CN107492588A - 透明发光二极管膜 - Google Patents
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Abstract
一种透明发光二极管膜包括:基体;电极层,所述电极层位于所述基体上并且其中形成有至少一个图案;焊盘,所述焊盘形成在所述电极层上的至少一个部分中;发光二极管,所述发光二极管位于所述焊盘上;以及粘合层,所述粘合层形成在所述电极层上的至少另一个部分中,其中,在所述粘合层中,在与所述发光二极管对应的部分中形成开口部。因此,当通过包含具有强耐热性的材料来形成透明发光二极管膜时,不会发生状态随温度改变。
Description
技术领域
本发明涉及透明发光二极管膜,并且更具体地,涉及一种当通过包含具有强耐热性的材料来形成透明发光二极管膜时不会发生其状态随温度改变的透明发光二极管膜。
背景技术
数字标牌是广告商可以用于营销、广告和培训并且引起客户体验的通信工具,并且是一种提供广告商所期望的广告内容以及公共场所(诸如机场、酒店和医疗机构)处的公共广播内容的数字图像设备。因为数字标牌中装载了处理器和存储器,所以可在百货商店、地铁站和公共汽车站自由移动,并且可以清楚地呈现各种内容,数字标牌可用于诸如促销、客户服务和引导介质的各种用途。此外,通过数字标牌不是仅提供广告内容,而是可以提供具有除广告以外的其它对象的各种内容。
在数字标牌中,通常使用多个发光二极管(LED)。因为LED具有长的寿命和高的发光效率,所以LED可以替代常规的荧光灯和白炽灯。此外,因为与常规光源相比,LED小,所以LED已作为照明设备受到关注。
发明内容
本发明已经致力于解决前述问题和其它问题。另一目的在于提供一种在形成透明发光二极管膜时不会发生其状态随温度改变的透明发光二极管膜。
本发明的示例性实施方式提供了一种透明发光二极管膜,该透明发光二极管膜包括:基体(base);电极层,所述电极层位于所述基体上并且其中形成有至少一个图案;焊盘,所述焊盘形成在所述电极层上的至少一个部分中;发光二极管,所述发光二极管位于所述焊盘上;以及粘合层,所述粘合层形成在所述电极层上的至少另一个部分中,其中,在所述粘合层中,在与所述发光二极管对应的部分中形成开口部。
所述发光二极管的宽度可小于所述粘合层的所述开口的宽度。
所述发光二极管的高度可低于所述粘合层的高度。
所述基体可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。
所述电极层可包括银纳米线。
所述电极层可包括:公共电极,所述公共电极连接到所述发光二极管的一端;以及单独电极,所述单独电极连接到所述发光二极管的另一端。
所述公共电极可以是阴极,并且所述单独电极可以是阳极。
所述公共电极和所述单独电极可形成在分离的多条线中,并且所述线可包括一个公共电极和多个单独电极。
可存在多个发光二极管,并且所述多个发光二极管可单独设置。
所述焊盘可包含银(Ag)。
该发光二极管膜还可包括位于所述焊盘上的与所述发光二极管对应的部分处的焊料。
所述焊料可包含环氧树脂。
所述焊料可使用低温表面贴装技术(SMT)工艺附接到所述焊盘和所述发光二极管。
该发光二极管膜还可包括柔性印刷电路板(FPCB),所述FPCB附接到所述电极层的一端并且将所述电极层电连接到外部电路。
该发光二极管膜还可包括至少一个印刷电路板(PCB),所述至少一个PCB连接到所述FPCB的另一端并且将电信号传送到所述发光二极管。
所述粘合层可包含光学透明粘合剂(OCA)。
所述粘合层可包含硅、压克力和其组合中的任何一种。
该发光二极管膜还可包括保护层,所述保护层位于所述粘合层上以保护所述发光二极管。
所述粘合剂层可处于其一个表面附接到附接表面的第一状态和其一个表面与所述附接表面分离的第二状态中的任一种状态,并且所述保护层可在第一状态下与所述粘合层分离。
所述粘合剂层可处于其一个表面附接到附接表面的第一状态和其一个表面与所述附接表面分离的第二状态中的任一种状态,并且所述发光二极管可在第一状态下与所述粘合层分离。
根据本发明的示例性实施方式中的至少一个,当使用包含具有强耐热性的材料的基体来形成透明发光二极管膜时,不会发生状态随温度改变。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解,并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分,附图例示了本发明的实施方式,并且与描述一起用来解释本发明的原理。在附图中:
图1、图2和图3是例示了根据本发明的示例性实施方式的形成透明发光二极管膜的工序的图。
图4和图5是例示了根据本发明的示例性实施方式的电极层的形状的图。
图6、图7、图8和图9是例示了根据本发明的示例性实施方式的形成透明发光二极管膜的工序的图。
图10是例示了根据本发明的示例性实施方式的透明发光二极管膜的图。
图11、图12和图13是例示了根据本发明的示例性实施方式的多个透明发光二极管膜的图和立体图。
具体实施方式
现在将详细地参考本发明的实施方式,在附图中例示了本发明的实施方式的示例。由于本发明可按照各种方式进行修改并且可具有各种形式,因此在附图中例示并且在本说明书中详细描述了特定实施方式。然而,应该理解的是,本发明不限于特定公开的实施方式,而是包括在本发明的精神和技术范围内所包括的所有修改、等同物和替代。
术语“第一”、“第二”等可用于描述各种组件,但是这些组件不受这些术语的限制。这些术语仅出于将一个组件与其它组件区分的目的来使用。例如,在不脱离本发明的范围的情况下,第一组件可被指定为第二组件。以相同的方式,第二组件可被指定为第一组件。
术语“和/或”包括所公开的多个相关项的组合以及来自所公开的多个相关项当中的任何项。
尽管任意组件可直接连接到或链接到第二组件,但是当所述任意组件被描述为“连接到”或“链接到”另一组件时,这应该被理解为表示它们之间仍可存在另一组件。相比之下,当任意组件被描述为“直接连接到”或“直接链接到”另一组件时,这应该被理解为表示它们之间不存在组件。
本申请中所使用的术语仅用于描述特定实施方式或示例,而非意在限制本发明。单数表达可包括复数表达,只要它在上下文中没有明显不同的含义即可。
在本申请中,术语“包括”和“具有”应该被理解为意在指定存在例示的特征、数目、步骤、操作、组件、部件或其组合,但不排除存在一个或更多个不同的特征、数目、步骤、操作、组件、部件或其组合或者其添加的可能性。
除非另外指明,否则本文所使用的所有术语(包括技术术语或科学术语)具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。常用字典中所定义的术语必须被理解为具有与相关技术的背景下所使用的含义相同的含义,而不应被解释为具有理想或过于形式的含义,除非它们在本申请中明显指定。
以下向本领域技术人员提供本发明的示例性实施方式,以便更完整地描述本发明。因此,为了清晰起见,可夸大图中所示元件的形状和尺寸。
图1、图2和图3是例示了根据本发明的示例性实施方式的形成透明发光二极管膜的工序的图。
如图1所示,在根据本发明的示例性实施方式的透明发光二极管膜100中,可首先制备基体110。基体110可包含具有非常薄的厚度的透明材料。例如,基体110的厚度可为250μm。
基体110可包含绝缘材料。因此,用于驱动发光二极管的电力不会泄漏到外部。例如,基体110可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。通过调节基体110的厚度,可增强耐热性。即使在200℃或更高的温度下,具有上述厚度的PET膜的状态也不会改变。因此,在制造透明发光二极管膜100的工序中,可以在没有状态改变的情况下稳定地保持基体110。
如图2所示,电极层120可形成在基体110上。电极层120可以是透明发光二极管膜100上的驱动发光二极管的部分。
电极层120可涂覆在基体110上。电极层120可包括金属纳米线。例如,电极层120可包括银(Ag)纳米线。银纳米线可具有高的导电性和优异的透光率。
如图3所示,在电极层120中,可形成至少一个图案。例如,通过向电极层120照射激光,可形成至少一个图案。然而,本发明不限于此,可使用掩模和蚀刻工艺或者其它工艺来形成电极层120。
因为电极层120具有优异的透光率,所以具有图案的部分不会容易被眼睛看到。因此,用户可感觉到透明发光二极管膜100的外观整洁。
图4和图5是例示了根据本发明的示例性实施方式的电极层的形状的图。
如图4所示,电极层120可以包括公共电极122和单独电极124。公共电极122可沿第一方向延伸。公共电极122可连接到多个发光二极管140的一侧。多个发光二极管140可按照连接到公共电极122的方式以预定间隔分隔开。公共电极122可以是阳极。
单独电极124可连接到发光二极管140的另一侧。每个发光二极管140可连接到一个单独电极124。也就是说,各个单独电极124可以像发光二极管140中一样以预定间隔分隔开。单独电极124可以是阴极。
可通过恒流电路来驱动和/或控制每个单独电极124。也就是说,每个发光二极管140可被独立驱动和/或控制。
公共电极122和单独电极124可形成在多条线L1-L8中。每条线可独立设置。每条线可包括一个公共电极122和多个单独电极124。每条线可被单独驱动。也就是说,位于不同的线处的发光二极管140可以在公共电极122以及所连接的单独电极124中不同。
如图5所示,用户可自由地调节透明发光二极管膜100的尺寸。也就是说,如图5所示,当与透明发光二极管膜100中的至少一个的线相邻的线之间的空间被切断时,发光二极管140的公共电极122和单独电极124的操作和/或控制可以被保持。也就是说,在透明发光二极管膜100的切割部分当中的连接到外部电路的部分中,公共电极122和单独电极124的操作可仍然被保持。
例如,如图5的(a)所示,当透明发光二极管膜100沿第二方向被切断时,连接到外部电路的切断部左侧的发光二极管140的操作和/或控制可以被保持。此外,在切断部右侧的发光二极管140中,因为公共电极122和单独电极124被保持,所以当公共电极122和单独电极124连接到外部电路时,可保持发光二极管140的操作和/或控制。
在另一示例中,如图5的(b)所示,当透明发光二极管膜100沿第一方向被切断时,与外部电路连接的全部上部发光二极管140和下部发光二极管140的操作和/或控制可以被保持。
图6、图7、图8和图9是例示了根据本发明的示例性实施方式的形成透明发光二极管膜的工序的图。
如图6所示,在电极层120上的至少一个部分中,可形成焊盘130。焊盘130可包含具有高导电性的材料。焊盘130可形成在电极层120上的将设置发光二极管的部分处。焊盘130可以是发光二极管所附接的部分。例如,焊盘130可包含银(Ag)。
如图7所示,发光二极管140可固定在焊盘130上。可使用低温表面贴装技术(SMT)工艺来将发光二极管140固定在焊盘130上。可设置多个发光二极管140。发光二极管140中的至少一个可与另一发光二极管140分离。
焊料135可印刷在焊盘130上。焊料135可有助于发光二极管140附接到焊盘130。焊料135可包含环氧树脂。环氧树脂能够提高焊料135的强度。
当在低温回流工艺中施加热时,焊料135可能难以硬化以固定组件。低温回流工艺可以例如在160℃下300秒的条件下执行。因为基体110、电极层120和焊盘130的熔点高,所以在低温回流工艺中,其状态不会改变。特别地,因为回流工艺在低温下执行,所以回流工艺可有助于保持基体110的状态。
FPCB 150可附接在位于透明发光二极管膜100的一端的焊盘130上。FPCB 150可电连接电极层120和外部电路。因此,FPCB 150可有助于发光二极管140的驱动和/或控制。
如图8所示,在电极层120上的至少另一个部分中,设置有粘合层160,并且保护层170可覆盖在粘合层160上。粘合层160可包含光学透明粘合剂(OCA)。例如,粘合层160可包含硅、压克力和其组合中的任何一种。在粘合层160中,垂直表面的接合力会很强。粘合层160的高度可高于发光二极管140的高度。因此,发光二极管140不会与保护层170接触。粘合层160的高度可以为例如500μm至800μm。
粘合层160可位于发光二极管140以外的部分处。也就是说,在粘合层160中,在与发光二极管140对应的部分中可形成开口部165。开口部165的宽度OWT可大于发光二极管140的宽度DWT。也就是说,粘合层160不会与发光二极管140接触。因此,即使粘合层160附接在电极层120上,在发光二极管140的操作中,也不会出现问题。
保护层170可位于粘合层160上。保护层170位于粘合层160上以使得粘合层160不暴露于外部。因此,保护层170可保持粘合层160的粘合强度。
为了不干扰发光二极管140的操作和/或控制,保护层170可与发光二极管140分隔开预定高度。因此,粘合层160的厚度可大于发光二极管140的厚度。
保护层170可保护透明发光二极管膜100不受外部冲击。也就是说,即使施加了外力,也会由于保护层170而使施加到发光二极管140的冲击较小。
如图9所示,保护层170可包括第一保护层170a和第二保护层170b。第一保护层170a和第二保护层170b可附接到粘合层160的上表面或下表面。第一保护层170a和第二保护层170b可有助于保持粘合层160的粘合强度。
在粘合层160联接至透明发光二极管膜之前,第二保护层170b可与粘合层160分离。因此,处于保持粘合强度的状态的粘合层160附接到透明发光二极管膜100,以保护发光二极管。
当稍后将透明发光二极管膜附接到另一不同的位置时,第一保护层170a可与粘合层160分离。因此,粘合层160可有助于透明发光二极管膜附接到另一部分。
在根据本发明的示例性实施方式的透明发光二极管膜中,在粘合层160的两个表面处,可设置保护层170。因此,保护层170保护粘合层160以保持粘合层160的粘合强度。
图10是例示了根据本发明的示例性实施方式的透明发光二极管膜的图。
如图10所示,透明发光二极管膜可附接到附接表面250。当将第一保护层(图9的170a)与粘合层160分离时,可将透明发光二极管膜附接到附接表面250。附接表面250可包含透明材料。附接表面250可使从发光二极管140释放的光暴露于外部。附接表面250可附接到透明发光二极管的粘合层160上。因为粘合层160的厚度大于发光二极管140的厚度,所以附接表面250可不与发光二极管140接触。
在附接表面250的边缘区域处,可设置将附接表面250固定的框部(sash)270。框部270可具有包围附接表面250的边缘区域的形状。为了固定附接表面250,框部270可包含具有强刚性的材料。例如,框部270可包含铝、塑料或金属材料。
用于驱动和/或控制发光二极管140的至少一个PCB 230可附接到框部270上。所述至少一个PCB 230可附接到框部270的后侧。所述至少一个PCB 230的一端可连接到FPCB150。因此,所述至少一个PCB 230可将电信号传送到发光二极管140。
所述至少一个PCB 230可包括电源板210和控制板220。电源板210可固定到框部270上。电源板210的一端可连接到控制板220。电源板210可向透明发光二极管膜提供电力。也就是说,电源板210可向发光二极管140提供电力。电源板210可将AC频率改变为DC频率。也就是说,电源板210将较低的频率改变为高的频率,因此提高电效率。
控制板220可固定在框部270上。控制板220的一端可连接到电源板210,并且其另一端可连接到FPCB 150。控制板220可将输入信号传送到发光二极管140。也就是说,控制板220可将定时信号和视频信号传送到发光二极管140。
在根据本发明的示例性实施方式的透明发光二极管膜中,在框部270的后侧上可设置至少一个PCB 230。因此,当用户在前侧观看透明发光二极管膜的屏幕时,不会观看到至少一个PCB 230。
图11、图12和图13是例示了根据本发明的示例性实施方式的多个透明发光二极管膜的图和立体图。
如图11所示,根据本发明的示例性实施方式的透明发光二极管膜可附接到多个附接表面250A-250D以显示一个画面。也就是说,可将一个图像进行划分以显示在多个附接表面250A-250D上。
通过根据在至少一个PCB中设置的画面分割方法来划分图像信号,可生成多个分割图像。此后,每个分割图像可以被发送到每个对应的透明发光二极管膜,并且可以被输出到屏幕。
在根据本发明的示例性实施方式的显示装置中,因为一个画面被显示在多个透明发光二极管膜上,所以可在屏幕上显示非常大的图像。
如图12所示,多个透明发光二极管膜100中的至少一个的一端可不连接到PCB230。例如,第一透明发光二极管膜100A的一端可通过FPCB 150连接到第二透明发光二极管膜100B的另一端。此外,第三透明发光二极管膜100C的一端可通过FPCB150连接到第四透明发光二极管膜100D的另一端。因此,至少一个PCB 230附接在位于两端的框部270上,但是在位于中心部分的框部270处,可不设置至少一个PCB230。因此,用于至少一个透明发光二极管膜100A-100D的电信号可从至少另一个透明发光二极管膜100A-100D以及至少一个PCB 230来接收。
根据本发明的示例性实施方式的透明发光二极管膜100的一部分可不连接到至少一个PCB 230。因此,能够减少透明发光二极管膜100的安装成本。
如图13所示,多个透明发光二极管膜100的两端全部可连接到PCB 230。也就是说,PCB 230可位于整个框部270的后表面上。在这种情况下,即使在一个PCB 230处发生错误操作,未连接到对应PCB 230的透明发光二极管膜100也可正常工作。因此,即使在一个PCB230处发生错误操作,也可快速地确定是否在任意部分处发生了错误操作。
本发明的每个示例性实施方式和/或配置可被组合。例如,在特定示例性实施方式中描述的配置A和/或附图与在另一示例性实施方式中描述的配置B和/或附图可被组合。也就是说,除了不可能组合的描述的情况之外,即使没有直接描述配置之间的组合,也能够进行组合。这在考虑到本发明涉及显示装置的情况下将变得显而易见。
尽管已经参照本公开的多个示例性实施方式描述了实施方式,但是应该理解的是,本领域技术人员能够设计出将落入本公开的原理的范围内的众多其它修改和实施方式。更具体地,可以在本公开、附图和权利要求的范围内对主题组合布置的组成部分和/或布置进行各种变型和修改。除了对这些组成部分和/或布置的变型和修改之外,对于本领域技术人员而言替代使用也将是显而易见的。
本申请要求于2016年6月10日提交的韩国专利申请No.10-2016-0072539的优先权和更早申请日期的权益,该韩国专利申请的全部内容出于所有目的通过引用被并入到本文中,如同其全部在本文中陈述一样。
Claims (21)
1.一种发光二极管膜,该发光二极管膜包括:
基体;
电极层,所述电极层位于所述基体上;
焊盘,所述焊盘位于所述电极层上;
发光二极管,所述发光二极管位于所述焊盘上;以及
粘合层,所述粘合层位于所述电极层上,并且被成形以限定尺寸被调节为容纳所述发光二极管的开口。
2.根据权利要求1所述的发光二极管膜,其中,所述发光二极管的宽度小于所述粘合层的所述开口的宽度。
3.根据权利要求1所述的发光二极管膜,其中,位于所述焊盘上的所述发光二极管的高度低于所述粘合层的高度。
4.根据权利要求1所述的发光二极管膜,其中,所述基体包括聚对苯二甲酸乙二醇酯PET膜。
5.根据权利要求1所述的发光二极管膜,其中,所述电极层包括银纳米线。
6.根据权利要求1所述的发光二极管膜,其中,所述电极层包括:
公共电极,所述公共电极连接到所述发光二极管的一端;以及
单独电极,所述单独电极连接到所述发光二极管的另一端。
7.根据权利要求6所述的发光二极管膜,其中,所述公共电极是阴极,并且
所述单独电极是阳极。
8.根据权利要求6所述的发光二极管膜,该发光二极管膜还包括:
多个发光二极管,所述多个发光二极管位于所述发光二极管膜上;并且
所述多个发光二极管分别与多条线对应,其中,每条线包括所述公共电极和多个单独电极。
9.根据权利要求1所述的发光二极管膜,该发光二极管膜还包括位于所述发光二极管膜上的多个发光二极管,其中,所述粘合层被进一步成形以限定各自尺寸被调节为容纳所述多个发光二极管中的相应一个发光二极管的多个开口。
10.根据权利要求1所述的发光二极管膜,其中,所述焊盘由银Ag组成。
11.根据权利要求1所述的发光二极管膜,该发光二极管膜还包括位于所述发光二极管与所述焊盘之间的焊料。
12.根据权利要求11所述的发光二极管膜,其中,所述焊料由环氧树脂组成。
13.根据权利要求11所述的发光二极管膜,其中,所述焊料使用低温表面贴装技术SMT工艺附接到所述焊盘和所述发光二极管。
14.根据权利要求1所述的发光二极管膜,该发光二极管膜还包括柔性印刷电路板FPCB,所述FPCB附接到所述电极层的一端并且将所述电极层电连接到外部电路。
15.根据权利要求14所述的发光二极管膜,该发光二极管膜还包括至少一个印刷电路板PCB,所述至少一个PCB连接到所述FPCB的一端并且被配置为允许电信号传输到所述发光二极管。
16.根据权利要求1所述的发光二极管膜,其中,所述粘合层包含光学透明粘合剂OCA。
17.根据权利要求1所述的发光二极管膜,其中,所述粘合层包含硅或压克力。
18.根据权利要求1所述的发光二极管膜,该发光二极管膜还包括保护层,所述保护层位于所述粘合层上并且覆盖所述开口以保护所述发光二极管。
19.根据权利要求18所述的发光二极管膜,其中,所述粘合层被配置为能够与所述保护层分离并且能够分离地附接到附接表面。
20.根据权利要求1所述的发光二极管膜,其中,所述粘合层被配置为能够分离地附接到附接表面,并且当所述粘合层附接到所述附接表面时,所述发光二极管不与所述附接表面接触。
21.根据权利要求1所述的发光二极管膜,其中,所述发光二极管膜是透明的。
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Families Citing this family (4)
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---|---|---|---|---|
KR102280891B1 (ko) * | 2018-07-30 | 2021-07-23 | 배광혁 | 작업성 및 열 방출이 향상된 디지털 사이니지용 led 디스플레이 |
KR102135093B1 (ko) * | 2018-08-10 | 2020-07-17 | 엘지전자 주식회사 | 플렉서블 투명 디스플레이 시트 및 이를 구비하는 영상표시장치 |
KR102595339B1 (ko) * | 2019-02-28 | 2023-10-26 | 주식회사 엘엑스글라스 | 투명 디스플레이 |
KR20200114055A (ko) * | 2019-03-27 | 2020-10-07 | 주식회사 엘지화학 | 투명 발광소자 디스플레이 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102694107A (zh) * | 2011-03-22 | 2012-09-26 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | 发光二极管封装件 |
US20130043496A1 (en) * | 2010-01-29 | 2013-02-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lighting device |
US20130141667A1 (en) * | 2011-12-06 | 2013-06-06 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6888167B2 (en) | 2001-07-23 | 2005-05-03 | Cree, Inc. | Flip-chip bonding of light emitting devices and light emitting devices suitable for flip-chip bonding |
JP2006039122A (ja) | 2004-07-26 | 2006-02-09 | C I Kasei Co Ltd | 液晶表示パネル用バックライト |
US20070236628A1 (en) | 2006-03-31 | 2007-10-11 | 3M Innovative Properties Company | Illumination Light Unit and Optical System Using Same |
TWI350409B (en) | 2006-07-06 | 2011-10-11 | Nat Univ Chung Hsing | Flexible and could be rolling-up area lights module and the method of producing thereof |
JP2008060542A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-03-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置、発光装置の製造方法、及びこれを備えた光源装置 |
KR20090067180A (ko) * | 2006-10-17 | 2009-06-24 | 씨. 아이. 카세이 가부시기가이샤 | 상하전극형 발광 다이오드용 패키지 집합체와 그것을 이용한 발광장치의 제조방법 |
WO2009001564A1 (ja) * | 2007-06-28 | 2008-12-31 | Panasonic Corporation | 半導体素子の実装構造体及びその製造方法、半導体素子の実装方法、並びに加圧ツール |
KR101587283B1 (ko) | 2009-04-28 | 2016-01-20 | 엘지전자 주식회사 | 백라이트 유닛 및 그의 제조 방법 |
KR20110107933A (ko) | 2010-03-26 | 2011-10-05 | (주)에스더블유테크 | 필름형 led 발광부를 갖는 led스탠드 |
US8575639B2 (en) * | 2011-02-16 | 2013-11-05 | Cree, Inc. | Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs) |
JP5925511B2 (ja) * | 2011-02-11 | 2016-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光ユニット、発光装置、照明装置 |
US9356070B2 (en) * | 2012-08-15 | 2016-05-31 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
JP6102273B2 (ja) * | 2013-01-18 | 2017-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US8963195B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-02-24 | Grote Industries, Llc | Flexible lighting device including a heat-spreading layer |
KR20150000138U (ko) | 2013-07-02 | 2015-01-12 | 동-양 치오우 | 무포장 웨이퍼 led 발광 조명 구조 |
DE102013212928A1 (de) * | 2013-07-03 | 2015-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
US9972758B2 (en) * | 2013-09-12 | 2018-05-15 | Soko Kagaku Co., Ltd. | Ultraviolet light emitting device |
JP2015076585A (ja) | 2013-10-11 | 2015-04-20 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | Ledモジュール及びled照明器具 |
KR101521939B1 (ko) | 2013-12-17 | 2015-05-20 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
US9281298B2 (en) * | 2014-02-10 | 2016-03-08 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Process for forming ultra-micro LEDS |
KR101817084B1 (ko) | 2014-12-15 | 2018-01-11 | 경성대학교 산학협력단 | 열처리에 의한 활성형 인삼류 및 참당귀추출정제물을 유효성분으로 함유하는 온도 변화에 따른 인체 스트레스 감소용 약학 조성물 |
-
2016
- 2016-06-10 KR KR1020160072539A patent/KR20170139924A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-12-14 US US15/379,328 patent/US10074776B2/en active Active
-
2017
- 2017-06-01 CN CN201710403139.4A patent/CN107492588B/zh active Active
- 2017-06-09 EP EP17175137.3A patent/EP3255685B1/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130043496A1 (en) * | 2010-01-29 | 2013-02-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lighting device |
CN102694107A (zh) * | 2011-03-22 | 2012-09-26 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | 发光二极管封装件 |
US20130141667A1 (en) * | 2011-12-06 | 2013-06-06 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3255685A1 (en) | 2017-12-13 |
US20170358713A1 (en) | 2017-12-14 |
US10074776B2 (en) | 2018-09-11 |
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