CN107742609B - 一种cl08-08系列高压二极管芯片表面一次涂布工艺 - Google Patents
一种cl08-08系列高压二极管芯片表面一次涂布工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107742609B CN107742609B CN201711047330.6A CN201711047330A CN107742609B CN 107742609 B CN107742609 B CN 107742609B CN 201711047330 A CN201711047330 A CN 201711047330A CN 107742609 B CN107742609 B CN 107742609B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- coating
- series
- coating machine
- oven
- glue
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 18
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- RGCKGOZRHPZPFP-UHFFFAOYSA-N alizarin Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(O)C(O)=CC=C3C(=O)C2=C1 RGCKGOZRHPZPFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 claims description 7
- 238000009960 carding Methods 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 4
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
本发明涉及一种CL08‑08系列高压二极管芯片表面一次涂布工艺，它包括如下工艺步骤：选用CL08系列部件用涂布机；启动涂布机进行涂布；启动烘箱电源，按照烘箱设定程序运行，进行干燥固化；抽取固化后CL08系列部件样品，进行膜厚测试。优点是设计合理，采用改进后粘度为625±50cp涂胶，一次涂布即可达到管芯表面涂敷工序膜厚工艺规范，省时省工，设备生产效率提高一倍。
Description
技术领域
本发明涉及电子元器件制造领域，具体涉及一种CL08-08系列高压二极管芯片表面一次涂布工艺。
背景技术
在高压二极管生产制造过程中，芯片和引线烧结后，为了避免周围气氛和其它外界因素对器件性能的影响，需要在芯片表面覆盖一层保护膜，这种保护膜目前是一种聚酰亚胺薄膜。
CL08系列高压二极管反向耐压高（大于8KV）,工作电流大（大于350mA）,因此芯片设计尺寸较大，要求聚酰亚胺膜厚达到15μm以上，否则会因表面膜层绝缘强度不足引起器件表面击穿，目前管芯表面涂敷工序膜厚工艺规范18±3μm。以往在芯片表面涂敷工序，为了获得表面均匀的涂层，部件在涂布机传送过程中先在涂布轮工位进行涂布，涂布后芯片表面胶层会因自身重力有流挂现象，然后还要在回收轮布位进行回收。原工艺用胶的粘度在400±50cp(厘泊)，部件涂布后芯片表面胶层流挂较多，经回收后进行高温烘焙固化，膜层厚度一般约10μm，需要进行第二次涂布回收以及第二次干燥固化。前后两次上胶固化，非常费时费工，严重影响设备生产效率。
发明内容
为解决上述问题本发明提出一种CL08-08系列高压二极管芯片表面一次涂布工艺，设计合理，一次涂布即可达到管芯表面涂敷工序膜厚工艺规范，省时省工，设备生产效率提高一倍。
本发明提供如下技术方案：
一种CL08-08系列高压二极管芯片表面一次涂布工艺，它包括如下工艺步骤：
（1）选用CL08系列部件用涂布机，调整涂布机之传送带速度，使之符合规定，同时开启涂布机上各氮气阀门，设定各氮气流量计流量符合工艺规定，并往料钵中加入适量的涂胶。
（2）将布有CL08系列部件的塑料模具置于梳料架上，用锯条模将CL08系列部件梳下，连锯条模置于传送带上送至涂布机，再调节涂布轮、回收轮的高度、速度，启动涂布机进行涂布。
（3）将涂布后部件连同锯条模置于烘箱内，启动烘箱电源，按照烘箱设定程序运行，进行干燥固化，结束后，关闭烘箱电源，待温度降至100℃时，打开炉门，降温后取出固化后CL08系列部件。
（4）抽取固化后CL08系列部件样品，进行膜厚测试，金相显微镜测量上胶层膜厚，膜层厚度符合工艺规范。
在步骤（1）中所述涂胶的配比：聚酰亚胺原液:稀释剂:茜素 =1000g:150ml:220g。
一种涂胶配制工艺，按照配比分别称取相应重量原液、稀释剂、茜素置于配料桶内，在配料桶中放入搅拌机捧，连接搅拌机搅拌5.5±0.5h，形成涂胶，并测试其粘度。
所述搅拌机转速设定为为45±5转/分。
所述稀释剂为DMF，中文名称为N,N-二甲基甲酰胺。
在步骤（3）中烘箱设定程序为，先在60±10℃烘0.5h，再加温至120±10℃烘1h，再加温至160±10℃烘1.5h，再加温200±10℃烘0.5h，最后加温至280±3℃烘8h。
在步骤（4）中所述膜层厚度符合工艺规范18±3μm。
所述涂胶的粘度为625±50cp。
本发明优点是，设计合理，采用改进后粘度为625±50cp涂胶，一次涂布即可达到管芯表面涂敷工序膜厚工艺规范，省时省工，设备生产效率提高一倍。
具体实施方式
一种CL08-08系列高压二极管芯片表面一次涂布工艺，它包括如下工艺步骤：
（1）选用CL08系列部件用涂布机，调整涂布机之传送带速度，使之符合规定，同时开启涂布机上各氮气阀门，设定各氮气流量计流量符合工艺规定，并往料钵中加入适量的涂胶。
（2）将布有CL08系列部件的塑料模具置于梳料架上，用锯条模将CL08系列部件梳下，连锯条模置于传送带上送至涂布机，再调节涂布轮、回收轮的高度、速度，启动涂布机进行涂布。
（3）将涂布后部件连同锯条模置于烘箱内，启动烘箱电源，按照烘箱设定程序运行，进行干燥固化，结束后，关闭烘箱电源，待温度降至100℃时，打开炉门，降温后取出固化后CL08系列部件。
（4）抽取固化后CL08系列部件样品，进行膜厚测试，金相显微镜测量上胶层膜厚，膜层厚度符合工艺规范。
在步骤（1）中所述涂胶的配比：聚酰亚胺原液:稀释剂:茜素 =1000g:150ml:220g。
一种涂胶配制工艺，按照配比分别称取相应重量原液、稀释剂、茜素置于配料桶内，在配料桶中放入搅拌机捧，连接搅拌机搅拌5.5±0.5h，形成涂胶，并测试其粘度。
所述搅拌机转速设定为为45±5转/分。
所述稀释剂为DMF，中文名称为N,N-二甲基甲酰胺。
在步骤（3）中烘箱设定程序为，先在60±10℃烘0.5h，再加温至120±10℃烘1h，再加温至160±10℃烘1.5h，再加温200±10℃烘0.5h，最后加温至280±3℃烘8h。
在步骤（4）中所述膜层厚度符合工艺规范18±3μm。
所述涂胶的粘度为625±50cp。
本发明优点是，设计合理，采用改进后粘度为625±50cp涂胶，一次涂布即可达到管芯表面涂敷工序膜厚工艺规范，省时省工，设备生产效率提高一倍。
Claims (1)
1.一种CL08-08系列高压二极管芯片表面一次涂布工艺，其特征在于，它包括如下工艺步骤：
(1)按照聚酰亚胺原液:DMF:茜素＝1000g:150ml:220g，分别称取相应重量原液、DMF、茜素置于配料桶内，在配料桶中放入搅拌机捧，连接搅拌机搅拌，设定搅拌机转速为45±5转/分，搅拌5.5±0.5h，形成涂胶，并测试其粘度为625±50cp，所述DMF的中文名称为N,N-二甲基甲酰胺；
(2)选用CL08系列部件用涂布机，调整涂布机之传送带速度，使之符合规定，同时开启涂布机上各氮气阀门，设定各氮气流量计流量符合工艺规定，并往料钵中加入适量的涂胶；
(3)将布有CL08系列部件的塑料模具置于梳料架上，用锯条模将CL08系列部件梳下，连锯条模置于传送带上送至涂布机，再调节涂布轮、回收轮的高度、速度，启动涂布机进行涂布；
(4)将涂布后部件连同锯条模置于烘箱内，启动烘箱电源，先在60±10℃烘0.5h，再加温至120±10℃烘1h，再加温至160±10℃烘1.5h，再加温200±10℃烘0.5h，最后加温至280±3℃烘8h，进行干燥固化，结束后，关闭烘箱电源，待温度降至100℃时，打开炉门，降温后取出固化后CL08系列部件；
(5)抽取固化后CL08系列部件样品，进行膜厚测试，金相显微镜测量上胶层膜厚，膜层厚度符合工艺规范18±3μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711047330.6A CN107742609B (zh) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | 一种cl08-08系列高压二极管芯片表面一次涂布工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711047330.6A CN107742609B (zh) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | 一种cl08-08系列高压二极管芯片表面一次涂布工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107742609A CN107742609A (zh) | 2018-02-27 |
| CN107742609B true CN107742609B (zh) | 2020-07-17 |
Family
ID=61233601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711047330.6A Active CN107742609B (zh) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | 一种cl08-08系列高压二极管芯片表面一次涂布工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107742609B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111326425A (zh) * | 2018-12-14 | 2020-06-23 | 天津环鑫科技发展有限公司 | 一种提高高压二极管耐湿性的工艺方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5982035A (en) * | 1998-06-15 | 1999-11-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | High integrity borderless vias with protective sidewall spacer |
| CN201717257U (zh) * | 2010-05-17 | 2011-01-19 | 南通皋鑫电子股份有限公司 | 一种大电流高压二极管引线 |
| CN105405896A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-03-16 | 天津天物金佰微电子有限公司 | 一种玻璃钝化高压双向触发二极管及制备工艺 |
| CN106269388A (zh) * | 2016-08-19 | 2017-01-04 | 南通皋鑫电子股份有限公司 | 高压二极管内涂料涂布装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6837235B2 (en) * | 2002-03-14 | 2005-01-04 | Ssw Holdings Company, Inc. | Porcelain oven rack |
| KR101664441B1 (ko) * | 2013-04-30 | 2016-10-11 | 주식회사 아모그린텍 | 연성인쇄회로기판 및 그 제조 방법 |
| CN106340454A (zh) * | 2016-06-24 | 2017-01-18 | 南通联恒新材料有限公司 | 高压二极管芯片上胶层膜厚控制方法 |
-
2017
- 2017-10-31 CN CN201711047330.6A patent/CN107742609B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5982035A (en) * | 1998-06-15 | 1999-11-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | High integrity borderless vias with protective sidewall spacer |
| CN201717257U (zh) * | 2010-05-17 | 2011-01-19 | 南通皋鑫电子股份有限公司 | 一种大电流高压二极管引线 |
| CN105405896A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-03-16 | 天津天物金佰微电子有限公司 | 一种玻璃钝化高压双向触发二极管及制备工艺 |
| CN106269388A (zh) * | 2016-08-19 | 2017-01-04 | 南通皋鑫电子股份有限公司 | 高压二极管内涂料涂布装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107742609A (zh) | 2018-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108469366B (zh) | 一种大丝束碳纤维复丝拉伸性能测试试样及其制样方法 | |
| CN107742609B (zh) | 一种cl08-08系列高压二极管芯片表面一次涂布工艺 | |
| CN102746615B (zh) | 高耐热型高绝缘导热铝基覆铜板胶液组合物及制备工艺 | |
| CN104449533A (zh) | 电子电器用反应型聚氨酯热熔胶及其制备方法 | |
| CN101870798A (zh) | 一种环氧树脂团状模塑料及其制备方法 | |
| CN106244069B (zh) | 一种汽车电容用环氧树脂胶粘剂及其制备方法 | |
| CN103013358A (zh) | 粘接玻璃用低粘度低接触角耐低温紫外光固化胶粘剂及其制备方法 | |
| CN103013269B (zh) | 一种抗湿性变压器用环氧树脂漆 | |
| CN101397486A (zh) | 一种双组分环氧树脂胶粘剂及其制备方法 | |
| CN102363691A (zh) | 一种耐高温醇酸漆的浸渍工艺 | |
| CN111171749A (zh) | 一种可粘合其他塑胶材料的硅胶膜及其制备方法 | |
| CN203007188U (zh) | 107胶生产用粘度自动控制装置 | |
| CN102942885B (zh) | 一种醇型胶双效助剂及其制备方法和应用 | |
| CN103013202B (zh) | 一种耐冲击环氧树脂漆 | |
| CN104449252B (zh) | 一种耐热自粘漆及其制备方法 | |
| CN109096472B (zh) | 一种P-N-Si协同阻燃性环氧树脂固化剂在环氧树脂体系的应用 | |
| CN113861362B (zh) | 一种快速固化同时增韧苯并噁嗪树脂的方法 | |
| CN107365498B (zh) | 超导磁体用高温成型绝缘材料及制备方法 | |
| CN108401367A (zh) | 塑封电子模块及其制作方法 | |
| CN103588987A (zh) | 一种电绝缘膜及其制备方法 | |
| CN103196723A (zh) | 一种gps-2硅橡胶液拉伸试验标准试片制备方法 | |
| CN111944478A (zh) | 一种用于橡胶材料粘接的环氧树脂胶粘剂及其制备方法 | |
| CN111073583A (zh) | 一种用于灯具行业的新型耐热聚氨酯热熔胶及其制备方法 | |
| CN103013297A (zh) | 一种变压器用环保型环氧树脂漆 | |
| CN104312460B (zh) | 单组分丙烯酸厌氧粘棒胶及其生产方法、施工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210901 Address after: 226503 No. 82, Zhongshan West Road, Rucheng street, Rugao City, Nantong City, Jiangsu Province Patentee after: Jiangsu Gaoxin Electronics Co.,Ltd. Address before: 226500 No.82, Zhongshan West Road, Rucheng, Rugao, Nantong, Jiangsu Province Patentee before: NANTONG GAOXIN ELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |