CN107680497A - 显示基板的制造方法、显示基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示基板的制造方法、显示基板、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。该方法包括：在衬底基板上方设置掩模板，掩模板包括遮挡区域，遮挡区域在衬底基板上的正投影与衬底基板的翻折区域存在重叠；利用掩模板在衬底基板上形成具有开口的无机层图案，开口在衬底基板上的正投影与衬底基板的翻折区域存在重叠。本发明通过掩模板直接遮挡衬底基板的翻折区域，再利用掩模板在衬底基板上形成无机层图案，由于掩模板的遮挡，无机层图案在翻折区域会存在一个开口，无需构图工艺即可去除无机层位于翻折区域的部分。解决了相关技术中过程较复杂，且耗时较长的问题。达到了能够方便快捷的去除无机层位于翻折区域的部分的效果。

Description

显示基板的制造方法、显示基板、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板的制造方法、显示基板、显示面板和显示装置。
背景技术
窄边框的显示面板具有显示区域比例(显示面板的显示面中显示图像的区域与显示面的总面积的比例)大、显示效果好和能够提供给观众沉浸式的观看体验等优点。如图1所示，为了实现显示面板的窄边框，需要将显示面板位于外围区(pad区)12的部分从翻折区域11(翻折区域为预先设置的用于进行翻折的区域)翻折至显示面板10的非显示面(显示面A的另一面)。但由于显示面板10的显示基板中包括硬度较大的无机层，强行翻折可能损坏显示面板，因而在进行翻折操作之前，先将翻折区域11中的无机层去除。
目前的一种显示基板的制造方法中，首先以化学气相沉积(英文：Chemical VaporDeposition；简称：CVD)的方式形成无机层(形成无机层的过程可以包括：由喷口喷出反应气体，该反应气体在衬底基板上形成无机层)，之后通过构图工艺去除该无机层位于翻折区域的部分，以形成无机层图案。依照上述方式能够去除衬底基板上每个无机层位于翻折区域的部分。
在实现本发明的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：上述方法需要通过构图工艺去除无机层位于翻折区域的部分，过程较为复杂，且耗时较长。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示基板的制造方法、显示基板、显示面板和显示装置，可以解决相关技术中需要通过构图工艺去除无机层位于翻折区域的部分，过程较为复杂，且耗时较长的问题。所述技术方案如下：
根据本发明实施例的第一方面，提供了一种显示面板的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板上方设置掩模板，所述掩模板包括遮挡区域，所述遮挡区域在所述衬底基板上的正投影与所述衬底基板的翻折区域存在重叠；
利用所述掩模板在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案，所述开口在所述衬底基板上的正投影与所述衬底基板的翻折区域存在重叠。
可选的，所述利用所述掩模板在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案，包括：
以所述掩模板作为掩模，通过化学气相沉积技术在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案。
可选的，所述利用所述掩模板在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案，包括：
利用所述掩模板在所述衬底基板上依次形成两层或多层无机层图案。
可选的，所述利用所述掩模板在所述衬底基板上依次形成两层或多层无机层图案，包括：
利用所述掩模板在所述衬底基板上形成第一无机层图案；
减小掩模距离，所述掩模距离为所述掩模板与所述衬底基板之间的距离；
利用所述掩模板在所述衬底基板上形成第二无机层图案。
可选的，所述减小掩模距离，包括：
根据所述第二无机层图案上的所述开口的预设宽度减小所述掩模距离，所述预设宽度与所述掩模距离负相关，且所述预设宽度小于或等于所述遮挡区域的宽度。
可选的，还包括：
在所述掩模板和所述化学气相沉积技术的反应气体的喷口之间设置气体扩散器。
根据本发明实施例的第二方面，提供一种显示基板，所述显示基板为通过第一方面所述方法制造的显示基板，所述显示基板包括衬底基板；
所述衬底基板上设置有具有开口的无机层图案，所述无机层图案是利用掩模板在所述衬底基板上形成的，所述开口在所述衬底基板上的正投影与所述衬底基板的翻折区域存在重叠。
可选的，所述无机层图案包括设置在所述衬底基板上的第一无机层图案以及设置在所述第一无机层图案远离所述衬底基板一侧的第二无机层图案，所述第二无机层图案上的所述开口的宽度大于所述第一无机层图案上的所述开口的宽度。
可选的，所述显示基板为有机发光二极管显示面板中的显示基板。
根据本申请的第三方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括第二方面所述的显示基板。
根据本申请的第四方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括本申请第三方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过掩模板直接遮挡衬底基板的翻折区域，再利用掩模板在衬底基板上形成无机层图案，由于掩模板的遮挡，无机层图案在翻折区域会存在一个开口，无需构图工艺即可去除无机层位于翻折区域的部分。解决了相关技术中需要通过构图工艺去除无机层位于翻折区域的部分，过程较为复杂，且耗时较长的问题。达到了能够方便快捷的去除无机层位于翻折区域的部分的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是相关技术中翻折显示基板的示意图；
图2是本发明实施例示出的一种显示基板的制造方法的流程图；
图3-1是本发明实施例提供的另一种显示基板的制造方法的流程图；
图3-2是图3-1所示的显示基板的制造方法中衬底基板、喷口和掩模板的结构示意图；
图3-3是图3-1所示的显示基板的制造方法中衬底基板、喷口、掩模板和气体扩散器的结构示意图；
图3-4是图3-1所示的显示基板的制造方法中形成了第一无机层图案后衬底基板以及其他各个结构的示意图；
图3-5是图3-1所示的显示基板的制造方法中形成第二无机层图案的流程图；
图3-6是图3-1和图3-5所示的显示基板的制造方法中形成有两个无机层的衬底基板的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图。
通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
构图工艺通常包括曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺，过程复杂且耗时较长(节拍时间(英文：tact time)长)。此外，相关技术中，通过构图工艺去除不同的无机层位于翻折区域的部分时，还需要不同的掩膜板，大大增加了生产成本。本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法，能够解决相关技术中的这一问题。如图2所示，其为本发明实施例示出的一种显示基板的制造方法的流程图。该显示基板的制造方法可以包括如下几个步骤：
步骤201、在衬底基板上方设置掩模板，掩模板包括遮挡区域，遮挡区域在衬底基板上的正投影与衬底基板的翻折区域存在重叠。
步骤202、利用掩模板在衬底基板上形成具有开口的无机层图案，开口在衬底基板上的正投影与衬底基板的翻折区域存在重叠。
综上所述，本发明实施例提供的显示基板制造方法，通过掩模板直接遮挡衬底基板的翻折区域，再利用掩模板在衬底基板上形成无机层图案，由于掩模板的遮挡，无机层图案在翻折区域会存在一个开口，无需构图工艺即可去除无机层位于翻折区域的部分。解决了相关技术中需要通过构图工艺去除无机层位于翻折区域的部分，过程较为复杂，且耗时较长的问题。达到了能够方便快捷的去除无机层位于翻折区域的部分的效果。
图3-1是本发明实施例提供的另一种显示基板的制造方法的流程图。该显示基板的制造方法可以包括如下几个步骤：
步骤301、将衬底基板放入真空腔室。
在通过本发明实施例提供的方法制造显示基板时，首先可以将衬底基板放入真空腔室，以提高后续各个步骤所形成的膜层的质量。该衬底基板可以是柔性的衬底基板，以方便后续将显示基板位于外围区的部分从翻折区域翻折至显示基板的非显示面。
需要说明的是，衬底基板上的翻折区域通常位于显示基板的外围区域中，靠近有效显示区的位置，如此可以增大翻折到非显示面部分，进一步减少显示基板的边框。
步骤302、在衬底基板上方设置掩模板。
衬底基板上方的掩模板可以位于反应气体的喷口和衬底基板之间，反应气体为用于形成无机层的反应气体，该掩模板可以用于限制喷口喷出的反应气体在衬底基板上形成的无机层图案的形状。
需要说明的是，显示基板中可能存在跨越外围区和有效显示区(英文：ActiveArea；简称：AA)的导线，无机层可能作为该导线的绝缘层，因而该导线在衬底基板上的正投影和掩模板中的遮挡区域在衬底基板上的正投影可以不重叠，使反应气体能够在该导线所在区域形成绝缘层。
如图3-2所示，其为本步骤结束时，衬底基板31、喷口50和掩模板40的结构示意图，掩模板40可以包括遮挡区域41和开口42。
步骤303、在掩模板和化学气相沉积技术的反应气体的喷口之间设置气体扩散器。
气体扩散器用于使喷口喷出的反应气体均匀的溢散到衬底基板的各个区域(除掩模板的遮挡区域所遮挡的区域)。如图3-3所示，其为本步骤结束时，衬底基板31、喷口50、掩模板40和气体扩散器60的结构示意图，喷口50喷出的反应气体经过气体扩散器60的扩散后，可以均匀的飘向衬底基板31。
步骤304、以掩模板作为掩模，通过化学气相沉积技术在衬底基板上形成具有开口的第一无机层图案。。
本发明实施例所使用的化学气相沉积(英文：Chemical Vapor Deposition；简称：CVD)技术可以是等离子化学气相沉积(英文：Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition；简称：PECVD)技术，该技术具有成膜速度快和成膜质量好等优点。此外，本发明实施例还可以采用其他的CVD技术来形成第一无机层图案，如常压CVD技术、亚常压CVD技术、超高真空CVD技术和高密度等离子体CVD技术等，本发明实施例不作出限制。
如图3-4所示，其为本步骤结束时，形成了第一无机层图案32后，衬底基板31以及其他各个结构的示意图，其中，第一无机层图案32形成于衬底基板上，第一无机层图案32在掩模板40的遮挡区域41的遮挡下，在衬底基板31的翻折区域311上形成有开口321。图3-4中其它标记的含义可以参考图3-3，在此不再赘述。
需要说明的是，在衬底基板形成无机层之前，还可以形成有其他膜层结构，具体可以参考相关技术，在此不再赘述。
步骤305、减小掩模距离，该掩模距离为掩模板与衬底基板之间的距离。
在形成了第一无机层图案之后，可以继续形成其他无机层。但由于若不改变掩模板与衬底基板之间的掩模，直接在形成有无机层的衬底基板上继续形成另一无机层，则形成的两个无机层的开口所共同构成开口的坡度角较大(开口的侧壁与衬底基板之间的夹角)，而开口的坡度角较大可能导致后续膜层(如平坦层)在该开口处断裂等问题，不利于后续膜层的形成。而掩模板与衬底基板的距离越近，所形成的无机层图案在翻折区域的开口就会越大，因此，本发明实施例可以在衬底基板上形成另一无机层之前，先减小掩模板与衬底基板之间的距离。
如图3-5所示，步骤305可以包括下面一个子步骤：
子步骤3051、根据第二层无机层图案上的开口的预设宽度减小掩模距离。
在减小掩模距离时，可以参考将要形成的第二无机层图案在翻折区域的开口的预设宽度，该开口的预设宽度与掩模距离负相关，其中，该预设宽度小于或等于遮挡区域的宽度，掩模距离为掩模板与衬底基板之间的距离。
步骤306、以掩模板作为掩模，通过化学气相沉积技术在衬底基板上形成具有开口的第二无机层图案。
在减小了掩模距离后，第二无机层图案在翻折区域的开口的宽度会大于之前的第一无机层图案在翻折区域的开口的宽度，两个无机层在翻折区域会形成阶梯状的开口。
如图3-6所示，其为减小掩模板40和衬底基板31之间的距离h后，本步骤结束时，在衬底基板31上形成了第二无机层图案33的结构示意图。可以看出，第一无机层图案32和第二无机层图案33在翻折区域311形成的开口321和331呈阶梯状，两个开口整体的坡度较缓，不会对后续膜层的形成造成影响。图3-6中其它标记的含义可以参考图3-3，在此不再赘述。
此外，相关技术中通过构图工艺在多个无机层位于翻折区域的部分形成开口时，若要避免这多个无机层上的开口的坡度角太大，需对不同的无机层使用不同的掩模板，而本申请所使用的方法可以仅通过一块掩模板就实现相关技术中使用多块掩模板所达到的效果，节约了显示基板的制造成本。
需要说明的是，可以通过本发明实施例提供的方法形成显示基板中的多个无机层。该多个无机层可以包括栅绝缘层和中间介电层等。
在通过本发明提供的方法制造完成显示基板之后，可以将显示基板位于外围区的部分从翻折区域翻折至显示基板的非显示面，以减小显示基板的边框。
综上所述，本发明实施例提供的显示基板制造方法，通过掩模板直接遮挡衬底基板的翻折区域，再利用掩模板在衬底基板上形成无机层图案，由于掩模板的遮挡，无机层图案在翻折区域会存在一个开口，无需构图工艺即可去除无机层位于翻折区域的部分。解决了相关技术中需要通过构图工艺去除无机层位于翻折区域的部分，过程较为复杂，且耗时较长的问题。达到了能够方便快捷的去除无机层位于翻折区域的部分的效果。
此外，如图4所示，其为本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图，该显示基板为通过图2所示方法制造的显示基板或通过图3-1所示方法制造的显示基板。该显示基板包括衬底基板31。
衬底基板31上设置有第一无机层图案32，第一无机层图案32是以设置在衬底基板31与喷口之间的掩模板作为掩膜，以喷口作为反应气体的喷口，通过化学气相沉积技术在衬底基板上形成的。第一无机层图案32在衬底基板31的翻折区域311处形成有开口321。
可选的，设置有第一无机层图案32的衬底基板31上还设置有第二无机层图案33，该第二无机层图案33是以喷口作为反应气体的喷口，掩模板作为掩膜，通过化学气相沉积技术在形成有第一无机层图案的衬底基板上形成的。该第二无机层图案33在衬底基板31的翻折区域311处形成有开口331。
可选的，第二无机层图案33是在减小掩模距离后，利用掩模板形成的，掩模距离为掩模板(图4中未示出)与衬底基板31之间的距离，第二无机层图案33上的开口331的宽度大于第一无机层图案32上的开口321的宽度，开口321和开口331在翻折区域311形成阶梯状的开口，使这两个开口整体的坡度较缓，不会对后续膜层的形成造成影响。
可选的，显示基板31为有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)显示面板中的显示基板，具体的，该OLED显示面板可以为有源矩阵有机发光二极管(英文：Active-matrix organic light emitting diode；简称：AMOLED)显示面板或其他类型的OLED显示面板。
综上所述，本发明实施例提供的显示基板，通过掩模板直接遮挡衬底基板的翻折区域，再利用掩模板在衬底基板上形成无机层图案，由于掩模板的遮挡，无机层图案在翻折区域会存在一个开口，无需构图工艺即可去除无机层位于翻折区域的部分。解决了相关技术中需要通过构图工艺去除无机层位于翻折区域的部分，过程较为复杂，且耗时较长的问题。达到了能够方便快捷的去除无机层位于翻折区域的部分的效果。
此外，本发明实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括图4所示的显示基板。
本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置可以包括本发明实施例提供的上述显示面板。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上方设置掩模板，所述掩模板包括遮挡区域，所述遮挡区域在所述衬底基板上的正投影与所述衬底基板的翻折区域存在重叠；
利用所述掩模板在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案，所述开口在所述衬底基板上的正投影与所述衬底基板的翻折区域存在重叠。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述掩模板在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案，包括：
以所述掩模板作为掩模，通过化学气相沉积技术在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用所述掩模板在所述衬底基板上形成具有开口的无机层图案，包括：
利用所述掩模板在所述衬底基板上依次形成两层或多层无机层图案。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用所述掩模板在所述衬底基板上依次形成两层或多层无机层图案，包括：
利用所述掩模板在所述衬底基板上形成第一无机层图案；
减小掩模距离，所述掩模距离为所述掩模板与所述衬底基板之间的距离；
利用所述掩模板在所述衬底基板上形成第二无机层图案。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述减小掩模距离，包括：
根据所述第二无机层图案上的所述开口的预设宽度减小所述掩模距离，所述预设宽度与所述掩模距离负相关，且所述预设宽度小于或等于所述遮挡区域的宽度。
6.根据权利要求2至5任一所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述掩模板和所述化学气相沉积技术的反应气体的喷口之间设置气体扩散器。
7.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板为通过权利要求1至6任一所述方法制造的显示基板，所述显示基板包括衬底基板；
所述衬底基板上设置有具有开口的无机层图案，所述无机层图案是利用掩模板在所述衬底基板上形成的，所述开口在所述衬底基板上的正投影与所述衬底基板的翻折区域存在重叠。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述无机层图案包括设置在所述衬底基板上的第一无机层图案以及设置在所述第一无机层图案远离所述衬底基板一侧的第二无机层图案，所述第二无机层图案上的所述开口的宽度大于所述第一无机层图案上的所述开口的宽度。
9.根据权利要求7或8所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为有机发光二极管显示面板中的显示基板。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求7至9任一所述的显示基板。
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求10所述的显示面板。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200129230A (ko) * 2019-05-07 2020-11-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 부품, 표시 장치 및 그것의 제조 방법

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101290905A (zh) * 2007-04-19 2008-10-22 奇美电子股份有限公司 显示面板及其导线制作方法
CN101303504A (zh) * 2007-05-09 2008-11-12 Lg.菲利浦Lcd株式会社 柔性显示基板和柔性显示器件的制造方法
US20130133573A1 (en) * 2011-11-24 2013-05-30 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Mask for Deposition and Manufacturing Method of the Same
US8461047B2 (en) * 2008-01-18 2013-06-11 Tokyo Electron Limited Method for processing amorphous carbon film, and semiconductor device manufacturing method using the method
CN106252378A (zh) * 2015-06-08 2016-12-21 乐金显示有限公司 可折叠显示装置及其背板
CN106521412A (zh) * 2016-11-30 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀掩模板及蒸镀方法
CN106601133A (zh) * 2017-02-28 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
US20170133593A1 (en) * 2015-11-06 2017-05-11 Samsung Display Co., Ltd. Mask frame assembly for thin layer deposition, method of manufacturing the same and method of manufacturing display device by using the mask frame assembly
CN106773523A (zh) * 2017-01-10 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板及其制作方法
WO2017145402A1 (ja) * 2016-02-23 2017-08-31 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および有機ｅｌ表示装置の製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8381677B2 (en) * 2006-12-20 2013-02-26 Applied Materials, Inc. Prevention of film deposition on PECVD process chamber wall
TWI381556B (zh) * 2009-03-20 2013-01-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
US8137148B2 (en) * 2009-09-30 2012-03-20 General Electric Company Method of manufacturing monolithic parallel interconnect structure
US9240572B2 (en) * 2011-03-11 2016-01-19 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition device, vapor deposition method, and organic EL display device
US8860056B2 (en) * 2011-12-01 2014-10-14 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Structure and method for LED with phosphor coating
KR101565736B1 (ko) * 2012-07-09 2015-11-03 샤프 가부시키가이샤 마스크 유닛 및 증착 장치
KR20140054790A (ko) * 2012-10-29 2014-05-09 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
KR102352290B1 (ko) * 2014-09-03 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시패널
KR102354975B1 (ko) * 2015-06-18 2022-01-25 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
KR102402195B1 (ko) * 2015-06-30 2022-05-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102455318B1 (ko) * 2015-10-30 2022-10-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6636807B2 (ja) * 2016-01-15 2020-01-29 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR102478472B1 (ko) * 2016-03-02 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
KR102631989B1 (ko) * 2016-10-31 2024-01-31 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102675575B1 (ko) * 2016-12-12 2024-06-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101898217B1 (ko) * 2016-12-29 2018-09-12 엘지디스플레이 주식회사 검사장비 및 이를 이용한 검사방법

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101290905A (zh) * 2007-04-19 2008-10-22 奇美电子股份有限公司 显示面板及其导线制作方法
CN101303504A (zh) * 2007-05-09 2008-11-12 Lg.菲利浦Lcd株式会社 柔性显示基板和柔性显示器件的制造方法
US8461047B2 (en) * 2008-01-18 2013-06-11 Tokyo Electron Limited Method for processing amorphous carbon film, and semiconductor device manufacturing method using the method
US20130133573A1 (en) * 2011-11-24 2013-05-30 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Mask for Deposition and Manufacturing Method of the Same
CN106252378A (zh) * 2015-06-08 2016-12-21 乐金显示有限公司 可折叠显示装置及其背板
US20170133593A1 (en) * 2015-11-06 2017-05-11 Samsung Display Co., Ltd. Mask frame assembly for thin layer deposition, method of manufacturing the same and method of manufacturing display device by using the mask frame assembly
WO2017145402A1 (ja) * 2016-02-23 2017-08-31 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および有機ｅｌ表示装置の製造方法
CN106521412A (zh) * 2016-11-30 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀掩模板及蒸镀方法
CN106773523A (zh) * 2017-01-10 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板及其制作方法
CN106601133A (zh) * 2017-02-28 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置

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