CN107658329B - 显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 192
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 16
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- -1 lithium (Li) Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
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- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60K—ARRANGEMENT OR MOUNTING OF PROPULSION UNITS OR OF TRANSMISSIONS IN VEHICLES; ARRANGEMENT OR MOUNTING OF PLURAL DIVERSE PRIME-MOVERS IN VEHICLES; AUXILIARY DRIVES FOR VEHICLES; INSTRUMENTATION OR DASHBOARDS FOR VEHICLES; ARRANGEMENTS IN CONNECTION WITH COOLING, AIR INTAKE, GAS EXHAUST OR FUEL SUPPLY OF PROPULSION UNITS IN VEHICLES
- B60K35/00—Arrangement of adaptations of instruments
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- B60K2360/331—
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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- Y02E10/549—Organic PV cells
Abstract
本发明涉及一种显示装置。该显示装置包括:基板、多个正常像素以及虚设像素;基板包括用于显示图像的显示区域和邻近显示区域设置的外围区域;多个正常像素布置在基板上的显示区域内,其中每个正常像素包括第一透射区域和邻近第一透射区域布置的像素区域;虚设像素布置在基板上的显示区域内,与外围区域的弯曲部分邻近,并且布置在外围区域与多个正常像素之间。虚设像素包括:第二透射区域;以及邻近第二透射区域布置的导线区域。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年7月25日向韩国专利局递交的韩国专利申请第10-2016-0094281号的优先权,其公开内容通过引用全部并入本文。
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置可包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器、场发射显示器(FED)以及电泳显示装置。
OLED显示器包括两个电极以及插入这两个电极之间的有机发射层。从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴在有机发射层中彼此结合以形成激子,并且在激子释放能量时发光。
与LCD不同,OLED装置具有自发光特性并且不需要单独的光源。因此,OLED装置可具有减少的厚度和重量。进一步,OLED装置展示出了高品质特性,诸如低功耗、高亮度和高响应速率。
最近开发的一种显示装置包括透射区域,该透射区域允许外部光穿过。这种类型的显示装置可被称为透明显示装置。然而,由于透射区域的原因,可从外部观察到透明显示装置的内部结构。
发明内容
本发明构思的至少一个实施例提供一种显示装置,其中,布置在显示区域的边界处的显示装置的显示区域的像素具有阶梯形状,以防止从外部看到这些像素。
本发明的示例性实施例提供一种显示装置,包括:基板、多个正常像素以及虚设像素;基板包括用于显示图像的显示区域和邻近显示区域设置的外围区域;多个正常像素布置在基板上的显示区域内,其中,每一个正常像素包括第一透射区域和邻近第一透射区域布置的像素区域;虚设像素布置在基板上的显示区域内,与外围区域的弯曲部分邻近,并且布置在外围区域与多个虚设像素之间。虚设像素包括:第二透射区域;以及邻近第二透射区域布置的导线区域(例如,虚设导线区域)。
第二透射区域可以具有四边形平面形状。
第二透射区域可以具有矩形平面形状。
导线区域可以包括导线。
在一个实施例中,第二透射区域在第一方向上延伸,并且导线在第一方向上延伸。
导线可以包括多个平行导线段。
导线可以包括彼此电连接的多个平行导线段。
导线可以具有被弯折两次或更多次的形状。
在实施例中,第二透射区域在第一方向上延伸,并且导线在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
在实施例中,第二透射区域在第一方向上延伸,并且导线以相对于第一方向的角度倾斜。
导线可以连接至位于外围区域中的多条信号线和多条电源线中的至少一条。
多条电源线可以包括驱动电源线和公共电源线。
像素区域可以包括薄膜晶体管,薄膜晶体管包括位于基板上的不同层上的多个电极构件。
导线可以与多个电极构件中的任一电极构件位于同一层上。
多个电极构件可以包括源电极和漏电极、位于基板上的遮光膜、以及与遮光膜重叠并且布置在源电极与漏电极之间的栅电极。
多个正常像素中的至少一些正常像素可以与外围区域的弯曲部分邻近并且可以以阶梯形状布置。
像素区域可以包括:位于基板上的第一电极;位于第一电极上的第二电极;以及位于第一电极与第二电极之间的有机发射层。
第二透射区域可以包括:布置在基板上的缓冲层,以及布置在缓冲层上的透明金属层。
透明金属层可以与第二电极位于同一层上。
像素区域可以包括用于发射不同颜色的光的多个子像素。
根据本发明的示例性实施例的显示装置包括:多个正常像素以及多个虚设像素;多个正常像素布置在显示装置的显示区域中,其中多个正常像素的子集以与显示装置的外围区域的弯曲部分对应的阶梯形状设置;多个虚设像素设置在显示区域内部的多个正常像素的子集的顶部上。每一个像素包括第一区域和第二区域,其中,第一区域包括透射区域,多个正常像素的第二区域包括有机发光二极管(OLED),并且多个虚设像素的第二区域仅包括导线而没有OLED。
导线可以被弯折若干次从而填充多个虚设像素的第二区域。
显示装置可以进一步包括将恒定电压提供至导线的电源线。
在实施例中,每一个正常像素进一步包括:遮光层,源电极,漏电极,以及与遮光层重叠并且布置在源电极与漏电极之间的栅电极。
根据本发明的至少一个实施例,提供一种显示装置,防止从外部观察到以阶梯形状布置在显示区域边界处的像素。
附图说明
图1是图示车辆内部的示意图,该车辆中可安装根据本发明示例性实施例的显示装置。
图2是示意性地图示根据本发明的示例性实施例的显示装置的示意图。
图3是图2的区域A的放大视图。
图4是示意性地图示图2的一个显示单元的示意图。
图5是沿X-X’线截取的图4的显示单元的剖面示意图。
图6是示意性地图示图2的一个虚设单元的示意图。
图7是沿Y-Y’线截取的图6的虚设单元的剖视图。
图8至图10是图7的虚设导线的修改的示例。
图11和图12是图6的虚设导线的修改的示例。
图13是图6的虚设透射区域的修改的示例。
图14是图3的区域B的放大视图。
图15是沿Z-Z’线截取的图14的区域B的剖视图。
图16是图示与弯曲部分邻近的区域为空的状态的示意图。
图17是图示与弯曲部分邻近的区域填充虚设单元的状态的示意图。
具体实施方式
在以下详细说明中,仅以举例说明的方式示出并且描述了某些示例性实施例。本领域技术人员应能理解的是,在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下,可以对所描述的实施例进行各种不同形式的修改。贯穿说明书的相同的附图标记指代相同的元件。应理解的是,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为位于另一元件“上”时,其可直接位于另一元件上,或者也可存在中间元件。除非在上下文中明确指出,如本文所使用的,单数形式“一”和“该”旨在也包含复数形式。
在下文中,将参照图1至图7描述根据本发明的示例性实施例的显示装置。
图1是图示车辆内部的示意图,该车辆中可安装根据本发明示例性实施例的显示装置;图2是示意性地图示根据本发明的示例性实施例的显示装置的示意图;并且图3是图2的区域A的放大视图。图4是示意性地图示图2的一个显示单元的示意图,并且图5是沿X-X’线截取的图4的显示单元的剖面示意图。图6是示意性地图示图2的一个虚设单元的示意图,并且图7是沿Y-Y’线截取的图6的虚设单元的剖视图。
参照图1至图3,根据本发明的示例性实施例的显示装置10包括基板110(参见图5)、显示单元PW以及虚设单元DW。本示例性实施例的显示装置10是透明显示装置,并且可安装在车辆的仪表板上并且可向驾驶员显示诸如速度和方向的信息。
在本示例性实施例中,在与显示装置10一侧的角落处形成的弯曲部分邻近的区域中,一个或多个虚设单元DW布置在外围区域PA与显示单元PW之间的空间内。在此实施例中,虚设单元DW包括第二透射区域D_TA(参见图6)和虚设导线区域DM(参见图6),并且第二透射区域D_TA(参见图6)具有与显示单元PW的第一透射区域TA(参见图4)的结构相同的层压结构,并且虚设导线区域DM(参见图6)与布置在显示单元PW内的导线中的任一导线的层位于同一层上,并且包括与布置在显示单元PW内的导线中的任一导线的材料相同的材料。也就是说,具有与显示单元PW的结构相同的结构的虚设单元DW被填充在外围区域PA与显示单元PW之间的空间内,使得防止从外部观察到该空间中呈阶梯形状的显示单元PW的边界。
显示区域DA可包括多个显示单元PW,每个显示单元发射光。在实施例中,多个显示单元PW在显示区域DA内被以网格或矩阵形式设置。相应地,显示区域DA大部分可被该多个显示单元PW填充。然而,如上所述,与显示装置10的弯曲部分邻近的区域具有未被显示单元PW填充的空白区,如图3中所图示。其原因在于,多个显示单元PW中的每一个显示单元近似地以四边形形状形成,使得多个显示单元PW中的每一个显示单元不会完全被填充在与弯曲部分邻近的区域中。
参照图4,多个显示单元PW中的每一个显示单元包括第一透射区域TA和像素区域PX。第一透射区域TA是允许外部光穿过其的区域。由于第一透射区域TA的原因,本示例性实施例的显示装置10通常被认为是透明显示装置。在本示例性实施例中,描述了第一透射区域TA由单个透射区域形成,但是第一透射区域TA不限于此,并且也可由两个或更多个透射区域形成。
在实施例中,能够发射光的像素区域PX与第一透射区域TA邻近布置。在实施例中,像素区域PX包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。在此实施例中,第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可发射不同颜色的光。例如,第一像素PX1可显示蓝色,第二像素PX2可显示绿色,并且第三像素PX3可显示红色。在示例性实施例中,像素代表最小的单元,其能够发射一种颜色的光。
然而,像素不限于此。例如,第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可分别显示各种不同的颜色。而且,除第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之外,像素区域PX还可额外地包括显示其他颜色的额外像素。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可具有不同尺寸。在此,第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的尺寸可代表第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的发射区域。在图4中,图示第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的尺寸是相同的,但本发明不限于此,并且第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的尺寸可以有不同的变化。例如,第一像素PX1可形成为最大,而第三像素PX3可形成为最小。
在示例性实施例中,显示单元PW被称为正常像素,其包括透射区域TA以及子像素PX1、PX2和PX3,其中子像素代表能够发射颜色的最小单元,并且各子像素一起可被称为像素区域或子像素区域。虽然图4在此实施例中示出三个子像素,但可存在更少的子像素,诸如仅一个子像素或两个子像素。
在下文中,将参照图5描述图4的第一透射区域TA和像素区域PX的层压结构。更具体地,图5图示图4的第一透射区域TA和第一像素PX1的层压结构,并且将基于该层压结构描述本发明的实施例。
参照图5,本示例性实施例的显示装置10是包括有机发光二极管的有机发光二极管(OLED)显示器。然而,本示例性实施例的显示装置10不限于此,并且可替代地是液晶显示器。
基板110是绝缘基板。在实施例中,基板由玻璃或塑料制成,并且由透明材料制成。基板110可以是柔性的、可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷起的。基板110可以是柔性的、可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷起的,使得显示装置10可以是柔性的、可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷起的。
基板110包括第一透射区域TA和第一像素PX1。如上所述,第一透射区域TA是允许外部光穿过其的区域,并且第一像素PX1与能够发射指定颜色的光的区域(例如,像素区域)对应。
缓冲层120形成在基板110上。在实施例中,缓冲层120由单层氮化硅(SiNx)形成,或者具有其中层压氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的多层结构。缓冲层120用于防止诸如杂质或水分的不必要的成分渗入并且平坦化基板110的表面。然而,在可替代的实施例中,缓冲层120可省略。缓冲层120位于第一像素PX1以及第一透射区域TA二者内。在实施例中,缓冲层120位于基板110的整个上表面上。
遮光电极151位于缓冲层120上。遮光电极151可执行遮光膜的功能。也就是说,遮光电极151可防止外部光到达半导体层130,从而防止半导体层130的特性退化并且控制薄膜晶体管的泄漏电流。然而,根据布置在第一像素PX1内的薄膜晶体管的类型,遮光电极151也可省略。
覆盖遮光电极151的第一绝缘层140位于缓冲层120上。第一绝缘层140位于遮光电极151与半导体层130之间,并且使遮光电极151与半导体层130彼此间隔开。第一绝缘层140可由与缓冲层120的材料相同的材料制成。例如,第一绝缘层140可由单层氮化硅制成,或者具有其中层压氮化硅和氧化硅的多层结构。
半导体层130位于第一绝缘层140上并且同时与遮光电极151重叠。半导体层130可由多晶半导体材料或氧化物半导体材料制成。半导体层130包括沟道区131以及位于沟道区131两侧并且掺杂有杂质的源区132和漏区133。可根据薄膜晶体管的种类改变杂质的种类。
覆盖半导体层130的第二绝缘层150位于半导体层130和第一绝缘层140上。第二绝缘层150位于半导体层130与第一栅电极125之间,并且使半导体层130与第一栅电极125彼此绝缘。第二绝缘层150可由与第一绝缘层140的材料相同的材料制成。例如,第二绝缘层150可由单层氮化硅制成,或者具有其中层压氮化硅和氧化硅的多层结构。
与半导体层130重叠的第一栅电极125位于第二绝缘层150上。第一栅电极125可与半导体层130的至少一部分重叠,具体地,与沟道区131重叠。
通过其暴露遮光电极151的一部分的第一通孔154形成在第一绝缘层140和第二绝缘层150中。连接构件153位于第二绝缘层150上,使得连接构件153与遮光电极151通过第一通孔154彼此接触。在这种情况下,连接构件153可与第一栅电极125位于同一层。也就是说,连接构件153可由与第一栅电极125的材料相同的材料制成。然而,连接构件153不限于此,并且还可包括与第一栅电极125的材料不同的材料。
覆盖第一栅电极125和连接构件153的第一栅极绝缘层160位于第二绝缘层150上。第一栅极绝缘层160防止第一栅电极125和连接构件153与其他金属层接触。第一栅极绝缘层160也可包括与第一绝缘层140或第二绝缘层150的材料相同的材料。例如,第一栅极绝缘层160可由单层氮化硅制成,或者具有其中层压氮化硅和氧化硅的多层结构。第二栅电极127位于第一栅极绝缘层160上。第二栅电极127与位于第二栅电极127下方的第一栅电极125重叠。然而,在可替代的实施例中,根据布置在第一像素PX1内的薄膜晶体管的类型,第二栅电极127也可省略。
第二栅电极127与第一栅电极125位于不同层上,但可由与第一栅电极125的材料相同的材料制成。然而,第二栅电极127不限于此,并且可由与第一栅电极125的材料不同的材料(即,不同金属)制成。进一步,覆盖第二栅电极127的第二栅极绝缘层170位于第二栅电极127和第一栅极绝缘层160上。第二栅极绝缘层170可由与第一栅极绝缘层160的材料相同的材料制成。
分别暴露半导体层130的源区132和漏区133的一部分的第二通孔162和第三通孔164形成在第二绝缘层150、第一栅极绝缘层160和第二栅极绝缘层170中。
源电极173和漏电极175位于第二栅极绝缘层170上。源电极173通过第二通孔162与半导体层130的源区132接触。进一步,漏电极175通过第三通孔164与半导体层130的漏区133接触。
半导体层130、第一栅电极125、第二栅电极127、源电极173和漏电极175构成一个薄膜晶体管。然而,薄膜晶体管的配置不限于上述示例,并且可以有不同的变化。OLED装置可包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管,并且薄膜晶体管可以是驱动薄膜晶体管。尽管未图示,但也可进一步形成开关薄膜晶体管。
覆盖源电极173和漏电极175的平坦化层180位于第二栅极绝缘层170、源电极173和漏电极175上。平坦化层180可用于移除阶梯并且对层进行平坦化,从而提高将要形成在平坦化层180上的有机发光二极管OLED的发射效率。进一步,暴露漏电极175的一部分的第四通孔184形成在平坦化层180中。
平坦化层180可由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚酯亚苯基树脂、聚酯聚苯硫醚树脂或者苯并环丁烯(BCB)制成。
第一电极710形成在平坦化层180上。第一电极710可由透明导电材料或者反射性金属制成,透明导电材料诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3),反射性金属诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或金(Au)。
第一电极710通过形成在平坦化层180中的第四通孔184与漏电极175电连接。在实施例中,第一电极710是有机发光二极管OLED的阳极电极。
像素限定层350位于平坦化层180和第一电极710的边界上。像素限定层350可被布置为围绕第一像素PX1的边界。像素限定层350具有暴露第一电极710的开口。
像素限定层350可以是诸如聚酰胺、聚丙烯酸酯或聚酰亚胺的树脂、硅氧烷基树脂或硅基的无机材料。
有机发射层720形成在像素限定层350的开口中。有机发射层720形成为具有包括发射层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一个或多个的多层。
当有机发射层720包括发射层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的所有层时,空穴注入层可位于作为阳极电极的第一电极710上,并且空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层可按顺序层压在空穴注入层上。
有机发射层720可包括发射红光的红色有机发射层、发射绿光的绿色有机发射层以及发射蓝光的蓝色有机发射层。红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层分别形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素中,从而实现彩色图像。
进一步,有机发射层720还可通过在红色像素、绿色像素和蓝色像素中层压红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层中的全部、并且针对每个像素形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器来实现彩色图像。
在另一实施例中,有机发射层720通过在所有红色像素、绿色像素和蓝色像素中形成发射白光的白色有机发射层、并且针对每个像素形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器来实现彩色图像。当有机发射层720通过利用白色有机发射层和彩色滤色器来实现彩色图像时,不使用用于将红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层沉积到相应像素(即,红色像素、绿色像素和蓝色像素)上的沉积掩模。
在另一实施例中,所述的白色有机发射层可由一个有机发射层形成,或者可包括其中层压多个有机发射层以发射白光的配置。例如,白色有机发射层还可包括其中至少一个黄色有机发射层和至少一个蓝色有机发射层组合以发射白光的配置、其中至少一个青色有机发射层和至少一个红色有机发射层组合以发射白光的配置、或者其中至少一个品红色有机发射层和至少一个绿色有机发射层组合以发射白光的配置。
第二电极730位于像素限定层350和有机发射层720上。在本示例性实施例中,第二电极730位于第一像素PX1和第一透射区域TA中。
第二电极730可由透明导电材料或者反射性金属制成,透明导电材料诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟,反射性金属诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或金(Au)。在实施例中,第二电极730是有机发光二极管OLED的阴极。第一电极710、有机发射层720和第二电极730构成有机发光二极管OLED。
前述薄膜晶体管、第一绝缘层140、第二绝缘层150、第一栅极绝缘层160、第二栅极绝缘层170、平坦化层180、第一电极170以及有机发射层720位于第一像素PX1内,不位于第一透射区域TA中。缓冲层120位于基板110的第一透射区域TA上,第二电极730可恰好位于缓冲层120上。相应地,第二电极730与第一透射区域TA内的缓冲层120接触。除缓冲层120和第二电极730之外,基板110的第一透射区域TA中不形成其它层,从而改善第一透射区域TA的透射率。然而,本发明的实施例不限于此,并且除缓冲层120和第二电极730之外的一些层也可进一步位于第一透射区域TA中。
参照图6和图7,虚设单元DW(例如,虚设像素)包括第二透射区域D_TA和虚设导线区域DM。也就是说,虚设单元DW包括:外部光穿过的第二透射区域D_TA以及由虚设导线DM_L1形成的虚设导线区域DM。虚设导线区域DM不同于显示单元PW的像素区域PX。虚设导线区域DM仅包括为金属导线的虚设导线DM_L1,使得虚设单元DW可以以与包括第一透射区域TA和像素区域PX的显示单元PW类似的结构被从外部观察到。在实施例中,虚设导线区域DM仅包括金属线,并且不包括足以呈现图像的会在正常像素的像素区域中出现的层。
第二透射区域D_TA是允许外部光穿过的区域,因为其与第一透射区域TA类似。第二透射区域D_TA可具有与显示单元PW的第一透射区域TA的结构相同的结构。也就是说,缓冲层120位于基板110的第二透射区域D_TA上,并且第二电极730恰好位于缓冲层120上。相应地,第二电极730与第二透射区域D_TA内的缓冲层120接触。如上所述,除缓冲层120和第二电极730之外的其它层不位于基板110的第二透射区域D_TA中,从而改善第二透射区域D_TA的透射率。然而,本发明不限于此,因为除缓冲层120和第二电极730之外的其它层也可进一步位于第二透射区域D_TA中。
在实施例中,虚设导线区域DM围绕第二透射区域D_TA布置。例如,虚设导线区域DM的导线的一部分可整个围绕第二透射区域D_TA。在另一实施例中,虚设导线区域DM被布置为与第二透射区域D_TA邻近而导线的一部分不围绕第二透射区域D_TA。虚设导线区域DM可具有与第二透射区域D_TA的形状对应的形状。例如,如图6中所图示,虚设导线区域DM的形状可具有与第二透射区域D_TA的形状类似的梯形形状。此外,如图13所图示,虚设导线区域DM和第二透射区域D_TA还可具有矩形形状。然而,虚设导线区域DM和第二透射区域D_TA的形状不限于此,并且可具有诸如三角形和五边形的各种各样的多边形形状。
返回参照图6,在示例性实施例中,虚设导线区域DM的平面上的高度不同于第二透射区域D_TA的平面上的高度。例如,虚设导线区域DM的平面上的高度大于第二透射区域D_TA的平面上的高度。在此,平面上的高度代表在与Y轴对准的方向上延伸的长度。在下文中,在附图的坐标系中,X轴代表第二方向,并且Y轴代表第一方向。
虚设导线区域DM包括虚设导线DM_L1。虚设导线DM_L1可沿着Y轴延伸。在本示例性实施例中,虚设导线DM_L1由一条导线形成,并且包括沿着Y轴伸长的部分。在此情况下,虚设导线DM_L1在沿着Y轴的向上方向上延伸、在沿着Y轴的向下方向上延伸、并且再次在沿着Y轴的向上方向上延伸。如上所述,在沿着Y轴延伸时,虚设导线DM_L1可具有至少被弯折两次的形状。例如,虚设导线DM_L1可包括在Y轴上延伸的若干段以及将这些段连接在一起的若干弯折部。
除了如图6中所图示的虚设导线DM_L1在平行于Y轴的方向上平行延伸的情况之外,虚设导线DM_L1也可在除了Y轴方向之外的方向上延伸,如图11和图12所图示。参照图11,虚设导线DM_L1被设置为沿X轴延伸。也就是说,与图6不同,虚设导线DM_L1沿与Y轴交叉的X轴延伸。例如,虚设导线DM_L1可包括在X轴上延伸的若干段以及将这些段连接在一起的若干弯折部。
在另一实施例中,参照图12,虚设导线DM_L1具有主要在相对于X轴以预定角度θ倾斜延伸的形状。在此实施例中,角度θ大于0度并且小于90度。也就是说,不同于图6和图11中所图示,虚设导线DM_L1不在X轴或Y轴上平行延伸,而是倾斜延伸。
描述了图6、图11和图12的虚设导线DM_L1由一条金属导线制成,但本发明的实施例不限于此。例如,多个虚设导线DM_L1可设置为沿Y轴平行延伸。在实施例中,可布置沿X轴平行延伸的多条虚设导线DM_L1。在实施例中,多条虚设导线DM_L1倾斜延伸,使得它们不与X轴或Y轴平行延伸。在此实施例中,在同一方向上延伸的多条虚设导线DM_L1彼此电连接。
返回参照图6和图7,在实施例中,布置在虚设导线区域DM中的虚设导线DM_L1是金属导线。在本示例性实施例中,虚设导线DM_L1与布置在显示装置10内的金属导线的层布置在同一层上。
虚设导线DM_L1布置在第二栅极绝缘层170上。在示例性实施例中,虚设导线DM_L1与第一像素PX1的源电极173(参见图5)和漏电极175(参见图5)布置在同一层上。在此实施例中,当形成源电极173(参见图5)和漏电极175(参见图5)时,可一起形成虚设导线DM_L1。也就是说,可通过在基板110上沉积金属材料并且图案化该金属材料而同时形成虚设导线DM_L1、源电极173(参见图5)和漏电极175(参见图5)。相应地,虚设导线DM_L1可包括与源电极173(参见图5)和漏电极175(参见图5)的材料相同的金属材料。
覆盖虚设导线DM_L1的平坦化层180和像素限定层350可按顺序布置在第二栅极绝缘层170上。然而,平坦化层180和像素限定层350中的一个可省略。在此情况下,当形成像素区域PX的第一像素PX1的平坦化层180和像素限定层350时,可同时形成位于虚设单元DW中的平坦化层180和像素限定层350。
第二电极730可布置在平坦化层180上。虚设导线区域DM的第二电极730可与像素区域PX的第一像素PX1的第二电极730的层布置在同一层。在本示例性实施例中,第二电极730通常布置在虚设单元DW的第二透射区域D_TA和虚设导线区域DM中。
第一栅极绝缘层160、第二绝缘层150和第一绝缘层140可按顺序层压在第二栅极绝缘层170下方。然而,在省略第二栅极绝缘层170、第一栅极绝缘层160、第二绝缘层150和第一绝缘层140的实施例中,虚设导线DM_L1直接层压在缓冲层120上。
参照图8,虚设导线DM_L2与第一像素PX1的遮光电极151(参见图5)布置在同一层上。也就是说,虚设导线DM_L2布置在缓冲层120上。在此情况下,当形成遮光电极151(参见图5)时,也可一起形成虚设导线DM_L2。也就是说,可通过在基板110上沉积金属材料并且图案化该金属材料而同时形成虚设导线DM_L2和遮光电极151(参见图5)。相应地,虚设导线DM_L2可包括与遮光电极151(参见图5)的材料相同的金属材料。
参照图9,虚设导线DM_L3与第一像素PX1的第一栅电极125(参见图5)布置在同一层上。也就是说,虚设导线DM_L3布置在第二绝缘层150上。在此情况下,当形成第一栅电极125(参见图5)时,也可一起形成虚设导线DM_L3。也就是说,可通过在基板110上沉积金属材料并且图案化该金属材料而同时形成虚设导线DM_L3和第一栅电极125(参见图5)。相应地,虚设导线DM_L3可包括与第一栅电极125(参见图5)的材料相同的金属材料。
参照图10,虚设导线DM_L4与第一像素PX1的第二栅电极127(参见图5)布置在同一层上。也就是说,虚设导线DM_L4布置在第一栅极绝缘层160上。在此情况下,当形成第二栅电极127(参见图5)时,也可一起形成虚设导线DM_L4。也就是说,可通过在基板110上沉积金属材料并且图案化该金属材料而同时形成虚设导线DM_L4和第二栅电极127(参见图5)。相应地,虚设导线DM_L4可包括与第二栅电极127(参见图5)的材料相同的金属材料。
参照图14和图15,虚设导线区域DM的虚设导线DM_L1与位于外围区域PA中的导线600电连接。在外围区域PA中,可布置将驱动电源和公共电源供给至显示区域DA的像素PX1、PX2和PX3中的每一个的第一电源ELVDD(未图示)和第二电源ELVSS(未图示)。在此情况下,第一电源ELVDD(未图示)和第二电源ELVSS(未图示)可分别通过驱动电源线ELVDDL和公共电源线ELVSSL将相应的电压供给至像素PX1、PX2和PX3中的每一个。在实施例中,公共电源线ELVSSL提供低于由驱动电源线ELVDDL提供的第二电压的第一电压(例如,接地电压)。在实施例中,第一电压和第二电压是恒定电压。位于外围区域PA中的导线600可包括驱动电源线ELVDDL或公共电源线ELVSSL。
相应地,在本示例性实施例中,虚设导线DM_L1与包含在导线600中的驱动电源线ELVDDL或公共电源线ELVSSL电连接。如图15所图示,虚设导线DM_L1和导线600布置在同一层上。然而,虚设导线DM_L1和导线600不限于此,并且也可根据导线600的类型布置在不同层上。
进一步,与虚设导线DM_L1电连接的导线600可包括连接至位于外围区域PA内的对驱动器(未图示)进行驱动的信号线。
返回参照图3,在与形成在显示装置10的一侧的角落处的弯曲部分邻近的区域中,可在外围区域PA与显示单元PW之间的空间中布置一个或多个虚设单元DW。也就是说,在该空间中,布置包括第二透射区域D_TA和虚设导线区域DM的至少一个虚设单元DW。如上所述,可在外围区域PA与显示单元PW之间的空间中填充具有与显示单元PW类似的结构的虚设单元DW。例如,如图3中所示,虚设单元DW1、DW2、DW3、DW4、DW5、DW6和DW7形成在显示单元PW1、PW2、PW3、PW4、PW5和PW6上方的空间中。例如,形成在距弯曲表面足够远处的一些虚设单元可具有四边形形状,而剩下的形成在弯曲表面附近的虚设单元可具有各种其他形状,以填充一些或所有剩余空间。
接下来,参照图16和图17,可见虚设单元DW布置在外围区域PA与显示单元PW之间的空间中,使得可以防止从外部观察到显示单元PW的阶梯形状边界。
图16是图示与弯曲部分邻近的区域为空的状态的示意图,并且图17是图示与弯曲部分邻近的区域填充虚设单元的状态的示意图。
参照图16,当本示例性实施例的虚设单元DW不与外围区域PA邻近布置时,可在外围区域PA的内边界线与显示单元PW1、PW2、PW3、PW4、PW5和PW6之间形成空白区。在此,空白区表示如下区域:在该区域中不布置各自包括第一透射区域TA和像素区域PX的显示单元PW。
在此情况下,显示单元PW1、PW2、PW3、PW4、PW5和PW6的靠近外围区域PA的内边界线的边界可具有阶梯形状。当空白区中不布置虚设单元DW时,在从外部观察时,显示单元PW1、PW2、PW3、PW4、PW5和PW6的边界可相对清楚地被以阶梯形状看到。
参照图17,当在空白区中布置具有与显示单元PW的结构类似结构的虚设单元DW时,无法很好地从外部观察到该阶梯形状,即,显示单元PW1、PW2、PW3、PW4、PW5和PW6的边界的形状。相应地,在根据本示例性实施例的显示装置10中,不可从外部观察到在空白区中呈现的由显示单元PW形成的阶梯形状。
虽然已结合各种示例性实施例描述了本发明,但应理解的是,本发明不限于所公开的实施例,而是正相反,旨在覆盖包含在本公开的精神和范围内的各种修改和等同设置。
Claims (20)
1.一种显示装置,包括:
基板,所述基板包括用于显示图像的显示区域和邻近所述显示区域设置的外围区域;
多个正常像素,所述多个正常像素布置在所述基板上的所述显示区域内,其中,所述多个正常像素中的每一个正常像素包括第一透射区域和邻近所述第一透射区域布置的像素区域;以及
虚设像素,所述虚设像素布置在所述基板上的所述显示区域内,与所述外围区域的弯曲部分邻近,并且布置在所述外围区域与所述多个正常像素之间,
其中,所述虚设像素包括:
第二透射区域;以及
邻近所述第二透射区域布置的导线区域,
其中,所述导线区域包括导线,并且所述导线包括多个平行导线段或者所述导线具有被弯折两次或更多次的形状。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二透射区域具有四边形平面形状。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第二透射区域具有矩形平面形状。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二透射区域在第一方向上延伸,并且所述导线在所述第一方向上延伸。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个平行导线段彼此电连接。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二透射区域在第一方向上延伸,并且所述导线在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二透射区域在第一方向上延伸,并且所述导线以相对于所述第一方向的角度倾斜。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述导线连接至位于所述外围区域中的多条信号线和多条电源线中的至少一条。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述多条电源线包括驱动电源线和公共电源线。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素区域包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括位于所述基板上的不同层上的多个电极构件。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述导线与所述多个电极构件中的任一电极构件位于同一层上。
12.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述多个电极构件包括源电极和漏电极、位于所述基板上的遮光膜、以及与所述遮光膜重叠并且布置在所述源电极与所述漏电极之间的栅电极。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个正常像素中的至少一些正常像素与所述外围区域的所述弯曲部分邻近并且以阶梯形状布置。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素区域包括:
位于所述基板上的第一电极;
位于所述第一电极上的第二电极;以及
位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机发射层。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述第二透射区域包括:
布置在所述基板上的缓冲层;以及
布置在所述缓冲层上的透明金属层。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其中,所述透明金属层与所述第二电极位于同一层上。
17.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个正常像素中的每一个正常像素包括用于发射不同颜色的光的多个子像素。
18.一种显示装置,包括:
多个正常像素,所述多个正常像素布置在所述显示装置的显示区域中,其中所述多个正常像素的子集以与所述显示装置的外围区域的弯曲部分邻近的阶梯形状设置;以及
多个虚设像素,所述多个虚设像素设置在所述显示区域内部的所述多个正常像素的所述子集的顶部上,
其中,所述多个正常像素和所述多个虚设像素中的每一个包括第一区域和第二区域,其中,所述第一区域包括透射区域,所述多个正常像素的所述第二区域包括有机发光二极管OLED,并且所述多个虚设像素的所述第二区域仅包括导线而没有OLED;
其中,所述导线包括多个平行导线段或者所述导线被弯折若干次。
19.根据权利要求18所述的显示装置,进一步包括将恒定电压提供至所述导线的电源线。
20.根据权利要求18所述的显示装置,其中,所述多个正常像素中的每一个正常像素进一步包括:
遮光层;
源电极;
漏电极;以及
与所述遮光层重叠并且布置在所述源电极与所述漏电极之间的栅电极。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2016-0094281 | 2016-07-25 | ||
KR1020160094281A KR102561709B1 (ko) | 2016-07-25 | 2016-07-25 | 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107658329A CN107658329A (zh) | 2018-02-02 |
CN107658329B true CN107658329B (zh) | 2023-05-19 |
Family
ID=59501195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710612079.7A Active CN107658329B (zh) | 2016-07-25 | 2017-07-25 | 显示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10615229B2 (zh) |
EP (1) | EP3276668B1 (zh) |
KR (1) | KR102561709B1 (zh) |
CN (1) | CN107658329B (zh) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102561709B1 (ko) * | 2016-07-25 | 2023-07-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP6849501B2 (ja) * | 2017-03-29 | 2021-03-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP7086582B2 (ja) * | 2017-12-11 | 2022-06-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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KR102031648B1 (ko) | 2013-04-18 | 2019-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
TWI556204B (zh) | 2013-09-30 | 2016-11-01 | 友達光電股份有限公司 | 可撓式顯示器 |
KR102185102B1 (ko) | 2014-01-10 | 2020-12-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판, 이를 갖는 액정 표시 패널 및 이의 제조방법 |
KR102237135B1 (ko) * | 2014-07-14 | 2021-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
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KR102239481B1 (ko) * | 2014-12-31 | 2021-04-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102561709B1 (ko) | 2016-07-25 | 2023-07-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2016
- 2016-07-25 KR KR1020160094281A patent/KR102561709B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-07-17 US US15/651,680 patent/US10615229B2/en active Active
- 2017-07-25 CN CN201710612079.7A patent/CN107658329B/zh active Active
- 2017-07-25 EP EP17182917.9A patent/EP3276668B1/en active Active
-
2020
- 2020-02-28 US US16/804,532 patent/US11233097B2/en active Active
Patent Citations (3)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3276668A1 (en) | 2018-01-31 |
KR20180011914A (ko) | 2018-02-05 |
CN107658329A (zh) | 2018-02-02 |
US11233097B2 (en) | 2022-01-25 |
KR102561709B1 (ko) | 2023-07-31 |
US20200235191A1 (en) | 2020-07-23 |
US10615229B2 (en) | 2020-04-07 |
EP3276668B1 (en) | 2022-10-19 |
US20180026080A1 (en) | 2018-01-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |