CN107636179B - 电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金塑性加工材、电子电气设备用组件、端子及汇流条 - Google Patents

电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金塑性加工材、电子电气设备用组件、端子及汇流条 Download PDF

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Abstract

本发明的特征在于，包含0.15质量％以上且小于0.35质量％范围内的Mg，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，导电率大于75％IACS，并且根据在与轧制方向正交的方向上进行了拉伸试验时的强度TSTD和在与轧制方向平行的方向上进行了拉伸试验时的强度TSLD计算出的强度比TSTD/TSLD大于0.9且小于1.1。也可以还包含0.0005质量％以上且小于0.01质量％范围内的P。

Description

电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金塑性加工材、 电子电气设备用组件、端子及汇流条
技术领域
本申请发明涉及一种适合于引线框架、连接器或压配件等端子、汇流条等电子电气设备用组件的电子电气设备用铜合金以及由该电子电气设备用铜合金构成的电子电气设备用铜合金塑性加工材、电子电气设备用组件、端子及汇流条。
本申请主张基于2015年9月9日于日本申请的专利申请2015-177743号、2015年12月1日于日本申请的专利申请2015-235096号及2016年3月30日于日本申请的专利申请2016-069178号的优先权，并将其内容援用于此。
背景技术
以往，在连接器或压配件等端子、继电器、引线框架、汇流条等电子电气设备用组件中使用导电性较高的铜或铜合金。
在此，随着电子设备或电气设备等的小型化，要求使用于这些电子设备或电气设备等的电子电气设备用组件的小型化及薄壁化。因此，对于构成电子电气设备用组件的材料，要求高强度和良好的弯曲加工性。
而且，施加有大电流的大型端子或汇流条中，需要使用各向异性较少的轧材。
在此，作为使用于连接器或压配件等端子、继电器、引线框架、汇流条等电子电气设备用组件的材料，例如在专利文献1、2中提出有Cu-Mg系合金。
专利文献1：日本特开2014-025089号公报(A)
专利文献2：日本特开2014-114464号公报(A)
在此，专利文献1中所记载的Cu-Mg系合金中，Mg的含量较多，因此导电性不充分，难以适用于要求高导电性的用途。
并且，专利文献2中所记载的Cu-Mg系合金中，Mg的含量被设为0.01～0.5质量％及P的含量被设为0.01～0.5质量％，因此产生粗大的结晶物，冷加工性及弯曲加工性不充分。
发明内容
本申请发明是鉴于前述情况而完成的，其目的在于提供一种导电性、强度、弯曲加工性优异，且各向异性较少的电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金塑性加工材、电子电气设备用组件、端子及汇流条。
为了解决该课题，本申请发明的一方式的电子电气设备用铜合金(以下，称为“本申请发明的电子电气设备用铜合金”)的特征在于，包含0.15质量％以上且小于0.35质量％范围内的Mg，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，导电率大于75％IACS，并且根据在与轧制方向正交的方向上进行了拉伸试验时的强度TSTD和在与轧制方向平行的方向上进行了拉伸试验时的强度TSLD计算出的强度比TSTD/TSLD大于0.9且小于1.1。
根据上述结构的电子电气设备用铜合金，由于Mg的含量被设为0.15质量％以上且小于0.35质量％的范围内，因此Mg在铜的母相中固溶，从而不会使导电率大幅下降，且能够提高强度、耐应力松弛特性。具体而言，由于导电率被设为大于75％IACS，因此也能够适用于要求高导电性的用途。
并且，根据在与轧制方向正交的方向上进行了拉伸试验时的强度TSTD和在与轧制方向平行的方向上进行了拉伸试验时的强度TSLD计算出的强度比TSTD/TSLD大于0.9且小于1.1，因此强度的各向异性较少，如大电流用的端子或汇流条那样，LD方向、TD方向均需要强度的情况下，也确保充分的强度，并且能够抑制通过使特定方向必要以上地高强度化而产生的弯曲加工时的裂纹等的产生。即，弯曲的轴相对于轧制方向成为正交方向的弯曲(GW弯曲)及弯曲的轴相对于轧制方向成为平行方向的弯曲(BW弯曲)中，能够具备良好的弯曲加工性。
在此，本申请发明的电子电气设备用铜合金中，也可以包含0.0005质量％以上且小于0.01质量％范围内的P。
该情况下，通过P的添加，能够降低包含Mg的铜合金熔液的粘度，且能够提高铸造性。
并且，在本申请发明的电子电气设备用铜合金中以上述范围含有P时，优选Mg的含量〔Mg〕(质量％)与P的含量〔P〕(质量％)满足〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5的关系式。
该情况下，能够抑制包含Mg与P的粗大结晶物的生成，且能够抑制冷加工性及弯曲加工性下降。
而且，在本申请发明的电子电气设备用铜合金中以上述范围含有P时，优选Mg的含量〔Mg〕(质量％)与P的含量〔P〕(质量％)满足〔Mg〕/〔P〕≤400的关系式。
该情况下，通过如上所述那样规定降低铸造性的Mg的含量和提高铸造性的P的含量的比率，能够可靠地提高铸造性。
并且，本申请发明的电子电气设备用铜合金中，优选相对于Brass方位{110}〈112〉具有10°以内的晶体方位的晶体的比例被设为40％以下，并且相对于Copper方位{112}〈111〉具有10°以内的晶体方位的晶体的比例被设为40％以下。
通过Brass方位增加而BW方向(与轧制方向正交的方向)的强度(TSTD)变高，通过Copper方位增加而GW方向(与轧制方向平行的方向)的强度(TSLD)变高。因此，通过将具有Brass方位的晶体的比例及具有Copper方位的晶体的比例分别限制在40％以下，能够抑制BW方向或GW方向中的任一方向的强度变高，而且能够提高GW弯曲及BW弯曲的弯曲加工性。
本申请发明的其他方式电子电气设备用铜合金塑性加工材(以下，称为“本申请发明的电子电气设备用铜合金塑性加工材”)的特征在于，由上述电子电气设备用铜合金构成。
根据该结构的电子电气设备用铜合金塑性加工材，由于由上述电子电气设备用铜合金构成，因此导电性、强度、弯曲加工性、耐应力松弛特性优异，作为连接器或压配件等端子、继电器、引线框架、汇流条等电子电气设备用组件的原材料尤其适合。
在此，本申请发明的电子电气设备用铜合金塑性加工材中，优选在表面具有镀Sn层或镀Ag层。
该情况下，由于在表面具有镀Sn层或镀Ag层，因此作为连接器或压配件等端子、继电器、引线框架、汇流条等电子电气设备用组件的原材料尤其适合。另外，本申请发明中，“镀Sn”包括镀纯Sn或镀Sn合金，“镀Ag”包括镀纯Ag或镀Ag合金。
本申请发明的其他方式电子电气设备用组件(以下，称为“本申请发明的电子电气设备用组件”)的特征在于，包含上述电子电气设备用铜合金塑性加工材。另外，本申请发明中的电子电气设备用组件是指包括连接器或压配件等端子、继电器、引线框架、汇流条等。
该结构的电子电气设备用组件使用上述电子电气设备用铜合金塑性加工材而制造，因此即使在小型化及薄壁化的情况下也能够发挥优异的特性。
本申请发明其他方式的端子(以下，称为“本申请发明的端子”)的特征在于，包含上述电子电气设备用铜合金塑性加工材。
该结构的端子使用上述电子电气设备用铜合金塑性加工材而制造，因此即使在小型化及薄壁化的情况下也能够发挥优异的特性。
本申请发明其他方式的汇流条(以下，称为“本申请发明的汇流条”)的特征在于，包含上述电子电气设备用铜合金塑性加工材。
该结构的汇流条使用上述电子电气设备用铜合金塑性加工材而制造，因此即使在小型化及薄壁化的情况下也能够发挥优异的特性。
根据本申请发明，能够提供一种导电性、强度、弯曲加工性优异，且各向异性较少的电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金塑性加工材、电子电气设备用组件、端子及汇流条。
附图说明
图1是作为本实施方式的电子电气设备用铜合金的制造方法的流程图。
具体实施方式
以下，对作为本申请发明的一实施方式的电子电气设备用铜合金进行说明。
作为本实施方式的电子电气设备用铜合金具有如下组成：包含0.15质量％以上且小于0.35质量％范围内的Mg，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成。
并且，作为本实施方式的电子电气设备用铜合金中，导电率被设为大于75％IACS。
而且，作为本实施方式的电子电气设备用铜合金中，根据在与轧制方向正交的方向上进行了拉伸试验时的强度TSTD和在与轧制方向平行的方向上进行了拉伸试验时的强度TSLD计算出的强度比TSTD/TSLD大于0.9且小于1.1。即，在本实施方式中，被设为电子电气设备用铜合金的轧材，且如上所述那样规定轧制的最终工序中的在与轧制方向正交的方向上进行了拉伸试验时的强度TSTD与在与轧制方向平行的方向上进行了拉伸试验时的强度TSLD的关系。
另外，作为本实施方式的电子电气设备用铜合金中，也可以还包含0.0005质量％以上且小于0.01质量％范围内的P。
作为本实施方式的电子电气设备用铜合金中以上述范围含有P时，Mg的含量〔Mg〕(质量％)与P的含量〔P〕(质量％)满足如下关系式：
〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5。
而且，在本实施方式中，Mg的含量〔Mg〕(质量％)与P的含量〔P〕(质量％)满足如下关系式：
〔Mg〕/〔P〕≤400。
并且，作为本实施方式的电子电气设备用铜合金中，相对于Brass方位{110}〈112〉具有10°以内的晶体方位的晶体的比例被设为40％以下，并且相对于Copper方位{112}〈111〉具有10°以内的晶体方位的晶体的比例被设为40％以下。
在此，以下对如上所述那样规定了成分组成、晶体方位、各种特性的理由进行说明。
(Mg：0.15质量％以上且小于0.35质量％)
Mg在铜合金的母相中固溶，由此不会使导电率大幅下降，且能够提高强度、耐应力松弛特性。
在此，当Mg的含量小于0.15质量％时，有可能无法充分发挥其作用效果。并且由于合金组成接近纯铜，因此精轧后较强地形成纯铜型的织构，后述的代表性纯铜型方位即Copper方位的比例过度变高，从而强度比TSTD/TSLD有可能小于恰当的范围。
另一方面，当Mg的含量为0.35质量％以上时，导电率大幅下降，并且精轧后形成黄铜型的织构，后述Brass方位比例过度变高，从而强度比TSTD/TSLD有可能大于恰当的范围。
而且有可能铜合金熔液的粘度上升，且铸造性下降。
根据以上内容，本实施方式中，将Mg的含量设定在0.15质量％以上且小于0.35质量％的范围内。
另外，为了可靠地发挥上述作用效果，优选将Mg的含量设为0.18质量％以上，进一步优选设为0.2质量％以上。并且，优选将Mg的含量设为0.32质量％以下，进一步优选设为0.3质量％以下。
(P：0.0005质量％以上且小于0.01质量％)
P为具有提高铸造性的作用效果的元素。并且，还具有通过与Mg形成化合物来使再结晶晶粒直径微细化的作用。
在此，P的含量小于0.0005质量％时，有可能无法充分发挥其作用效果。另一方面，P的含量为0.01质量％以上时，含有上述Mg和P的结晶物粗大化，因此有可能该结晶物成为破坏的起点，并在冷加工时或弯曲加工时产生裂纹。
根据以上内容，本实施方式中添加P时，将P的含量设定在0.0005质量％以上且小于0.01质量％的范围内。另外，为了可靠地提高铸造性，优选将P的含量设为0.0007质量％以上，进一步优选设为0.001质量％以上。并且，为了可靠地抑制粗大结晶物的生成，优选将P的含量设为小于0.009质量％，进一步优选设为小于0.008质量％，最优选设为0.0075质量％以下。
(〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5)
添加了P的情况下，如上所述那样Mg与P共存，由此生成包含Mg和P的结晶物。
在此，以质量％计设定Mg的含量〔Mg〕与P的含量〔P〕时，〔Mg〕+20×〔P〕成为0.5以上时，Mg及P的总量较多，从而有可能使包含Mg和P的结晶物粗大化并且高密度分布，且在冷加工时或弯曲加工时容易产生裂纹。
根据以上内容，本实施方式中添加P时，将〔Mg〕+20×〔P〕设定为小于0.5。另外，为了可靠地抑制结晶物的粗大化及高密度化来抑制冷加工时或弯曲加工时产生裂纹，优选将〔Mg〕+20×〔P〕设为小于0.48，进一步优选设为小于0.46。
(〔Mg〕/〔P〕≤400)
Mg为具有提升铜合金熔液的粘度并降低铸造性的作用的元素，因此为了可靠地提高铸造性，需要使Mg与P的含量的比率适当化。
在此，以质量％计，将Mg的含量设为〔Mg〕，将P的含量设为〔P〕时，〔Mg〕/〔P〕大于400时，Mg相对于P的含量变多，从而有可能使由P的添加带来的铸造性提高效果变小。
根据以上内容，本实施方式中添加P时，将〔Mg〕/〔P〕设定为400以下。为了进一步提高铸造性，优选将〔Mg〕/〔P〕设为350以下，进一步优选设为300以下。
另外，〔Mg〕/〔P〕过低时，Mg作为结晶物而被消耗，有可能无法获得由Mg的固溶带来的效果。为了抑制含有Mg和P的结晶物的生成并可靠地实现由Mg的固溶带来的屈服强度、耐应力松弛特性的提高，优选将〔Mg〕/〔P〕设为大于20，进一步优选设为大于25。
(不可避免的杂质：0.1质量％以下)
作为其他不可避免的杂质，可举出Ag、B、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、稀土类元素、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Se、Te、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Au、Zn、Cd、Hg、Al、Ga、In、Ge、Sn、As、Sb、Tl、Pb、Bi、Be、N、C、Si、Li、H、O、S等。这些不可避免的杂质具有降低导电率的作用，因此以总量计设为0.1质量％以下。不可避免的杂质的总量更优选设为0.09质量％以下，更进一步优选设为0.08质量％以下。
并且，由于Ag、Zn、Sn容易混入铜中而降低导电率，优选以总量计设为小于500质量ppm。
而且，尤其Si、Cr、Ti、Zr、Fe、Co会大幅减少导电率，并且因夹杂物的形成而使弯曲加工性劣化，因此这些元素优选以总量计设为小于500质量ppm。
(TSTD/TSLD：大于0.9且小于1.1)
根据在与轧制方向正交的方向上进行了拉伸试验时的强度TSTD和在与轧制方向平行的方向上进行了拉伸试验时的强度TSLD计算出的强度比TSTD/TSLD大于0.9且小于1.1时，强度的各向异性较少，如大电流用的端子或汇流条那样，LD方向、TD方向均需要强度的情况下，也保持充分的强度，并且能够抑制通过使特定方向必要以上地高强度化而产生的弯曲加工时的裂纹等的产生。由此，弯曲的轴相对于轧制方向成为正交方向的弯曲(GW弯曲)及弯曲的轴相对于轧制方向成为平行方向的弯曲(BW弯曲)中，能够具备良好的弯曲加工性。
在此，为了可靠地发挥上述作用效果，优选将强度比TSTD/TSLD设为0.94以上，进一步优选设为0.98以上。并且，优选将强度比TSTD/TSLD设为1.08以下，进一步优选设为1.06以下。
(导电率：大于75％IACS)
作为本实施方式的电子电气设备用铜合金中，将导电率设定为大于75％IACS，由此能够良好地用作连接器或压配件等端子、继电器、引线框架、汇流条等电子电气设备用组件。
另外，导电率优选大于76％IACS，进一步优选大于77％IACS，更优选大于78％IACS，进一步优选大于80％IACS。
(Brass方位{110}〈112〉：40％以下)
通过Brass方位增加而BW方向的强度变高。因此，为了抑制强度的各向异性，将相对于Brass方位{110}〈112〉具有10°以内的晶体方位的晶体的比例设为40％以下。
另外，为了进一步抑制强度的各向异性，优选将相对于Brass方位{110}〈112〉具有10°以内的晶体方位的晶体的比例设为30％以下，进一步优选设为20％以下。
另一方面，若Brass方位的比例过低则BW方向的强度变得过低，有可能无法确保所需强度，因此相对于Brass方位{110}〈112〉具有10°以内的晶体方位的晶体的比例优选为1％以上，进一步优选为5％以上。
(Copper方位{112}〈111〉：40％以下)
通过Copper方位增加而GW方向的强度变高。因此，为了抑制强度的各向异性，将相对于Copper方位{112}〈111〉具有10°以内的晶体方位的晶体的比例设为40％以下。
另外，为了进一步抑制强度的各向异性，优选将相对于Copper方位{112}〈111〉具有10°以内的晶体方位的晶体的比例设为30％以下，进一步优选设为20％以下。
另一方面，若Copper方位的比例过低则GW方向的强度变得过低，有可能无法确保所需强度，因此相对于Copper方位{112}〈111〉具有10°以内的晶体方位的晶体的比例优选为1％以上，进一步优选为5％以上。
接着，参考图1所示的流程图，对这种结构的作为本实施方式的电子电气设备用铜合金的制造方法进行说明。
(熔解/铸造工序S01)
首先，在熔解铜原料而得到的铜熔液中，添加前述元素而进行成分调整，从而制造出铜合金熔液。在此，铜熔液优选设为纯度99.99质量％以上的所谓4NCu或者纯度99.999质量％以上的所谓5NCu。另外，添加各种元素时，能够使用元素单质或母合金等。
并且，也可以将包含上述元素的原料与铜原料一起熔解。并且，也可以使用该合金的回收材及废材。熔解工序中，为了抑制Mg的氧化，并且为了减少氢浓度，优选进行基于H2O的蒸气压较低的惰性气体气氛(例如Ar气体)的气氛熔解，熔解时的保持时间限制在最小限度。
而且，将经成分调整的铜合金熔液注入铸模中而制作出铸锭。另外，考虑了批量生产的情况下，优选采用连续铸造法或半连续铸造法。
此时，熔液凝固时，形成包含Mg和P的结晶物，因此能够通过加快凝固速度而使结晶物尺寸更加细微。因此，熔液的冷却速度优选设为0.1℃/秒以上，进一步优选为0.5℃/秒以上，最优选为1℃/秒以上。
(均质化/固溶化工序S02)
接着，为了所得到的铸锭的均质化及固溶化而进行加热处理。在铸锭的内部，有时存在以Cu和Mg作为主成分的金属间化合物等，所述金属间化合物通过在凝固过程中通过Mg偏析并浓缩来产生。于是，为了使这些偏析及金属间化合物等消失或减少，进行将铸锭加热至300℃以上且900℃以下的加热处理，从而在铸锭内使Mg均质地扩散或使Mg在母相中固溶。另外，该加热工序S02优选在非氧化性或还原性气氛中实施。
在此，加热温度小于300℃时，固溶化进行得不完整，有可能母相中会大量残存以Cu和Mg作为主成分的金属间化合物。另一方面，若加热温度大于900℃，则铜原材料的一部分成为液相，有可能使组织或表面状态变得不均匀。因此，将加热温度设定在300℃以上且900℃以下的范围。
另外，为了后述的粗轧的效率化和组织的均匀化，也可以在前述均质化/固溶化工序S02之后实施热加工。该情况下，加工方法并无特别限定，例如能够采用轧制、拉拔、挤压、孔型轧制、锻造、冲压等。并且，热加工温度优选设在300℃以上且900℃以下的范围内。
(粗加工工序S03)
为了加工成规定形状而进行粗加工。另外，该粗加工工序S03中的温度条件并无特别限定，但为了抑制再结晶或者提高尺寸精度，优选设在成为冷轧或温轧制的-200℃至200℃的范围内，尤其优选为常温。关于加工率(轧制率)，优选为20％以上，进一步优选为30％以上。并且，关于加工方法并无特别限定，例如能够采用轧制、拉拔、挤压、孔型轧制、锻造、冲压等。
(中间热处理工序S04)
粗加工工序S03之后，以用于固溶化的彻底进行、再结晶组织化或提高加工性的软化为目的实施热处理。热处理的方法并无特别限定，但优选在400℃以上且900℃以下的保持温度、10秒以上且10小时以下的保持时间条件下，在非氧化气氛或还原性气氛中进行热处理。并且，加热后的冷却方法并无特别限定，但优选采用水淬等冷却速度成为200℃/min以上的方法。
另外，粗加工工序S03及中间热处理工序S04可以反复实施。
为了将中间热处理工序S04之后的铜原材料加工成规定形状而进行精加工。另外，该精加工工序S05中的温度条件并无特别限定，但为了抑制再结晶或抑制软化，优选设在成为冷加工或温加工的-200℃至200℃的范围内，尤其优选为常温。并且，适当选择加工率而使得与最终形状近似，但在精加工工序S05中，为了使加工固化或轧制织构即Brass方位比例与Copper方位比例上升而使强度提高，优选将加工率设为20％以上。并且，要求进一步提高强度时，更优选将加工率设为30％以上，进一步优选将加工率设为40％以上。
另一方面，为了抑制Brass方位或Copper方位的过度取向，优选将加工率设为75％以下，更优选将加工率设为70％以下。
(精加工热处理工序S06)
接着，对于通过精加工工序S05而得到的塑性加工材，为了耐应力松弛特性的提高及低温退火固化，或者为了去除残余应变，实施精加工热处理。
若热处理温度过高则强度比TSTD/TSLD大幅下降，因此热处理温度优选设为100℃以上且600℃以下的范围内，更优选设为200℃以上且500℃以下的范围内。另外，在该精加工热处理工序S06中，为了避免由再结晶导致的强度的大幅下降，需要设定热处理条件(温度、时间、冷却速度)。
例如优选在300℃下保持1秒至120秒左右。该热处理优选在非氧化气氛或还原性气氛中进行。
热处理的方法并无特别限定，从削减制造成本的效果考虑，优选通过连续退火炉进行短时间的热处理。
而且，也可以反复实施上述精加工工序S05和精加工热处理工序S06。
通过如此处理，作为本实施方式、即电子电气设备用铜合金塑性加工材而制作出轧制板(薄板)。另外，该电子电气设备用铜合金塑性加工材(薄板)的板厚设为大于0.05mm且3.0mm以下的范围内，优选设为大于0.1mm且小于3.0mm的范围内。电子电气设备用铜合金塑性加工材(薄板)的板厚为0.05mm以下时，不适合用作大电流用途的导体，板厚大于3.0mm时，难以进行冲压冲孔加工。
在此，作为本实施方式的电子电气设备用铜合金塑性加工材可以直接用于电子电气设备用组件，也可以在板面的一面或两面形成膜厚0.1～100μm左右的镀Sn层或镀Ag层。此时，优选电子电气设备用铜合金塑性加工材的板厚成为镀层厚度的10～1000倍。
而且，将作为本实施方式的电子电气设备用铜合金(电子电气设备用铜合金塑性加工材)作为原材料，实施冲孔加工或弯曲加工等，从而成型出例如连接器或压配件等端子、继电器、引线框架、汇流条之类的电子电气设备用组件。
根据如上构成的作为本实施方式的电子电气设备用铜合金，Mg的含量被设为0.15质量％以上且小于0.35质量％的范围内，因此Mg在铜的母相中固溶，从而不会使导电率大幅下降，且能够提高强度、耐应力松弛特性。
并且，作为本实施方式的电子电气设备用铜合金中，由于导电率被设为75％IACS以上，因此也能够适用于要求高导电性的用途。
并且，作为本实施方式的电子电气设备用铜合金中，根据在与轧制方向正交的方向上进行了拉伸试验时的强度TSTD和在与轧制方向平行的方向上进行了拉伸试验时的强度TSLD计算出的强度比TSTD/TSLD大于0.9且小于1.1，因此强度的各向异性较少，如大电流用的端子或汇流条那样，LD方向、TD方向均需要强度的情况下，也确保充分的强度，并且能够抑制通过使特定的方向必要以上地高强度化而产生的弯曲加工时的裂纹等的产生。由此，弯曲的轴相对于轧制方向成为正交方向的弯曲(GW弯曲)及弯曲的轴相对于轧制方向成为平行方向的弯曲(BW弯曲)中，能够具备良好的弯曲加工性。
并且，作为本实施方式的电子电气设备用铜合金中添加P，将P的含量设为0.0005质量％以上且小于0.01质量％的范围内时，能够降低铜合金熔液的粘度，且能够提高铸造性。
并且，由于Mg的含量〔Mg〕(质量％)与P的含量〔P〕(质量％)满足〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5的关系式，因此能够抑制Mg与P的粗大结晶物的生成，且能够抑制冷加工性及弯曲加工性下降。
而且，在本实施方式中，由于Mg的含量〔Mg〕(质量％)与P的含量〔P〕(质量％)满足〔Mg〕/〔P〕≤400的关系式，因此降低铸造性的Mg的含量与提高铸造性的P的含量的比率被适当化，通过添加P的效果，能够可靠地提高铸造性。
并且，在本实施方式中，相对于Brass方位{110}〈112〉具有10°以内的晶体方位的晶体的比例被设为40％以下，并且相对于Copper方位{112}〈111〉具有10°以内的晶体方位的晶体的比例被设为40％以下，因此进一步抑制在与轧制方向正交的方向上进行了拉伸试验时的强度TSTD与在与轧制方向平行的方向上进行了拉伸试验时的强度TSLD的差，能够得到各向异性更少的电子电气设备用铜合金。
并且，作为本实施方式的电子电气设备用铜合金塑性加工材由上述电子电气设备用铜合金构成，因此通过对该电子电气设备用铜合金塑性加工材进行弯曲加工等，能够制造连接器或压配件等端子、继电器、引线框架、汇流条等电子电气设备用组件。
另外，在表面形成有镀Sn层或镀Ag层时，作为连接器或压配件等端子、继电器、引线框架、汇流条等电子电气设备用组件的原材料尤其适合。
而且，作为本实施方式的电子电气设备用组件(连接器或压配件等端子、继电器、引线框架、汇流条等)由上述电子电气设备用铜合金构成，因此即使小型化及薄壁化也能够发挥优异的特性。
以上，对作为本申请发明的实施方式的电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金塑性加工材、电子电气设备用组件(端子、汇流条等)进行了说明，但本申请发明并不限定于此，在不脱离该发明的技术思想的范围内能够进行适当变更。
例如，上述实施方式中，对电子电气设备用铜合金的制造方法的一例进行了说明，但电子电气设备用铜合金的制造方法并不限定于实施方式中所记载的内容，也可以适当选择现有的制造方法来制造。
实施例
以下，对为了确认本申请发明的效果而进行的确认实验的结果进行说明。
准备包含纯度99.99质量％以上的无氧铜(ASTM B152 C10100)的铜原料，将该铜原料装入高纯度石墨坩埚内，在设为Ar气体气氛的气氛炉内进行了高频熔解。在所得到的铜熔液内添加各种添加元素而调制成表1所示的成分组成，浇注于铸模并制造出铸锭。另外，本发明例4、比较例6将绝热材(ISOWOOL)铸模用作了铸造用的铸模，本发明例14将碳铸模用作了铸造用的铸模，本发明例1～3、5～13、15～30、比较例1～5将具备水冷功能的铜合金铸模用作了铸造用的铸模。将铸锭大小设为厚度约20mm×宽度约150mm×长度约70mm。
对该铸锭的铸件表皮附近进行端面切削，切出铸锭并调整尺寸以使最终产品的板厚成为0.5mm。
将该块体在Ar气体气氛中，以表2中记载的温度条件进行4小时的加热，并进行了均质化/固溶化处理。
之后，在表2中记载的条件下实施了粗轧之后，使用盐浴在表2中所记载的温度条件下进行了热处理。
对于已进行热处理的铜原材料，为了适当地形成为与最终形状相适合的形状而进行切割，并且为了去除氧化被膜而实施了表面磨削。之后，在常温下以表2中所记载的轧制率实施精轧(精加工)，制作出厚度0.5mm、宽度约150mm、长度200mm的薄板。
而且，精轧(精加工)之后，在表2所示的条件下，在Ar气氛中实施精加工热处理，之后进行水淬，并制作出特性评价用薄板。
(铸造性)
作为铸造性的评价，对前述铸造时的表面龟裂的有无进行了观察。将用肉眼完全看不到表面龟裂或几乎看不到的评为A，将产生了深度小于1mm的较小表面龟裂的评为B，将产生了深度1mm以上且小于2mm的表面龟裂的评为C。并且将产生了深度2mm以上的较大表面龟裂的评为D。将评价结果示于表3。
另外，表面龟裂的深度是指从铸锭的端部朝向中央部的表面龟裂的深度。
(力学特性)
从特性评价用条材中采集JIS Z 2241中规定的13B号试验片，通过JIS Z 2241的微量残余伸长法测定了0.2％屈服强度。另外，在与轧制方向垂直的方向和与轧制方向平行的方向上采集了试验片。并且，根据所得到的强度TSTD、TSLD计算出强度比TSTD/TSLD。将评价结果示于表3。
(导电率)
从特性评价用条材采集宽度10mm×长度150mm的试验片，通过四端子法求出了电阻。并且，使用千分尺进行试验片的尺寸测定，计算出试验片的体积。而且，根据所测定的电阻值与体积计算出导电率。另外，以其长边方向与特性评价用条材的轧制方向垂直的方式采集了试验片。
将评价结果示于表3。
(弯曲加工性)
按照日本伸铜协会技术标准JCBA-T307：2007的4试验方法进行了弯曲加工。以弯曲的轴相对于轧制方向成为正交方向(GW弯曲)，而且弯曲的轴相对于轧制方向成为平行方向(BW弯曲)的方式，从特性评价用薄板采集多个宽度10mm×长度30mm的试验片，使用弯曲角度为90度、弯曲半径为0.4mm(R/t＝0.8)的W型夹具，进行了W弯曲试验。
用肉眼观察弯曲部的外周部，在观察到裂纹时判定为“C”，观察到较大的褶皱时判定为B，无法确认断裂或微细的裂纹、较大的褶皱时判定为A。另外，将A、B判断为可容许的弯曲加工性。将评价结果示于表3。
(Brass方位比例、Copper方位比例)
将与轧制的宽度方向垂直的面即TD面(Transverse direction)作为观察面，通过EBSD测定装置及OIM分析软件。如下测定了Brass方位比例与Copper方位比例。
使用防水砂纸、金刚石磨粒进行了机械研磨之后，使用胶体二氧化硅溶液进行了精研磨。并且，通过EBSD测定装置(FEI Company.制Quanta FEG 450，EDAX/TSL公司制(现AMETEK,Inc.)OIM Data Collection)和分析软件(EDAX/TSL公司制(现AMETEK,Inc.)OIMData Analysis ver.6.2)，以20kV电子束的加速电压、0.1μm测定间隔步长，在1000μm2以上的测定面积中，排除CI值为0.1以下的测定点，进行各晶粒的方位分析，判断各晶粒是否为作为对象的Brass方位(自理想方位10°以内)，或者是否为作为对象的Copper方位(自理想方位10°以内)，求出测定区域中的Brass方位比例(晶体方位的面积率)、Copper方位比例(晶体方位的面积率)。
[表1]
Figure GDA0001491336650000141
[表2]
Figure GDA0001491336650000151
[表3]
Figure GDA0001491336650000161
关于比较例1～2，Mg的含量少于本申请发明的范围，且为强度不足。
关于比较例3～4，Mg的含量多于本申请发明的范围，且导电率较低。
关于比较例5，强度比TSTD/TSLD大于本申请发明的范围，将弯曲的轴相对于轧制方向设为正交方向(GW弯曲)时的弯曲加工性不充分。
关于比较例6，强度比TSTD/TSLD小于本申请发明的范围，将弯曲的轴相对于轧制方向设为平行方向(BW弯曲)时的弯曲加工性不充分。
相对于此，在本发明例中，确认到强度、导电率、弯曲加工性优异，且各向异性较少。并且，确认到添加了P时铸造性也优异。
根据以上内容，并根据本发明例，确认到能够提供一种导电性、强度、弯曲加工性优异，且各向异性较少的电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金塑性加工材。
产业上的可利用性
与现有技术相比，能够提供一种导电性、强度、弯曲加工性、耐应力松弛特性优异的电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金塑性加工材、电子电气设备用组件、端子及汇流条。

Claims (9)

1.一种电子电气设备用铜合金轧制板，其特征在于，
仅由P、0.15质量％以上且小于0.35质量％的Mg、作为剩余部分的Cu及不可避免的杂质构成，
Mg的含量〔Mg〕与P的含量〔P〕满足如下关系式：
25＜〔Mg〕/〔P〕，
其中，Mg的含量及P的含量的单位为质量％，
导电率大于75％IACS，并且
根据在与轧制方向正交的方向上进行了拉伸试验时的强度TSTD和在与轧制方向平行的方向上进行了拉伸试验时的强度TSLD计算出的强度比TSTD/TSLD大于0.9且小于1.1。
2.根据权利要求1所述的电子电气设备用铜合金轧制板，其特征在于，
P的含量为0.0005质量％以上且小于0.01质量％。
3.根据权利要求2所述的电子电气设备用铜合金轧制板，其特征在于，
Mg的含量〔Mg〕与P的含量〔P〕满足如下关系式：
〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5，
其中，Mg的含量及P的含量的单位为质量％。
4.根据权利要求2或3所述的电子电气设备用铜合金轧制板，其特征在于，
Mg的含量〔Mg〕与P的含量〔P〕满足如下关系式：
〔Mg〕/〔P〕≤400，
其中，Mg的含量及P的含量的单位为质量％。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的电子电气设备用铜合金轧制板，其特征在于，
相对于Brass方位{110}〈112〉具有10°以内的晶体方位的晶体的比例被设为40％以下，并且相对于Copper方位{112}〈111〉具有10°以内的晶体方位的晶体的比例被设为40％以下。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的电子电气设备用铜合金轧制板，其特征在于，
在表面具有镀Sn层或镀Ag层。
7.一种电子电气设备用组件，其特征在于，由权利要求1至6中任一项所述的电子电气设备用铜合金轧制板构成。
8.一种端子，其特征在于，由权利要求1至6中任一项所述的电子电气设备用铜合金轧制板构成。
9.一种汇流条，其特征在于，由权利要求1至6中任一项所述的电子电气设备用铜合金轧制板构成。
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