CN107540373A - 一种La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法，属于电器元件及其材料制造技术领域。所述陶瓷材料组成为：Pb0.98Ga0.02(Zr0.52Ti0.48)0.96Ta0.04O3+xwt%La2O3，其中x=0.1～1；制备方法为：将原料混合，球磨，烘干后预烧；再经过二次球磨后，烘干，过筛，得到陶瓷粉体；造粒后压制成坯体进行排胶；然后烧结得到压电陶瓷片；再将压电陶瓷片涂覆银电极后煅烧，再置于硅油中进行极化制得PZT基压电陶瓷片。本发明制得的压电陶瓷片，居里温度Tc在390~440℃，压电常数d33在280~320pC/N，相对介电系数εr在1380~1460；该新型材料从常温至高温可反复或长期使用，可应用于高温条件下的各种压电传感器、换能器元器件及电力测量、自动控制等领域。
Description
技术领域
本发明特别是涉及一种La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法，属于电器元件及其材料制造技术领域。
背景技术
随着高新技术的迅速发展，对压电器件工作温度的要求越来越高，因此高温压电陶瓷材料成为近几年研究的热点之一。作为一种新型功能材料，高温压电陶瓷被广泛应用于航空航天、核能、冶金、石油化工、地质勘探等许多特殊领域。但是，目前商业化应用的锆钛酸铅体系压电陶瓷的居里温度一般在250～380℃，由于热激活老化过程，其安全使用温度被限制在居里温度的1/2处。压电性能优良，使用温度低于380 ℃的高温压电陶瓷材料已经不能满足当前高新技术发展的要求。此外，商用高温传感器所采用的压电材料仅限于LiNbO3等单晶材料，生产工艺复杂，价格极其昂贵，而且国内目前尚无性能优良、使用温度高于350℃的高温压电陶瓷传感器产品，国外对这类器件的研究报道也很少。因此，高温压电陶瓷材料成为近几年来研究的热点，各种新成果、新技术不断涌现。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有高居里温度、高压电常数、高介电常数的La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料，适用于高温条件下的各种压电传感器、换能器元器件等，组成为：Pb0.98Ga0.02(Zr0.52Ti0.48)0.96Ta0.04O3+xwt%La2O3，其中x=0.1～1，wt%表示质量百分比，表示占总质量的质量百分比含量。
本发明所述高居里温度的La离子掺杂PZT（锆钛酸铅）基压电陶瓷具有单一的钙钛矿结构。
本发明的另一目的在于提供所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料的制备方法，具体包括以下步骤：
（1）按Pb0.98Ga0.02(Zr0.52Ti0.48)0.96Ta0.04O3+xwt%La2O3（x=0.1～1）的化学计量比称取Pb3O4、GaO、Ta2O5、TiO2、ZrO2、La2O3后进行球磨，球磨后烘干、研磨、过60~80目筛，筛后的物料进行预压，预压后的块状物料在密闭条件下750~900℃煅烧1.5~2h；
（2）将步骤（1）中煅烧后的物料碾碎二次球磨，然后烘干、过250~325目筛，加PVA水溶液，充分研磨，再过60~80目筛；
（3）将步骤（2）过筛的物料，模压成型得到生坯片，将生坯片在500~600℃脱脂，然后在1180℃~1260℃保温1.5~2h，得到烧结体；
（4）将步骤（3）得到的烧结体进行抛光，在表面涂抹中温银浆后烘干，在600~700℃下烧结1.5~2h，得到被银陶瓷片；
（5）将步骤（6）得到的被银陶瓷片放入120~130℃的硅油中，以2~3kv/mm直流电压极化15~20min后，取出在空气中自然老化22~24h得到陶瓷片。
本发明步骤（1）中球磨的转速为200~300rad/min，时间为10~12h，烘干的温度为80~90℃。
本发明步骤（2）中PVA水溶液按照原料总质量6%的比例添加，其质量百分比浓度为11%~12%。
本发明步骤（4）中烘干的温度为80~90℃。
本发明的有益效果：
本发明制得的La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料相比PZT压电陶瓷的居里温度、压电系数、介电常数有很大提高，其居里温度Tc在380~420℃，压电常数d33在280~320pC/N，相对介电系数εr在1380~1460；本发明通过PZT的掺杂改性，提高了材料的居里温度，进而提高了材料的使用温度，且使压电介电性在高温下具有较好的稳定性，拓宽了PZT基压电材料的使用温度范围，且本发明方法简单，成本较低，制得得材料从常温至高温可反复或长期使用。
附图说明
图1为本发明实施例2中La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料的扫描电镜图；
图2为本发明实施例1-4中La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料的XRD图谱。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步说明，但本发明的保护范围并不限于所述内容。
实施例1
本实施例所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料，其原料组成为：Pb0.98Ga0.02(Zr0.52Ti0.48)0.96Ta0.04O3+0.1wt%La2O3，wt%表示占材料总质量的质量百分比，其原材料为Pb3O4、GaO、Ta2O5、TiO2、ZrO2、La2O3。
本实施例所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料的制备方法，具体包括以下步骤：
（1）按Pb0.98Ga0.02(Zr0.52Ti0.48)0.96Ta0.04O3+0.1wt%La2O3的化学计量比称量好原料，然后加入到球磨罐中进行星式球磨，物料加入球磨罐时应注意加入的原料的顺序，先加入一份量多的原料再加入一份量少的原料，按照一多一少的顺序将原料依次加入球磨罐中，防止含量较小的物料粘壁造成的化学比的偏离，且球磨罐中球：料：无水乙醇的重量比为2:1:0.7，球磨转速为200rad/min，球磨混料12h后取出将混合料放入烘箱中，90℃烘干后，放入研钵体内研磨过60目筛。
（2）将步骤（1）过筛后的物料放入模具进行预压，预压后的块状物料放入坩埚中并加盖密封，850℃煅烧2h。
（3）将步骤（2）煅烧后的物料碾碎，二次球磨，烘干，过325目筛，按照原料总质量6%的比例加质量浓度为12%的PVA水溶液，在研钵中充分研磨，再过60目筛。
（4）将步骤（3）过筛的物料、模压成型，得到生坯片。
（5）将步骤（4）得到的生坯片先在500℃脱脂排胶，然后在1180℃保温1.5h，得到烧结体。
（6）将步骤（5）得到的烧结体进行抛光，在其表面涂抹中温银浆后，80℃烘干后，600℃下烧结1.5h，得到被银陶瓷片，所使用的中温银浆为贵研铂业股份有限公司生产的型号为PC-Ag-5310的中温银浆。
（7）将步骤（6）得到的被银陶瓷片放入120℃的硅油中，以3kv/mm直流电压极化15min后，取出在空气中自然老化24h，得到陶瓷片。
将陶瓷片进行性能测试，得到的结果分别为：d33=290PC/N、Tc=390、ε r=1380。
实施例2
本实施例所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料，其原料组成为：Pb0.98Ga0.02(Zr0.52Ti0.48)0.96Ta0.04O3+0.4wt%La2O3，wt%表示占材料总质量的质量百分比，其原材料为Pb3O4、GaO、Ta2O5、TiO2、ZrO2、La2O3。
本实施例所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料的制备方法，具体包括以下步骤：
（1）按Pb0.98Ga0.02(Zr0.52Ti0.48)0.96Ta0.04O3+0.4wt%La2O3的化学计量比称量好原料，然后加入到球磨罐中进行星式球磨，物料加入球磨罐时应注意加入的原料的顺序，先加入一份量多的原料再加入一份量少的原料，按照一多一少的顺序将原料依次加入球磨罐中，防止含量较小的物料粘壁造成的化学比的偏离，且球磨罐中球：料：无水乙醇的重量比为2:1:0.7，球磨转速为250rad/min，球磨混料12h后取出将混合料放入烘箱中，85℃烘干后，放入研钵体内研磨过65目筛。
（2）将步骤（1）过筛后的物料放入模具进行预压，预压后的块状物料放入坩埚中并加盖密封，900℃煅烧1.5h。
（3）将步骤（2）煅烧后的物料碾碎，二次球磨，烘干，过250目筛，按照原料总质量6%的比例加质量浓度为12%的PVA水溶液，在研钵中充分研磨，再过65目筛。
（4）将步骤（3）过筛的物料，模压成型，得到生坯片。
（5）将步骤（4）得到的生坯片先在600℃脱脂排胶，然后在1200℃保温2h，得到烧结体。
（6）将步骤（5）得到的烧结体进行抛光，在其表面涂抹中温银浆后，85℃烘干后，600℃下烧结2h，得到被银陶瓷片，所使用的中温银浆为贵研铂业股份有限公司生产的型号为PC-Ag-5310的中温银浆。
（7）将步骤（6）得到的被银陶瓷片放入125℃的硅油中，以2.5kv/mm直流电压极化20min后，取出在空气中自然老化22h，得到陶瓷片。
将陶瓷片进行性能测试，得到的结果分别为：d33=320PC/N、Tc=440℃、ε r=1460。图1为本实施例制备得到的陶瓷片断面的扫描电镜图，从图中可以看出晶粒尺寸约为3µm，晶粒发育较好，大小均匀，晶界结合致密。
实施例3
本实施例所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料，其原料组成为：Pb0.98Ga0.02(Zr0.52Ti0.48)0.96Ta0.04O3+0.7wt%La2O3，wt%表示占材料总质量的质量百分比，其原材料为Pb3O4、GaO、Ta2O5、TiO2、ZrO2、La2O3。
本实施例所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料的制备方法，具体包括以下步骤：
（1）按Pb0.98Ga0.02(Zr0.52Ti0.48)0.96Ta0.04O3+0.7wt%La2O3的化学计量比称量好原料，然后加入到球磨罐中进行星式球磨，物料加入球磨罐时应注意加入的原料的顺序，先加入一份量多的原料再加入一份量少的原料，按照一多一少的顺序将原料依次加入球磨罐中，防止含量较小的物料粘壁造成的化学比的偏离，且球磨罐中球：料：无水乙醇的重量比为2:1:0.7，球磨转速为300rad/min，球磨混料10h后取出将混合料放入烘箱中，90℃烘干后，放入研钵体内研磨过60目筛。
（2）将步骤（1）过筛后的物料放入模具进行预压，预压后的块状物料放入坩埚中并加盖密封，750℃煅烧2h。
（3）将步骤（2）煅烧后的物料碾碎，二次球磨，烘干，过270目筛，按照原料总质量6%的比例加质量浓度为11%的PVA水溶液，在研钵中充分研磨，再过60目筛。
（4）将步骤（3）过筛的物料，模压成型，得到生坯片。
（5）将步骤（4）得到的生坯片先在550℃脱脂排胶，然后在1240℃保温1.8h，得到烧结体。
（6）将步骤（5）得到的烧结体进行抛光，在其表面涂抹中温银浆后，90℃烘干后，650℃下烧结1.8h，得到被银陶瓷片，所使用的中温银浆为贵研铂业股份有限公司生产的型号为PC-Ag-5310的中温银浆。
（7）将步骤（6）得到的被银陶瓷片放入130℃的硅油中，以3kv/mm直流电压极化20min后，取出在空气中自然老化23h，得到陶瓷片。
将陶瓷片进行性能测试，得到的结果分别为：d33=300PC/N、Tc=410℃、ε r=1419。
实施例4
本实施例所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料，其原料组成为：Pb0.98Ga0.02(Zr0.52Ti0.48)0.96Ta0.04O3+1wt%La2O3，wt%表示占材料总质量的质量百分比，其原材料为Pb3O4、GaO、Ta2O5、TiO2、ZrO2、La2O3。
本实施例所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料的制备方法，具体包括以下步骤：
（1）按Pb0.98Ga0.02(Zr0.52Ti0.48)0.96Ta0.04O3+1wt%La2O3的化学计量比称量好原料，然后加入到球磨罐中进行星式球磨，物料加入球磨罐时应注意加入的原料的顺序，先加入一份量多的原料再加入一份量少的原料，按照一多一少的顺序将原料依次加入球磨罐中，防止含量较小的物料粘壁造成的化学比的偏离，且球磨罐中球：料：无水乙醇的重量比为2:1:0.7，球磨转速为250rad/min，球磨混料11h后取出将混合料放入烘箱中，80℃烘干后，放入研钵体内研磨过80目筛。
（2）将步骤（1）过筛后的物料放入模具进行预压，预压后的块状物料放入坩埚中并加盖密封，900℃煅烧1.5h。
（3）将步骤（2）煅烧后的物料碾碎，二次球磨，烘干，过300目筛，按照原料总质量6%的比例加质量浓度为11.5%的PVA水溶液，在研钵中充分研磨，再过80目筛。
（4）将步骤（3）过筛的物料，模压成型，得到生坯片。
（5）将步骤（4）得到的生坯片先在600℃脱脂排胶，然后在1260℃保温2h，得到烧结体。
（6）将步骤（5）得到的烧结体进行抛光，在其表面涂抹中温银浆后，80℃烘干后，700℃下烧结2h，得到被银陶瓷片，所使用的中温银浆为贵研铂业股份有限公司生产的型号为PC-Ag-5310的中温银浆。
（7）将步骤（6）得到的被银陶瓷片放入120℃的硅油中，以2.8kv/mm直流电压极化18min后，取出在空气中自然老化24h，得到陶瓷片。
将陶瓷片进行性能测试，得到的结果分别为：d33=310PC/N、Tc=400℃、ε r=1396。
图2所示为实施例1-4所得陶瓷片断面的XRD图，从图中可知，实施例1-4制备得到的试样均为钙钛矿结构，且没有发现焦绿石相或者其它的杂质相，在2θ=45°附近时{200}晶面的特征峰分裂成(200)T (002)T两个特征峰，即处于准同型相界，材料性能最佳。
Claims (5)
1.一种La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料，其特征在于，组成为：Pb0.98Ga0.02(Zr0.52Ti0.48)0.96Ta0.04O3+xwt%La2O3，其中x=0.1～1。
2.权利要求1所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
（1）按比例称量Pb3O4、GaO、Ta2O5、TiO2、ZrO2、La2O3后进行球磨，球磨后烘干、研磨、过60~80目筛，筛后的物料进行预压，预压后的块状物料在密闭条件下750~900℃煅烧1.5~2h；
（2）将步骤（1）中煅烧后的物料碾碎二次球磨，然后烘干、过250~325目筛，加PVA水溶液，充分研磨，再过60~80目筛；
（3）将步骤（2）过筛的物料，模压成型得到生坯片，将生坯片在500~600℃脱脂，然后在1180℃~1260℃保温1.5~2h，得到烧结体；
（4）将步骤（3）得到的烧结体进行抛光，在表面涂抹中温银浆后烘干，在600~700℃下烧结1.5~2h，得到被银陶瓷片；
（5）将步骤（6）得到的被银陶瓷片放入120~130℃的硅油中，以2~3kv/mm直流电压极化15~20min后，取出在空气中自然老化22~24h得到陶瓷片。
3.根据权利要求2所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中球磨的转速为200~300rad/min，时间为10~12h，烘干的温度为80~90℃。
4.根据权利要求2所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤（2）中PVA水溶液按照原料总质量6%的比例添加，其质量百分比浓度为11%~12%。
5.根据权利要求2所述La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤（4）中烘干的温度为80~90℃。
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| CN (1) | CN107540373B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111747740A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-10-09 | 安徽容知日新科技股份有限公司 | 钐离子掺杂锆钛酸铅基高性能压电陶瓷及其制备方法 |
| CN116655377A (zh) * | 2023-05-26 | 2023-08-29 | 国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司 | 一种Sm离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4862029A (en) * | 1987-02-11 | 1989-08-29 | Tosoh Corporation | Actuator |
| JPH05139828A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-06-08 | Toyota Motor Corp | 圧電磁器の製造方法 |
| CN1420106A (zh) * | 2002-12-06 | 2003-05-28 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 铌锌酸铅－锆钛酸铅镧透明功能陶瓷及其制备方法 |
| CN101224978A (zh) * | 2008-01-22 | 2008-07-23 | 贵州大学 | 改性pzt基高温压电陶瓷材料及其制备方法 |
| CN103408303A (zh) * | 2013-08-13 | 2013-11-27 | 江苏大学 | 一种高稳定高压电性能压电陶瓷材料 |
| CN103951407A (zh) * | 2014-04-22 | 2014-07-30 | 上海大学 | Ga改性(Bi0.8Gd0.2)FeO3-PbTiO3压电陶瓷及其制备方法 |
| CN105948736A (zh) * | 2016-05-03 | 2016-09-21 | 哈尔滨工业大学 | 一种氧化锂-三价氧化物共掺杂abo3结构高温度稳定性压电陶瓷材料及其制备方法 |
| CN106927822A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-07-07 | 南京航空航天大学 | 一种多层陶瓷内部界面的制备方法 |
-
2017
- 2017-08-25 CN CN201710741647.3A patent/CN107540373B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4862029A (en) * | 1987-02-11 | 1989-08-29 | Tosoh Corporation | Actuator |
| JPH05139828A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-06-08 | Toyota Motor Corp | 圧電磁器の製造方法 |
| CN1420106A (zh) * | 2002-12-06 | 2003-05-28 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 铌锌酸铅－锆钛酸铅镧透明功能陶瓷及其制备方法 |
| CN101224978A (zh) * | 2008-01-22 | 2008-07-23 | 贵州大学 | 改性pzt基高温压电陶瓷材料及其制备方法 |
| CN103408303A (zh) * | 2013-08-13 | 2013-11-27 | 江苏大学 | 一种高稳定高压电性能压电陶瓷材料 |
| CN103951407A (zh) * | 2014-04-22 | 2014-07-30 | 上海大学 | Ga改性(Bi0.8Gd0.2)FeO3-PbTiO3压电陶瓷及其制备方法 |
| CN105948736A (zh) * | 2016-05-03 | 2016-09-21 | 哈尔滨工业大学 | 一种氧化锂-三价氧化物共掺杂abo3结构高温度稳定性压电陶瓷材料及其制备方法 |
| CN106927822A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-07-07 | 南京航空航天大学 | 一种多层陶瓷内部界面的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| A. TAWFI: ""Elastic Properties and Sound Wave Velocity of PZT Transducers Doped with Ta and La"", 《COMMUNICATIONS OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY》 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111747740A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-10-09 | 安徽容知日新科技股份有限公司 | 钐离子掺杂锆钛酸铅基高性能压电陶瓷及其制备方法 |
| CN111747740B (zh) * | 2020-06-28 | 2022-06-10 | 安徽容知日新科技股份有限公司 | 钐离子掺杂锆钛酸铅基高性能压电陶瓷及其制备方法 |
| CN116655377A (zh) * | 2023-05-26 | 2023-08-29 | 国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司 | 一种Sm离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法 |
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