。根据第三实施例，激光透射部件的宽度在从主体的外部至中心的方向上变得较宽，激光束的强度在从主体的外部至中心的方向上变得较高。
在下文中，参照图14，公开了根据本发明的第三实施例由激光加工形成激光加工的图案130的方法。
首先，将基底110布置在台面上。将第三实施例的掩膜部件250布置在衍射光学部件与变焦透镜部件之间。然后，通过操作光束源使激光束L输出并朝着掩膜部件250照射。
在这里，所照射的激光束L中的朝向第一至第三激光透射区域253a、253b和253c的激光束L穿透变焦透镜部件和投影部件并且被照射到基底110上面。朝向掩膜部件250的激光阻挡部件252a的激光束L不被照射到基底110上面并且被激光阻挡部件252a阻挡。
在这里，穿透第二激光透射区域253b(被定位在比第一激光透射区域253a朝着主体251的中心更远的内部并被照射到基底110上面)的激光束L的强度高于穿过第一激光透射区域253a(被定位在主体251的外部边界并被照射到基底110上面)的激光束L的强度。穿透第三激光透射区域253c(被定位在比第二激光透射区域253b朝着主体251的中心更远的内部并被照射到基底110上面)的激光束L的强度高于穿过第二激光透射区域253b的激光束L的强度。
根据针对每个激光透射区域的激光束L的强度变化，如图14b中所示，获得了具有朝着基底110的下表面逐渐减小的内直径或宽度的掩模图案。
根据本发明的第四实施例，通过由光刻工艺形成的光刻胶而在基底的上表面上方形成掩膜部件的掩模图案，其中，当从掩膜部件上方照射激光束L时，激光束L被照射到掩膜部件的掩模图案的光刻胶被去除的区域上面。
根据环境，在基底的上表面上形成光刻胶，并且可以在其中光刻胶没有被显影工艺(development process)去除的基底上执行激光加工。在这里，将激光束照射到光刻胶上面，而不是基底上面。因此，在同一时间对光刻胶和基底进行加工。
因此，根据本发明的第一至第四实施例制造荫罩的方法通过将激光束照射到基底110上面而在基底110上形成激光加工的图案130。然后，通过湿法刻蚀形成湿法刻蚀的图案120，使得激光加工的图案130的表面变得光滑。因此，提供了具有改进质量的金属荫罩。
根据本发明的另一实施例形成激光加工的图案的方法包括：在基底上设置单元加工区域的第一步；沿着从单元激光加工区域的第一边界向第二边界的第一扫描路径移动激光束的同时执行激光加工以在单元加工区域内形成激光加工的图案的一部分的第二步；将激光束转到下一个方向、将激光束移动一个步距并在沿着第二扫描路径移动激光束的同时执行激光加工以在单元加工区域内形成激光加工的图案的另一部分的第三步；以及在沿着第n扫描路径移动激光束的同时重复第二步和第三步直到完成激光加工的第四步，从而在单元加工区域的整个区域上完成激光加工。
激光加工的图案被形成为从湿法刻蚀的图案延续，并且本发明的单元加工区域是指其中通过一次设置激光加工装置而形成激光加工的图案的区域。可替选地，用户可以通过在基底上随机地指定一个特定区域来设置单元加工区域。此类单元加工区域可以包括一个或多个激光加工的图案。考虑到加工速度而优选将单元加工区域设置为大的。
可以一次或多次设置此类单元加工区域。从湿法刻蚀的图案延续的激光加工的图案在单元加工区域被完全加工时完成。
同时，如图16中所示，在根据本发明的形成从湿法刻蚀的图案延续的激光加工的图案的方法中，首先，在其上形成有湿法刻蚀的图案的基底上设置单元加工区域(第一步)。
单元加工区域可以包括一个或多个激光加工的图案，并且在基底上被设置为虚拟区域。
详细地，单元加工区域的长度是指其中激光束能够沿着一个扫描路径移动而不用调转其方向的长度。单元加工区域的宽度一般被设置为稍后将描述的其中激光束调转其方向的步距。
当设置此类单元加工区域时，通过设置其中将激光加工的图案的整个区域包括在其内的单元加工区域而对单元加工区域进行整个地加工而不用对单元加工区域进行划分并加工若干次。由通过使用常规扫描装置将加工对象的整个区域划分并加工成若干数目而导致的拼接问题可以被消除。
此外，可以在通过将单元加工区域设置为与大尺寸的基底相同来加工大尺寸的基底时消除拼接效应。
然后，激光束沿着从单元加工区域的第一边界到单元加工区域的第二边界的第一扫描路径移动，并且激光束对单元加工区域内所包括的激光加工图案的一部分进行加工(第二步)。
换言之，第一扫描路径被设置为从单元加工区域的一个边界到单元加工区域的另一边界，并且激光束在沿着第一扫描路径移动的同时对单元加工区域内所包括的激光加工图案中的一部分或整体进行加工。
当激光束通过沿着第一扫描路径移动而到达单元加工区域的另一边界时，然后激光束将其方向转到下一步，移动一个步距并且在沿着第二扫描路径移动的同时对激光加工的图案中的另一部分进行加工(第三步)。
换言之，当激光束到达单元加工区域的另一边界时，激光束被关闭，转到下一步，并且移动一个步距。然后，设置第二扫描路径，并且在这里将激光束开启。
步距是指相邻扫描路径之间的距离，例如第一扫描路径与第二扫描路径之间的距离，并且是指从沿着第一扫描路径移动的激光束的中心到沿着第二扫描路径移动的激光束的中心的距离。
在这里，如图10中所示，第一扫描路径和第二扫描路径可以被设置为具有相同方向，可替选地，可以被设置为具有相反的方向。换言之，激光束可以被设置为以相反方向移动。换言之，第n-1扫描路径和第n扫描路径可以被设置为使得激光束以彼此相同或相反的方向移动。然而，其并不限于此，并且可以将多个扫描路径设置为特定方向、或为与该特定方向相反的方向或者为所述两种的组合。
此外，其中激光束将其方向从第一扫描路径转到第二扫描路径的步距被设置为等于或小于第一扫描路径的激光束的尺寸，使得均匀的图案刻蚀被加工。换言之，其中激光束将其方向从第n-1扫描路径转到第n扫描路径的步距等于或小于第n-1扫描路径的激光束的尺寸。
此外，可以根据激光加工的图案的形状将第n-1扫描节距和第n扫描节距设置为彼此不同。在这里，扫描节距遵循公式：扫描节距＝v/f(v：激光束与由操作部分操作的基底的相对速度，f：施加到基底的激光束源的脉冲频率)。扫描节距是指连贯的激光束之间的距离并且通过考虑激光束与基底的相对速度和激光束源的脉冲频率来确定。
此类扫描节距被用于参考以设置稍后将描述的激光束的重叠率(overlap rate)，并且当扫描节距变得较窄时，重叠率增大。重叠率对设置激光加工的图案的加工深度具有影响。
接下来，在将激光束沿着第n扫描路径移动的同时重复第一步和第二步直至完成激光加工，从而完成对单元加工区域的整个区域上的激光加工(第四步)。
如图16中所示，激光束在沿着第一扫描路径移动的同时从单元加工区域的第一边界对第一扫描路径内的激光加工的图案的一部分进行加工。当激光束到达单元加工区域的第二边界时，激光束将其方向转到下一步，移动一个步距，在沿着第二扫描路径移动的同时对激光加工的图案的另一部分进行加工并到达返回至单元加工区域的第一边界。重复上述过程直至设置第n扫描路径，并且之后激光束在沿着第n扫描路径移动的同时对激光加工的图案进行加工并到达单元加工区域的边界中的一个，从而激光束在单元加工区域的整个区域上完成激光加工。
因此，在激光加工期间出现的激光束的方向调转的数目被显著地减小(通过沿着扫描路径移动来加工->转向下一步并移动)。通过重复执行简单的加工过程而对激光加工的图案进行加工。因此，激光加工的图案的生产力得到了提升。
因此，本发明公开了通过使用激光束在基底上形成从湿法刻蚀的图案延续的激光加工的图案的方法。在基底上设置单元加工区域，并且通过将其中激光束沿着扫描路径移动的扫描路径设置到单元加工区域上的特定扫描节距距离而在单元加工区域中的每一个上执行激光加工。相应地，避免了热能量累积，因此基底得到了保护并且可以在基底上形成精细图案。
此外，在加工区域内包括的激光加工的图案包括多个扫描路径。因此，为了完成激光加工的图案的激光加工，在激光加工的图案内的整个扫描路径上执行激光加工。因此，在形成激光加工的图案的同时通过间歇地加工并给予激光加工停顿时间而避免了在基底上的热能量累积，因此基底得到了保护并且在基底上形成精细图案。
同时，当激光束沿着扫描路径移动时，可以为每个扫描路径设置加工深度。换言之，可以将第一扫描路径的加工深度设置为特定值，可以将第二扫描路径的加工深度设置为其他特定值，并且可以将第n扫描路径的加工深度设置为另一特定值或为与大部分位于加工区域的中心的扫描路径对称的值。可以根据激光加工的图案的形状对加工深度进行各种设置，并且可以通过控制激光束的累积的能量分布来实现设置此类加工深度。
首先，为了设置加工深度，由沿着扫描路径移动的激光束的重叠率来控制加工深度[重叠率＝{(激光束的尺寸-扫描节距)/激光束的尺寸}×100，扫描节距＝v/f，v：激光束与由操作部件操作的基底的相对速度，f：施加到基底的激光束源的脉冲频率]。
根据激光束的重叠率的加工深度可以通过固定激光束源的脉冲频率值并改变用于每个扫描路径的激光束的相对速度来设置，或者可以通过固定激光束的相对速度并改变用于每个扫描路径的脉冲频率值来设置。
换言之，可以通过根据激光束的尺寸控制扫描节距来设置激光束的重叠率。根据公式：扫描节距＝v/f，通过调整激光束的相对速度和脉冲频率的值来控制用于每个扫描路径的激光束的重叠率的程度。通过控制重叠率的程度来设置加工深度，因此设置越深的加工深度，则设置越大的激光束的重叠率。
图17是由激光束的重叠率的程度控制加工深度的示意图，并且示出了通过控制用于每一个扫描路径的激光束的重叠率来形成具有一定深度的激光加工的图案的方法。
第二，可以通过控制扫描路径的重叠数目来设置加工深度。换言之，可以根据同一扫描路径内的激光束的移动的数目来控制累积的能量分布而设置激光加工的图案的加工深度。
详细地，用于每个扫描路径的激光束的相对速度和脉冲频率值是固定的(换言之，扫描节距是固定的)，并且通过选择性地设置单元加工区域内的扫描路径的重叠数目来设置加工深度。
图18是由扫描路径的重叠数目来控制加工深度的示意图，通过对用于每个扫描路径的激光束的重叠数目进行控制来形成激光加工的图案。
第三，可以通过为每个扫描路径设置激光束的强度、通过为同一扫描路径内的激光束源的每个脉冲设置激光束的强度、或者通过设置该两种的组合来设置激光加工深度。换言之，可以通过根据同一扫描路径内的激光束的能量强度的调整来控制激光束的累积的能量分布而对激光加工的图案的加工深度进行设置。
详细地，用于每个扫描路径的激光束的相对速度和脉冲频率值是固定的(换言之，扫描节距是固定的)，并且在激光束沿着每个扫描路径移动的同时改变用于每个脉冲的激光束源的能量强度，或者改变用于每个扫描路径的激光束源的能量强度。
图19是通过在激光束沿着每个扫描路径移动的同时改变用于每个脉冲的激光束源的能量强度来控制加工深度的示意图。通过根据每个扫描路径来控制激光束源的能量强度而形成具有一定深度的激光加工的图案。
为了设置加工深度，可以由在沿着扫描路径移动时激光束的重叠率、扫描路径的重叠数目以及在沿着扫描路径移动时激光束的能量强度中的任何一个、或者两个或更多个的组合来确定加工深度。
同时，可以通过设置第一至第n扫描路径(第一方向)和第一至第m扫描路径(第二方向)而形成激光加工的图案，第二方向与第一方向垂直)。
为了形成此类激光加工的图案，可以通过根据激光束的强度的序列由扫描路径来设置累积的能量分布而形成锥形的激光加工的图案。换言之，虽然以互相垂直的两个方向设置扫描路径，但根据激光束的强度的序列通过扫描路径来设置累积的能量分布，使得形成锥形的激光加工的图案的加工深度得以实现。
详细地，如图20中所示，第一方向的第一扫描路径、第一方向的第n扫描路径、第二方向的第一扫描路径以及第二方向的第m扫描路径的加工深度被设置为是相同的。通过使用相同的方法来设置用于其他扫描路径的加工深度。
例如，第一方向的第二扫描路径(＝第一方向的第n-1扫描路径＝第二方向的第二扫描路径＝第二方向的第m-1扫描路径)的加工深度等于或大于第一方向的第一扫描路径(＝第一方向的第n扫描路径＝第二方向的第一扫描路径＝第二方向的第m扫描路径)的加工深度。通过使用相同的方法来设置用于其他扫描路径的加工深度。
此外，在形成另一锥形激光加工的图案的方法中，在单元加工区域内的激光加工的图案区域上设置多个能量区域。可以通过根据激光束的强度的序列由能量区域设置累积的能量分布而对锥形的激光加工的图案设置加工深度。
详细地，分配给第二能量区域的累积的能量分布等于或大于分配给第一能量区域的累积的能量分布，并且根据激光束的强度的序列由能量区域来设置累积的能量分布。
通过设置扫描路径的重叠数目或者通过设置沿着扫描路径移动的激光束的强度来执行由能量区域设置累积的能量分布。
图21是示出由扫描路径的重叠数目来控制能量区域的累积的能量分布的视图。尽管激光束的相对速度和激光束的脉冲频率和强度的值是固定的，但针对不被包括在第一能量区域与第二能量区域之间的交叉区域中的第一能量区域中的区域设置扫描路径的特定重叠数目。
不被包括在第二能量区域与第三能量区域之间的交叉区域中的第二能量区域的扫描路径的重叠数目被设置为等于或大于扫描路径的特定重叠数目。通过由使用相同的方法来控制其余能量区域的累积的能量分布而形成锤形的激光加工的图案。
图22示出了其中由沿着扫描路径移动的激光束源的每个脉冲的能量强度变化来控制每个能量区域的累积的能量分布的视图。每个能量区域的能量脉冲的强度被设置为相同的值。换言之，对第一扫描路径和第n扫描路径设置相同的脉冲能量波。
如图22中所示，相比于第一扫描路径(＝第n扫描路径)的脉冲能量波，第二扫描路径(＝第n-1扫描路径)的脉冲能量波的每个脉冲的能量强度由能量区域分别确定。
在这里，可以通过设置扫描路径的重叠数目的序列或者通过设置沿着扫描路径移动的激光束源的脉冲强度的序列来设置根据激光束的强度的序列经由能量区域的累积的能量分布。
因此，本实施例公开了通过为扫描路径设置加工深度而简单地形成激光加工的图案并且通过控制特定扫描路径或能量区域的总的累积的能量分布而容易地形成锥形的激光加工的图案的方法。
此外，优选形成高达基底的整个厚度的50％至95％的湿法刻蚀的图案并且优选形成至厚度的剩余5％至50％的激光加工的图案。因此，解决了常规激光加工方法的生产力下降问题。通过考虑湿法刻蚀和激光加工的性能和生产力来确定针对湿法刻蚀和激光加工的厚度调整。
此外，由激光加工形成的激光加工的图案具有其背面上的毛刺，毛刺从背面突出至等于或少于1μm的高度，使得在沉积有机材料时的玻璃损伤可以被最小化。由于通过实现湿法刻蚀和激光加工两者用低能量来制造荫罩，所以毛刺被最小化。
此外，当激光加工的图案是其中内直径从激光加工的表面减小的锥形时，优选形成被设置为从30度到90度范围的锥角。
在常规湿法刻蚀中，由于湿法刻蚀的各向同性特征而不可能实现以特定角度的锥角。然而，当在执行湿法刻蚀的图案之后执行激光加工时，然后可以通过调整针对每个区域的激光束的强度来实现将大于0度并等于或少于90度的孔的锥角(图23中的a)。
然而，考虑到金属掩模的孔的物理硬度和沉积有机材料时的屏蔽效应，可以根据金属材料的厚度、孔图案的布置形状和尺寸来改变孔的锥角A。优选锥角A从30度变化至90度。
换言之，通过使用本发明的混合加工，可以在确保适用于工业场所的足够生产力的同时实现具有锥角的金属掩模，并且以确保加工之后的金属掩模的表面的质量。
此外，如图5中所示，通过执行湿法刻蚀所实现的孔形状在俯视图中具有倒圆的边(湿法刻蚀的图案的湿法刻蚀的表面)并且在横截面图中具有碗形状。当使用本发明的混合加工时，在由湿法刻蚀形成湿法刻蚀的图案之后由激光加工执行激光加工的图案，并且对激光加工和湿法刻蚀的加工的量进行适当地调整，并且因此可以对湿法刻蚀的图案的表面的曲率R的半径和碗形状的深度d进行调整。
例如，当湿法刻蚀的量被设置为是大的且激光加工的量被设置为是小的时，由于激光加工的量是小的所以可以减小激光加工的加工时间，然而，湿法刻蚀的图案的表面的曲率R的半径被增大并且碗形状的深度d被加深(d被增大)。可替选地，当湿法刻蚀的量被设置为是小的且激光加工的量被设置为是大的时，激光加工的加工时间可以相对地增加，然而湿法刻蚀的图案的表面的曲率R的半径和碗形状的深度d被减小，因此锥结构的线性度得到增加。
根据本发明的制造荫罩的方法执行湿法刻蚀以在形成湿法刻蚀的图案的同时形成荫罩的孔，并且通过将激光束连续地照射到湿法刻蚀的图案上面来执行激光加工以形成激光加工的图案。通过湿法刻蚀形成荫罩的近似形状。
要通过激光加工而被额外去除的金属材料的量是非常小的。相应地，要施加到金属材料的激光脉冲的数目被减小并且常规方法(通过使用激光而激光加工整个金属掩模的方法)的热累积效应也被显著地减小。因此，存在提供具有高质量的荫罩的效果。
相应地，本发明的制造荫罩的方法使用湿法刻蚀和激光加工两者以解决常规激光加工的生产力下降，并且通过湿法刻蚀提供荫罩的高质量。
此外，通过使用包括湿法刻蚀和激光加工的混合加工解决了由湿法刻蚀的各向同性特征引起的底切问题。相应地，防止了沉积在衬底上的电致发光材料的逐渐沉积，沉积的电致发光材料的边界部分变得清晰，并且因此提升了显示器件的性能。
而且，通过使用包括湿法刻蚀和激光加工的混合加工，用于形成掩模图案的形状的因数不局限于其限制，并且因此本发明的荫罩被用于实现具有QHD(大概500ppi)或UDH(大概800ppi)的分辨率的显示器件。

Claims (10)

1.一种制造荫罩的方法，其中，混合加工被用于在所述荫罩上形成掩模图案，所述方法包括：
通过从基底上方执行湿法刻蚀而形成湿法刻蚀的图案；
通过从其上形成有所述湿法刻蚀的图案的基底的上方或从其上形成有所述湿法刻蚀的图案的基底的下方执行激光加工而形成从所述湿法刻蚀的图案延续的激光加工的图案，
其中，在形成所述激光加工的图案时，在基底的上表面上方形成具有对应于荫罩的掩模图案的掩模图案的掩模部件，并且从所述掩模部件上方并穿过所述掩模部件照射激光束；
所述掩模部件是相移掩模(PSM)，所述相移掩模具有多个掩模图案，所述多个掩模图案具有不同宽度并且能够以不同角来偏移激光束的相位，
其中，当从所述掩模部件上方照射激光束时，
将激光束从所述相移掩模(PSM)上方照射到基底上面以穿透使激光束的相位偏移的掩模图案。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，由激光加工形成的激光加工的图案具有在从激光加工的表面方向上逐渐减小的内直径。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成湿法刻蚀的图案包括：
在基底的上表面上形成光刻胶图案以形成湿法刻蚀的图案，并且在基底上沿着光刻胶被去除的区域执行湿法刻蚀。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述激光加工的图案时，在与湿法刻蚀方向相同或相反的方向执行激光加工。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，在与所述湿法刻蚀方向相同或相反的方向形成由激光加工形成的激光加工的图案以从所述湿法刻蚀的图案延续。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过湿法刻蚀至多达基底的整个厚度的50％至95％而形成所述湿法刻蚀的图案，并且通过激光加工至基底的剩余厚度而形成所述激光加工的图案。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，当通过在从激光加工的表面方向上逐渐减小所述激光加工的图案的内直径而使其为锥形时，所述激光加工的图案的锥角被设置为从30度至90度的范围。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，由激光加工形成的激光加工的图案在其背面上具有毛刺，所述毛刺从背面突出至等于或小于1μm的高度。
9.一种制造荫罩的方法，其中，混合加工被用于在所述荫罩上形成掩模图案，所述方法包括：
通过从基底上方执行湿法刻蚀而形成湿法刻蚀的图案；
通过从其上形成有所述湿法刻蚀的图案的基底的上方或从其上形成有所述湿法刻蚀的图案的基底的下方执行激光加工而形成从所述湿法刻蚀的图案延续的激光加工的图案，
其中，在形成所述激光加工的图案时，在基底的上表面上方形成具有对应于荫罩的掩模图案的掩模图案的掩模部件，并且从所述掩模部件上方并穿过所述掩模部件照射激光束；
其中，所述掩模部件包括激光束穿透其的主体和形成在所述主体的上表面上的狭缝形状的掩模图案，所述掩模图案包括在所述主体的宽度方向上彼此间隔开的多个激光阻挡部件和为在所述激光阻挡部件之间限定的空间且激光束经由其透射的多个激光透射部件，
其中，所述狭缝形状的掩模图案被配置为使得所述激光阻挡部件的宽度在从所述主体的外部至中心的方向上变得较窄，并且所述激光透射部件的宽度在从所述主体的外部至中心的方向上变得较宽，
其中，当从所述掩模部件上方照射激光束时，
从所述掩模部件的所述狭缝形状的掩模图案上方照射激光束，使得在对应于具有相对较宽宽度的激光透射部件的部分处照射到基底上面的激光束的强度高于在对应于具有相对较窄宽度的激光透射部件的部分处照射到基底上面的激光束的强度。
10.一种根据权利要求1至9中的任何一项所述的方法制造的荫罩。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10991582B2 (en) * 2016-12-21 2021-04-27 Canon Kabushiki Kaisha Template for imprint lithography including a recession, an apparatus of using the template, and a method of fabricating an article
KR20190055295A (ko) * 2017-11-14 2019-05-23 삼성디스플레이 주식회사 마스크 제조 장치 및 마스크 제조 방법
JP7123652B2 (ja) * 2018-06-20 2022-08-23 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN110857461A (zh) * 2018-08-22 2020-03-03 鋆洤科技股份有限公司 精细金属掩模的制法及其制造系统
US11805678B2 (en) 2019-11-21 2023-10-31 Samsung Display Co., Ltd. Display device, mask assembly, method of manufacturing the mask assembly, apparatus for manufacturing the display device, and method of manufacturing the display device
CN111364002B (zh) * 2020-04-08 2022-05-24 山东奥莱电子科技有限公司 一种适用于高ppi的精细金属掩膜板制作方法
CN113549870A (zh) * 2020-04-23 2021-10-26 旭晖应用材料股份有限公司 金属掩膜
KR20220007800A (ko) 2020-07-10 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 이를 포함하는 증착 설비
CN112091431B (zh) * 2020-09-01 2022-03-08 北京航空航天大学 面向大尺寸超薄掩膜版的一种高精高效激光抛光方法
KR20220041294A (ko) * 2020-09-24 2022-04-01 삼성디스플레이 주식회사 증착 마스크, 이의 제조 방법, 및 표시 패널 제조 방법
CN113042922B (zh) * 2021-05-17 2023-01-13 深圳市艾雷激光科技有限公司 一种激光焊的方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06179088A (ja) 1992-12-10 1994-06-28 Shinko Electric Ind Co Ltd 金属板の加工方法およびリードフレームの製造方法
JP3024641B1 (ja) * 1998-10-23 2000-03-21 日本電気株式会社 シャドウマスク及びその製造方法並びにシャドウマスクを用いた有機ｅｌディスプレイの製造方法
JP2002090977A (ja) * 2000-09-12 2002-03-27 Hoya Corp 位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランク、並びにそれらの製造装置及び製造方法
CN100400215C (zh) * 2000-10-26 2008-07-09 埃克赛尔技术有限公司 激光加工的控制方法
JP4092914B2 (ja) * 2001-01-26 2008-05-28 セイコーエプソン株式会社 マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
US6627844B2 (en) * 2001-11-30 2003-09-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of laser milling
JP2003334674A (ja) * 2002-03-13 2003-11-25 Sony Corp レーザ加工方法
JP4522660B2 (ja) * 2003-03-14 2010-08-11 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板の製造方法
KR101023396B1 (ko) * 2004-02-23 2011-03-18 사천홍시현시기건유한공사 유기 전계발광 소자용 쉐도우 마스크 제조방법
KR101577221B1 (ko) 2008-12-23 2015-12-14 엘지디스플레이 주식회사 새도우 마스크의 제조 방법
JP5935629B2 (ja) * 2012-04-23 2016-06-15 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法
JP5534093B1 (ja) * 2013-01-11 2014-06-25 大日本印刷株式会社 メタルマスクおよびメタルマスクの製造方法
KR20140105239A (ko) * 2013-02-22 2014-09-01 삼성디스플레이 주식회사 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법 및 마스크 제조 장치
JP6229344B2 (ja) * 2013-07-22 2017-11-15 大日本印刷株式会社 メタルマスクの製造方法
KR102134363B1 (ko) * 2013-09-10 2020-07-16 삼성디스플레이 주식회사 메탈 마스크 제작 방법 및 이를 이용한 메탈 마스크
JP6357312B2 (ja) * 2013-12-20 2018-07-11 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク

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