CN209149304U - 一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路，包括运算放大器O₁，运算放大器O₁的负输入端连接有电阻R₀，电阻R₀的的另一端接地，运算放大器O₁的正输入端直接与输出端相连，运算放大器O₁的输出端还通过电阻R₁与运算放大器O₂的负输入端连接，运算放大器O₂的负输入端与运算放大器O₂的输出端通过分数阶电容C_q连接，运算放大器O₂的正输入端接地，运算放大器O₂的输出端与乘法器M₁的两个输入端分别连接，乘法器M₁的输出端与乘法器M₂的一个输入端连接，乘法器M₂的另一个输入端连接外加正弦电压源，所述乘法器M₂的输出端连接有反相器，提供了一种可以进行数值仿真和电路仿真的的三次非线性磁控忆阻器电路。

Description

一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路

技术领域

本实用新型属于分数阶磁控忆阻器电路技术领域，具体涉及一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路。

背景技术

忆阻器是一种表示磁通与电荷关系的电路器件，具有电阻的量纲，但和电阻不同的是，忆阻的阻值是由流经它的电荷确定，有记忆电荷的作用。2008年，惠普公司的研究人员首次做出纳米忆阻器件，掀起忆阻研究热潮。纳米忆阻器件的出现，有望实现非易失性随机存储器。并且，基于忆阻的随机存储器的集成度，功耗，读写速度都要比传统的随机存储器优越。此外，忆阻是硬件实现人工神经网络突触的最好方式。由于忆阻的非线性性质，可以产生混沌电路，从而在保密通信中也有很多应用。

分数阶微积分，作为整数阶微积分的扩展，能够更好的反映和描述实际的物体。通过将模型推广到分数阶，可以得到新的分数阶模型，获得更丰富的动力学行为和混沌行为。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路，提供了一种可以进行数值仿真和电路仿真的的三次非线性磁控忆阻器电路。

本实用新型所采用的技术方案是，一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路，包括运算放大器O₁，运算放大器O₁的负输入端连接电阻R₀的一端并共同连接外加正弦电压源，电阻R₀的的另一端接地，运算放大器O₁的正输入端直接与输出端相连，运算放大器O₁的输出端还通过电阻R₁与运算放大器O₂的负输入端连接，运算放大器O₂的负输入端与运算放大器O₂的输出端通过分数阶电容C_q连接，运算放大器O₂的正输入端接地，运算放大器O₂的输出端与乘法器M₁的两个输入端分别连接，乘法器M₁的输出端与乘法器M₂的一个输入端连接，乘法器M₂的另一个输入端连接外加正弦电压源，所述乘法器M₂的输出端连接有反相器，分数阶电容C_q包括一个电阻R_in，所述电阻R_in串联多个RC等效电路。

本实用新型的特点还在于：

反相器包括与所述乘法器M₂的输出端连接的运算放大器O₃，运算放大器O₃的正输入端通过电阻R₂与所述乘法器M₂的输出端连接，运算放大器O₃的负输入端与外加正弦电压源连接，运算放大器O₃的负输入端与运算放大器O₃的输出端之间通过电阻R₃连接，运算放大器O₃的正输入端与运算放大器O₃的输出端之间由电阻R₄连接。

每个RC等效电路均包括并联在一起的电容C_n和电阻R_n。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路，可以更加准确的模拟真实的忆阻器特性，对分析分数阶忆阻器模型及特性，分数阶忆阻混沌系统有重要作用；该忆阻电路可以进行数值仿真和电路仿真，根据调节参数可产生不同参数的忆阻器模型，对于忆阻器等效模型的发展有很大的推动作用。

附图说明

图1为本实用新型一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路的电路图；

图2为本实用新型一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路中分数阶电容等效电路；

图3为本实用新型一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路中PSpice实现的分数阶三次非线性磁控忆阻电路模型；

图4(a)为1阶时的i-v相PSpice电路仿真图；

图4(b)为0.9阶时的相PSpice电路仿真图；

图4(c)为分数阶阶次为0.8阶时的i-v相PSpice电路仿真图。

具体实施方式

本实用新型一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路，如图1所示，包括运算放大器O₁，运算放大器O₁的负输入端连接电阻R₀的一端并共同连接外加正弦电压源，电阻R₀的的另一端接地，运算放大器O₁的正输入端直接与输出端相连，用于避免负载效应，运算放大器O₁的输出端还通过电阻R₁与运算放大器O₂的负输入端连接，用于构成积分器，运算放大器O₂的负输入端与运算放大器O₂的输出端通过分数阶电容C_q连接，运算放大器O₂的正输入端接地，运算放大器O₂的输出端与乘法器M₁的两个输入端分别连接，乘法器M₁的输出端与乘法器M₂的一个输入端连接，乘法器M₂的另一个输入端连接外加正弦电压源，乘法器M₂的输出端连接有反相器。

反相器包括与乘法器M₂的输出端连接的运算放大器O₃，运算放大器O₃的正输入端通过电阻R₂与乘法器M₂的输出端连接，运算放大器O₃的负输入端与外加正弦电压源连接，运算放大器O₃的负输入端与运算放大器O₃的输出端之间通过电阻R₃连接，运算放大器O₃的正输入端与运算放大器O₃的输出端之间由电阻R₄连接。

分数阶电容C_q包括一个电阻R_in，所述电阻R_in串联多个RC等效电路，每个RC等效电路均包括并联在一起的电容C_n和电阻R_n。

上述的分数阶磁控忆阻器中的电容C_q为分数阶，由并联的RC单元电路串联一电阻构成分数阶电容等效电路。

上述的分数阶磁控忆阻器包含四个可变参数，分别为电阻R₀的阻值、电阻R₁的阻值、电阻R₂的阻值和分数阶电容C_q的等效电容值。

上述的分数阶磁控忆阻器的数学模型可由一个光滑连续的三次非线性函数描述，具体表示为：

对公式(1)两边进行微分，再按照忆阻一般定义，可得对应的分数阶三次非线性磁控忆阻的数学模型：

由公式(2)可知，电流与电压之间的关系可由分数阶磁控忆阻器的忆导表征，分数阶磁控忆阻器的忆导是一个开口向上的两次偶函数。

如图1所示的运算放大器O₂，其输入和输出之间的关系可以描述为：

公式(3)也可以写为：

由于电容器C_q为分数阶，公式(4)需要被修改，其分数阶表示为：

假设根据分数阶公式的定义，我们可知：

这样，乘法器M₂的输出电压就可以表示为：

根据串联分压原理和运算放大器的特性，可得：

求解(8)可得：

将公式(7)代入公式(9)，可得：

将公式(6)代入公式(10)，可得：

因此，输入电流i(t)可表示为：

至此，忆导的数学模型可以表示为：

对比公式(2)与公式(13)，我们可知：

由此可得，公式(13)与公式(14)描述了分数阶三次非线性磁控忆阻器的数学模型，而电阻R₀的阻值、电阻R₁的阻值、电阻R₂的阻值和分数阶电容C_q的等效电容值作为可调参数决定了如图1所示的分数阶忆阻器的特性。

电路仿真：

为了验证所提出的分数阶磁控忆阻电路的可行性，本实用新型利用PSpice软件进行电路仿真，所实用新型的分数阶磁控忆阻器的实现电路图如图3所示。分数阶电容的串联等效电路如图2所示。分数阶电容的传递函数可以表示为：

当电容C_q＝47nF,n＝5且阶次α选定为0.8或0.9阶时，根据式(15)可以求得分数阶等效电容和电阻的参数。具体参数见表1所示。

表1电容的等效电容和电阻计算值

分别利用上表参数设计阶次为0.8阶、0.9阶、1阶时的分数阶忆阻电路并进行电路仿真，实验结果图如图4所示。可见当阶次为1阶时，忆阻电路的磁滞回线是关于原点对称的，如图4(a)所示，当阶次为0.9阶时，磁滞回线的形状发生变化，第一象限的面积增大而第三象限的面积减小，如图4(b)所示，而当阶次为0.8阶时，磁滞回线在第三象限出现新的交叉点，磁滞回线出现三个“环”，如图4(c)所示。

通过上述方式，本实用新型一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路，可以更加准确的模拟真实的忆阻器特性，对分析分数阶忆阻器模型及特性，分数阶忆阻混沌系统有重要作用；该忆阻电路可以进行数值仿真和电路仿真，根据调节参数可产生不同参数的忆阻器模型，对于忆阻器等效模型的发展有很大的推动作用。

Claims (3)

1.一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路，其特征在于，包括运算放大器O₁，运算放大器O₁的负输入端连接电阻R₀的一端并共同连接外加正弦电压源，所述电阻R₀的另一端接地，所述运算放大器O₁的正输入端直接与输出端相连，所述运算放大器O₁的输出端还通过电阻R₁与运算放大器O₂的负输入端连接，所述运算放大器O₂的负输入端与运算放大器O₂的输出端通过分数阶电容C_q连接，所述运算放大器O₂的正输入端接地，所述运算放大器O₂的输出端与乘法器M₁的正负两个输入端分别连接，所述乘法器M₁的输出端与乘法器M₂的一个输入端连接，所述乘法器M₂的另一个输入端连接外加正弦电压源，所述乘法器M₂的输出端连接有反相器，所述分数阶电容C_q包括一个电阻R_in，所述电阻R_in串联多个RC等效电路。

2.根据权利要求1所述的一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路，其特征在于，所述反相器包括与所述乘法器M₂的输出端连接的运算放大器O₃，所述运算放大器O₃的正输入端通过电阻R₂与所述乘法器M₂的输出端连接，所述运算放大器O₃的负输入端与外加正弦电压源连接，所述运算放大器O₃的负输入端与运算放大器O₃的输出端之间通过电阻R₃连接，所述运算放大器O₃的正输入端与运算放大器O₃的输出端之间由电阻R₄连接。

3.根据权利要求1所述的一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路，其特征在于，每个所述RC等效电路均包括并联在一起的电容C_n和电阻R_n。