JP6660459B2 - 複合加工方法を用いたシャドウマスクの製造方法及びこれにより製造されたシャドウマスク - Google Patents
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Description
1.レジストコーティング(Resist coated):メタルフィルム(1)の両面にフォトレジスト(2)をコーティングする。
2.パターンコーティング(Pattern coated):ガラスマスク(又は石英(Quartz)マスク)(3)のパターンを用いてフォトレジスト(2)に選択的に露光を実行する。
3.現像(Developed):フォトレジスト(2)上に前記ガラスマスク(又は石英マスク)(3)のパターンが転写されると、その後、これを形成するために使用されたガラスマスク(3)を除去し、現像工程(development)を用いて選択的にフォトレジストを除去する。
4.第1エッチング(1st etched):その後、パターンが形成されたフォトレジストの上面にウェットエッチング(wet etching)工程を用いて、フォトレジストの除去された部分(フォトレジスト開口部)にエッチング液によってメタルフィルムの一部を除去する。
5.充填(Filled):ウェットエッチングによってメタルフィルムの一部が除去された上面にアンチエッチングパッキング(anti−etching packing)材料を充填する。前記アンチエッチングパッキング(anti−etching packing)材料の充填は、下面に対するエッチングを実行する際に、第1エッチングによって形成されたメタルフィルムの上面の形状を保存するためである。
6.第2エッチング(2nd etched):メタルフィルム1の下面に対するエッチングを実行する。
7.除去(Removed):アンチエッチングパッキング(anti−etching packing)材料及びフォトレジストを除去すると、最終的にメタルシャドウマスクが製造される。
1.マスクホールの形状に対応して設けられた第1閉曲線に沿ってレーザービームを移送させながら基板にレーザービームを照射する第1照射段階と、
2.前記第1閉曲線の内部に配置され、前記第1閉曲線よりも内部面積が小さい第2閉曲線に沿ってレーザービームを移送させながら基板にレーザービームを照射する第2照射段階とを含み、レーザーを用いてマスクを製造するのである。また、
3.基板上でマスクホールが形成された位置に、第1エネルギーを持つレーザービームを照射する第1照射段階と、前記第1エネルギーよりも小さい第2エネルギーを持つレーザービームを、前記第1照射段階でレーザービームが照射された同一の位置に照射する第2照射段階とを含んでなるのである。
Claims (9)
- マスクパターンが形成されたシャドウマスクの製造方法において、
ベースの上側でウェットエッチングを実行してウェットエッチングパターンを形成するウェットエッチング段階と、
前記ウェットエッチングパターンが形成されたベースの上側でレーザー加工を実行して、前記ウェットエッチングパターンに連続するレーザー加工パターンを形成するレーザー加工段階と、を含み、
前記ベースの上側に、製造しようとするシャドウマスクのマスクパターンに対応するマスキングパターンが設けられたマスキング部を形成して、前記マスキング部の上側からレーザービームを照射し、
前記マスキング部は、前記レーザービームが透過可能なボディと、前記ボディの周りに形成され、前記レーザービームを遮断する遮光膜と、を含み、
前記ボディには、
第1の幅と第1の深さとを有する溝形状の第1の位相シフター、
前記第1の幅よりも小さい第2の幅と、前記第1の深さよりも深い第2の深さと、を有する溝形状であり、前記第1の位相シフターの下部内側に形成される第2の位相シフター、および、
前記第2の幅よりも小さい第3の幅と、前記第2の深さよりも深い第3の深さと、を有する溝形状であり、前記第2の位相シフターの下部内側に形成される第3の位相シフター、が形成され、
前記マスキング部の上側から前記レーザービームを照射する過程において、前記第1〜第3の位相シフターのうち前記レーザービームが通過する位相シフター及び前記ボディの長さを異なるようにすることにより、前記レーザー加工パターンが前記ベースの下側に向かうに従って徐々に幅が狭くなるテーパー形状を有するようにすることを特徴とする、複合加工方法を用いたシャドウマスクの製造方法。 - 前記マスキング部は、
前記ベースの上側に、フォトリソグラフィー工程によるフォトレジストからなるマスキングパターンが形成され、
前記マスキング部の上側からレーザービームを照射する過程は、
前記マスキング部のマスキングパターンにおけるフォトレジストの除去された部位にレーザービームを照射することを特徴とする、請求項1に記載の複合加工方法を用いたシャドウマスクの製造方法。 - 前記レーザー加工によるレーザー加工パターンは、前記ベース上の加工面から内径が狭くなるように形成されることを特徴とする、請求項1に記載の複合加工方法を用いたシャドウマスクの製造方法。
- 前記ウェットエッチング段階は、前記ベースの上側に前記ウェットエッチングパターンの形成のためのフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストの除去された部位に沿って前記ベースのウェットエッチングが行われることを特徴とする、請求項1に記載の複合加工方法を用いたシャドウマスクの製造方法。
- 前記レーザー加工段階は、前記ウェットエッチング方向と同一の方向に実行することを特徴とする、請求項1に記載の複合加工方法を用いたシャドウマスクの製造方法。
- 前記レーザー加工によるレーザー加工パターンは、前記ウェットエッチング方向と同一の方向に加工されて前記ウェットエッチングパターンに連続的に形成されることを特徴とする、請求項5に記載の複合加工方法を用いたシャドウマスクの製造方法。
- 前記ベースの全厚に対して95%から50%の厚さで前記ウェットエッチング段階によるウェットエッチングパターンを形成し、残された残りの厚さで前記レーザー加工段階によるレーザー加工パターンを形成することを特徴とする、請求項1に記載の複合加工方法を用いたシャドウマスクの製造方法。
- 前記レーザー加工パターンが前記ベース上の加工面から内径が狭くなってテーパー状に形成された場合には、テーパー角度を30度から90度の範囲とすることを特徴とする、請求項1に記載の複合加工方法を用いたシャドウマスクの製造方法。
- 前記レーザー加工段階によるレーザー加工パターンの裏面からの突出バリ(Burr)の高さが1μm以下であることを特徴とする、請求項1に記載の複合加工方法を用いたシャドウマスクの製造方法。
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