TWI616262B - 使用雷射圖案成形之蒸鍍光罩的製造裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

一種用以製造根據本發明的蒸鍍光罩之裝置及方法，其包括：一具有對應想要光罩圖案之遮罩圖案的遮罩構件安置在一基體上面；及藉由從上面輻射雷射光束到該遮罩構件及使用通過該遮罩構件的雷射光束加工該基體，以形成對應該遮罩圖案的圖案在該基體上面，其中提供具有不同寬度的複數個遮罩圖案，且一具有小寬度的遮罩圖案係配置靠近該基體，使得從上面輻射到該遮罩構件的雷射光束透該等遮罩圖案循序行進到該基體。此外，可逐步調整圖案周圍的強度，及使用一相移光罩(Phase Shift Mask)與一狹縫光罩(Slit Mask)形成一沉積光罩所需的錐形。

Description

使用雷射圖案成形之蒸鍍光罩的製造裝置及方法
本發明有關一種製造蒸鍍光罩之裝置及方法。更具體係，本發明有關一種供使用雷射圖案成形技術製造蒸鍍光罩之裝置，其容易形成精細圖案且具有簡單製程；及有關一種製造使用雷射圖案成形的精細金屬光罩(Fine Metal Mask)之方法。
隨著用於諸如液晶顯示器(LCD，Liquid Crystal Display)與有機發光裝置(OLED，Organic Light Emitting Device)的平板顯示器的高解析度需求，用於製造平板顯示器的圖案已逐步變成小尺寸。
例如，需要形成紅(R、Red)、綠(G、Green)、與藍(B，Blue)的有機發光層的圖案以製造OLED，且圖案是使用具有對應R、G、B畫素結構的精細圖案的蒸鍍光罩沉積形成，諸如矩形與鑽石菱形。即是，當R、G、B的有機發光材料通過用於沉積的蒸鍍光罩圖案時，材料是採用圖案的形狀沉積，如此可獲得R、G、B的發光材料。
作為沉積的蒸鍍光罩，通常使用諸如殷鋼或不銹鋼的金屬製光罩(FMM，精細金屬光罩)。
此蒸鍍光罩是利用光微影技術(Photolithography)製造。即是，蒸鍍光罩是透過下列製程來製造：一塗佈製程，其係在金屬製的基體頂部上面塗佈光阻(PR)；一預烤製程，其係加熱光阻(PR)；一安置與暴露製程，其係將具有對應於形成在蒸鍍光罩用於沉積的想要圖案之一圖案的光罩安置在塗佈光阻(PR)的基體，然後暴露光罩；一顯影與暴後烤製程；一濕蝕刻製程；及一去除光阻的PR剝離製程。
不過，如前述，為了製造用於具有高解析度(諸如，UHD)的行動裝置的OLED，需要形成精細圖案，如此用於沉積的光罩圖案必須降低到微尺寸。此外，需要防止所謂的遮蔽效應，其中在到達要被圖案成形的位置前，由於陡度製程結構，使得不是均勻施加有機材料(其最好透過45度錐形徑向沉積在處理過的圖案)。
例如，為了製造具有500 ppi或更大高解析度的顯示器，需要30㎛(微米)或更小的精細圖案，如此需要用於針對例如全HD解析度裝置或市場可取得的其他裝置，製造具有30㎛(微米)或更小的精細圖案用於沉積的FMM蒸鍍光罩。不過，由於濕蝕刻的基本問題(等向性蝕刻意指不可能產生銳緣與壁部的蝕刻行為之圓形傳播)，使其不容易經由此製程透過光微影技術形成具有線性錐形的30㎛(微米)或更小的精細圖案。因此，為了解決此問題，需要使薄膜較薄，且在後側前接續第二濕蝕刻。
目前，具有約20㎛(微米)厚度的金屬薄膜是當作一基體使用，不過由於小厚度蒸鍍光罩、與大面積製程期間的光罩垂弧，使得不容易控制及處理此金屬薄膜。
本發明之一目的是要提供一種供使用雷射圖案成形技術製造蒸鍍光罩(或精細金屬光罩)的裝置，藉使該裝置可使用光罩投影與根據想要圖案的尺寸與間隙適當設計的一光學系統，藉由使用有別於先前技術的單雷射製程，直接形成精細圖案在一基體上面以製造蒸鍍光罩。
本發明之另一目的是要提供一種用以製造蒸鍍光罩的方法，其使用的雷射圖案成形能夠容易形成難以使用濕蝕刻實現的20㎛(微米)或更小的精細圖案，該精細圖案具有用於沉積有機材料的蒸鍍光罩需要的線性錐形，使得該方法可簡化製程，且可容易製造使用在行動裝置且需要約10㎛(微米)圖案的UHD解析度AMOLED等等。
本發明之另一目的是要提供一種製造蒸鍍光罩的方法，使其易於隨著精細圖案以工作或控制實際製程，且其可藉由提供針對大面積蒸鍍光罩垂弧的測量來確保製程穩定性以使用厚蒸鍍光罩膜。
為了達成前述目的，根據本發明之一態樣，提供一種供使用雷射圖案成形技術製造具有精細光罩圖案的蒸鍍光罩之設備。該裝置包括：一光束供應單元，用以提供雷射光束；一光束控制單元，用以控制來自該光束供應單元的雷射光束的位置；一繞射光學元件單元，用以將雷射光束分成具有均勻強度的複數個雷射光束；一遮罩構件，其具有對應於光罩圖案的遮罩圖案以分別通過分離的雷射光束，且遮蔽雷射光束的邊緣；一變焦透鏡單元，用以調整通過該遮罩構件的雷射光束的間隙與圖案；及一投影單元，其採用一預定減少率發送通過該變焦透鏡單元的雷射光束到一基體。
來自該光束供應單元的雷射光束可為一脈衝雷射光束，其脈衝寬度介於數十飛秒與高達數百奈秒間供加工金屬。
該光束供應單元可包括：一雷射；及複數個反射鏡，其設置在該雷射的輸出端口周圍，且發送雷射光束到該光束控制單元。 該光束控制單元可包括一光束穩定模組，用以自動補償雷射光束的位置；及一雷射擴束器，用以調整雷射光束的大小，且該光束穩定模組可包括：一感測器，用以感測雷射光束的位置；及複數個反射鏡，其位於一馬達，且自動補償雷射光束的位置。
該繞射光學元件單元可包括：一繞射光學元件，其包含光束成形器與分離器功能；及一聚焦透鏡單元，用以發送分離的雷射光束到聚焦側的遮罩構件，一雷射光束可由繞射光學元件的雷射分束器功能分成一至五百個雷射光束，且分離的雷射光束的間隙可為0.1〜50倍於繞射光學元件形成的圖案尺寸。
該繞射光學元件產生的圖案尺寸是根據基體形成的光罩圖案尺寸而由投影單元於1至50倍光學減小率決定。
該變焦透鏡單元可具有 70%的變焦範圍。
根據本發明的另一態樣，提供一種用以製造使用雷射圖案成形的蒸鍍光罩之方法，該方法包括：一具有對應想要光罩圖案之遮罩圖案的遮罩構件安置到一基體；及藉由從上面輻射雷射光束到遮罩構件，形成對應於遮罩圖案的圖案在基體上面，且使用通過遮罩構件的雷射光束加工基體，其中提供具有不同寬度的複數個遮罩圖案，且具有小寬度的遮罩圖案設置靠近基體，使得從上面輻射到遮罩構件的雷射光束透過遮罩圖案循序行進到基體。
該遮罩圖案可同軸配置。
複數個遮罩構件可設置，且具有個別的遮罩圖案，遮罩圖案可為透過遮罩構件的預定區域垂直形成的孔口，且該等孔口具有不同寬度，且從上面輻射雷射光束到遮罩構件的製程可包括透過遮罩構件數次傳輸雷射光束的製程。
在透過遮罩構件傳輸雷射光束的製程中，當數次傳輸雷射光束的製程繼續到最後製程時，一雷射光束可透過具有窄開放圖案的遮罩構件傳輸。
該遮罩構件可為具有不同寬度的複數個遮罩圖案的相移光罩，且可在不同角度相移雷射光束，且在從上面輻射雷射光束到遮罩構件的製程中，當雷射光束從上面輻射到其為相移光罩的遮罩構件時，一雷射光束可透過能夠相移的遮罩圖案傳輸。
該遮罩構件可為一狹縫光罩，其具有：一本體，用以傳輸雷射光束；複數個光屏蔽層，其在本體的寬度方向是彼此隔開；及複數個傳輸區域，其定義介於光屏蔽層間，且傳輸雷射光束；光屏蔽層可在從外側朝向本體中心的寬度減少；傳輸區域可在從外側的朝向本體中心的寬度增加；及在輻射雷射光束到遮罩構件的製程中，雷射光束可從上面輻射到遮罩構件，其為狹縫光罩，使得在相對寬傳輸區域之下輻射到基體區域的雷射光束之強度係較大於在相對窄傳輸區域之下輻射到基體區域的雷射光束之強度。
內徑向下減小的光罩圖案可藉由透過該遮罩構件傳輸雷射光束而形成在基體上面。
彼此隔開的複數個光罩圖案可藉由水平移動基體而形成在整個基體上面。
該基體可包括金屬。
本發明有關一種雷射裝置，該雷射裝置可藉由在基體上面直接形成精細圖案而沒有經過一系列製程，使用光罩投影與根據想要圖案的尺寸與間隙而適當設計的一光學系統來製造具有精細圖案的蒸鍍光罩。
此外，對於清晰的影像圖案，邊緣銳化是藉由使用遮罩構件進行，使得分別通過遮罩圖案的雷射光束採用一預定減少率行進到在基體上面的圖案，使得可達成精細圖案。
根據製造如本發明之具體實施例的蒸鍍光罩之方法，一蒸鍍光罩是藉由輻射雷射光束使圖案形成在基體上面形成，如此當相較於先前技術使用光微影技術的方法，可簡化製程。因此，相較於在先前技術中製造蒸鍍光罩的方法，可減少製造蒸鍍光罩所使用的時間。
此外，先前技術中使用光微影技術製造蒸鍍光罩的方法需要各種裝置與設備，包括：一塗佈機，用於施加光阻；加熱器，用於軟烤及硬烤；一曝光設備；一顯影單元；一蝕刻單元；及一剝離單元。不過，根據製造本發明的蒸鍍光罩之方法，可使用雷射與光學系統來製造蒸鍍光罩，由於其可輻射雷射光束與光罩投影，如此，相較於先前技術，用於製造蒸鍍光罩的設備較為簡單，因此，可明顯降低維護成本。
此外，從環境的觀點，如在本發明中，透過雷射直接加工，可避免使用及廢除光微影技術所需的有毒化學物質、空氣與水的污染、及對工作人員潛在性影響。
此外，由於需要透過具有稱為等向性蝕刻之限制(幾乎不會形成線性錐形)的光微影技術以形成錐形精細圖案，使得一基體的厚度必須降低到約20㎛(微米)，且其不容易控制或處理此薄蒸鍍光罩。不過，根據本發明，由於不使用光微影技術而是使用雷射光束在基體上面形成圖案，使得可處理較厚的蒸鍍光罩，如此當在基材上面形成薄膜圖案時，很容易控制或處理蒸鍍光罩。此外，可最小或防止發生具有大面積的蒸鍍光罩垂弧。
此外，當雷射與檢流掃描器用於製程理細圖案形成，可簡化形成錐形圖案及解決位置精度的問題。此外，由於能以奈秒或飛秒使用雷射，其藉由輻射雷射光束減少由於隨一基體反應所導致的熱積聚，使得可防止由於熱積累所導致不良的蒸鍍光罩。此外，由於採用繞射光學系統的光輻射裝置，使得可在一基材上面同時形成複數個圖案，如以可提高生產率。
本發明有關一種雷射裝置，其無需透過一系列製程，藉由直接在基體上面形成畫素形圖案，利用根據想要圖案的尺寸與間隙所適當設計的光罩投影光學系統以製造蒸鍍光罩。
此外，本發明有關一種藉由使用雷射在基體上面形成精細光罩圖案以製造蒸鍍光罩之方法，其相較於先前技術的方法，可簡化透過光微影技術的製程。因此，相較於先前技術中製造光罩的方法，其可減少製造蒸鍍光罩所使用的時間。
以下，將參考附圖詳細描述本發明。圖1為根據本發明之具體實施例之方法製造的蒸鍍光罩之平面圖；圖2為圖1所示蒸鍍光罩的剖面圖；圖3為顯示一種用於製造使用根據本發明之雷射圖案成形的蒸鍍光罩之裝置；及圖4為顯示供使用製造根據本發明之雷射圖案成形的蒸鍍光罩之裝置中雷射光束的形狀之圖式。
如圖1和2所示，根據本發明之一蒸鍍光罩(100)具有一結構，其中複數個光罩圖案(120)(沉積在物件(以下稱為基材(S))的OLED發光材料可透過該結構通過)是彼此隔開。即是，蒸鍍光罩(100)包括一基體(110)；及複數個光罩圖案(120)，其形成係貫穿該基體(110)。
光罩圖案(120)的形狀、與配置形狀或結構(即是，光罩的圖案)係符合沉積在基材(S)的薄膜(10)之圖案。光罩圖案(120)是原沉積材料通過的區域，如前述，且除了在基體(110)區域的光罩圖案(120)以外的區域都是阻斷材料沉積的區域。
即是，蒸鍍光罩(100)是由阻斷原材料的阻斷區域組成，且光罩圖案(120)是在阻斷區域間彼此隔開且通過原材料，其中，如前述，光罩圖案(120)的配置形狀或結構是光罩的圖案。
一種用於製造使用根據本發明之雷射圖案成形的蒸鍍光罩之裝置，用於製造具有光罩圖案的蒸鍍光罩，其為一種用於製造具有使用雷射圖案成形的精細光罩圖案之裝置，如圖3所示，該裝置包括：一光束供應單元(200)，用以供應雷射光束；一光束控制單元(210)，用以控制來自光束供應單元(200)之雷射光束的位置與大小；一繞射光學元件單元(220)，用以將雷射光束分成具有均勻強度分佈的複數個雷射光束；一遮罩構件(230、240、250)，其具有對應於光罩圖案的遮罩圖案以分別通過分離的雷射光束，且遮蔽雷射光束的邊緣以銳化光束形狀；一變焦透鏡單元(260)，用以調整通過遮罩構件(230、240、250)的雷射光束的間隙與圖案；及一投影單元(270)，用以將通過變焦透鏡單元(260)的雷射光束採用一預定減少率發送到基體(110)。
根據本發明的光束供應單元(200)供應一雷射光束，最好係，一脈衝雷射光束的脈衝(超短脈衝)的脈衝寬度介於數十飛秒(Femtosecond)與數百皮秒(Picosecond)間，適合於處理利用金屬製成的基體。
光束供應單元(200)是由下列組成：一雷射(201)，其輸出一具有脈衝寬度的雷射光束；及複數個反射鏡(202)，其設置在雷射(201)的輸出端口周圍，且發送雷射光束到光束控制單元(210)。
例如，雷射(201)可為一準分子雷射，其脈衝寬度數奈秒，諸如XeF、KrF、ArF、和XeCl；一固態雷射器，其脈衝寬度數奈秒；一皮秒雷射，其脈衝寬度數皮秒；或一飛秒雷射，其脈衝寬度數飛秒。雷射可根據材料的波長反應使用紅外範圍、可見光範圍與紫外線範圍的所有波長。顯然地，雷射種類沒有侷限於前述，且可使用能夠在製造蒸鍍光罩的基本材料之基體上形成圖案的各種雷射。
光束控制單元(210)控制來自光束供應單元(200)的雷射光束的位置與大小。即是，光束控制單元(210)調整來自雷射器的雷射光束，例如，矯正雷射光束的位置，及調整適合於光學系統的雷射光束的大小。
詳細地說，光束控制單元(210)是由下列組成：一光束穩定模組(211)，用以自動補償雷射光束的位置；及一雷射擴束器(212)，用以調整雷射光束的大小。
自動補償雷射光束位置的光束穩定模組可補充繞射光學元件(DOE)的性能，其性能會明顯受到雷射光束的位置變化影響。
詳細地說，光束穩定模組(211)是由下列組成：一感測器，用以感測雷射光束的位置；及複數個反射鏡，其位於馬達且自動補償雷射光束的位置。即是，當雷射光束移離參考位置時，光束穩定模組將雷射光束自動調整到參考位置以復原繞射光學元件的性能。
詳細地說，用以調整雷射光束大小的雷射擴束器(212)是一伽利略(Galilean)雷射擴束器，且使用兩或多個透鏡，無需聚焦便可調整適合於繞射光學單元(220)的雷射光束大小(下面描述)。雷射擴束器(212)可避免由超短脈衝雷射產生發生在聚焦區域的空氣崩潰。
如前述，繞射光學元件單元(220)將具有高斯(Gaussian)強度輪廓轉換的雷射光束分成具有均勻強度分佈的複數個雷射光束。詳細地說，繞射光學元件單元(220)是由下列組成：一繞射光學元件，其包括一光束整形器(221)與一雷射分束器(222)；及一聚焦透鏡，用以發送重新配置的雷射光束組件到聚焦側的遮罩構件(230、240、250)。
提供用於實現光束成形與分離兩功能的繞射光學元件是由光束整形器(221)與雷射分束器(222)組成。光束整形器(221)通常形成均勻光束分佈的平頂型，且雷射光束是由雷射分束器(222)分成一至五百個雷射光束，其中分離雷射光束的間隙可為0.1至50倍於繞射光學元件形成的圖案尺寸。
繞射光學元件製成的圖案尺寸是根據基體(110)形成的光罩圖案尺寸而由投影單元光學(270)於1至50倍光學減少率予以決定。例如，如果投影透鏡(270)針對基體上端20㎛(微米)光罩圖案尺寸構成具有五倍光減少率，繞射光學元件構成使得在遮罩構件(230、240、250)的圖案尺寸是100㎛(微米)。
複數個雷射光束是由光束整形器(221)與雷射分束器(228)建立，使得其可同時產生複數個圖案，因此可提高蒸鍍光罩的生產率。
此外，由於不使用檢流掃描器(Galvano scanner)，其對高速運動與溫度敏感，不過當大面積處理移到掃描場時，可能產生掃描場失真與掃描場間的疊合誤差，使得其可將圖案精確定位在基材上面。
來自繞射光學元件的分離雷射光束在通過聚焦透鏡單元後會到達聚焦側的遮罩構件(230、240、250)，使得可獲得均勻強度分佈的雷射光束。
遮罩構件(230、240、250)具有對應於光罩圖案的遮罩圖案，以分別傳遞來自繞射光學元件的分離雷射光束，使得其可藉由遮蔽雷射光束的邊緣以形成具有雷射光束清晰邊緣的圖案。即是，對於清晰圖案的圖案成形而言，邊緣銳化是藉由使用遮罩構件(230、240、250)進行，使得分別通過遮罩圖案的雷射光束會採取一預定減少率行進到在基體上面的圖案，使得可產生精細圖案成形。
玻璃、石英上的材料鉻塗佈、金屬光罩、或介電光罩可根據雷射光束的施加能量位準用於遮罩構件(230、240、250)。在利用線光束而不是多重不連續光束之下採規則間隔使用光罩圖案進行遮罩的情況，沒有開口的區域會有必然的損失。不過，根據本發明，藉由只發送光束到圖案可增加雷射的光學效能。
此外，在遮罩構件(230、240、250)，提供具有不同寬度的複數個遮罩圖案，且當移到基體(110)時，遮罩圖案的寬度會減少，使得雷射光束逐步通過複數個遮罩圖案，其將在下面描述。
變焦透鏡單元(260)提供來調整通過遮罩構件(230、240、250)的光束間距與大小。一般情況下，其需要改變遮罩構件的光束大小與遮罩構件(230、240、250)的圖案尺寸，以調整雷射光束的圖案尺寸，藉由使用變焦透鏡單元(260)調整透鏡間的間隙，可調整圖案的形狀與間隙。
變焦透鏡單元(260)具有約 70%的變焦範圍，使得可根據光罩圖案調整雷射光束的圖案尺寸。
投影單元(270)(提供採取一預定減少率發送通過變焦透鏡單元(260)的雷射光束到基體(110))採取一預定減小率發送由通過遮罩構件(230、240、250)的雷射光束所產生的圖像到基材，其中在此製程產生的圖案尺寸是約100nm(奈米)至1000㎛(微米)。
在如圖2所示，在用於製造根據本發明的蒸鍍光罩之裝置所製造的蒸鍍光罩中，蒸鍍光罩(100)的光罩圖案(120)之形狀減少朝向基材(S)(所要沉積的物件)的直徑或內徑，即是，光罩圖案(120)的水平截面是傾斜。換句話說，光罩圖案(120)周圍基體(110)的內壁(111)是錐形，使得介於內壁(111)間的距離減小，即是，當移到基材(S)時，內壁(111)會彼此接近。
蒸鍍光罩(100)的光罩圖案(120)是錐形的原因是為了沉積薄膜(10)在薄膜(10)的寬度方向為均勻厚度的基材(S)。例如，如果光罩圖案(120)是沒有傾斜而垂直形成於基材(S)的頂部，由於實際上蒸鍍製程隨著朝向基材的某些入射角發生，薄膜沉積在基材(S)的遮蔽現象在光罩圖案(120)的邊緣係較薄於其他區域。換句話說，薄膜在中心區域係較厚於圖案的邊緣，陡峭圖案邊緣引起的所謂遮蔽現象是無法避免。
因此，為了藉由避免遮蔽現象形成具有均勻厚度的薄膜(10)圖案，需要錐化光罩圖案(120)，沉積材料可透過該光罩圖案通過。
在用以製造具有複數個錐化光罩圖案的蒸鍍光罩之本發明中，如圖2所示，具有複數個錐化光罩圖案(120)的蒸鍍光罩(100)是採用根據一具體實施例的方法製造。
圖4顯示通過用於製造使用根據本發明之雷射圖案成形的蒸鍍光罩之裝置中的雷射光束之形狀，其中對應於圖3所示編號的雷射光束之形狀是從正面看。
編號①是當來自光束供應單元(200)之雷射的雷射光束通過光束控制單元(210)的雷射擴束器時的雷射光束之形狀；編號②是繞射光學單元(220)；編號③是透過繞射光學單元(220)分離的雷射光束之形狀；編號④是遮罩構件(230、240、250)；編號⑤是通過遮罩構件(230、240、250)的雷射光束之形狀；編號⑥是通過變焦透鏡單元(260)的雷射光束之形狀；及編號⑦是當最終雷射光束通過投影單元(270)時，輻射到基體的雷射光束之形狀。
一雷射光束是由編號②所示的繞射光學單元(220)分離，分離的雷射光束分別通過遮罩構件(230、240、250)的遮罩圖案，且如編號⑤所示，執行通過編號④所示遮罩構件(230、240、250)的雷射光束的邊緣銳化，使得可精細雷射圖案成形。此外，編號⑥是通過變焦透鏡單元(260)的雷射光束之形狀，且變焦透鏡單元(260)調整透鏡間的距離，使得可調整圖案間距與尺寸。
一種用以製造使用根據本發明之雷射圖案成形的蒸鍍光罩之方法是在以下說明書中描述。
圖5(a)至5(d)為循序示意說明製造根據本發明之一第一具體實施例的蒸鍍光罩之方法的圖式，其中為了方便而未顯示變焦透鏡單元(260)與投影單元(270)。圖6為示意說明用於根據本發明之第一實施方式之方法製造蒸鍍光罩的複數個遮罩構件(230、240、250)之圖式。
用於製造根據第一具體實施例之蒸鍍光罩之方法的蒸鍍光罩之遮罩圖案是透過遮罩構件(230、240、250)垂直形成的開口部(231a、231b、231c)。即是，在第一具體實施例，具有錐形光罩圖案(120)的蒸鍍光罩(100)是藉由處理一基體(110)予以製造，其係藉由透過具有開口部(231a、231b、231c)的複數個遮罩構件(230a、230b、230c)發送雷射光束(L)，其中雷射光束(L)可透過該等開口部通過，且該等開口部具有不同尺寸。
遮罩構件(230a、230b、230c)是先參考圖6描述。提供三個遮罩構件(230a、230b、230c)，其以下分別稱為一第一遮罩構件(230a)、一第二遮罩構件(230b)、與及一第三遮罩構件(230c)。
第一遮罩構件(230a)是先用於傳輸雷射光束(L)，且具有一開口部(以下稱為一第一開口部(231a))，其在三個遮罩構件的開口部中是最大。第二遮罩構件(230b)是在第一遮罩構件(230a)後面使用，且具有一開口部(以下稱為一第二開口部(231b))，其小於第一遮罩構件(230a)的第一開口部(231a)。
第三遮罩構件(230c)是最後使用，且具有一開口部(以下稱為一第三開口部(231c))其係小於第二遮罩構件(230b)的第二開口部(231b)。第一至第三遮罩構件(230a、230b、230c)的第一至第三開口部(231a、231b、231c)是同軸形成。
第一至第三開口部(231a、231b、231c)的面積係小於通過繞射光學單元(220)的雷射光束(L)的面積。雷射光束(L)始終使用一預定面積輻射，且此面積係大於第一開口部(231a)。
通過繞射光學單元(220)的雷射光束(L)的面積係大於第一至第三開口部(231a、231b、231c)的面積。因此，在通過繞射光學單元(220)的雷射光束(L)，通過第一至第三開口部(231a、231b、231c)的雷射光束(L)透過變焦透鏡單元(260)與投影單元(270)到達基體(110)，而因為雷射光束(L)受到阻斷，使得通過離開第一至第三開口部(231a、231b、231c)的雷射光束(L)不能到達基體(110)。如需要，可藉由根據在蒸鍍光罩形成光罩圖案的尺寸以調整變焦透鏡單元(260)的透鏡間的間隙，可隨著針對基體(110)調整的間隙與圖案以輻射雷射光束。
雖然前述使用三個遮罩構件(230a、240a、250a)，不過本發明未侷限於此，且可使用兩或四或多個遮罩構件。
第一至第三遮罩構件(230a、230b、230c)是利用鉻(Cr)為主的材料製成，不過本發明未侷限於此，且可使用能夠阻斷雷射光束(L)的各種材料。
用以製造根據本發明之第一具體實施例的蒸鍍光罩之方法將參考圖1至6描述。
首先，一基體(110)係製備且安置在一平台(130)。根據本具體實施例的基體(110)是金屬製板，例如，殷鋼或不銹鋼。
通過遮罩構件後，通過繞射光學單元(200)的雷射光束是透過變焦透鏡單元(260)與投影單元(270)到達基體(110)的頂部。變焦透鏡單元(260)的透鏡間隙是根據光罩圖案的尺寸與形狀進行調整。其次，光束供應單元(200)的操作係輸出雷射光束(L)，且雷射光束(L)通過第一遮罩構件(230a)的第一開口部(231a)，且透過變焦透鏡單元(260)與投影單元(270)到達基體(110)。
從繞射光學單元(220)行進至第一遮罩構件(230a)的雷射光束(L)的面積係較大於第一通孔(231a)的面積，使得當雷射光束(L)通過遮罩構件時，可實現邊緣銳化， 如此可形成精細雷射圖案成形。因此，只有通過從繞射光學單元(220)行進到第一遮罩構件(230a)的雷射光束(L)的第一開口部(231a)的雷射光束(L)會行進到基體(110)，而除了第一開口部(231a)以外，到達其他區域的雷射光束(L)會被阻斷。
換句話說，來自繞射光學單元(220)的雷射光束(L)的面積係較大於第一遮罩構件(230a)的第一開口部(231a)，不過雷射光束(L)(其面積是由第一遮罩構件(230a)調整到符合第一開口部(231a))是輻射到基體(110)(參見圖5(a))。當雷射光束(L)於一預定時間輻射到具有對應第一開口部(231a)面積的基體(110)時，基體(110)面積(其中輻射雷射光束(L))會藉由一反應而於預定深度處移除，諸如使雷射光束(L)輻射的基體(110)區域的接合結構斷裂。
因此，如圖5(b)所示，形成具有一預定深度的槽部(以下，稱為一第一槽部(121))。
當第一槽部(121)由第一遮罩構件(230a)形成在基體(110)時，第一遮罩構件(230a)會被移除，且第二遮罩構件(230b)會安置在基體(110)上面。 第二遮罩構件(230b)會被定位，使得第一槽部(121)的中心與第二遮罩構件(230b)的第二開口部(231b)的中心會在基體(110)上面對準。
其後，當輸出雷射光束(L)時，如圖5(b)所示，雷射光束(L)會透過第二遮罩構件(230b)的第二開口部(231b)傳輸到基體(110)。從繞射光學單元(220)行進到第二遮罩構件(230b)的雷射光束(L)的面積係較大於第二開口部(231b)的面積。
因此，只有通過雷射光束(L)(從繞射光學單元(220)行進到第二遮罩構件(230b))的第二開口部(231b)的雷射光束(L)會行進到基體(110)，而除了第二開口部(231b)以外，阻斷到達其他區域的雷射光束(L)。
即是，雷射光束(L)是由第二遮罩構件(230b)使用符合第二開口部(231b)的區域進行傳輸(參見圖5(b))。通過第二開口部(231b)的雷射光束(L)傳輸到第一槽部(121)且其面積係較小於第一槽部(121)的底部。
當雷射光束(L)於一預定時間輻射到第一槽部(121)的底部時，基體(110)的區域(其中輻射雷射光束(L))會藉由一反應而在預定深度處移除，諸如使接合結構斷裂，如此一第二槽部(122)形成在第一槽部(121)之下，如圖5(c)所示。
當第二槽部(122)由第二遮罩構件(230b)形成在基體(110)上面時，第二遮罩構件(230)會被移除，且第三遮罩構件(230b)會被安置在繞射光學單元(220)與變焦透鏡單元(260)間。
第三遮罩構件(230c)會被定位，使得第二槽部(122)的中心與第三遮罩構件(230)的第三開口部(231c)的中心會在基體(110)上面對準。其次，光束供應單元(200)的操作係輸出雷射光束(L)，且如圖5(c)所示，雷射光束(L)通過第三遮罩構件(230c)的第三開口部(231c)，且透過變焦透鏡單元(260)與投影單元(270)到達基體(110)。
行進到第三遮罩構件(230c)的雷射光束(L)的面積係較大於第三開口部(231c)的面積。因此，只有通過行進到第三遮罩構件(230c)的雷射光束(L)的第三開口部(231c)的雷射光束(L)會行進到基體(110)，而除了第三開口部(231c)以外會阻斷到達其他區域的雷射光束(L)。
即是，雷射光束(L)會由第三遮罩構件(230c)隨著符合第三開口部(231c)的區域進行輻射(參見圖5(c))。通過第三開口部(231c)的雷射光束(L)會傳輸到第二槽部(122)且其面積係小於第二槽部(122)的底部。
當雷射光束(L)於一預定時間傳輸到第二槽部(122)的底部時，傳輸雷射光束(L)的基體(110)區域會藉由一反應而於預定深度處移除，諸如斷裂接合結構，如此一第三槽部(123)是在第二槽部(122)之下形成，如圖5(d)所示。
因此，由於第三槽部(123)係藉由使用第三遮罩構件(230c)的雷射製程形成在第二槽部(122)之下，因此，如圖5(d)所示，一光罩圖案(120)通過基體(110)垂直形成，使得當其向下移動時，直徑或內徑會減小。
此外，複數個開口部形成在第一至第三遮罩構件(230a、230b、230c)，且透過繞射光學單元(220)分離的雷射光束分別通過遮罩構件的遮罩圖案，如此分離的雷射光束同時到達基體(110)且形成複數個光罩圖案(120)。此外，當基體(110)是大尺寸，同時使用平台(130)移動基體(110)時，可藉由在基體(110)的整個區域形成複數個光罩圖案(120)來製造蒸鍍光罩。
圖7(a)至7(c)為循序示意說明製造根據本發明之一第二具體實施例的蒸鍍光罩之方法的圖式。圖8為示意說明用於根據本發明之第二實施方案之方法製造蒸鍍光罩的遮罩構件之圖式。
一種用於製造根據本發明之第二具體實施例的蒸鍍光罩之方法(其採用一相移光罩技術)係將一相移光罩當作一遮罩構件(240)使用。使用相移光罩的圖案成形為一種藉由光相差使用建設性與破壞性光干擾的眾所熟知方法。
用於製造根據第二實施方式的蒸鍍光罩之方法的蒸鍍光罩的遮罩圖案是由一具有複數個相移部(241、242、243)的遮罩構件形成。即是，根據本發明之第二實施方式的遮罩構件(240)具有複數個相移部(241、242、243)，其在一遮罩構件(240)配置係類似階梯。
相移光罩在技術中是眾所周知，且在本說明書使用各種相移光罩之任何一者。
例如，如圖7(a)至7(c)所示，在本發明當作遮罩構件(240)使用的相移光罩包括：相移部(241、242、243)，其是在一具有預定面積的本體上面傳輸雷射光束(L)；及一光屏蔽部(244)，其配置在相移部(241、242、243)的外部，且衰減進入的雷射光束(L)。
即是，相移部(241、242、243)配置在遮罩構件(240)的本體區域的某些部分，且在相移部(241、242、243)周圍的區域是衰減雷射光束(L)的區域。
相移部(241、242、243)具有不同面積且在本體高度方向是類似階梯循序配置。在本發明的第二具體實施例，相移部(241、242、243)是在本體形成的槽部。
即是，根據本發明之第二具體實施例的遮罩構件(240)包括：一第一相移部(241)，其係在從本體頂部的一第一深度(A1)且具有一第一面積處採用類似槽部形成；一第二相移部(242)，其係在本體頂部的一第二深度(A2)(較大於第一深度(A1))且具有一第二面積(較小於第一相移部(241)的面積(第一區域(A1))處採用類似槽部形成；及一第三相移部(243)，其係在從本體頂部的一第三深度(A3)(較大於第二深度(A2))且具有一面積(較小於第二相移部(242)的面積(第二區域))處採用類似槽部形成，其中光屏蔽部(244)是配置在本體的左和右區域的第一相移部(241)的外部。
第一相移部(241)、第二相移部(242)、與第三相移部(243)的相位是例如相移 /3、 /2、和 。因此，當來自上面遮罩構件的雷射光束(L)通過第一至第三相移部(241、242、243)時，相位逐步偏移。
即是，雷射光束(L)的相位在第一相移部(241)與第二相移部(242)間及在第二相移部(242)與第三相移部(243)間連續變化。
當雷射光束的強度變化且隨著第一相移部(241)、第二相移部(242)、與第三相移部(243)的相位差(例如， /3、 /2、和 )偏移時，雷射光束理論上是採取廢似階梯分佈或形狀行進，如圖7(b)所示，不過實際上，雷射光束不會採用類似階梯行進，由於解析度的限制，不過會採用斜坡行進，如圖7(c)所示。
具有第一至第三相移部(241、242、243)的遮罩構件(240)可藉由蝕刻本體來實現。
本體可利用能夠傳輸雷射光束(L)的石英製成，第一至第三相移部(241、242、243)可形成在利用石英製成的本體上面，且光屏蔽部(244)，例如，一膜層、一薄膜、或一阻斷雷射光束(L)的阻斷件可設置在本體。很顯然，光屏蔽部(244)可不設置在本體內，而是在本體上面，在第一相移部(241)的外部。
第二具體實施例示範說明第一至第三相移部(241、242、243)是藉由加工遮罩構件(240)的本體而採用類似槽部形成。不過，本發明未侷限於此，且一能夠改變雷射光束(L)相位的薄膜可配置在本體頂部。在本體頂部是一薄膜的相移部在高度方向是採用類似階梯形成。
製造根據本發明之第二具體實施例的蒸鍍光罩之方法是參考圖1至3與圖7(a)至7(c)描述。為了方便起見，變焦透鏡單元(260)與投影單元(270)沒有顯示在圖7(a)至圖7(c)。
首先，一基體(110)係製備且安置在平台(130)，且根據第二具體實施例的遮罩構件(240)是安置在繞射光學單元(220)與變焦透鏡單元(260)間。其次，一雷射光束(L)是藉由操作光束供應單元(220)輸出，且雷射光束(L)行進到遮罩構件(240)。
在雷射光束(L)，輻射到第一至第三相移部(241、242、243)的雷射光束(L)透過變焦透鏡單元(260)與投影單元(270)行進到基體(110)，且輻射到遮罩構件的光屏蔽部(244)的雷射光束(L)會被阻斷且不能行進到基體(110)。從上面遮罩構件(240)輻射的雷射光束(L)會逐步且連續移相通過第一至第三相移部(241、242、243)，如此當遮罩構件移到基體(110)的底部時，形成內徑或寬度會逐步減小的光罩圖案，如圖7(b)所示。
圖9(a)和9(b)為循序示意說明製造根據本發明之第三具體實施例的蒸鍍光罩之方法的圖式。圖10(a)和10(b)為示意說明用於製造根據本發明之第三具體實施例之蒸鍍光罩的遮罩構件之圖式。為了方便起見，變焦透鏡單元(260)與投影單元(270)沒有顯示在圖9(a)和圖9(b)。
如圖所示，用以製造根據第三具體實施例的蒸鍍光罩之方法將一狹縫光罩(Slit Mask)當作一遮罩構件使用。如圖10(a)和10(b)所示，狹縫光罩具有複數個光屏蔽層(252a、252b、253c)，用以阻斷在可傳輸雷射光束(L)的本體(251)上面或內部的雷射光束(L)，其中光屏蔽層(252a、252b、253c)具有不同寬度以產生輻射到基體(110)的不同雷射光束(L)強度差。
為了製造在本發明的此具體實施例中具有斜率或以正方形為主之金字塔形圖案的蒸鍍光罩(其當下移時，內徑減小)，根據第三實施方式的遮罩構件(250)在本體(251)上面具有彼此隔開的光屏蔽層(252a、252b、252c)的圖案，且一光束(L)通過該等隔開區域。光屏蔽層(252a、252b、252c)形成在本體(251)上面，使得當從邊緣移到中心時，其寬度減少，如圖10(a)和10(b)所示。
換句話說，遮罩構件(250)形成使得當其從邊緣移到中心時，一光屏蔽層(光屏蔽層(252a、252b、252c)之一者)與另一光屏蔽層(光屏蔽層(252a、252b、252c)之另一者)間的間隙會減小。
當一雷射光束(L)從上面輻射到遮罩構件(250)時，寬傳輸區域之下輻射到基體區域的雷射光束(L)係較大於窄傳輸區域之下輻射到基體(110)區域的雷射光束(L)。在第三具體實施例，由於當從邊緣移到中心時傳輸區域增加，使得當從邊緣移到中心時，輻射到基體(110)的雷射光束(L)的強度會增加。 用以製造根據本發明之第三具體實施例的蒸鍍光罩之方法將在以下參考圖1至3、與圖9(a)和9(b)來說明。
首先，一基體(110)係製備且安置在平台(130)上面，且根據第三實施方式的遮罩構件(250)是安置在繞射光學單元(220)與變焦透鏡單元(260)間。其次，一雷射光束(L)是藉由操作光束供應單元(220)輸出，且雷射光束(L)行進到遮罩構件(250)。
在雷射光束(L)，輻射到遮罩構件(250)的第一至第三傳輸區域(253a、253b、253c)的雷射光束(L)透過變焦透鏡單元(260)與投影單元(270)行進到基體(110)，且輻射到遮罩構件(250)的光屏蔽層(252a)的雷射光束(L)會被阻斷，且不能行進到基體(110)。
透過本體(251)內部的第二傳輸區域(253b)(更遠於第一傳輸區域(253a))傳輸到基體(110)的雷射光束(L)的強度係較大於透過在邊緣處的第一傳輸區域(253a)傳輸到基體(110)的雷射光束(L)的強度，且透過本體(251)內部的第三傳輸區域(253c)(更遠於第二傳輸區域(253b))傳輸到基體(110)的雷射光束(L)的強度係較大於透過第二傳輸區域(253b)傳輸的雷射光束(L)的強度。
藉由通過該等區域的雷射光束(L)強度的變化，如圖9(b)所示，可獲得光罩圖案，當雷射光束移到基體的底部時，光罩圖案的內徑或寬度會減小。
根據用以製造根據本發明之第一至第三具體實施例的蒸鍍光罩之方法，一蒸鍍光罩係藉由輻射雷射光束形成一光罩圖案於基體上面加以形成，相較於使用光微影技術製程的先前技術之方法，如此可簡化製程。因此，相較於在先前技術中製造蒸鍍光罩的方法，此可減少製造蒸鍍光罩所使用的時間。
此外，先前技術中使用光微影技術製造蒸鍍光罩之方法需要各種裝置與設備，包括：一塗佈機，用於施加光阻；一加熱器，用於加熱；一曝光裝置；一顯影單元，用於顯影；一蝕刻單元；及一剝離單元。不過，根據製造本發明的蒸鍍光罩之方法，可使用能夠輻射雷射光束的光學系統與一遮罩構件來製造蒸鍍光罩，如此相較於先前技術，用於製造蒸鍍光罩的設備較為簡單，因此，可降低維護成本。
此外，由於具有想要錐角的精細圖案在先前技術中是藉由光微影技術形成，使得基體的厚度必須降低到20㎛(微米)，且不容易處理此薄蒸鍍光罩。
不過，根據本發明，由於不使用光微影技術將圖案形成在基體上面，而是使用一雷射與光罩圖案成形，可實現較厚的蒸鍍光罩，如此當在基材上面形成薄膜圖案時，很容易處理蒸鍍光罩，且很容易降低或防止蒸鍍光罩產生垂弧。
此外，相較於藉由未使用遮罩構件而只使用雷射加工基體以製造蒸鍍光罩的方法，可簡單形成錐形圖案。此外，因為可奈秒或飛秒來控制使用雷射(其可減少由於當藉由輻射雷射光束來加工基體時，隨著基體的反應引起的熱量)，使得可防止由於熱積累引起的不良圖案。此外，由於採用繞射光學系統的光輻射裝置，可在基體上面同時形成複數個光罩圖案，如此可提高生產率。
10‧‧‧薄膜
100‧‧‧蒸鍍光罩
110‧‧‧基體
111‧‧‧內壁
120‧‧‧光罩圖案
121‧‧‧第一槽部
122‧‧‧第二槽部
123‧‧‧第三槽部
130‧‧‧平台
200‧‧‧光束供應單元
201‧‧‧雷射
202‧‧‧反射鏡
210‧‧‧光束控制單元
211‧‧‧光束穩定模組
212‧‧‧雷射擴束器
220‧‧‧繞射光學單元
221‧‧‧光束整形器
222‧‧‧雷射分束器
230‧‧‧遮罩構件
230a‧‧‧第一遮罩構件
230b‧‧‧第二遮罩構件
230c‧‧‧第二遮罩構件
231a‧‧‧第一開口部
231b‧‧‧第二開口部
231c‧‧‧第三開口部
240‧‧‧遮罩構件
241‧‧‧相移部
242‧‧‧相移部
243‧‧‧相移部
244‧‧‧光屏蔽部
250‧‧‧遮罩構件
251‧‧‧本體
252a‧‧‧光屏蔽層
252b‧‧‧光屏蔽層
252c‧‧‧光屏蔽層
253a‧‧‧第一傳輸區域
253b‧‧‧第二傳輸區域
253c‧‧‧第三傳輸區域
260‧‧‧變焦透鏡單元
270‧‧‧投影單元
L‧‧‧雷射光束
S‧‧‧基材
A1 ‧‧‧第一深度
A2‧‧‧第二深度
A3‧‧‧第三深度
本發明的前述與其他目的、特徵及其他優點可從下列連同附圖的詳細描述而變得更清楚瞭解，其中： 圖1為藉由根據本發明之具體實施例之方法製造蒸鍍光罩的平面圖。 圖2為圖1所示蒸鍍光罩的截面圖； 圖3為顯示製造使用根據本發明之雷射圖案形成的蒸鍍光罩之系統結構的圖式。 圖4為顯示用於製造使用根據本發明之雷射圖案成形的蒸鍍光罩之裝置中的雷射光束轉移之圖式。 圖5(a)至圖5(d)為循序示意說明製造根據本發明之第一具體實施例的蒸鍍光罩之方法的圖式； 圖6為示意說明用於根據本發明之第一實施方式之方法製造蒸鍍光罩的複數個遮罩構件之圖式； 圖7(a)至7(c)為循序示意說明用以製造根據本發明之第二具體實施例的蒸鍍光罩之方法的圖式； 圖8為示意說明用於根據本發明之第二具體實施例之方法製造蒸鍍光罩的遮罩構件之圖式。 圖9(a)和9(b)為循序示意說明用以製造根據本發明之第三具體實施例的蒸鍍光罩之方法的圖式；及 圖10(a)和10(b)為示意說明用於根據本發明之第三具體實施例之方法製造蒸鍍光罩的遮罩構件之圖式。

Claims (23)

  1. 一種用於製造具有使用雷射圖案成形的精細光罩圖案的蒸鍍光罩之裝置，該裝置包括：一光束供應單元，用以供應雷射光束；一光束控制單元，用以控制來自該光束供應單元的雷射光束的位置與大小；一繞射光學單元，用以將該雷射光束分離成具有均勻強度分佈的複數個雷射光束；一遮罩構件，其具有對應該光罩圖案的遮罩圖案以分別通過該些分離的雷射光束、及遮罩該些雷射光束的邊緣；一變焦透鏡單元，用以調整通過該遮罩構件的該些雷射光束的圖案間距與尺寸；及一投影單元，其係於一預定減少率，將通過該變焦透鏡單元的該些雷射光束發送到一基體其中，該繞射光學單元包括：一繞射光學元件，其包含一光束成形器與一雷射分束器，該繞射光學元件是用以同時實現光束整形與分束，將雷射光束分成具有均勻強度的複數個雷射光束；及一聚焦透鏡單元，用以發送分離的雷射光束到聚焦側的該遮罩構件。
  2. 如請求項1所述之裝置，其中來自該光束供應單元的該雷射光束是一脈衝雷射光束，其脈衝寬度介於數十飛秒與數百奈秒間，用於加工金屬。
  3. 如請求項1所述之裝置，其中該光束供應單元包括一雷射與複數個反射鏡，其配置在該雷射的輸出端口周圍，且發甕雷射光束到該光束控制單元。
  4. 如請求項1所述之裝置，其中該光束控制單元包括一光束穩定模組，用以自動補償雷射光束的位置；及一雷射擴束器，用以調整雷射光束的大小。
  5. 如請求項4所述之裝置，其中該光束穩定模組包括感測器，用以感測雷射光束的位置；及複數個反射鏡，其位於一馬達，且自動補償雷射光束的位置。
  6. 如請求項1所述之裝置，其中一雷射光束是藉由該繞射光學元件的該雷射分束器分成一至五百個雷射光束，且該些分離的雷射光束的間隙是0.1至50倍於該繞射光學元件形成圖案的尺寸。
  7. 如請求項6所述之裝置，其中該繞射光學元件產生圖案的尺寸是根據該基體形成的該光罩圖案尺寸而由該投影單元於1至50倍光學減小率決定。
  8. 如請求項1所述之裝置，其中該遮罩構件包括複數個遮罩構件，其提供使得該遮罩圖案具有不同寬度，且具有小寬度的遮罩圖案是設置靠近該基體，使得該雷射光束逐步通過該些遮罩圖案。
  9. 如請求項8所述之裝置，其中該些遮罩圖案是同軸配置。
  10. 如請求項8所述之裝置，其中該遮罩構件包括該些複數個遮罩構件，其具有個別遮罩圖案，其中，該些遮罩圖案是透過該遮罩構件的預定區域垂直形成的開口部，且該些開口部具有不同寬度，且該雷射光束透過該遮罩構件傳輸數次。
  11. 如請求項1所述之裝置，其中該遮罩構件包括複數個遮罩構件，其為具有不同寬度的複數個遮罩圖案的相移光罩，且可相移該雷射光束供衰減強度；及一雷射光束是透過能夠相移的遮罩圖案傳輸。
  12. 如請求項1所述之裝置，其中該遮罩構件是一狹縫光罩，其具有：一本體，用以傳輸雷射光束；複數個光屏蔽層，其在該本體的寬度方向彼此隔開； 及複數個傳輸區域，其係定義於該些光屏蔽層間且傳輸雷射光束，該些光屏蔽層是在從外側朝向該本體中心的寬度減小，該些傳輸區域是在從外側朝向該本體中心的寬度增加；及一雷射光束是從上面輻射到該遮罩構件，該遮罩構件為一狹縫光罩，使得相對寬傳輸區域之下輻射到該基體區域的該雷射光束強度係較大於相對窄傳輸區域之下輻射到該基體區域的該雷射光束強度。
  13. 如請求項1至12中任一項所述之裝置，其中該內徑向下減小的光罩圖案係形成在該基體上面。
  14. 如請求項1所述之裝置，其中該變焦透鏡具有±70%的變焦範圍。
  15. 一種製造使用雷射圖案成形的蒸鍍光罩之方法，該方法包括：一具有對應想要光罩圖案之遮罩圖案的遮罩構件安置到一基體；及藉由從上面輻射雷射光束到該遮罩構件，形成對應於該遮罩圖案的圖案在該基體上面，且使用通過該遮罩構件的雷射光束加工該基體，其中提供具有不同寬度的複數個遮罩圖案，且具有小寬度的遮罩圖案設置靠近該基體，使得從上面輻射到該遮罩構件的該雷射光束透過該等遮罩圖案循序行進到該基體。
  16. 如請求項15所述之方法，其中該些遮罩圖案是同軸配置。
  17. 如請求項16所述之方法，其中該遮罩構件包括複數個遮罩構件，該些複數個遮罩構件具有個別的遮罩圖案，該些遮罩圖案是透過該些遮罩構件的預定區域垂直形成的開口部，且該些開口部具有不同寬度；及 從上面輻射雷射光束到該遮罩構件的製程包括一輻射製程，用以透過該遮罩構件輻射雷射光束數次。
  18. 如請求項17所述之方法，其中在透過該遮罩構件傳輸該雷射光束的製程中，當數次傳輸該雷射光束的製程繼續到最後製程時，一雷射光束是透過具有窄開放圖案的遮罩構件傳輸。
  19. 如請求項16所述之方法，其中該些遮罩構件為具有不同寬度的複數個遮罩圖案的相移光罩，且可在不同角度相移雷射光束；及在從上面輻射雷射光束到該遮罩構件的製程中，當該雷射光束是從上面輻射到其為相移光罩的該遮罩構件時，一雷射光束係透過可相移的該等遮罩構件傳輸。
  20. 如請求項17所述之方法，其中該遮光罩構件為一狹縫光罩，其具有：一本體，用以傳輸雷射光束；複數個光屏蔽層，其在該本體的寬度方向彼此隔開；及複數個傳輸區域，其係定義在該等光屏蔽層間且傳輸雷射光束，該些光屏蔽層從外側在朝向本體中心的寬度減小，該些傳輸區域從從外側朝向本體中心的寬度增加；及在輻射雷射光束到遮罩構件的製程中，該雷射光束是從上面輻射到該遮罩構件，其為狹縫光罩，使得在相對寬傳輸區域之下輻射到該基體區域的雷射光束強度係較大於在相對窄傳輸區域之下輻射到該基體區域的雷射光束強度。
  21. 如請求項15至20中任一項所述之方法，其中該內徑向下減小的光罩圖案是藉由透過該遮罩構件傳輸雷射光束以形成在該基體上面。
  22. 如請求項15至20中任一項所述之方法，其中該彼此隔開的複數個光罩圖案是藉由水平移動該基體以形成在該整個基體上面。
  23. 如請求項15至20中任一項所述之方法，其中該基體包括金屬。
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