CN107680974B - 一种显示面板和显示装置 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 251
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 78
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 12
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种显示面板,包括:基板薄膜层;设置在基板薄膜层上的有机薄膜层;有机薄膜层至少包括:缓冲层、第一金属层、栅极绝缘层和栅极金属层,缓冲层设置在基板薄膜层上,缓冲层包括:依次形成在基板薄膜层上的第一缓冲层和第二缓冲层,第一金属层形成在所述第一缓冲层和所述第二缓冲层之间;所述第一金属层、栅极绝缘层和栅极金属层构成一用于消除静电的电容;以及设置于有机薄膜层上的功能层,功能层至少包括阳级膜层。本发明还公开了一种显示装置。实施本发明的显示面板和显示装置,可消除面板制作过程中累计的静电,避免膜层腐蚀等不良,保证画面正常显示,提高显示面板的产出良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板制造领域,尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
柔性显示技术是下一代的主流显示技术。现有技术中柔性显示面板主要采用有源矩阵低温多晶硅薄膜晶体管进行驱动,在制作过程中,累计的静电容易造成fanout区金属栅极层击伤,导致信号传输线腐蚀或者断裂,造成柔性显示面板画面显示异常的情况。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种显示面板和显示装置,可消除面板制作过程中累计的静电,避免膜层腐蚀等不良,保证画面正常显示,提高柔性显示面板的产出良率。
为了解决上述技术问题,本发明的实施例提供了一种显示面板,包括:基板薄膜层;设置在基板薄膜层上的有机薄膜层;有机薄膜层至少包括:缓冲层、第一金属层、栅极绝缘层和栅极金属层,缓冲层设置在基板薄膜层上,缓冲层包括:依次形成在基板薄膜层上的第一缓冲层和第二缓冲层,第一金属层形成在第一缓冲层和第二缓冲层之间;栅极绝缘层形成在第二缓冲层上,栅极绝缘层和第二缓冲层之间设有有源层,栅极金属层形成在栅极绝缘层上,所述第一金属层、栅极绝缘层和栅极金属层构成一用于消除静电的电容,电容在第一金属层图案形成之后,沉积第二缓冲层和有源层,利用光刻和干法刻蚀技术形成有源层的图形之后,沉积栅极绝缘层以及栅极金属层,利用光刻和干法刻蚀技术形成图形;以及设置于有机薄膜层上的功能层,功能层至少包括阳级膜层;有机薄膜层还包括:依次形成在栅极金属层上的第二绝缘层、形成在第二绝缘层上的第二金属层以及形成在第二金属层上的层间绝缘层,其中,通过光刻和干法刻蚀工艺将第二绝缘层和第二金属层图案化。
其中,电容为圆形或者方形。
其中,有机薄膜层与功能层之间设置有平坦层,平坦层使用的材料为聚酰亚胺,其厚度尺寸范围为1.5~3um。
其中,第一缓冲层的厚度尺寸范围为200~400nm,第一金属层的材料为金属Mo,其厚度尺寸范围为150~250nm,第二缓冲层的厚度尺寸范围为200~300nm;有源层的厚度尺寸范围为40~50nm、栅极绝缘层的厚度尺寸范围为50~200nm,栅极金属层的材料为金属Mo,其厚度尺寸范围为150~250nm。
其中,有机薄膜层还包括:依次形成在栅极绝缘层、第二绝缘层以及层间绝缘层上的源漏极金属层,其中,源漏极金属层位于平坦层的下方,其中:源漏极金属层使用的材料为钛和/或铝,其厚度尺寸范围为400~600nm。
其中,功能层还包括:依次形成在阳极膜层上的像素定义层和PS层;其中:像素定义层使用的材料为聚酰亚胺,其厚度尺寸范围为1.5~3um,PS层使用的材料为聚酰亚胺,其厚度尺寸范围为1.5~3um;阳极膜层使用的材料为氧化铟和银,阳极膜层的厚度尺寸范围为100~250nm。
其中,基板薄膜层的材料为聚酰亚胺,其厚度尺寸范围为10~20um。
本发明还公开了一种显示装置。
实施本发明所提供的显示面板和显示装置,具有如下有益效果:
第一、显示面板包括电容,其依次形成在第一金属层、栅极绝缘层和栅极金属层三者之间,利用光刻和干法刻蚀技术形成图形,以保护柔性显示面板在制作过程中不被静电击伤。
第二,通过消除因产生静电而造成的功能层结构腐蚀的状况的同时,提高柔性显示装置产出的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,为本发明显示面板的实施例一。
本实施例中的显示面板,具有静电保护的功能,其包括:基板100;设置在基板100上的基板薄膜层101;有机薄膜层至少包括:缓冲层、第一金属层、栅极绝缘层和栅极金属层,缓冲层设置在基板薄膜层上,第一金属层、栅极绝缘层和栅极金属层构形成一用于消除静电的电容;以及设置于有机薄膜层上的功能层,功能层至少包括:阳级膜层113。
具体实施时,基板100为玻璃基板,基板薄膜层101涂覆在玻璃基板上,制成后,起支撑作用的玻璃基板100将被取走,基板薄膜层101作为显示面板的基板。本实施例中,基板薄膜层101由聚酰亚胺材料制成,其厚度尺寸范围为10~20um。
进一步的,缓冲层包括:依次形成在基板薄膜层101上的第一缓冲层102和第二缓冲层104,第一金属层103形成在第一缓冲层102和第二缓冲层104之间;栅极绝缘层106形成在第二缓冲层104上,栅极绝缘层106和第二缓冲层104之间设有有源层105,栅极金属层107形成在栅极绝缘层106上。
具体实施时,在第一缓冲层102上形成的第一金属层103、栅极绝缘层106和栅极金属层107构成一个用于消除静电的电容,电容的作用是:利用光刻和干法刻蚀技术形成图形,以保护显示面板在制作过程中不被静电击伤,消除因产生静电而造成的功能层结构腐蚀的状况。其形成原理如下:在第一金属层103图案形成之后,沉积第二缓冲层104和有源层105,利用光刻和干法刻蚀技术形成有源层105的图形之后,沉积栅极绝缘层106以及栅极金属层107,利用光刻和干法刻蚀技术形成图形。
优选的,电容为圆形或者方形,如此,简化工艺,保护显示面板在制作过程中不被静电击伤,消除因产生静电而造成的功能层结构腐蚀的状况。
优选的,第一缓冲层102的厚度尺寸范围为200~400nm,第一金属层103的材料为金属Mo,其厚度尺寸范围为150~250nm,第二缓冲层104的厚度尺寸范围为200~300nm;有源层105的厚度尺寸范围为40~50nm、栅极绝缘层106的厚度尺寸范围为50~200nm,栅极金属层107的材料为金属Mo,其厚度尺寸范围为150~250nm。
进一步的,有机薄膜层还包括:依次形成在栅极金属层107上的第二绝缘层108、形成在第二绝缘层108上的第二金属层109以及形成在第二金属层109上的层间绝缘层110,其中,通过光刻和干法刻蚀工艺将第二绝缘层108和第二金属层109图案化。
其中,第二绝缘层108的厚度尺寸范围为50~200nm、第二金属层109的材料为金属Mo,其厚度尺寸范围为150~250nm,层间绝缘层110的厚度尺寸范围为500~700nm。
进一步的,有机薄膜层还包括:依次形成在栅极绝缘层106、第二绝缘层108以及层间绝缘层110上的源漏极金属层111,其中,源漏极金属层111位于平坦层112的下方,其中:源漏极金属层111使用的材料为钛和/或铝,其厚度尺寸范围为400~600nm。
优选的,有机薄膜层与功能层之间设置有平坦层112,平坦层112使用的材料为聚酰亚胺,其厚度尺寸范围为1.5~3um。
其中:功能层包括阳级膜层113,阳级膜层113使用的材料为氧化铟和银,阳级膜层113的厚度尺寸范围为100~250nm,如此简化工艺,提高产品良率。
进一步的,功能层还包括:依次形成在阳极膜层上的像素定义层114和PS层115;其中:像素定义层114使用的材料为聚酰亚胺,其厚度尺寸范围为1.5~3um,PS层115使用的材料为聚酰亚胺,其厚度尺寸范围为1.5~3um。
本实施例中在平坦层112的下方,也就是在第一缓冲层102上形成的第一金属层103、栅极绝缘层106和栅极金属层107之间设置至少一个用于消除静电的电容的作用是:保护柔性显示面板在制作过程中不被静电击伤,消除因产生静电而造成的功能层结构腐蚀的状况。可以理解的是,其它实施方式中可按照上述工艺和位置设置多个具有消除静电功能的电容。
本发明还公开了一种具有上述显示面板的显示装置,显示装置的具体实施方式与上述显示面板的实施方式相同,不再赘述。
实施本发明所提供的显示面板和显示装置,具有如下有益效果:
第一、显示面板包括电容,其包括依次形成在第一金属层、栅极绝缘层和栅极金属层利用光刻和干法刻蚀技术形成图形,以保护柔性显示面板在制作过程中不被静电击伤。
第二,通过消除因产生静电而造成的功能层结构腐蚀的状况的同时,提高柔性显示装置产出的良率。
Claims (8)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板薄膜层;
设置在所述基板薄膜层上的有机薄膜层;所述有机薄膜层至少包括:缓冲层、第一金属层、栅极绝缘层和栅极金属层,所述缓冲层设置在基板薄膜层上,所述缓冲层包括:依次形成在所述基板薄膜层上的第一缓冲层和第二缓冲层,所述第一金属层形成在所述第一缓冲层和所述第二缓冲层之间;所述栅极绝缘层形成在所述第二缓冲层上,所述栅极绝缘层和所述第二缓冲层之间设有有源层,所述栅极金属层形成在所述栅极绝缘层上,所述第一金属层、栅极绝缘层和栅极金属层构成一用于消除静电的电容,所述电容在第一金属层图案形成之后,沉积第二缓冲层和有源层,利用光刻和干法刻蚀技术形成有源层的图形之后,沉积栅极绝缘层以及栅极金属层,利用光刻和干法刻蚀技术形成图形;以及
设置于所述有机薄膜层上的功能层,所述功能层至少包括阳极膜层;所述有机薄膜层还包括:依次形成在所述栅极金属层上的第二绝缘层、形成在所述第二绝缘层上的第二金属层以及形成在所述第二金属层上的层间绝缘层,其中,通过光刻和干法刻蚀工艺将所述第二绝缘层和所述第二金属层图案化。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电容为圆形或者方形。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有机薄膜层与所述功能层之间设置有平坦层,所述平坦层使用的材料为聚酰亚胺,其厚度尺寸范围为1.5~3um。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一缓冲层的厚度尺寸范围为200~400nm,所述第一金属层的材料为金属Mo,其厚度尺寸范围为150~250nm,所述第二缓冲层的厚度尺寸范围为200~300nm;
所述有源层的厚度尺寸范围为40~50nm、所述栅极绝缘层的厚度尺寸范围为50~200nm,所述栅极金属层的材料为金属Mo,其厚度尺寸范围为150~250nm。
5.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述有机薄膜层还包括:依次形成在所述栅极绝缘层、所述第二绝缘层以及所述层间绝缘层上的源漏极金属层,其中,所述源漏极金属层位于所述平坦层的下方,其中:
所述源漏极金属层使用的材料为钛和/或铝,其厚度尺寸范围为400~600nm。
6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述功能层还包括:
依次形成在所述阳极膜层上的像素定义层和PS层;其中:所述像素定义层使用的材料为聚酰亚胺,其厚度尺寸范围为1.5~3um,所述PS层使用的材料为聚酰亚胺,其厚度尺寸范围为1.5~3um;
所述阳极膜层使用的材料为氧化铟和银,所述阳极膜层的厚度尺寸范围为100~250nm。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述基板薄膜层的材料为聚酰亚胺,其厚度尺寸范围为10~20um。
8.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1-7任一项所述的显示面板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710862180.8A CN107680974B (zh) | 2017-09-21 | 2017-09-21 | 一种显示面板和显示装置 |
PCT/CN2017/109499 WO2019056513A1 (zh) | 2017-09-21 | 2017-11-06 | 一种显示面板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710862180.8A CN107680974B (zh) | 2017-09-21 | 2017-09-21 | 一种显示面板和显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107680974A CN107680974A (zh) | 2018-02-09 |
CN107680974B true CN107680974B (zh) | 2020-12-29 |
Family
ID=61136915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710862180.8A Active CN107680974B (zh) | 2017-09-21 | 2017-09-21 | 一种显示面板和显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107680974B (zh) |
WO (1) | WO2019056513A1 (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10453872B1 (en) | 2018-05-03 | 2019-10-22 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technologiy Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof |
CN108598091B (zh) * | 2018-05-03 | 2020-03-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
CN109148739A (zh) * | 2018-08-22 | 2019-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法 |
CN109638018A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-04-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及其显示器件 |
CN110854135B (zh) * | 2019-10-29 | 2023-09-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 |
CN111965880B (zh) * | 2020-09-03 | 2022-10-18 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示装置及其制备方法、电子设备 |
CN113281943A (zh) * | 2021-05-19 | 2021-08-20 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101022652B1 (ko) * | 2009-04-02 | 2011-03-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 제조방법 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조방법 |
KR101065412B1 (ko) * | 2009-10-06 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN103000531A (zh) * | 2012-12-14 | 2013-03-27 | 友达光电股份有限公司 | 一种用于低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法 |
CN103474437B (zh) * | 2013-09-22 | 2015-11-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法与显示装置 |
CN203811938U (zh) * | 2014-05-14 | 2014-09-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN104064516B (zh) * | 2014-07-17 | 2017-12-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
CN104749844A (zh) * | 2015-04-16 | 2015-07-01 | 上海中航光电子有限公司 | 静电防护电路、阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN105929615B (zh) * | 2016-06-21 | 2019-05-03 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及液晶面板 |
CN106024781B (zh) * | 2016-07-22 | 2019-06-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 静电放电器件、其制造方法及阵列基板、显示面板和装置 |
CN106340522B (zh) * | 2016-10-21 | 2019-05-28 | 奕瑞影像科技(太仓)有限公司 | 一种薄膜晶体管面板结构及制作方法 |
CN106783882B (zh) * | 2016-12-27 | 2019-11-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及其制造方法 |
CN107123666A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-09-01 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
-
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- 2017-09-21 CN CN201710862180.8A patent/CN107680974B/zh active Active
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