CN107414289A - 一种激光剥离方法及激光剥离系统 - Google Patents

一种激光剥离方法及激光剥离系统 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种激光剥离方法及激光剥离系统，涉及激光剥离技术领域，相对现有技术，可使基板和材料层易于分离。该激光剥离方法包括：控制激光束以第一照射方向穿透基板，以对层叠设置的材料层和所述基板的界面进行扫描，所述基板远离所述材料层的一侧具有颗粒，所述界面中未被所述第一照射方向的激光束照到的区域为遮挡区域；控制激光束以第二照射方向穿透所述基板，以对所述材料层和所述基板的界面进行扫描，使得至少部分所述遮挡区域被所述第二照射方向的激光束照到；将所述材料层和所述基板分离。用于激光剥离中。

Description

一种激光剥离方法及激光剥离系统
技术领域
本发明涉及激光剥离技术领域，尤其涉及一种激光剥离方法及激光剥离系统。
背景技术
目前，激光剥离技术(Laser Lift Off)因具有操作简单，可实行度高，且在不损坏基板的情况下，能有效分离基板和有机材料层，因而具有很广泛的应用领域。例如，应用于有机发光二极管的制备、柔性显示、薄晶圆片的剥离等诸多领域。
示例的，在柔性显示面板的制作中，如图1(a)所示，利用激光分离硬质基板10和柔性基板20(柔性基板20的材料例如可以为聚酰亚胺(Polyimide，简称PI))时，激光(Laser)穿透硬质基板10被柔性基板20的激光作用区201的有机材料吸收，激光作用区201的有机材料在激光的作用下结构受到破坏，从而使得硬质基板10和柔性基板20分离。
然而，由于直径小于10μm的颗粒在激光剥离技术的预清洗阶段很难完全去除，而激光剥离技术中激光又很容易受颗粒(Particle)的影响，颗粒会阻止有机材料对激光的吸收。如图1(b)所示，颗粒30的存在会影响柔性基板20的有机材料对激光的吸收，造成激光作用区201材料的结构没有完全破坏(如图1(b)中虚线圈所示)，从而导致在分离柔性基板20和硬质基板10时，在颗粒30遮挡的区域柔性基板20和硬质基板10很难撕开。
发明内容
本发明的实施例提供一种激光剥离方法及激光剥离系统，相对现有技术，可使基板和材料层易于分离。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种激光剥离方法，包括：控制激光束以第一照射方向穿透基板，以对层叠设置的材料层和所述基板的界面进行扫描，所述基板远离所述材料层的一侧具有颗粒，所述界面中未被所述第一照射方向的激光束照到的区域为遮挡区域；控制激光束以第二照射方向穿透所述基板，以对所述材料层和所述基板的界面进行扫描，使得至少部分所述遮挡区域被所述第二照射方向的激光束照到；将所述材料层和所述基板分离。
优选的，在控制激光束以第二照射方向穿透基板，以对所述材料层和所述基板的界面进行扫描之前，所述方法还包括：检测所述颗粒的尺寸，并根据检测到的所述颗粒的尺寸以及所述第一照射方向确定所述第二照射方向。
优选的，所述第一照射方向为所述激光束与所述基板的夹角θ1，所述第二照射方向为所述激光束与所述基板的夹角θ2，所述第一照射方向和所述第二照射方向位于垂直于所述基板的平面的同一侧；θ2为：其中，L为所述颗粒的最大尺寸，H为所述基板的厚度。
优选的，所述第一照射方向为所述激光束与所述基板的夹角θ1，所述第二照射方向为所述激光束与所述基板的夹角θ2，所述第一照射方向和所述第二照射方向位于垂直于所述基板的平面的不同侧；θ2为：其中，L为所述颗粒的最大尺寸，H为所述基板的厚度。
优选的，在将所述材料层和所述基板分离之前，所述方法还包括：控制激光束以第三照射方向穿透基板，以对所述材料层和所述基板的界面进行扫描，使得所述界面中未被所述第一照射方向和所述第二照射方向照到的区域被所述第三照射方向的激光束照到。
进一步优选的，所述第一照射方向为所述激光束与所述基板的夹角θ1，所述第二照射方向为所述激光束与所述基板的夹角θ2，所述第三照射方向为所述激光束与所述基板的夹角θ3，所述第一照射方向和所述第二照射方向位于垂直于所述基板的平面的同一侧，所述第一照射方向和所述第三照射方向位于垂直于所述基板的平面的不同侧；
θ2为：
θ3为：
其中，0＜X＜L，L为所述颗粒的最大尺寸，H为所述基板的厚度。
优选的，所述检测所述颗粒的尺寸，并根据检测到的所述颗粒的尺寸以及所述第一照射方向确定所述第二照射方向，包括：在检测到所述基板远离所述材料层的一侧具有多个颗粒的情况下，根据检测到的多个颗粒的尺寸，确定所述多个颗粒中尺寸最大的颗粒的尺寸；根据所述最大的颗粒的尺寸以及所述第一照射方向确定所述第二照射方向。
优选的，在控制激光束以第二照射方向穿透基板，以对所述材料层和所述基板的界面进行扫描之前，所述方法还包括：检测所述颗粒在所述基板上的位置，根据检测到的所述颗粒在所述基板上的位置以及所述第一照射方向确定所述遮挡区域的位置；控制激光束以第二照射方向穿透基板，以对所述材料层和所述基板的界面进行扫描包括：控制所述激光束以第二照射方向穿透基板，对所述遮挡区域进行扫描。
另一方面，提供一种激光剥离系统，包括：激光源，所述激光源用于发射激光束；控制装置，所述控制装置与所述激光源相连，用于控制所述激光源发射出的激光束以第一照射方向穿透基板，以对层叠设置的材料层和所述基板的界面进行扫描，所述基板远离所述材料层的一侧具有颗粒，所述界面中未被所述第一照射方向的激光束照到的区域为遮挡区域；所述控制装置还用于控制所述激光源发射出的激光束以第二照射方向穿透所述基板，以对所述材料层和所述基板的界面进行扫描，使得至少部分所述遮挡区域被所述第二照射方向的激光束照到。
优选的，所述激光剥离系统还包括：检测装置，所述检测装置用于检测颗粒的位置和/或尺寸。
进一步优选的，所述检测装置为自动光学检测设备。
本发明实施例提供一种激光剥离方法及激光剥离系统，在利用激光剥离材料层和基板时，由于激光束以第一照射方向对材料层和基板的界面进行扫描后，激光束还以第二照射方向对材料层和基板的界面进行扫描，从而可以将以第一照射方向的激光束扫描时未照到的遮挡区域中的至少部分区域照到，相对于现有技术中仅以第一照射方向进行照射，本发明实施例增加了照射到材料层和基板的界面的面积，因而相对现有技术，本发明实施例更容易将材料层和基板分离，提高产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1(a)为现有技术提供的一种激光剥离的原理示意图；
图1(b)为现有技术提供的一种颗粒影响激光剥离的原理示意图；
图2为本发明实施例提供的一种激光剥离方法的流程示意图；
图3为本发明实施例提供的一种激光剥离的结构示意图一；
图4为本发明实施例提供的一种激光剥离的结构示意图二；
图5为本发明实施例提供的一种以两种第二照射方向照射时的结构示意图；
图6为本发明实施例提供一种激光剥离的结构示意图三；
图7为本发明实施例提供一种激光剥离的结构示意图四；
图8为本发明实施例提供一种激光剥离的结构示意图五；
图9为本发明实施例提供一种激光剥离系统的结构示意图。
附图标记：
10-基板(硬质基板)；20-材料层(柔性基板)；201-激光作用区；30-颗粒；40-遮挡区域；50-激光发射器；60-光学处理装置；601-整合光学系统；602-光斑整形光学系统；70-激光源；701-第一子激光源；702-第二子激光源；80-控制装置。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种激光剥离方法，如图2和图3所示，包括：
S100、控制激光束以第一照射方向(图3中以实线箭头示意第一照射方向)穿透基板10，以对层叠设置的材料层20和基板10的界面进行扫描，基板10远离材料层20的一侧具有颗粒30，界面中未被第一照射方向的激光束照到的区域为遮挡区域40。
现有技术中，激光剥离系统在进行激光剥离时，如图4所示，一个或多个激光发射器50发射激光束即激光斑(本发明附图4中以两个激光发射器50为例)，并经过光学处理装置60进行整合，以得到线性激光束，线性激光束在材料层20和基板10的界面进行扫描，以将材料层20和基板10分离。此处，光学处理装置60可以包括整合光学系统601和光斑整形光学系统602，整合光学系统601用于将多个激光发射器50发射的脉冲激光斑整合成一束光，光斑整形光学系统602用于对光束进行整形，得到所需要尺寸的线性激光束。本发明实施例激光束以第一照射方向扫描的过程可以与现有技术相同。
此处，当材料层20直接形成在基板10上时，材料层20和基板10的界面为材料层20和基板10接触的面，此时对材料层20和基板10的界面进行扫描，材料层20与基板10接触的面的结构受到破坏，从而使材料层20和基板10分离；当材料层20通过光学透明胶形成在基板10上时，材料层20和基板10的界面为光学透明胶层，此时对材料层20和基板10的界面进行扫描，光学透明胶的结构破坏，从而使材料层20和基板10分离。
其中，第一照射方向为激光束和基板10的夹角θ1，对于θ1的大小不进行限定，可以是大于零度的任意角度。
需要说明的是，激光束以第一照射方向进行扫描时，由于遮挡区域40未被照射到，因而界面中遮挡区域40的结构没有破坏，因此遮挡区域40的材料层20和基板10不易分离。遮挡区域40的大小与颗粒30的尺寸有关，遮挡区域40的位置与颗粒30的位置和第一照射方向有关。
S101、控制激光束以第二照射方向(图3中以虚线箭头示意第二照射方向)穿透基板10，以对材料层20和基板10的界面进行扫描，使得至少部分遮挡区域40被第二照射方向的激光束照到。
此处，当以第二照射方向进行扫描时，可以使以第一照射方向扫描时未被照射到的遮挡区域40全部被照射到，也可以是仅部分遮挡区域40被照射到，这与第二照射方向的角度有关。
本领域技术人员应该明白，由于激光束以第二照射方向进行扫描时，可以使以第一照射方向扫描时未被照射到的至少部分遮挡区域40被照射到，因此第二照射方向和第一照射方向必然是不相同的，可以是照射的方向不相同；也可以是以第一照射方向和第二照射方向照射时激光束与基板10的夹角不相同。
此外，激光束以第二照射方向进行扫描时，可以对材料层20和基板10的界面都进行扫描，也可以只对以第一照射方向扫描时未被照射到的遮挡区域40进行扫描。在此基础上，可以利用同一激光源发射第一照射方向的激光束和第二照射方向的激光束；也可以利用不同的激光源分别发射第一照射方向的激光束和第二照射方向的激光束。
S102、将材料层20和基板10分离。
此处，可以利用剥膜设备将材料层20和基板10分离；也可以通过人工将材料层20和基板10分离，此处不作限定。
本发明实施例提供一种激光剥离方法，在利用激光剥离材料层20和基板10时，由于激光束以第一照射方向对材料层20和基板10的界面进行扫描后，激光束还以第二照射方向对材料层20和基板10的界面进行扫描，从而可以将以第一照射方向的激光束扫描时未照到的遮挡区域40中的至少部分区域照到，相对于现有技术中仅以第一照射方向对材料层和基板的界面进行照射，本发明实施例增加了照射到材料层20和基板10的界面的面积，因而相对现有技术，本发明实施例更容易将材料层20和基板10分离，提高产品良率。
本领域技术人员应该明白，激光束照射到材料层20和基板10的界面的面积越大，材料层20和基板10越易于分离。当激光束以第一照射方向照射材料层20和基板10的界面时，未照射到的遮挡区域40的大小与颗粒30的尺寸有关，当激光束以第二照射方向照射时，第二照射方向为激光束与基板10的夹角，该夹角的大小以及第二照射方向与第一照射方向的关系(第一照射方向和第二照射方向位于垂直于基板10的平面同一侧或不同侧)会影响以第二照射方向照射的激光束照到遮挡区域40的大小。参考图5，可以看出激光束以方向A照射时，照到遮挡区域40的面积大于激光束以方向B照射时照到遮挡区域40的面积。
基于上述，为了确定第二照射方向以使遮挡区域40尽可能都能被照到，因此优选的在控制激光束以第二照射方向穿透基板10，以对材料层20和基板10的界面进行扫描之前，上述方法还包括：检测颗粒30的尺寸，并根据检测到的颗粒30的尺寸以及第一照射方向确定第二照射方向。
其中，对于如何检测颗粒30的尺寸不进行限定，可以利用现有技术中的设备对颗粒30的尺寸进行检测。例如，通过自动光学检测设备(Automatic Optic Inspection，简称AOI)检测颗粒30的尺寸。
本发明实施例，根据第一照射方向和颗粒30的尺寸精确确定第二照射方向，并使激光束以第二照射方向照射，这样可以使以第二照射方向时照到遮挡区域40的面积仅可能大，便于材料层20和基板10剥离。
优选的，如图6所示，第一照射方向为激光束与基板10的夹角θ1，第二照射方向为激光束与基板10的夹角θ2，第一照射方向和第二照射方向位于垂直于基板10的平面的同一侧，例如，如图6所示，第一照射方向和第二照射方向均位于垂直于基板10的平面的左侧；θ2为：其中，L为颗粒30的最大尺寸，H为基板10的厚度。
此处，由于基板10的厚度一般在0.5mm左右，材料层20的厚度在10μm左右，激光束作用到材料层20的厚度(即激光作用区)为100nm左右，因此可以忽略不考虑沿基板10的厚度方向颗粒30的长度以及激光束作用到材料层20的厚度。
需要说明的是，对于颗粒30的形状不进行限定，可以是球形、方形或其它不规则形状等。L为颗粒30的最大尺寸，即为沿平行于基板10的方向颗粒30的最大长度。
参考图6，根据则
根据则
本发明实施例，激光束以第二照射方向照射时，若第一照射方向和第二照射方向位于垂直于基板10的平面的同一侧，且第二照射方向则激光束以第二照射方向照射时可以将激光束以第一照射方向照射时未照到的遮挡区域40全部照到，从而可以将材料层20和基板10的界面全部照到，有利于材料层20和基板10的剥离。
优选的，如图7所示，第一照射方向为激光束与基板10的夹角θ1，第二照射方向为激光束与基板10的夹角θ2，第一照射方向和第二照射方向位于垂直于基板10的平面的不同侧，例如，如图7所示，第一照射方向位于垂直于基板10的平面的左侧，第二照射方向位于垂直于基板10的平面的右侧；θ2为：其中，L为颗粒30的最大尺寸，H为基板10的厚度。
参考图7，根据则
根据则
本发明实施例，激光束以第二照射方向照射时，若第一照射方向和第二照射方向位于垂直于基板10的平面的不同侧，且第二照射方向时，则激光束以第二照射方向照射时可以将激光束以第一照射方向照射时未照到的遮挡区域40全部照到，从而可以将材料层20和基板10的界面全部照到，有利于材料层20和基板10的剥离。
当激光束以第二照射方向照射时，有可能没有将以第一照射方向照射时未照到的遮挡区域40全部照到，基于此，本发明实施例优选的，在将材料层20和基板10分离之前，上述方法还包括：控制激光束以第三照射方向穿透基板10，以对材料层20和基板10的界面进行扫描，使得界面中未被第一照射方向和第二照射方向照到的区域被第三照射方向的激光束照到。
其中，对于第三照射方向不进行限定，可以与第二照射方向分别位于垂直于基板10的平面的不同侧；也可以与第二照射方向位于垂直于基板10的平面的同一侧，只要能够照到未被第一照射方向和第二照射方向照到的区域即可。
此处，以第二照射方向照射的激光束和以第三照射方向照射的激光束可以同时进行照射，也可以分时进行照射。
本发明实施例，除了控制激光束以第二照射方向对遮挡区域40进行照射外，还控制激光束以第三照射方向对材料层20和基板10的界面进行照射，这样可以使材料层20和基板10的界面被照到的区域的面积进一步增加，以第一照射方向照射时未照到的遮挡区域40的面积进一步减小，从而更有利于材料层20和基板10分离。
进一步优选的，如图8所示，第一照射方向为激光束与基板10的夹角θ1，第二照射方向为激光束与基板10的夹角θ2，第三照射方向为激光束与基板10的夹角θ3，第一照射方向和第二照射方向位于垂直于基板10的平面的同一侧，第一照射方向和第三照射方向位于垂直于基板10的平面的不同侧；如图8所示，第一照射方向和第二照射方向位于垂直于基板10的平面的左侧，第三照射方向位于垂直于基板10的平面的右侧；
θ2为：
θ3为：
其中，0＜X＜L，L为颗粒30的最大尺寸，H为基板10的厚度。
参考图8，则
根据则
根据则
当X＝L/2，且θ1＝0(即第一照射方向为垂直于基板10的方向)时，
本发明实施例，当控制激光束以第一照射方向、第二照射方向和第三照射方向对材料层20和基板10的界面进行扫描，且第二照射方向第三照射方向时，可以将激光束以第一照射方向照射时未照到的遮挡区域40全部照射到，有利于材料层20和基板10的剥离。
本领域技术人员应该明白，在激光剥离的预清洗阶段对材料层20和基板10清洗时，基板10远离材料层20的一侧会残留多个颗粒30，若对每个颗粒30的尺寸进行检测，并根据每个颗粒30的尺寸调节第二照射方向，这样会使得激光剥离过程复杂，且剥离时间较长，降低生产效率。而颗粒30的尺寸越大，以第一照射方向照射时遮挡区域40的面积越大，以第二照射方向照射时，若能够将以第一照射方向照射时最大的颗粒30的遮挡区域40照射到，则其它颗粒30的遮挡区域40也就可以照射到。
基于上述，本发明实施例优选的，检测颗粒30的尺寸，并根据检测到的颗粒30的尺寸以及第一照射方向确定第二照射方向，包括：在检测到基板10远离材料层20的一侧具有多个颗粒30的情况下，根据检测到的多个颗粒30的尺寸，确定多个颗粒30中尺寸最大的颗粒30的尺寸；根据最大的颗粒30的尺寸以及第一照射方向确定第二照射方向。
其中，若检测到多个颗粒30的尺寸，对检测到的多个颗粒30的尺寸进行对比，确定出多个颗粒30中尺寸最大的颗粒30的尺寸。
本发明实施例，由于多个颗粒30中尺寸最大的颗粒30在以第一照射方向进行扫描时，遮挡区域40的面积最大，因而当激光束以第二照射方向进行扫描时，若颗粒30中尺寸最大的颗粒30遮挡的区域能够被照射到，其它尺寸的颗粒30遮挡的区域也就可以被照射到，因而当以最大的颗粒30的尺寸以及第一照射方向确定出的第二照射方向进行照射时，照到的遮挡区域40的面积较大，有利于材料层20和基板10的分离。
当激光束以第二照射方向进行扫描时，若对材料层20和基板10的整个界面均进行扫描，则以第一照射方向照射时未被遮挡的区域会被重复照射，而激光束对材料层20和基板10的界面进行多次扫描，可能会造成材料层20的破坏。基于此，本发明实施例优选的，在控制激光束以第二照射方向穿透基板10，以对材料层20和基板10的界面进行扫描之前，上述方法还包括：检测颗粒30在基板10上的位置，根据检测到的颗粒30在基板10上的位置以及第一照射方向确定遮挡区域40的位置；控制激光束以第二照射方向穿透基板10，以对材料层20和基板10的界面进行扫描包括：控制激光束以第二照射方向穿透基板10，对遮挡区域40进行扫描。
其中，对于如何检测颗粒30在基板10上的位置不进行限定，可以利用现有的设备如AOI等光学检测设备检测颗粒30在基板10上的位置。此外，可以利用同一设备同时对颗粒30的尺寸以及颗粒30在基板10上的位置进行检测。
需要说明的是，对遮挡区域40进行扫描，是指不对材料层20和基板10的界面全部进行扫描，在对遮挡区域40进行扫描时，可能还会扫描到遮挡区域40周围的区域，对此可以忽略不考虑。
本发明实施例，当激光束以第二照射方向进行扫描时，控制激光束对遮挡区域40进行扫描，从而可以避免已被第一照射方向的激光束照射到的区域再次被照射，进而防止材料层20受到破坏。
本发明实施例提供一种激光剥离系统，如图9所示，包括：激光源70，激光源70用于发射激光束；控制装置80，控制装置80与激光源70相连，用于控制激光源70发射出的激光束以第一照射方向穿透基板10，以对层叠设置的材料层20和基板10的界面进行扫描，基板10远离材料层20的一侧具有颗粒30，界面中未被第一照射方向的激光束照到的区域为遮挡区域40；控制装置80还用于控制激光源70发射出的激光束以第二照射方向穿透基板10，以对材料层20和基板10的界面进行扫描，使得至少部分遮挡区域40被第二照射方向的激光束照到。
此处，可以控制同一激光源70分别发射第一照射方向的激光束和第二照射方向的激光束；还可以是如图9所示，激光源70包括第一子激光源701和第二子激光源702，控制装置80控制第一子激光源701发射出的激光束以第一照射方向对材料层20和基板10的界面进行扫描，控制第二子激光源702发射出的激光束以第二照射方向对材料层20和基板10的界面进行扫描。
在此基础上，第一子激光源701可以如图4所示，包括至少一个激光发射器50以及光学处理装置60，光学处理装置60用于对激光发射器50发出的激光束进行整合处理，以得到线性激光束，线性激光束在材料层20和基板10的界面进行扫描，以将材料层20和基板10分离。光学处理装置60可以包括整合光学系统601和光斑整形光学系统602，整合光学系统601用于将多个激光发射器50发射的脉冲激光斑整合成一束光，光斑整形光学系统602用于对光束进行整形，得到所需要尺寸的线性激光束。第二子激光源702包括至少一个激光发射器50，可以利用激光发射器50发射的激光斑对颗粒30遮挡的区域进行照射。由于第一子激光源701出射的激光束以第一照射方向照射时，颗粒30遮挡的区域的面积较小，因而第二子激光源702优选仅包括一个激光发射器50。
本发明实施例提供一种激光剥离系统，由于控制装置80可以控制激光源70发射出的激光束以第一照射方向对材料层20和基板10的界面进行扫描，还控制激光源70发射出的激光束以第二照射方向对材料层20和基板10的界面进行扫描，以将第一照射方向的激光束扫描时未照到的遮挡区域40中的至少部分区域照到，相对于现有技术中仅以第一个照射方向对材料层20和基板10的界面进行照射，本发明实施例增加了照射到材料层20和基板10的界面的面积，因而相对现有技术，本发明实施例更容易将材料层20和基板10分离。
优选的，激光剥离系统还包括：检测装置，检测装置用于检测颗粒30的位置和/或尺寸。
其中，对于检测装置的类型不进行限定，例如可以是AOI或Pattern(图案)检查机等光学检测设备。此外，AOI设备和Pattern检查机上还可以设置CCD(Charge-coupledDevice，电荷耦合摄像机)。
此处，当激光源70发射出的激光束以第一照射方向对材料层20和基板10的整个界面进行扫描后，若激光源70发射出的激光束还以第二照射方向对材料层20和基板10的整个界面均进行扫描，以使得激光束以第一照射方向照射时颗粒30遮挡的至少部分遮挡区域40被激光束以所述第二照射方向照射时照到，这样以第一照射方向照射时颗粒30未遮挡的区域会被重复照射，而激光束对材料层20和基板10的界面进行多次扫描，可能会造成材料层20的破坏，因此，激光剥离系统还包括检测装置，用于检测颗粒30的位置，这样激光束以第二照射方向照射时，可以仅对以第一照射方向照射时的未照到的遮挡区域40进行照射，防止材料层20受到破坏。
此外，当激光束以第二照射方向对材料层20和基板10的界面进行扫描时，由于可以利用检测装置对颗粒30的尺寸进行检测，因而可以根据第一照射方向和颗粒30的尺寸精确确定第二照射方向，以使激光束以第二照射方向时照到的遮挡区域40(以第一照射方向照射时未照到的区域)的面积仅可能大，有利于材料层20和基板10剥离。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻’易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种激光剥离方法，其特征在于，包括：
控制激光束以第一照射方向穿透基板，以对层叠设置的材料层和所述基板的界面进行扫描，所述基板远离所述材料层的一侧具有颗粒，所述界面中未被所述第一照射方向的激光束照到的区域为遮挡区域；
控制激光束以第二照射方向穿透所述基板，以对所述材料层和所述基板的界面进行扫描，使得至少部分所述遮挡区域被所述第二照射方向的激光束照到；
将所述材料层和所述基板分离。
2.根据权利要求1所述的激光剥离方法，其特征在于，在控制激光束以第二照射方向穿透基板，以对所述材料层和所述基板的界面进行扫描之前，所述方法还包括：
检测所述颗粒的尺寸，并根据检测到的所述颗粒的尺寸以及所述第一照射方向确定所述第二照射方向。
3.根据权利要求2所述的激光剥离方法，其特征在于，所述第一照射方向为所述激光束与所述基板的夹角θ1，所述第二照射方向为所述激光束与所述基板的夹角θ2，所述第一照射方向和所述第二照射方向位于垂直于所述基板的平面的同一侧；
θ2为：
其中，L为所述颗粒的最大尺寸，H为所述基板的厚度。
4.根据权利要求2所述的激光剥离方法，其特征在于，所述第一照射方向为所述激光束与所述基板的夹角θ1，所述第二照射方向为所述激光束与所述基板的夹角θ2，所述第一照射方向和所述第二照射方向位于垂直于所述基板的平面的不同侧；
θ2为：
其中，L为所述颗粒的最大尺寸，H为所述基板的厚度。
5.根据权利要求2所述的激光剥离方法，其特征在于，在将所述材料层和所述基板分离之前，所述方法还包括：
控制激光束以第三照射方向穿透基板，以对所述材料层和所述基板的界面进行扫描，使得所述界面中未被所述第一照射方向和所述第二照射方向照到的区域被所述第三照射方向的激光束照到。
6.根据权利要求5所述的激光剥离方法，其特征在于，所述第一照射方向为所述激光束与所述基板的夹角θ1，所述第二照射方向为所述激光束与所述基板的夹角θ2，所述第三照射方向为所述激光束与所述基板的夹角θ3，所述第一照射方向和所述第二照射方向位于垂直于所述基板的平面的同一侧，所述第一照射方向和所述第三照射方向位于垂直于所述基板的平面的不同侧；
θ2为：
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θ3为：
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其中，0＜X＜L，L为所述颗粒的最大尺寸，H为所述基板的厚度。
7.根据权利要求2所述的激光剥离方法，其特征在于，所述检测所述颗粒的尺寸，并根据检测到的所述颗粒的尺寸以及所述第一照射方向确定所述第二照射方向，包括：
在检测到所述基板远离所述材料层的一侧具有多个颗粒的情况下，根据检测到的多个颗粒的尺寸，确定所述多个颗粒中尺寸最大的颗粒的尺寸；
根据所述最大的颗粒的尺寸以及所述第一照射方向确定所述第二照射方向。
8.根据权利要求1所述的激光剥离方法，其特征在于，在控制激光束以第二照射方向穿透基板，以对所述材料层和所述基板的界面进行扫描之前，所述方法还包括：
检测所述颗粒在所述基板上的位置，根据检测到的所述颗粒在所述基板上的位置以及所述第一照射方向确定所述遮挡区域的位置；
控制激光束以第二照射方向穿透基板，以对所述材料层和所述基板的界面进行扫描包括：控制所述激光束以第二照射方向穿透基板，对所述遮挡区域进行扫描。
9.一种激光剥离系统，其特征在于，包括：
激光源，所述激光源用于发射激光束；
控制装置，所述控制装置与所述激光源相连，用于控制所述激光源发射出的激光束以第一照射方向穿透基板，以对层叠设置的材料层和所述基板的界面进行扫描，所述基板远离所述材料层的一侧具有颗粒，所述界面中未被所述第一照射方向的激光束照到的区域为遮挡区域；所述控制装置还用于控制所述激光源发射出的激光束以第二照射方向穿透所述基板，以对所述材料层和所述基板的界面进行扫描，使得至少部分所述遮挡区域被所述第二照射方向的激光束照到。
10.根据权利要求9所述的激光剥离系统，其特征在于，所述激光剥离系统还包括：检测装置，所述检测装置用于检测颗粒的位置和/或尺寸。
11.根据权利要求10所述的激光剥离系统，其特征在于，所述检测装置为自动光学检测设备。
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