CN107502337A - 单相磷光体量子点及其白光led芯片的制备方法 - Google Patents
单相磷光体量子点及其白光led芯片的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107502337A CN107502337A CN201710736807.5A CN201710736807A CN107502337A CN 107502337 A CN107502337 A CN 107502337A CN 201710736807 A CN201710736807 A CN 201710736807A CN 107502337 A CN107502337 A CN 107502337A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- inp
- zns
- quantum dot
- solution
- led chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 58
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 29
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 52
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 48
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 38
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 9
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 9
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 5
- 239000012691 Cu precursor Substances 0.000 claims description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000012688 phosphorus precursor Substances 0.000 claims description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 3
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 2
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 claims 1
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical class ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/305—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table characterised by the doping materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明提供了一种单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备方法。本发明将包括一种单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备，包括制备掺杂铜的Cu:InP量子点核(d‑Core)，包括制备ZnS屏障(Barrier)，包括制备InP量子井(q‑Well)，包括制备ZnS壳(Shell)，形成Cu:InP/ZnS/InP/ZnS QDs结构单相磷光体量子点，包括将单相磷光体量子点涂覆在蓝光LED芯片上得到单相磷光体量子点白光LED芯片。本发明采用分步合成法、涂覆技术和紫外固化技术实现单相磷光体量子点白光LED芯片的制备。
Description
技术领域
本发明涉及光致发光二极管技术领域，特别涉及一种单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备方法。
背景技术
模拟黑体辐射将磷元素应用于白光LED灯的荧光粉上的做法已被认为是具有高能效的的传统光源替代方案。量子点是具有优异发光特性的半导体纳米材料，由于其高的量子产率、连续可调的荧光发射光谱、优异的摩尔吸收性能，被视为荧光粉的替代物，在照明技术领域有广阔的应用前景。
量子点光致发光二极管是一种以量子点为发光层，以蓝光LED为背光源的新型量子点LED发光器件，与传统光源相对比，量子点光致发光二极管具有更高的转化效率。
但是，目前P元素量子点的稳定性不高，量子产率不稳定。
发明内容
本发明的目的在于提供一种单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备方法。本发明提供的制备方法，方法简单，制备所得的量子点稳定性高，制备所得的光致发光芯片显示指数90以上。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：本发明提供了单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备方法，包括以下步骤：
（1）制备得到掺杂铜的Cu:InP量子点核(d-Core)；
（2）在步骤（1）的Cu:InP量子点核的基础上制备ZnS屏障层(Barrier)，得到Cu:InP/ZnS(d-Core/Barrier)结构量子点；
（3）在步骤（2）的Cu:InP/ZnS的基础上制备InP量子井(q-Well)，得到Cu:InP/ZnS/InP(d-Core/Barrier/q-Well)结构量子点；
（4）在步骤（3）的Cu:InP/ZnS/InP的基础上制备ZnS壳(Shell)，得到Cu:InP/ZnS/InP/ZnS QDs(d-Core/Barrier/q-Well/Shell)结构量子点；
（5）将制备得到的Cu:InP/ZnS/InP/ZnS QDs(d-Core/Barrier/q-Well/Shell)结构单相磷光体量子点涂覆在蓝光LED芯片上制得单相磷光体量子点白光LED芯片。
步骤（1），在单口瓶中加入0.2mmolP(TMS)3、2.4mmol辛胺和1.5mlODE，得到P前驱液；在单口瓶中加入0.2mlODE和0.02mmolCu(Ac)2，得到Cu前驱体；在50ml三口瓶中加入0.4mmolIn(Ac)3、1.2mmolMA和4mlODE；将三口瓶中的混合物在N2气条件下加热到188℃，注入制备好的磷前驱液；将反应温度保持在178℃，有利于InP量子点核充分生长；十分钟后将反应温度降到130℃，注入制备好的铜前驱液；再将反应温度升高到210℃，有利于在InP量子点核中掺杂Cu离子。
步骤（2），将在步骤（1）的反应降温到150℃，逐滴滴加0.08mmol/mlZn(st)2-ODE溶液和0.06mmol/ml S-TOP溶液；将反应温度升高到210℃，保持30分钟，有利于ZnS屏障层的生长；将反应温度降到150℃，再次逐滴滴加0.08mmol/mlZn(st)2-ODE溶液和0.06mmol/mlS-TOP溶液并再次升温到210℃保持30分钟；重复三遍此步骤后将反应温度降到室温，在反应物中加入正己烷和乙醇进行萃取，反复多次，除掉多余的反应物及副产品；加入丙酮、正己烷溶液沉淀、离心、干燥得到Cu:InP/ZnS core/Barrier量子点。
步骤（3），其特征在于，在50ml三口瓶中加入权利要求3中得到的量子点粉末和4mlODE溶液，在N2气环境下加热到100℃，逐滴滴加0.142mmol/ml P (TMS)3-ODE溶液和0.2ml辛胺溶液；迅速升温至120℃，保持5分钟，在降温至80℃，逐滴滴加3mmol/ml MA-ODE溶液和0.142mmol/ml In(MA)3–ODE溶液，将反应升温到178℃，保持30分钟，有利于InP量子井层的生长；将反应温度降为100℃，逐滴滴加0.09mmol/ml P (TMS)3-ODE溶液和0.3ml辛胺溶液；迅速升温至120℃，逐滴滴加3mmol/ml MA-ODE溶液和0.09mmol/ml In(MA)3–ODE溶液；将反应温度升高到220℃，保持30分钟，有利于InP量子井层生长。
步骤（4），将在步骤（3）的反应降温到150℃，逐滴滴加0.08mmol/mlZn(st)2-ODE溶液和0.06mmol/ml S-TOP溶液；
将反应温度升高到210℃，保持30分钟，有利于ZnS壳层的生长；
将反应温度降到150℃，再次逐滴滴加0.08mmol/mlZn(st)2-ODE溶液和0.06mmol/mlS-TOP溶液并再次升温到210℃保持30分钟；
重复三遍此步骤后将反应温度降到室温，在反应物中加入正己烷和乙醇进行萃取，反复多次，除掉多余的反应物及副产品，最终得到Cu:InP/ZnS/InP/ZnS QDs量子点。
步骤（5），沉淀量子点的方法得到Cu:InP/ZnS/InP/ZnS量子点粉末，将量子点粉末于三氯甲烷溶液按质量比1:10配置成混合溶液，加入0.05gPMMA，将配置好的混合溶液涂覆在蓝光芯片上，放置在在紫外灯下2小时，进行紫外固化，得到基于Cu:InP/ZnS/InP/ZnS量子点的白光LED芯片。
本发明的优点是：一种单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备方法。本发明将包括一种单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备，包括制备掺杂铜的Cu:InP量子点核(d-Core)，包括制备ZnS屏障(Barrier)，包括制备InP量子井(q-Well)，包括制备ZnS壳(Shell)，形成Cu:InP/ZnS/InP/ZnS QDs结构单相磷光体量子点，包括将单相磷光体量子点涂覆在蓝光LED芯片上得到单相磷光体量子点白光LED芯片。本发明采用分步合成法、涂覆技术和紫外固化技术实现单相磷光体量子点白光LED芯片的制备。
具体实施方式
本发明提供了单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备方法，包括以下步骤：
（1）制备得到掺杂铜的Cu:InP量子点核(d-Core)。
（2）在步骤（1）的Cu:InP量子点核的基础上制备ZnS屏障层(Barrier)，得到Cu:InP/ZnS(d-Core/Barrier)结构量子点。
（3）在步骤（2）的Cu:InP/ZnS的基础上制备InP量子井(q-Well)，得到Cu:InP/ZnS/InP(d-Core/Barrier/q-Well)结构量子点。
（4）在步骤（3）的Cu:InP/ZnS/InP的基础上制备ZnS壳(Shell)，得到Cu:InP/ZnS/InP/ZnS QDs(d-Core/Barrier/q-Well/Shell)结构量子点。
（5）将制备得到的Cu:InP/ZnS/InP/ZnS QDs(d-Core/Barrier/q-Well/Shell)结构单相磷光体量子点涂覆在蓝光LED芯片上制得单相磷光体量子点白光LED芯片。
本发明中，制备方法步骤（1）具体实施步骤为，在单口瓶中加入0.2mmolP(TMS)3、2.4mmol辛胺和1.5mlODE，得到P前驱液。在单口瓶中加入0.2mlODE和0.02mmolCu(Ac)2，得到Cu前驱体。在50ml三口瓶中加入0.4mmolIn(Ac)3、1.2mmolMA和4mlODE。将三口瓶中的混合物在N2气条件下加热到188℃，注入制备好的磷前驱液。将反应温度保持在178℃，有利于InP量子点核充分生长。十分钟后将反应温度降到130℃，注入制备好的铜前驱液。再将反应温度升高到210℃，有利于在InP量子点核中掺杂Cu离子。
本发明中，制备方法步骤（2）具体实施步骤为，将在步骤（1）的反应降温到150℃，逐滴滴加0.08mmol/mlZn(st)2-ODE溶液和0.06mmol/ml S-TOP溶液。将反应温度升高到210℃，保持30分钟，有利于ZnS屏障层的生长。将反应温度降到150℃，再次逐滴滴加0.08mmol/mlZn(st)2-ODE溶液和0.06mmol/ml S-TOP溶液并再次升温到210℃保持30分钟。重复三遍此步骤后将反应温度降到室温。在反应物中加入正己烷和乙醇进行萃取，反复多次，除掉多余的反应物及副产品。加入丙酮、正己烷溶液沉淀、离心、干燥得到Cu:InP/ZnS core/Barrier量子点。
本发明中，制备方法步骤（3）具体实施步骤为，在50ml三口瓶中加入权利要求3中得到的量子点粉末和4mlODE溶液，在N2气环境下加热到100℃，逐滴滴加0.142mmol/ml P(TMS)3-ODE溶液和0.2ml辛胺溶液。迅速升温至120℃，保持5分钟，在降温至80℃。逐滴滴加3mmol/ml MA-ODE溶液和0.142mmol/ml In(MA)3–ODE溶液。将反应升温到178℃，保持30分钟，有利于InP量子井层的生长。将反应温度降为100℃，逐滴滴加0.09mmol/ml P (TMS)3-ODE溶液和0.3ml辛胺溶液。迅速升温至120℃，逐滴滴加3mmol/ml MA-ODE溶液和0.09mmol/ml In(MA)3–ODE溶液。将反应温度升高到220℃，保持30分钟，有利于InP量子井层生长。
本发明中，制备方法步骤（4）具体实施步骤为，采取与权利要求3中一致的方法，在权利要求4中得到的Cu:InP/ZnS/InP(d-Core/Barrier/qWell)量子点的表面包裹一层ZnS壳，修饰量子点表面缺陷，最终得到Cu:InP/ZnS/InP/ZnS QDs (d-Core/Barrier/qWell/Shell)量子点。
本发明中，制备方法步骤（5）具体实施步骤为，根据权利要求3中沉淀量子点的方法得到Cu:InP/ZnS/InP/ZnS (d-core/barrier/q-well/shell)量子点粉末。将量子点粉末于三氯甲烷溶液按质量比1:10配置成混合溶液。加入0.05gPMMA。将配置好的混合溶液涂覆在蓝光芯片上，放置在在紫外灯下2小时，进行紫外固化，得到基于Cu:InP/ZnS/InP/ZnS量子点的白光LED芯片。
Claims (6)
1.单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备方法，包括以下步骤：
（1）制备得到掺杂铜的Cu:InP量子点核；
（2）在步骤（1）的Cu:InP量子点核的基础上制备ZnS屏障层，得到Cu:InP/ZnS结构量子点；
（3）在步骤（2）的Cu:InP/ZnS的基础上制备InP量子井，得到Cu:InP/ZnS/InP结构量子点；
（4）在步骤（3）的Cu:InP/ZnS/InP的基础上制备ZnS壳，得到Cu:InP/ZnS/InP/ZnS QDs结构量子点；
（5）将制备得到的Cu:InP/ZnS/InP/ZnS QDs结构单相磷光体量子点涂覆在蓝光LED芯片上制得单相磷光体量子点白光LED芯片。
2.根据权利要求1所述的单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备方法，其特征在于：
步骤（1），在单口瓶中加入0.2mmolP(TMS)3、2.4mmol辛胺和1.5mlODE，得到P前驱液；
在单口瓶中加入0.2mlODE和0.02mmolCu(Ac)2，得到Cu前驱体；
在50ml三口瓶中加入0.4mmolIn(Ac)3、1.2mmolMA和4mlODE；将三口瓶中的混合物在N2气条件下加热到188℃，注入制备好的磷前驱液；
将反应温度保持在178℃，有利于InP量子点核充分生长；
十分钟后将反应温度降到130℃，注入制备好的铜前驱液；
再将反应温度升高到210℃，有利于在InP量子点核中掺杂Cu离子。
3.根据权利要求1所述的单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备方法，其特征在于：
步骤（2），将在步骤（1）的反应降温到150℃，逐滴滴加0.08mmol/mlZn(st)2-ODE溶液和0.06mmol/ml S-TOP溶液；
将反应温度升高到210℃，保持30分钟，有利于ZnS屏障层的生长；
将反应温度降到150℃，再次逐滴滴加0.08mmol/mlZn(st)2-ODE溶液和0.06mmol/ml S-TOP溶液并再次升温到210℃保持30分钟；
重复三遍此步骤后将反应温度降到室温，在反应物中加入正己烷和乙醇进行萃取，反复多次，除掉多余的反应物及副产品；
加入丙酮、正己烷溶液沉淀、离心、干燥得到Cu:InP/ZnS core/Barrier量子点。
4.根据权利要求1所述的单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备方法，其特征在于：
步骤（3），其特征在于，在50ml三口瓶中加入权利要求3中得到的量子点粉末和4mlODE溶液，在N2气环境下加热到100℃，逐滴滴加0.142mmol/ml P (TMS)3-ODE溶液和0.2ml辛胺溶液；
迅速升温至120℃，保持5分钟，在降温至80℃，逐滴滴加3mmol/ml MA-ODE溶液和0.142mmol/ml In(MA)3–ODE溶液，将反应升温到178℃，保持30分钟，有利于InP量子井层的生长；
将反应温度降为100℃，逐滴滴加0.09mmol/ml P (TMS)3-ODE溶液和0.3ml辛胺溶液；迅速升温至120℃，逐滴滴加3mmol/ml MA-ODE溶液和0.09mmol/ml In(MA)3–ODE溶液；将反应温度升高到220℃，保持30分钟，有利于InP量子井层生长。
5.根据权利要求1所述的单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备方法，其特征在于：
步骤（4），将在步骤（3）的反应降温到150℃，逐滴滴加0.08mmol/mlZn(st)2-ODE溶液和0.06mmol/ml S-TOP溶液；
将反应温度升高到210℃，保持30分钟，有利于ZnS壳层的生长；
将反应温度降到150℃，再次逐滴滴加0.08mmol/mlZn(st)2-ODE溶液和0.06mmol/ml S-TOP溶液并再次升温到210℃保持30分钟；
重复三遍此步骤后将反应温度降到室温，在反应物中加入正己烷和乙醇进行萃取，反复多次，除掉多余的反应物及副产品，最终得到Cu:InP/ZnS/InP/ZnS QDs量子点。
6.根据权利要求1或3所述的单相磷光体量子点及其白光LED芯片的制备方法，其特征在于：
步骤（5），沉淀量子点的方法得到Cu:InP/ZnS/InP/ZnS量子点粉末，将量子点粉末于三氯甲烷溶液按质量比1:10配置成混合溶液，加入0.05gPMMA，将配置好的混合溶液涂覆在蓝光芯片上，放置在在紫外灯下2小时，进行紫外固化，得到基于Cu:InP/ZnS/InP/ZnS量子点的白光LED芯片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710736807.5A CN107502337A (zh) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | 单相磷光体量子点及其白光led芯片的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710736807.5A CN107502337A (zh) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | 单相磷光体量子点及其白光led芯片的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107502337A true CN107502337A (zh) | 2017-12-22 |
Family
ID=60692735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710736807.5A Pending CN107502337A (zh) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | 单相磷光体量子点及其白光led芯片的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107502337A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11795392B2 (en) | 2020-04-20 | 2023-10-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cadmium-free quantum dot, quantum dot-polymer composite, and electronic device including the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110084250A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanoparticle complex, method of manufacturing the same, and device including the nanoparticle complex |
| CN103952137A (zh) * | 2014-04-29 | 2014-07-30 | 吉林大学 | 一种白光量子点材料及制备方法 |
| US20150083969A1 (en) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanocrystal particles and processes for synthesizing the same |
| CN106590624A (zh) * | 2016-12-05 | 2017-04-26 | 河北工业大学 | 一种发光纳米颗粒及其制备方法 |
-
2017
- 2017-08-24 CN CN201710736807.5A patent/CN107502337A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110084250A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanoparticle complex, method of manufacturing the same, and device including the nanoparticle complex |
| US20150083969A1 (en) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanocrystal particles and processes for synthesizing the same |
| CN103952137A (zh) * | 2014-04-29 | 2014-07-30 | 吉林大学 | 一种白光量子点材料及制备方法 |
| CN106590624A (zh) * | 2016-12-05 | 2017-04-26 | 河北工业大学 | 一种发光纳米颗粒及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ZHUOLEI ZHANG ET AL: "Dual Emissive Cu:InP/ZnS/InP/ZnS Nanocrystals: Single-Source "Greener" Emitters with Flexibly Tunable Emission from Visible to Near-Infrared and Their Application in White Light-Emitting Diodes", 《CHEM. MATER.》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11795392B2 (en) | 2020-04-20 | 2023-10-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cadmium-free quantum dot, quantum dot-polymer composite, and electronic device including the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Cui et al. | The use of carbon quantum dots as fluorescent materials in white LEDs | |
| Chen et al. | Synthesis of silica-based carbon dot/nanocrystal hybrids toward white LEDs | |
| CN103773364B (zh) | 基于锰掺杂铜铟锌硫的双色荧光半导体纳米材料的制备方法 | |
| KR100819337B1 (ko) | 양자점을 이용한 백색광 ｌｅｄ 구조 및 그 제조 방법 | |
| CN104037310B (zh) | 基于碳量子点和ZnCuInS量子点的三原色匹配白光LED及其制备方法 | |
| Chen et al. | A dual-emitting core–shell carbon dot–silica–phosphor composite for white light emission | |
| CN110205124B (zh) | 一种荧光磷光双发射白光碳量子点及制备方法和应用 | |
| KR101355120B1 (ko) | ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ 양자점과 이를 이용한 백색 ＬＥＤ | |
| CN104868041B (zh) | 全碳基量子点混合荧光粉led及其制备方法 | |
| CN110606505B (zh) | 一种零维卤族钙钛矿结构材料Cs4PbBr6的制备及应用 | |
| CN108929682A (zh) | 发射白光的碳点的一步制备方法 | |
| KR20130043442A (ko) | 에어로졸 분사를 이용한 양자점 및 무기물 보호층을 포함하는 복합입자의 제조방법 | |
| Song et al. | Synthesis of Ba2Si3O8: Eu2+ phosphor for fabrication of white light-emitting diodes assisted by ZnCdSe/ZnSe quantum dot | |
| CN108441208A (zh) | 一种单一颗粒多色发光的纳米材料的制备方法 | |
| CN107502337A (zh) | 单相磷光体量子点及其白光led芯片的制备方法 | |
| CN110964529A (zh) | 一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法 | |
| CN107722291B (zh) | 引入有机染料的稀土-有机框架材料及其制备方法 | |
| CN110129055A (zh) | CdSeZnS/ZnS/ZnS核/壳/壳量子点的制备 | |
| KR20090026508A (ko) | Ｙａｇ계 황색 형광체와 적색 양자점을 결합한 높은연색성을 갖는 백색발광 장치 및 그 제조 방법 | |
| CN104073247B (zh) | 一种侧链芳基共轭有机发光材料及其制备方法 | |
| CN110527508A (zh) | 一种白光led用氮化物红色荧光粉及其制备方法 | |
| CN113249121B (zh) | 一种白光碳纳米点复合材料及其制备方法和应用 | |
| CN112830475B (zh) | 一种大量制备全色荧光碳点的方法及其制备的全色荧光碳点 | |
| Cao et al. | Full‐visible spectrum emitting Zn–In–S: Cu/ZnS nanocrystals based on varying Cu concentrations and its application in white LEDs | |
| CN116333734B (zh) | 一种基于钙钛矿纳米晶的材料及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20171222 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |