CN107723668A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供成膜装置。该成膜装置具有蒸发源、电极及气体通路。蒸发源是具有收容工件的内部空间的金属的筒状。电极配置于蒸发源的内部空间。气体通路从蒸发源的外部空间向蒸发源的内部空间供给气体。气体通路具有位于内部空间的端部。气体通路的端部具有由第一材料构成的第一部位和由第二材料构成的第二部位。第一材料及第二材料具有彼此不同的热膨胀系数。

Description

成膜装置

技术领域

本发明涉及利用电弧放电在工件上生成膜的成膜装置。

背景技术

日本特开2016‐20518号公报所记载的成膜装置是通过电弧放电使从蒸发源放出的金属离子堆积于工件的表面而进行成膜的装置。该成膜装置具有：筒状的蒸发源，具有收容工件的内部空间；闭塞构件，将该内部空间密闭；及电极，沿着蒸发源的内壁面设置。

在这样的成膜装置中，从外部电源向蒸发源施加放电电压。由偏压电源向收容于蒸发源的内部空间的工件施加偏压电压。闭塞构件接地。并且，通过使碰撞器与蒸发源接触并立即使碰撞器从该蒸发源离开，来产生以蒸发源为阴极且以闭塞构件为阳极的电弧放电。由此，高密度的电流集中于蒸发源的内壁面的电弧点而放出离子。在上述公报所记载的成膜装置中，电极例如接地，或者向电极施加比蒸发源的电压低的正电压，从而电极与闭塞构件同样地作为阳极发挥功能。

发明内容

在上述公报所记载的成膜装置的情况下，电极具备向蒸发源的内部空间供给工艺气体的气体通路。从蒸发源放出的金属离子有时不仅向工件堆积，也向电极堆积。在该情况下，当反复执行电弧放电而金属离子向电极的堆积量变多时，有时也会以将设置于电极的气体通路的开口部闭塞的方式生成金属膜。在上述公报所记载的成膜装置中，关于这一点未作考虑，还有改善的余地。

用于达成上述目的的成膜装置具备蒸发源、电极及气体通路。蒸发源是由金属构成的筒状，且具有收容工件的内部空间。电极配置于所述蒸发源的内部空间。气体通路从所述蒸发源的外部空间向所述蒸发源的内部空间供给气体。气体通路具有位于所述内部空间的端部。成膜装置构成为通过在所述蒸发源与所述电极之间产生的电弧放电来使从所述蒸发源放出的金属离子堆积于所述工件而进行成膜。所述气体通路的所述端部具有由第一材料构成的第一部位和由第二材料构成的第二部位。所述第一材料及所述第二材料具有彼此不同的热膨胀系数。

在上述结构中，气体通路的端部具有由热膨胀系数彼此不同的材料构成的第一部位和第二部位。在气体通路接受电弧放电的热而膨胀时，第一部位与第二部位的热膨胀的程度会产生差异。即，通过利用在成膜时产生的电弧放电的热使气体通路的端部反复热膨胀，第一部位与第二部位之间的距离会发生变化。因此，根据上述结构，即使金属离子堆积于气体通路的端部而假设以将气体通路的端部闭塞的方式生成了金属膜，也能够促进该金属膜的脱落。

优选的是，上述成膜装置具备防附着件，该防附着件配置于所述蒸发源与所述电极之间，且相对于所述蒸发源及所述电极电绝缘，所述电极构成所述第一部位，所述防附着件构成所述第二部位，所述气体通路的所述端部由所述电极及所述防附着件构成。

根据上述结构，无需在电极及防附着件之外另外设置构成气体通路的端部的构件。因而，能够有助于削减成膜装置的构成部件。

另外，在该成膜装置中，优选的是，构成所述电极的所述第一材料具有比构成所述防附着件的所述第二材料高的热传导系数。

在上述结构中，电极的热传导系数比防附着件的热传导系数高。因而，与防附着件相比，电极的热容易向其他构件传递。这样，通过使电极的热容易向其他构件扩散，能够抑制该电极的温度变得过度的状态持续。

另外，在该成膜装置中，优选的是，构成所述电极的所述第一材料具有比构成所述防附着件的所述第二材料低的热膨胀系数。

在上述结构中，防附着件与电极相比热膨胀的程度大。另外，如上述那样，防附着件与电极相比难以使热扩散。因而，防附着件与电极相比，温度变高的状态更加持续。因此，根据上述结构，能够进一步增大防附着件和电极的热膨胀所引起的尺寸差，能够进一步增大热膨胀的前后的防附着件与电极之间的距离的变化。

附图说明

图1是示意性地示出成膜装置的一个实施方式的结构的剖视图。

图2是示出连结件的结构的立体图。

图3是示意性地示出在成膜装置中反复进行了电弧放电时的金属膜的生成形态的剖视图。

图4A是示出由电弧放电引起热膨胀之前的电极与防附着件之间的距离的剖视图。

图4B是示出由电弧放电引起热膨胀之后的电极与防附着件之间的距离的变化的剖视图。

图5是示意性地示出成膜装置的变形例的结构的剖视图。

图6A是示出在成膜装置的另一变形例中由电弧放电引起热膨胀之前的气体通路的端部的剖视图。

图6B是示出在成膜装置的所述变形例中由电弧放电引起热膨胀之后的气体通路的端部的变形形态的剖视图。

具体实施方式

参照图1～图4B对成膜装置的一个实施方式进行说明。

如图1所示，成膜装置具有蒸发源10。蒸发源10由例如钛等金属构成。蒸发源10是在内侧具有内部空间10A的圆筒状。蒸发源10与外部电源11电连接。在蒸发源10中，中心轴线C的延伸方向(以下称作“轴向”)上的第一端(图1的下端)与第一密闭构件12连结。第一密闭构件12形成为圆板状。第一密闭构件12的直径与蒸发源10的外径相同。第一密闭构件12与蒸发源10经由未图示的绝缘性的密封件而连结。此外，第一密闭构件12接地。蒸发源10的上述轴向上的第二端(图1的上端)与连结件13连结。

如图2所示，连结件13为环状。连结件13的第一端面13A(图2的下端面)与蒸发源10的上端连结。连结件13具有从与第一端面13A相反一侧的第二端面13B(图2的上端面)切口的形状的导入槽13C。在连结件13中，形成有导入槽13C的部分的厚度即所述轴向上的连结件13的长度比其他部分的厚度小。连结件13的外径与蒸发源10的外径相同。连结件13的内径比蒸发源10的内径小。连结件13与蒸发源10配置在同轴上。因而，如图1所示，连结件13内周侧的部分在径向(图1的左右方向)上位于比蒸发源10接近中心轴线C的位置。连结件13通过在由导电性的材料成形之后由例如氧化铝等绝缘性的材料包覆表面整体而制造。因而，连结件13具有绝缘性。

连结件13的第一端面13A与圆筒状的防附着件14连结。防附着件14以不锈钢为材料而形成，从连结件13朝向第一密闭构件12延伸。防附着件14的外径比蒸发源10的内径小。防附着件14的内径与连结件13的内径相同。防附着件14与蒸发源10配置在同轴上。因而，防附着件14的外壁面与蒸发源10的内壁面在整个周向上分离而彼此对向。另外，防附着件14的内壁面与连结件13的内壁面位于同一面。

在成膜装置也设置有电极15。电极15以铝为材料而构成，并且接地。电极15具有与连结件13的第二端面13B抵接的圆环状的抵接板部15A和从该抵接板部15A的内周侧的部分折弯而在上述轴向上延伸的圆筒状的放电部15B。放电部15B从抵接板部15A朝向第一密闭构件12延伸。放电部15B的外径比防附着件14的内径小。放电部15B与防附着件14配置在同轴上。因而，防附着件14配置于蒸发源10与电极15之间，放电部15B的外壁面与防附着件14的内壁面及连结件13的内壁面分离而彼此对向。在轴向上，放电部15B的顶端位于与防附着件14的顶端相同的位置。另外，由于放电部15B与蒸发源10配置在同轴上，所以从放电部15B的外壁面到蒸发源10的内壁面为止的径向上的距离在整个周向上相等。

另外，电极15的抵接板部15A与第二密闭构件16连结。即，抵接板部15A由第二密闭构件16和连结件13夹持。第二密闭构件16为圆板状。第二密闭构件16的直径与蒸发源10的外径相同。第二密闭构件16与电极15经由未图示的绝缘性的密封件而连结。第二密闭构件16接地。蒸发源10的内部空间10A由第一密闭构件12及第二密闭构件16密闭。

如图1所示，在成膜装置还设有工艺气体在内部流动的导入管17。此外，作为工艺气体，可以采用乙炔气体、氩气等适合电弧放电的气体。导入管17连接于电极15的外周面和连结件13的外周面，并与导入槽13C连通。因而，在导入管17的内部流动的工艺气体通过导入槽13C而流入防附着件14与电极15之间，向蒸发源10的内部空间10A供给。即，由连结件13、防附着件14及电极15构成了从蒸发源10的外部空间向蒸发源10的内部空间10A供给工艺气体的气体通路18。气体通路18具有由连结件13的导入槽13C及电极15的抵接板部15A构成的导入路18A和由连结件13的内壁面及电极15的放电部15B的外壁面构成的连通路18B。另外，气体通路18也具有由防附着件14及电极15构成且作为气体通路18中的配置于蒸发源10的内部空间10A的端部的导出路18C。

在此，构成电极15的铝与构成防附着件14的不锈钢相比，是热膨胀系数高的材料。因而，气体通路18中的导出路18C由热膨胀系数彼此不同的材料构成。即，在本实施方式中，构成电极15的铝相当于第一材料，构成防附着件14的不锈钢相当于第二材料。并且，气体通路18的导出路18C中的由电极15构成的径向内侧的部位相当于第一部位，由防附着件14构成的径向外侧的部位相当于第二部位。此外，构成电极15的铝与构成防附着件14的不锈钢相比，具有高的热传导系数。

另外，在成膜装置还设置有以包围蒸发源10的外周的方式配置且通过通电而生成磁场的电磁线圈19。

在该成膜装置中，将工件100收容于蒸发源10的内部空间10A，利用第一密闭构件12及第二密闭构件16将该内部空间10A密闭。然后，通过气体通路18供给工艺气体，并从外部电源11向蒸发源10施加放电电压，由偏压电源101向工件100施加偏压电压。此外，工件100与第一密闭构件12之间由未图示的绝缘片等绝缘构件绝缘。在该情况下，产生以蒸发源10为阴极且以电极15为阳极的电弧放电。

配置于蒸发源10与电极15之间的防附着件14与具有绝缘性的连结件13连接，相对于蒸发源10及电极15电绝缘。因而，如图1所示，在配置有防附着件14的部分抑制辉光放电的产生，以避开防附着件14的方式在电极15的放电部15B的顶端与蒸发源10之间进行电弧放电。当在蒸发源10与电极15之间产生电弧放电时，高密度的电流集中于蒸发源10的内壁面的电弧点AS而放出金属离子I。然后，通过该金属离子I向被施加有偏压电压的工件100堆积来进行成膜。此外，通过使在电磁线圈19流动的电流变化，而在成膜装置中使电弧放电的产生位置在周向上变化，从而抑制在特定的位置反复产生电弧放电。

接着，参照图3、图4A及图4B对本实施方式的作用效果进行说明。

(1)通过电弧放电的产生而从蒸发源10放出的金属离子I不仅向工件100堆积，也向防附着件14、电极15及各密闭构件12、16等构件堆积。

如图3所示，当反复执行电弧放电而金属离子I向防附着件14、电极15的堆积量变多时，也存在以将防附着件14与电极15相连的方式生成金属膜M，从而气体通路18的导出路18C的一部分被闭塞的情况。

如图4A所示，若在气体通路18的导出路18C的一部分由金属膜M闭塞的状态下产生电弧放电，则防附着件14及电极15接受该电弧放电的热而发生热膨胀。此时，在防附着件14与电极15之间会产生热膨胀的程度差，所以如图4B所示，防附着件14与电极15之间的距离会发生变化。即，由于电极15由具有比防附着件14高的热膨胀系数的材料构成，所以电极15向径向外侧的膨胀程度比防附着件14向径向外侧的膨胀程度大，相比于热膨胀前的电极15与防附着件14之间的距离L1，热膨胀后的电极15与防附着件14之间的距离L2变短(L1>L2)。另一方面，若使电弧放电的发生停止，则电极15及防附着件14的温度下降，电极15与防附着件14之间的距离恢复为热膨胀前的距离L1。这样，通过利用在成膜时产生的电弧放电的热来使气体通路18的导出路18C反复热膨胀，电极15与防附着件14之间的距离会发生变化。由此，使压缩应力反复作用于金属膜M，如图4B所示，促进该金属膜M的脱落。因此，即使金属离子I向防附着件14及电极15堆积而假设以闭塞气体通路18的导出路18C的方式生成了金属膜M，也能抑制该金属膜M成为就此附着的状态。

(2)由于由防附着件14和电极15构成了气体通路18的导出路18C，所以无需在防附着件14及电极15之外另外设置构成气体通路18的导出路18C的构件。因而，能够有助于削减成膜装置的构成部件。

(3)当防附着件14和电极15因金属膜M而短路时，防附着件14与蒸发源10成为能够电连接的状态，产生以位于比电极15接近蒸发源10的位置的防附着件14为阳极且以蒸发源10为阴极的电弧放电。在这样的情况下，难以通过控制向电磁线圈19的电流来使电弧放电的发生位置变化，会在短路的部分处反复进行电弧放电。因而，热也会集中于电极15的周向上的特定的位置。

在本实施方式中，构成气体通路18的防附着件14和电极15由具有彼此不同的热膨胀系数的材料构成。因而，通过利用电弧放电的热使防附着件14与电极15之间的距离变化而除去成为电极15与防附着件14之间的短路的原因的金属膜M，结果也能够抑制热集中于电极15的特定的位置。

(4)构成电极15的铝与构成防附着件14的不锈钢相比，具有高的热传导系数。因而，与防附着件14相比，电极15的热容易在电弧放电停止时向其他构件传递。这样，通过使电极15的热容易向其他构件扩散，也能够抑制该电极15的温度变得过高的状态持续。

上述实施方式能够如以下那样变更而实施。

·也可以采用铜作为构成电极15的第一材料，采用铝作为构成防附着件14的第二材料。在该结构中，构成电极15的材料与构成附着件14的材料相比，具有高的热传导系数，且具有低的热膨胀系数。因而，除了上述(1)～(4)的作用效果之外，还能得到以下的作用效果。

(5)在本实施方式中，防附着件14的热膨胀的程度比电极15大。因而，在受到了电弧放电的热时，电极15向径向外侧的膨胀程度比防附着件14向径向外侧的膨胀程度小，相比于热膨胀前的电极15与防附着件14之间的距离，热膨胀后的电极15与防附着件14之间的距离变长。由此，能够使拉伸应力作用于金属膜M而促进该金属膜M的脱落。另外，构成防附着件14的材料具有比构成电极15的材料低的热传导系数。因而，防附着件14与电极15相比，不容易使热扩散。因而，防附着件14的温度变高的状态比电极15更持续。即，在电极15的温度下降而热膨胀逐渐收起的过程中，通过使防附着件14的温度变高的状态持续而维持该防附着件14的热膨胀，也能够增大防附着件14和电极15的热膨胀所引起的尺寸差。

·构成电极15的第一材料及构成防附着件14的第二材料不限于不锈钢、铝，例如能够适当采用铜、镍、钨、钼等金属。此外，也可以以使第一材料的热膨胀系数比第二材料的热膨胀系数高且使第一材料的热传导系数比第二材料的热传导系数低的方式选择第一材料及第二材料。另外，也可以以使第一材料的热膨胀系数比第二材料的热膨胀系数低且使第一材料的热传导系数比第二材料的热传导系数低的方式选择第一材料及第二材料。另外，也可以以使第一材料的热传导系数与第二材料的热传导系数相同的方式选择第一材料及第二材料。此外，第一材料的热膨胀系数与第二材料的热膨胀系数之差例如优选为SUS304的热膨胀系数与铝的热膨胀系数之差以上，进一步优选为SUS403的热膨胀系数与铝的热膨胀系数之差以上。

·在成膜装置中，也可以使用电极15及防附着件14以外的构件来构成气体通路。例如，也可以采用图5所示的结构。此外，以下，对于与上述实施方式同样的结构，标注共同的标号而省略其详细说明。

如图5所示，成膜装置具有与连结件13的第一端面13A连结的防附着件14。防附着件14形成为由不锈钢构成的圆筒状，从连结件13向第一密闭构件12侧延伸。防附着件14的外径比蒸发源10的内径小。防附着件14的内径比连结件13的内径大。因而，防附着件14配置于蒸发源10的内壁面与连结件13的内壁面之间的位置。另外，第二密闭构件16与圆筒状的电极50的一端连结。电极50由铝形成，经由未图示的绝缘性的密封件而与第二密闭构件16连结。电极50接地。电极50配置于比连结件13接近中心轴线C的位置。

在电极50与防附着件14之间设置有从蒸发源10的外部空间向蒸发源10的内部空间10A供给气体的气体通路51。气体通路51的一部分由与连结件13的第一端面13A连结的外筒部52和与连结件13的第二端面13B连结的内筒部53构成。外筒部52形成为圆筒状，其在轴向上的长度与防附着件14在轴向上的长度相等。另外，外筒部52的内径与连结件13的内径相同。外筒部52的外径比防附着件14的内径小。

内筒部53具有与连结件13的第二端面13B抵接的圆环状的抵接部53A和从该抵接部53A的内周侧的部分弯曲而在上述轴向上延伸的圆筒状的筒状部53B。抵接部53A与第二密闭构件16连结。即，抵接部53A由第二密闭构件16和连结件13夹持。第二密闭构件16与抵接部53A经由未图示的绝缘性的密封件而连结。筒状部53B从抵接部53A朝向第一密闭构件12延伸。筒状部53B的外径比连结件13的内径小。因而，筒状部53B从连结件13离开而配置，与外筒部52分离而彼此对向。另外，筒状部53B的内径比电极50的外径大。外筒部52例如由不锈钢构成，内筒部53例如由铝构成。

导入管17与结件13的外周面及内筒部53的外周面连结，且与导入槽13C连通。在导入管17的内部流动的工艺气体通过导入槽13C而流入外筒部52与内筒部53之间，向蒸发源10的内部空间10A供给。即，由连结件13、外筒部52及内筒部53构成了气体通路51。气体通路51具有由连结件13的导入槽13C及内筒部53的抵接部53A构成的导入路51A和由连结件13的内壁面及内筒部53的筒状部53B的外壁面构成的连通路51B。另外，气体通路51也具有由外筒部52及内筒部53构成且作为配置于气体通路51中的蒸发源10的内部空间10A的端部的导出路51C。

在该结构中，气体通路51的端部通过由热膨胀系数彼此不同的材料形成的外筒部52和内筒部53而构成。因此，在该结构中，构成内筒部53的铝相当于第一材料，构成外筒部52的不锈钢相当于第二材料。并且，气体通路51的导出路51C中的由内筒部53构成的径向内侧的部位相当于第一部位，由外筒部52构成的径向外侧的部位相当于第二部位。此外，内筒部53及外筒部52由绝缘性的密封件及连结件13支撑，所以相对于电极50及蒸发源10电绝缘。

在该成膜装置中，通过气体通路51来供给工艺气体，并从外部电源向蒸发源10施加放电电压，由偏压电源101向工件100施加偏压电压。由此，在电极50的顶端与蒸发源10之间进行电弧放电。如上所述，外筒部52和内筒部53由具有彼此不同的热膨胀系数的材料构成。因而，当内筒部53及外筒部52接受电弧放电的热而热膨胀时，内筒部53与外筒部52之间的距离变短。另一方面，当使电弧放电的发生停止时，外筒部52及内筒部53的温度下降，外筒部52与内筒部53之间的距离恢复为热膨胀前的距离。因此，通过该结构，也能够利用在成膜时产生的电弧放电的热来使气体通路51的导出路51C反复热膨胀，所以能够使外筒部52与内筒部53之间的距离断续地变化。因而，能够得到与上述的作用效果(1)同样的作用效果。此外，构成内筒部53的第一材料及构成外筒部52的第二材料不限于不锈钢、铝，例如可以适当采用铜、镍、钨、钼等金属。另外，若采用不锈钢作为构成内筒部53的第一材料，并采用铝作为构成外筒部52的第二材料，则在内筒部53及外筒部52接受电弧放电的热而发生了热膨胀时，也能够增长内筒部53与外筒部52之间的距离。

此外，在上述的结构中，也可以以使构成电极50的材料的热膨胀系数与构成内筒部53的材料的热膨胀系数彼此不同的方式选择这些材料。另外，也可以以使构成防附着件14的材料的热膨胀系数与构成外筒部52的材料的热膨胀系数彼此不同的方式选择这些材料。另外，也可以省略防附着件14。

·气体通路18、51的上述端部不限于意味着导出路18C、51C的整体。例如，在上述的由电极15及防附着件14构成导出路18C的实施方式中，也可以将由电极15的放电部15B的顶端部和防附着件14的顶端部构成的部分设为上述端部。

例如，也可以是，电极15的放电部15B的顶端部由铝构成，电极15的除此以外的部分由不锈钢构成。在该结构中，由于防附着件14的包含顶端部的整体由不锈钢构成，所以彼此对向的电极15的顶端部和防附着件14的顶端部由热膨胀系数不同的材料分别构成，在除此以外的部分处构成电极15和防附着件14的材料相同。

另外，也可以是，电极15的整体由铝构成，防附着件14的顶端部由不锈钢构成，防附着件14的除此以外的部分由铝构成。在该情况下，能够将由电极15的顶端部和防附着件14的顶端部构成的部分设为在气体通路18中配置于蒸发源10的内部空间10A的端部。

此外，电极15的上述顶端部构成第一部位，防附着件14的上述顶端部构成第二部位。通过这样的结构，也能够利用电弧放电的热来使气体通路18中的第一部位与第二部位之间的距离变化，能够使附着于气体通路18的端部的金属膜M脱落。

·气体通路的结构不限于上述结构。例如，也可以采用图6A及图6B所示的结构。

如图6A所示，也可以是，构成气体通路18的上述端部的导出路18C由圆筒状的第一构件60和具有比该第一构件60的外径大的内径的圆筒状的第二构件61构成。第二构件61是双金属构造，由与第一构件60对向的内周部61A和与该内周部61A的外周面连结的外周部61B构成。内周部61A由具有比外周部61B高的热膨胀系数的材料构成。另外，外周部61B由具有比第一构件60高的热膨胀系数的材料构成。即，构成第二构件61的材料的双方都由具有比第一构件60高的热膨胀系数的材料构成。气体通路18的导出路18C中的由第一构件60构成的径向内侧的部位相当于第一部位，由第二构件61构成的径向外侧的部位相当于第二部位。

如图6B所示，在该结构中，由于第一构件60向径向外侧的膨胀程度比第二构件61向径向外侧的膨胀程度小，所以当第一构件60及第二构件61接受电弧放电的热而热膨胀时，相比于热膨胀前的第一构件60与第二构件61之间的距离L3，热膨胀后的第一构件60与第二构件61之间的距离L4变长。而且，由于第二构件61是双金属构造，内周部61A具有比外周部61B高的热膨胀系数，所以第二构件61的顶端部向从第一构件60离开的方向弯曲。根据这样的结构，在热膨胀的前后能够使第一构件60与第二构件61之间的距离更加大幅变化。因而，能够得到与上述的作用效果(1)同样的作用效果。

此外，构成第一构件60的材料与构成第二构件61的材料的热膨胀系数的关系不限于上述关系，例如也可以是，构成第一构件60的材料的热膨胀系数比构成第二构件61的材料的双方高。并且，也可以是，在第二构件61中，由热膨胀系数比外周部61B低的材料构成内周部61A。另外，也可以是，构成第一构件60的材料的热膨胀系数比构成第二构件61的材料的一方低而比另一方高。总之，只要在构成气体通路18的导出路18C的第一构件60及第二构件61中，由热膨胀系数彼此不同的材料构成它们即可。

另外，也可以使第一构件60成为如上所述的双金属构造。

·蒸发源10不限于圆筒状。例如，也可以是截面为多边形的筒状。另外，蒸发源10也可以是有底筒状。在该情况下，可以省略第一密闭构件12。

·连结件13的结构不限于上述实施方式的结构。例如，也可以在周向上设置多个导入槽13C。在该情况下，与多个导入槽13C对应地配置多个导入管17即可。另外，作为气体通路18、51的导入路18A、51A的结构，不限于导入槽13C。例如，也可以取代导入槽13C而设置贯通连结件13的贯通孔。另外，也可以不是在连结件13设置导入槽13C，而是在电极15的抵接板部15A和/或内筒部53的抵接部53A设置从与连结件13对向的面延伸至连结件13的多个支撑柱等支撑构件。根据该结构，由支撑柱在连结件13与电极15或内筒部53之间保持隙间，形成气体通路18、51的导入路18A、51A。

·作为连结件13的制造方法，例示了在利用导电性的材料形成连结件13之后，利用绝缘性的材料包覆其表面的方法，但也可以通过其他方法来制造连结件13。例如，也可以通过使用绝缘性的材料成形为期望的形状来制造绝缘性的连结件13。

·也可以在上述成膜装置设置碰撞器。碰撞器能够位移到与蒸发源10抵接的位置和不与蒸发源10抵接的退避位置，并且接地。在该结构中，从外部电源11向蒸发源10施加放电电压，由偏压电源101向工件100施加偏压电压。然后，通过使碰撞器与蒸发源10接触并立即使碰撞器从该蒸发源10离开，来产生以蒸发源10为阴极且以电极15为阳极的电弧放电。

·在气体通路18,51的上述端部中，也可以使第一部位及第二部位中的由热膨胀系数高的材料构成的一方的厚度比另一方薄。根据该结构，能够相对于电弧放电所引起的受热量使厚度薄的一方的变形量比另一方大，所以能够使第一部位与第二部位之间的距离大幅变化。

·虽然将防附着件14、电极15的放电部15B及外筒部52、内筒部53的筒状部53B形成为了圆筒状，但也可以适当变更它们的形状。即，在与轴向正交的方向上的截面中，上述各构件不限于环状，也可以是例如圆弧状。在这样的结构中，结果是，气体通路18、51在上述截面中构成为圆弧状。这样，气体通路18、51不限于在上述截面中构成为环状。即使是这样的结构，由于气体通路18、51的端部具有由热膨胀系数不同的材料构成的第一部位和第二部位，所以也能够利用电弧放电的热使第一部位与第二部位之间的径向、轴向上的距离变化。

Claims (4)

1.一种成膜装置，具备：

蒸发源，是由金属构成的筒状的蒸发源，且具有收容工件的内部空间；

电极，配置于所述蒸发源的内部空间；及

气体通路，是从所述蒸发源的外部空间向所述蒸发源的内部空间供给气体的气体通路，且具有位于所述内部空间的端部，

所述成膜装置构成为通过在所述蒸发源与所述电极之间产生的电弧放电来使从所述蒸发源放出的金属离子堆积于所述工件而进行成膜，

其中，

所述气体通路的所述端部具有由第一材料构成的第一部位和由第二材料构成的第二部位，所述第一材料及所述第二材料具有彼此不同的热膨胀系数。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

所述成膜装置还具备防附着件，该防附着件配置于所述蒸发源与所述电极之间，相对于所述蒸发源及所述电极电绝缘，

所述电极构成所述第一部位，所述防附着件构成所述第二部位，

所述气体通路的所述端部由所述电极及所述防附着件构成。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其中，

构成所述电极的所述第一材料具有比构成所述防附着件的所述第二材料高的热传导系数。

4.根据权利要求2或3所述的成膜装置，其中，

构成所述电极的所述第一材料具有比构成所述防附着件的所述第二材料低的热膨胀系数。