CN107506525A - 一种忆感器的构建方法及其应用 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电路设计技术领域,特别公开了一种忆感器的构建方法及其应用。本发明公开了一种忆感器的构建方法和电路实现,由集成运算放大器U1和电阻、电容实现加法,反相和积分运算,利用乘法器A1和乘法器A2实现乘法运算。本发明的电路产生的滞回曲线使用的频率范围较宽(10Hz~1500Hz),忆感电路的抗干扰能力较强。发明电路结构简单,易于硬件实现,使用频率范围较宽,可使用于混沌电路等其他非线性电路中。

Description

一种忆感器的构建方法及其应用
(一)技术领域
本发明涉及电路设计技术领域,特别涉及一种忆感器的构建方法及其应用。
(二)背景技术
忆感器作为一种新型的电路元器件,与忆阻器、忆容器都是典型的非线性具有记忆特性的元件,由于这三种元件的独特的性质,可应用于非易失性存储和人工神经网络领域。自2008年HP公司报道了利用纳米材料研制出了忆阻器以来,忆阻器的剑魔和电路实现引起了国内外许多学者的关注,尽管忆感器和忆容器元件也具有独特的性质,但是由于现代的制造技术很难实现,人们对忆感器和忆容器的关注较少。近来,对忆感器和忆容器的仿真建模和电路实现成为许多学者研究的热点。
(三)发明内容
本发明为了弥补现有技术的不足,提供了一种电路简单、易于实现、能够产生滞回曲线的忆感器的构建方法及应用。
本发明是通过如下技术方案实现的:
一种忆感器的构建方法,包括如下步骤:
(1)根据忆感器的韦-安特性和安-韦特性:,将忆感器的电路模型构建为:;其中,为t时刻流过忆感器的电流,表示t时刻忆感器的磁通,L和L-1分别表示忆感器和忆感倒数,表示对磁通的积分,
(2)忆感器倒数模型为:,其中β是大于零的参数。
根据上述构建方法得到的忆感器的应用为:基于忆感器模型构造的电路,由积分模块、乘法模块、反相模块和加法模块四个模块组成,积分模块由集成运算放大器U1以及电阻、电容组成;反相模块由集成运算放大器U1和电阻组成,加法模块由集成运算放大器U1和电阻组成,乘法模块由乘法器A1和乘法器A2实现模块中的乘法运算;
输入电压v作用于第一积分器,第一积分器的输出作用于第二积分器,还作用于反相模块和乘法模块中的乘法器A2,第一积分器的输出还作用于加法模块,第二积分器的输出作用于乘法模块中的乘法器A1,反相模块的输出作用于乘法模块中的乘法器A2,乘法器A2的输出作用于加法模块。
其优选的技术方案为:
所述集成运算放大器U1采用LF347,乘法器A1和乘法器A2采用AD633。
所述集成运算放大器U1的第1引脚通过电容C1连接第2引脚,通过电阻R1连接第2引脚,通过电阻R2连接第6引脚,通过电阻R4连接第9引脚,通过电阻R8连接第13引脚,第3、5、10、12引脚接地,第4引脚接电源VCC,第11引脚接电源VEE,第6引脚通过电容C2连接第7引脚,通过电阻R3连接第7引脚,第7引脚直接连接乘法器A1中的第1引脚和第3引脚,第8引脚通过R5连接第9引脚,第8引脚直接连接A2的第3引脚,第13引脚通过R7连接第14引脚。
所述乘法器A1的第1引脚和第3引脚连接运算放大器的第7引脚,第2、3、6引脚接地,第5引脚接电源VEE,第8引脚接电源VCC,第7引脚直接连接乘法器A2的第1引脚。
所述乘法器A2的第1引脚连接乘法器A1的第7引脚,第2、4、6引脚解地,第3引脚连接运算放大器U1的第8引脚,第5引脚接电源VEE,第8引脚接电源VCC,第7引脚通过R6连接运算放大器U1的第13引脚。
本发明公开了一种忆感器的构建方法和电路实现,有集成运算放大器U1和电阻、电容实现加法,反相和积分运算、利用乘法器A1和乘法器A2实现乘法运算,本发明的电路产生的滞回曲线使用的频率范围较宽(10-1500Hz),忆感电路的抗干扰能力较强。
本发明电路结构简单,易于硬件实现,使用频率范围较宽,能够产生具有存储特点的滞回曲线,满足忆感器的特性,可应用于混沌电路等其他非线性电路中。
(四)附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1为本发明忆感器的视线框图;
图2为本发明忆感器的电路连接结构示意图;
图3为本发明忆感器的电路实际连接示意图;
图4为本发明忆感器电路输入信号频率为f=400Hz时的相平面图;
图5为本发明忆感器电路输入信号频率为f=800Hz时的相平面图;
图6为本发明忆感器电路输入信号频率为f=1000Hz时的相平面图
图7为本发明忆感器电路输入信号频率为f=1200Hz时的相平面图;
图8为本发明忆感器电路输入信号频率为f=1500Hz时的相平面图。
(五)具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明。
本发明所涉及到的忆感器电路模型如下:
,其中,为t时刻流过忆感器的电流,表示t时刻忆感器的磁通,L和L-1分别表示忆感器和忆感倒数,表示对磁通的积分,
本发明采用的忆感器倒数模型为:,其中β是大于零的参数。
如图1所示:本发明的忆感器实现框图,有四个模块组成:积分模块,乘法模块、反相模块和加法模块。积分模块包括第一积分器和第二积分器,乘法模块由乘法器A1和乘法器A2实现模块中的乘法运算。积分模块输出端为;乘法模块输出端为,反相器的输出端为,加法模块的输出端为
如图2所示:本发明的忆感器电路连接结构示意图,积分模块包括第一积分器和第二积分器,由集成运算放大器U1以及电阻、电容组成,反相模块由集成运算放大器U1和电阻组成,加法器模块由集成运算放大器U1和电阻组成,乘法器模块有乘法器A1和乘法器A2实现模块中的乘法运算。
如图3所示:所述的忆感器实现电路,所述的运算放大器U1采用LF347,所述的乘法器A1和A2采用AD633。
所述的集成运算放大器U1的第1引脚通过电容C1连接第2引脚,通过电阻R1连接第2引脚,通过电阻R2连接第6引脚,通过电阻R4连接第9引脚,通过电阻R8连接第13引脚,第3、5、10、12引脚接地,第4引脚接电源VCC,第11引脚接电源VEE,第6引脚通过电容C2连接第7引脚,通过电阻R3连接第7引脚,第7引脚直接连接乘法器A1中的第1引脚和第3引脚,第8引脚通过R5连接第9引脚,第8引脚直接连接A2的第3引脚,第13引脚通过R7连接第14引脚;
所述的乘法器A1的第1引脚和第3引脚连接运算放大器的第7引脚,第2、3、6引脚接地,第5引脚接电源VEE,第8引脚接电源VCC,第7引脚直接连接乘法器A2的第1引脚;
所述的乘法器A2的第1引脚连接乘法器A1的第7引脚,第2、4、6引脚解地,第3引脚连接运算放大器U1的第8引脚,第5引脚接电源VEE,第8引脚接电源VCC,第7引脚通过R6连接运算放大器U1的第13引脚。

Claims (6)

1.一种忆感器的构建方法,其特征为,包括如下步骤:(1)根据忆感器的韦-安特性和安-韦特性:,将忆感器的电路模型构建为:;其中,为t时刻流过忆感器的电流,表示t时刻忆感器的磁通,L和L-1分别表示忆感器和忆感倒数,表示对磁通的积分,;(2)忆感器倒数模型为:,其中β是大于零的参数。
2.根据权利要求1所述构建方法得到的忆感器的应用,其特征在于:基于忆感器模型构造的电路,由积分模块、乘法模块、反相模块和加法模块四个模块组成,积分模块由集成运算放大器U1以及电阻、电容组成;反相模块由集成运算放大器U1和电阻组成,加法模块由集成运算放大器U1和电阻组成,乘法模块由乘法器A1和乘法器A2实现模块中的乘法运算;输入电压v作用于第一积分器,第一积分器的输出作用于第二积分器,还作用于反相模块,第一积分器的输出还作用于加法模块,第二积分器的输出作用于乘法模块中的乘法器A1,反相模块的输出作用于乘法模块中的乘法器A2,乘法器A2的输出作用于加法模块。
3.根据权利要求2所述的忆感器的应用,其特征在于:所述集成运算放大器U1采用LF347,乘法器A1和乘法器A2采用AD633。
4.根据权利要求2所述的忆感器的应用,其特征在于:所述集成运算放大器U1的第1引脚通过电容C1连接第2引脚,通过电阻R1连接第2引脚,通过电阻R2连接第6引脚,通过电阻R4连接第9引脚,通过电阻R8连接第13引脚,第3、5、10、12引脚接地,第4引脚接电源VCC,第11引脚接电源VEE,第6引脚通过电容C2连接第7引脚,通过电阻R3连接第7引脚,第7引脚直接连接乘法器A1中的第1引脚和第3引脚,第8引脚通过R5连接第9引脚,第8引脚直接连接A2的第3引脚,第13引脚通过R7连接第14引脚。
5.根据权利要求2所述的忆感器的应用,其特征在于:所述乘法器A1的第1引脚和第3引脚连接运算放大器的第7引脚,第2、3、6引脚接地,第5引脚接电源VEE,第8引脚接电源VCC,第7引脚直接连接乘法器A2的第1引脚。
6.根据权利要求2所述的忆感器的应用,其特征在于:所述乘法器A2的第1引脚连接乘法器A1的第7引脚,第2、4、6引脚解地,第3引脚连接运算放大器U1的第8引脚,第5引脚接电源VEE,第8引脚接电源VCC,第7引脚通过R6连接运算放大器U1的第13引脚。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109002602A (zh) * 2018-07-11 2018-12-14 杭州电子科技大学 一种浮地磁控忆感器仿真器电路
CN111079365A (zh) * 2019-12-12 2020-04-28 杭州电子科技大学 一种反正切三角函数忆阻器电路模型

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