CN107526897A - 一种流控忆感器的等效模拟电路 - Google Patents
一种流控忆感器的等效模拟电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107526897A CN107526897A CN201710805073.1A CN201710805073A CN107526897A CN 107526897 A CN107526897 A CN 107526897A CN 201710805073 A CN201710805073 A CN 201710805073A CN 107526897 A CN107526897 A CN 107526897A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pin
- multiplier
- operational amplifier
- lf347n
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
本发明公开了一种流控忆感器的等效模拟电路,包括集成运算放大器U1、U2、U3和乘法器A以及受控电流源L,集成运算放大器U1和受控电流源分别连接输入端(A、B),即忆感器的电压u和磁通 的测试端;集成运算放大器U1、U2、U3用于反相运算、积分运算、求和运算;集成运算放大器U1与集成运算放大器U2、乘法器A相连且乘法器的输出端和集成运算放大器U3组合实现等式方程的构建;乘法器A实现信号的相乘。本发明提供了一种电流控制的忆感器等效电路,用以模拟忆感器的韦‑安特性,替代实际忆感器进行实验和应用及研究。
Description
技术领域
本发明属于电路设计技术领域,涉及一种忆感器数学模型及其等效模拟电路,具体涉及一种实现符合忆感器磁通-电流(韦-安)关系的模拟等效电路。
背景技术
2008年5月,HP实验室宣布制造了第一个物理实现的忆阻器,同年11月定义了忆容器和忆感器两种记忆器件,它们与忆阻器的相同之处是都具有记忆能力,不同之处在于这两种器件能存储能量。这些新的记忆器件在电子领域出现,展现了一个新的未知的领域,将有可能导致一系列的变革,同时也提供了一个新的工具,可以从一个新的角度来观察旧的科学问题。
目前,相对于忆阻器,忆容器和忆感器的电路模拟研究还较少,而且大部分忆容器和忆感器的模拟器都是基于忆阻器实现的,主要原因是忆容器和忆感器的数学模型还不够完善,且物理可实现的实际忆容器尚未出现。因此,设计实现忆感器的等效模型对忆感器研究具有重要应用。目前,虽已报道了少量的忆感器电路模型,但这些数学模型和电路模型对应的是忆感器电流I与磁通的关系。而本发明提出了一种流控即电流控制的忆感器数学模型,并设计实现了该模型的等效电路,该等效电路可作为忆感器的一种仿真器,替代尚未实现的忆感器,在理论和应用研究中模拟实际忆感器器件的韦-安特性。
发明内容
针对现有技术存在的上述不足,本发明提供了一种实现忆感器特性的模拟电路,用以模拟忆感器的韦安特性,替代实际忆感器进行实验和应用及研究。
本发明解决技术问题所采取的技术方案如下:
本发明包括集成运算放大器U1、U2和U3,和乘法器A以及受控电流源L,集成运算放大器U1和受控电流源分别连接输入端(A、B,即忆感器的电压u和磁通的测试端),集成运算放大器U1、U2、U3分别用于反向运算、积分运算、反相运算;集成运算放大器U1与集成运算放大器U2、乘法器A相连,集成运算放大器U3与乘法器的输出组合实现等式运算,乘法器A实现信号的相乘。
为了取得更好的性能,所述集成运算放大器U1的第1引脚与电阻R2相连后再与其第2引脚共同接入U1(t)电压源,然后第3引脚的一支路接地构成跟随器,第4引脚为VCC端,第6引脚与第7引脚之间接入一个电容然后与接地的第5引脚共同构成一个积分器,由于本模拟电路中只用到了三个运算放大器,故第8、9、10引脚都悬空,而第11引脚为VEE,第13引脚与第14引脚相连,再结合接地的第12引脚构成了反相器,且积分器的输出端与跟随器的输出端分别作为乘法器的输入端。
再进一步优选的,乘法器A的X1引脚和Y1引脚分别接跟随器与积分器的输出端,而为了实现纯增益的功能X2引脚与Y2引脚也分别接地,VS+引脚接电源VCC,VS-引脚接电源VEE,Z引脚接地。
本发明设计了一种能够实现忆感器韦安特性的模拟等效电路,该模拟电路只含3个集成运放和1个乘法器,结构简洁,本发明用集成运算电路实现忆感器特性中的相应运算,其中,集成运算放大器U1、U2主要用以实现电压的差分运算、电压积分运算、反相放大运算,模拟乘法器A用以信号的相乘,集成运算放大器U3用以实现两边的变量比较与等式的构建。
附图说明
图1是本发明的电路结构框图。
图2是本发明实现忆感器特性的模拟电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详细说明。
本发明的理论出发点是流控忆感器韦安特性的一般表达式:
如图1所示,本实例忆感器模拟等效电路包括集成运算放大器U1、U2、U3和乘法器A,集成运算放大器用于反相运算、积分运算、求和运算;集成运算放大器U1与U2、乘法器A相连,乘法器A实现信号的相乘。集成运算放大器采用LF347N,乘法器A采用AD633JN。LF347N、AD633JN为现有技术。
如图2所示,LF347N的第5、6引脚构成积分器的输入端,忆感器的磁通量在集成运算放大器U3与乘法器A的输出端相比较。
集成运算放大器LF347N内有4个运算放大器,在本发明中只用了其中的三个,如图2所示,第1、2、3引脚对应的运算放大器与外围电阻R2构成电压跟随器,用以实现后面电压的积分,即Out1引脚的电压为:
u=u1-u2
集成运算放大器LF347N的第12、13、14引脚与电容C1、电阻R6以及前面的跟随电路实现对流经其电流i(t)的积分电路,其输出端也就是乘法器A的X1端输入为而乘法器的另一输入端口Y1并未经过积分器故保持原样,故其输入乘法器Y1端的值仍未i(t)。
集成运算放大器LF347N的第5、6、7引脚与外围电阻R8和电容C2以及电阻R9构成了乘法器A的输入端该乘法器的另一个输入端为电流i(t),在受控电流源L与R7的作用下,集成运算放大器U3的另一端实现了磁通量的实现,故在U3两端实现了电路方程式:
为了描述的需要,令即将图2实现的电路方程式化为:
乘法器A的型号为AD633JN,X1引脚与积分器的输出Out4相连,Y1引脚与跟随器的输出Out1相连,且X2、Y2引脚都接地。
本发明提出了一种流控忆感器的数学模型:
其中Lmax和Lmin为最大和最小忆感值,系统状态量随i(t)电流的变化率量用窗函数window(x)描述,即本模型用window(x)=1的矩形窗即k为常数,故状态变量函数表示为:
x0为初始状态,此时忆感器的初始值为LM0,将(2)代入(1)有
其中k'=k(Lmax-Lmin)将(3)式带入忆感器的基本表达式中可得到
这与图2所推出的电路等式一样,故证明该模拟电路确实可以表达一种流控忆感器。
本领域的普通技术人员应当认识到,以上实施例仅是用来验证本发明,而并非作为对本发明的限定,只要是在本发明的范围内,对以上实施例的变化、变形都将落在本发明的保护范围内。
Claims (1)
1.一种流控忆感器的等效模拟电路,用于模拟忆感器的韦安特性,其特征在于:包括运算放大器U1、U2、U3和乘法器A,运算放大器U1和受控电流源L分别连接输入端,运算放大器U2、U3、U1分别用于积分运算、求和运算、反相运算;所述的运算放大器U1、U2、U3集成于芯片LF347N;乘法器A采用AD633JN,具体的:
所述芯片LF347N的第1引脚与电阻R2相连后再与其第2引脚的电阻R1共同接入电压源,芯片LF347N的第3引脚的一支路接地构成跟随器,芯片LF347N的第4引脚为VCC端,芯片LF347N的第6引脚与第7引脚之间接入一个电容然后与接地的第5引脚共同构成一个积分器,芯片LF347N的第8、9、10引脚都悬空,芯片LF347N的第11引脚为VEE,芯片LF347N的第13引脚与第14引脚相连,再结合接地的第12引脚构成了反相器;
所述的乘法器AD633JN的X1引脚和Y1引脚分别接跟随器与积分器的输出端,乘法器AD633JN的X2引脚与Y2也分别接地,乘法器AD633JN的VS+引脚接电源VCC, 乘法器AD633JN的VS-引脚接电源VEE,乘法器AD633JN的Z引脚接地。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710805073.1A CN107526897A (zh) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | 一种流控忆感器的等效模拟电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710805073.1A CN107526897A (zh) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | 一种流控忆感器的等效模拟电路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107526897A true CN107526897A (zh) | 2017-12-29 |
Family
ID=60735971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710805073.1A Pending CN107526897A (zh) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | 一种流控忆感器的等效模拟电路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107526897A (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108509704A (zh) * | 2018-03-22 | 2018-09-07 | 武汉科技大学 | 一种分数阶忆感器的等效电路 |
CN109308388A (zh) * | 2018-09-12 | 2019-02-05 | 成都师范学院 | 电流分数阶积分控制式忆感器 |
CN109871583A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-06-11 | 山东科技大学 | 一种磁控平方关系忆感器仿真器 |
CN110147597A (zh) * | 2019-05-10 | 2019-08-20 | 山东科技大学 | 一种多稳态磁控忆阻器等效模拟电路 |
CN111079363A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-04-28 | 杭州电子科技大学 | 一种双曲正弦型忆阻器电路模型 |
CN113095017A (zh) * | 2021-02-25 | 2021-07-09 | 广东技术师范大学 | 一种记忆元件通用模拟器 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103531230A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-01-22 | 湘潭大学 | 一种基于忆阻器的浮地忆容器和忆感器模拟器 |
CN105375914A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-03-02 | 杭州电子科技大学 | 一种实现忆感器特性的模拟电路 |
CN205232190U (zh) * | 2015-12-10 | 2016-05-11 | 杭州电子科技大学 | 实现忆感器特性的模拟电路 |
CN106202796A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-12-07 | 湘潭大学 | 一种通用记忆器件模拟器 |
-
2017
- 2017-09-08 CN CN201710805073.1A patent/CN107526897A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103531230A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-01-22 | 湘潭大学 | 一种基于忆阻器的浮地忆容器和忆感器模拟器 |
CN105375914A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-03-02 | 杭州电子科技大学 | 一种实现忆感器特性的模拟电路 |
CN205232190U (zh) * | 2015-12-10 | 2016-05-11 | 杭州电子科技大学 | 实现忆感器特性的模拟电路 |
CN106202796A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-12-07 | 湘潭大学 | 一种通用记忆器件模拟器 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
DALIBOR BIOLEK: ""PSPICE modeling of meminductor"", 《MIXED SIGNAL LETTER》 * |
杨凌 等: ""一种磁控忆感模拟器的设计及其特性分析"", 《电子科技大学学报》 * |
袁方 等: ""一种忆感器模型及其振荡器的动力学特性研究"", 《物理学报》 * |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108509704A (zh) * | 2018-03-22 | 2018-09-07 | 武汉科技大学 | 一种分数阶忆感器的等效电路 |
CN108509704B (zh) * | 2018-03-22 | 2019-08-20 | 武汉科技大学 | 一种分数阶忆感器的等效电路 |
CN109308388A (zh) * | 2018-09-12 | 2019-02-05 | 成都师范学院 | 电流分数阶积分控制式忆感器 |
CN109871583A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-06-11 | 山东科技大学 | 一种磁控平方关系忆感器仿真器 |
CN110147597A (zh) * | 2019-05-10 | 2019-08-20 | 山东科技大学 | 一种多稳态磁控忆阻器等效模拟电路 |
CN110147597B (zh) * | 2019-05-10 | 2022-12-27 | 山东科技大学 | 一种多稳态磁控忆阻器等效模拟电路 |
CN111079363A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-04-28 | 杭州电子科技大学 | 一种双曲正弦型忆阻器电路模型 |
CN111079363B (zh) * | 2019-12-12 | 2023-03-31 | 杭州电子科技大学 | 一种双曲正弦型忆阻器电路模型 |
CN113095017A (zh) * | 2021-02-25 | 2021-07-09 | 广东技术师范大学 | 一种记忆元件通用模拟器 |
CN113095017B (zh) * | 2021-02-25 | 2022-09-23 | 广东技术师范大学 | 一种记忆元件通用模拟器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107526897A (zh) | 一种流控忆感器的等效模拟电路 | |
Yener et al. | Fully CMOS memristor based chaotic circuit | |
Liang et al. | A practical implementation of a floating memristor-less meminductor emulator | |
CN206991310U (zh) | 一种对数型忆容器等效模拟电路 | |
CN107169253B (zh) | 对数型忆容器等效模拟电路 | |
CN105553459B (zh) | 浮地压控忆阻器仿真器电路 | |
CN107526896A (zh) | 一种磁控忆感器模型的等效模拟电路 | |
CN105681020A (zh) | 一种基于无平衡点忆阻系统的超混沌隐藏振荡电路 | |
CN104573183B (zh) | 忆容器的实现电路以及任意阶次忆容器电路的实现方法 | |
CN107451380B (zh) | 实现指数型荷控忆容器仿真器的电路 | |
CN103297025B (zh) | 一种忆阻器仿真器 | |
CN105375914B (zh) | 一种实现忆感器特性的模拟电路 | |
CN106656458A (zh) | 超混沌隐藏吸引子产生电路及其构建方法 | |
CN106603220A (zh) | 一种三阶忆阻有源带通滤波器混沌电路 | |
CN105447270B (zh) | 指数型忆感器电路 | |
CN105373679B (zh) | 一种实现忆容器电容特性的模拟电路 | |
CN105389443B (zh) | 一种忆感器对数模型等效电路 | |
CN104811182A (zh) | 一种磁链耦合型忆容器模拟电路 | |
CN204331729U (zh) | 忆容器的实现电路 | |
CN109670221B (zh) | 一种由分数阶电容构成的三次非线性磁控忆阻电路 | |
CN114841112A (zh) | 忆耦器等效模拟电路以及电子设备 | |
CN107506525A (zh) | 一种忆感器的构建方法及其应用 | |
CN204102401U (zh) | 一种用于模拟忆阻元件的实验装置 | |
CN209149304U (zh) | 一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路 | |
CN105373678B (zh) | 一种忆容器仿真器电路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20171229 |