WO2021140659A1

WO2021140659A1 - 表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法

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Publication number: WO2021140659A1
Application number: PCT/JP2020/000700
Authority: WO
Inventors: 伸裕近藤
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2020-01-10
Filing date: 2020-01-10
Publication date: 2021-07-15

Abstract

表示装置の製造装置（４０）においては、レーザー光（Ｌ０）は、プリズム（３２）と、液体層（３３）と、母基板（１１''）とを順次通過して、母基板（１１''）と積層体（１''）との界面（ＫＭ）に垂直な方向の線（ＫＭ'）に対して全反射角以上の角度（θ）で、母基板（１１''）と積層体（１''）との界面（ＫＭ）に照射され、母基板（１１''）から積層体（１''）を剥離させる。

Description

表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法

　本開示は、表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法に関するものである。

　近年、発光素子を備えた様々な表示装置が開発されており、特に、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた表示装置や、無機発光ダイオードまたはＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えた表示装置は、低消費電力化、薄型化および高画質化などを実現できる点から、高い注目を浴びている。

　そして、このようなＯＬＥＤを備えた表示装置や、無機発光ダイオードまたはＱＬＥＤを備えた表示装置などのように、バックライトを備える必要がない表示装置については、自由に曲げることができるように、フレキシブル表示装置化への要求が高い。

　例えば、下記特許文献１には、Laser Lift Off工程（ＬＬＯ工程）を含むフレキシブル表示装置の製造方法について記載されている。

日本国公開特許公報「特開２０１５‐１９４６４２」（２０１５年１１月５日公開）

　図１７の（ａ）は、上記特許文献１に記載された、ＬＬＯ工程を含む従来のフレキシブル表示装置の製造方法において用いられる従来の製造装置１００の概略構成を示す図である。

　図１７の（ａ）に示す製造装置１００は、発光素子層を含む積層体を含んだフレキシブル表示装置の製造装置であり、支持体１０１と、第１レーザー光の光源１０３と、第２レーザー光の光源１０５と、光学系１０４と、光学系１０６と、を含む。

　図１７の（ｂ）は、母基板である透明基板１１１と、発光素子層を含む積層体１１２とからなる照射対象基板１０２に対して、第１レーザー光の光源１０３からのレーザー光を、光学系１０４を介して、透明基板１１１側から、第１レーザービームＬＢ１として照射する場合を示す図である。第１レーザービームＬＢ１は、透明基板１１１と積層体１１２との界面に垂直な方向に対する入射角がほぼ０である。すなわち、第１レーザービームＬＢ１は、透明基板１１１と積層体１１２との界面に対して、ほぼ垂直入射される。

　図１７の（ｃ）は、照射対象基板１０２に対して、第２レーザー光の光源１０５からのレーザー光を、光学系１０６を介して、透明基板１１１側から、第２レーザービームＬＢ２として照射する場合を示す図である。第２レーザービームＬＢ２は、透明基板１１１と積層体１１２との界面に垂直な方向に対する入射角が第１レーザービームＬＢ１と比較して大きい。

　図１７の（ｂ）に示すように、透明基板１１１の積層体１１２が形成された面と対向する面である対向表面にパーティクル（異物）Ｐや欠陥が存在する場合、透明基板１１１と積層体１１２との界面に対して、ほぼ垂直入射される第１レーザービームＬＢ１は、例えば、パーティクルＰの影響により、パーティクルＰの下部では、十分な照射量とならず、透明基板１１１と積層体１１２との界面で剥離不具合が発生してしまう。

　そこで、図１７の（ａ）に示す製造装置１００の場合、図１７の（ｃ）に示すように、透明基板１１１と積層体１１２との界面に垂直な方向に対する入射角が第１レーザービームＬＢ１と比較して大きい第２レーザービームＬＢ２を、第１レーザービームＬＢ１と併用することで、パーティクルＰの下部においても、十分な照射量を確保し、透明基板１１１と積層体１１２との界面で剥離不具合が発生するのを抑制するようになっている。

　しかしながら、上記のような従来の表示装置の製造装置では、透明基板にパーティクル（異物）や欠陥が存在する場合、パーティクル（異物）や欠陥が存在する透明基板の面そのものに対して、垂直方向以外からレーザー光を照射するので、レーザー光の照射効率を向上させることが難しいという問題があった。具体的にいえば、従来の表示装置の製造装置では、垂直方向以外からレーザー光を照射する場合、垂直照射と比較して十分な効果を得るためにレーザー光を強くする必要があった。

　上記の課題に鑑み、本開示は、透明基板にパーティクル（異物）や欠陥が存在する場合でも、レーザー光の照射効率を向上させることができる表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

　本開示の表示装置の製造装置は、前記の課題を解決するために、
　母基板と、
　前記母基板上に形成された発光素子層を含む積層体と、を備え、
　前記母基板の前記積層体が形成された面と対向する面が、前記母基板の対向表面であり、
　前記対向表面側に設けられて、レーザー光を照射する照射源と、
　前記対向表面側に設けられて、前記レーザー光が照射されるプリズムと、
　前記対向表面と前記プリズムとの間に設けられた液体層とを、さらに備え、
　前記照射源からのレーザー光は、前記プリズムと、前記液体層と、前記母基板とを順次通過して、前記母基板と前記積層体との界面に垂直な方向に対して全反射角以上の角度で、前記母基板と前記積層体との界面に照射され、前記母基板から前記積層体を剥離させる。

　本開示の表示装置の製造方法は、前記の課題を解決するために、
　所定波長領域の光を通す母基板に、発光素子層を含む積層体を形成する積層体形成工程と、
　前記母基板の前記積層体が形成された面と対向する対向表面側に設けられた照射源からのレーザー光を、前記対向表面側に設けられたプリズムと、前記対向表面と前記プリズムとの間に設けられた液体層と、前記母基板とを順次通過させて、前記母基板と前記積層体との界面に垂直な方向に対して全反射角以上の角度で、前記母基板と前記積層体との界面に照射し、前記母基板から前記積層体を剥離する剥離工程と、を含む。

　本開示の一態様によれば、透明基板にパーティクル（異物）や欠陥が存在する場合でも、レーザー光の照射効率を向上させることができる表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法を提供できる。

母基板から剥離された積層体である表示装置の概略構成を示す図である。母基板と、前記母基板に形成された積層体である表示装置とからなる照射対象基板の概略構成を示す図である。実施形態１の表示装置の製造装置の概略構成を示す図である。（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、図３に図示した表示装置の製造装置がエバネッセント光ＬＬＯモードで、母基板から積層体を剥離する場合を説明するための図である。（ａ）は、実施形態１の表示装置の製造装置が、照射源及びプリズムと、積層体を含む母基板とのうちの一方を、他方に対して、第１方向に相対的に移動しながら、レーザー光を照射する場合を示す図であり、（ｂ）は、実施形態１の表示装置の製造装置が、照射源及びプリズムと、積層体を含む母基板とのうちの一方を、他方に対して、第２方向に相対的に移動しながら、レーザー光を照射する場合を示す図である。（ａ）は、図５の（ａ）に示す場合であって、母基板の対向表面に欠陥が存在する場合を説明するための図であり、（ｂ）は、図５の（ｂ）に示す場合であって、母基板の対向表面に欠陥が存在する場合を説明するための図である。実施形態１の第１変形例である表示装置の製造装置の概略構成を示す図である。（ａ）は、実施形態１の表示装置の製造装置または、実施形態１の第１変形例である表示装置の製造装置において、レーザー光が、プリズムと、液体層と、母基板とを順次通過する様子を模式的に示した図であり、（ｂ）及び（ｃ）は、比較例の表示装置の製造装置において、レーザー光がプリズムと、液体層と、母基板とを順次通過する様子を模式的に示した図である。実施形態１の第２変形例である表示装置の製造装置において、レーザー光がプリズムと、液体層と、母基板とを順次通過する様子を模式的に示した図である。実施形態１の表示装置の製造装置に備えらえたプリズムに入射されるレーザー光が、平行光である場合における、全反射角（臨界角）以上の角度を決定する条件を説明するための図である。実施形態１の表示装置の製造装置に備えらえたプリズムに入射されるレーザー光が、拡がり光である場合における、全反射角（臨界角）以上の角度を決定する条件を説明するための図である。（ａ）及び（ｂ）は、検出器をさらに備えた実施形態２の表示装置の製造装置の概略構成を示す図である。（ａ）は、実施形態２の表示装置の製造装置が、照射源及びプリズムと、積層体を含む母基板とのうちの一方を、他方に対して、第１方向に移動しながら、レーザー光を照射する場合を示す図であり、（ｂ）は、実施形態２の表示装置の製造装置が、照射源及びプリズムと、積層体を含む母基板とのうちの一方を、他方に対して、第２方向に移動しながら、レーザー光を照射する場合を示す図である。実施形態３の表示装置の製造装置の概略構成を示す図である。実施形態３の表示装置の製造装置に備えらえたプリズムの好ましい形状を説明するための図である。（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、実施形態４を示す図であって、図３に図示した表示装置の製造装置が通常ＬＬＯモードで、母基板から積層体を剥離する場合を説明するための図である。（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、ＬＬＯ工程を含む従来のフレキシブル表示装置の製造方法において用いられる従来の製造装置の概略構成を示す図である。

　本開示の実施の形態について、図１から図１６に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。

　後述する実施形態１～３においては、積層体１の屈折率が母基板１１・１１’の屈折率よりも小さく、エバネッセント光によりＬＬＯを行う場合、すなわち、表示装置の製造装置がエバネッセント光ＬＬＯモードである場合について説明する。一方、後述する実施形態４においては、積層体１’’の屈折率が母基板１１’’の屈折率よりも大きく、エバネッセント光を用いずに、照射したレーザー光にてＬＬＯを行う場合、すなわち、表示装置の製造装置が通常ＬＬＯモードである場合について説明する。

　〔実施形態１〕
　図２は、母基板１１と、母基板１１に形成された積層体１である表示装置とからなる照射対象基板３０の概略構成を示す図である。

　図２に示すように、照射対象基板３０は、所定波長領域の光を通す母基板１１と、母基板１１に形成された発光素子層５を含む積層体１と、を含む。なお、母基板１１の積層体１が形成された面と対向する面が、母基板１１の対向表面ＤＨである。

　図２に示すように、母基板１１に形成された積層体１、すなわち、表示装置には、母基板１１と接する樹脂層１２と、バリア層３と、薄膜トランジスタ層（ＴＦＴ層）４と、発光素子層５と、封止層６とがこの順に備えられている。

　母基板１１としては、積層体１の各層の形成工程に必要とされる工程温度に耐えられる耐熱性と、後述する少なくとも照射源からのレーザー光を通す光の透過特性とを有するのであれば、その種類は特に限定されないが、本実施形態においては、母基板１１として、上述した耐熱性と、照射源からのレーザー光、赤外光、紫外光及び可視光を通す光の透過特性と、を有する透明ガラス基板を用いた。また、本実施形態では、表示装置の製造装置をエバネッセント光ＬＬＯモードで使用するため、母基板１１として、積層体１の屈折率よりもその屈折率が大きいものを用いた。特に、本実施形態では、母基板１１と、母基板１１と接する積層体１の樹脂層１２との界面ＫＭで、全反射を生じさせるとともに、樹脂層１２でエバネッセント光の吸光を生じさせるため、樹脂層１２として、その屈折率が約１．５～１．７であるポリイミド樹脂を用いており、母基板１１として、その屈折率が約１．８～２．０である高屈折率透明ガラス基板を用いている。

　本実施形態においては、樹脂層１２の材料として、ポリイミド樹脂を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、例えば、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂等を用いてもよい。

　バリア層３は、水分や不純物が、トランジスタＴｒや発光素子層５に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。

　トランジスタＴｒ及び容量素子は、樹脂層１２及びバリア層３の上層に設けられている。トランジスタＴｒ及び容量素子を含む薄膜トランジスタ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜（ゲート絶縁膜）１６と、無機絶縁膜１６よりも上層のゲート電極ＧＥと、ゲート電極ＧＥよりも上層の無機絶縁膜（第１絶縁膜）１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の容量素子の対向電極ＣＥと、容量素子の対向電極ＣＥよりも上層の無機絶縁膜（第２絶縁膜）２０と、無機絶縁膜２０よりも上層の、ソース電極、ドレイン電極及びその配線を形成する層ＳＨと、ソース電極とドレイン電極とその配線を形成する層ＳＨよりも上層の層間絶縁膜２１とを含む。

　なお、容量素子は、無機絶縁膜１８の直上に形成された容量素子の対向電極ＣＥと、無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８の直下に形成され、ゲート電極ＧＥを形成する層と同一層で、容量素子の対向電極ＣＥと重畳するように形成された容量電極と、で構成される。

　半導体膜１５、無機絶縁膜１６、ゲート電極ＧＥ、無機絶縁膜１８、無機絶縁膜２０、ソース電極及びドレイン電極を含むように、トランジスタ（薄膜トランジスタ（ＴＦＴ））Ｔｒが構成される。

　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。

　ゲート電極ＧＥ、容量素子の対向電極ＣＥ、ソース電極とドレイン電極とその配線を形成する層ＳＨは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、及び銀（Ａｇ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。

　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜あるいは酸窒化シリコン膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。

　層間絶縁膜２１は、例えば、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　発光素子層５は、層間絶縁膜２１よりも上層の第１電極２２と、第１電極２２よりも上層の発光層を含む機能層２４と、機能層２４よりも上層の第２電極２５とを含む。層間絶縁膜２１上には、第１電極２２のエッジを覆うエッジカバー（バンク）２３が形成されている。

　積層体１である表示装置のサブピクセルＳＰごとに、島状の第１電極２２と、発光層を含む機能層２４と、第２電極２５とを含む。エッジカバー２３は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　機能層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、サブピクセルＳＰごとに島状に形成されるが、その他の層はベタ状の共通層とすることもできる。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成も可能である。

　第１電極２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成することができるが、導電性及び光反射性を確保できるのであれば、特に限定されない。また、第２電極２５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透光性の導電材で構成することができるが、導電性及び透光性を確保できるのであれば、特に限定されない。

　第１電極２２は、サブピクセル（画素）ＳＰ毎に設けられ、トランジスタＴｒのドレイン電極に電気的に接続されている。また、第２電極２５は、全てのサブピクセル（画素）ＳＰに共通して設けられている。また、トランジスタＴｒは、サブピクセルＳＰ毎に駆動される。

　本実施形態においては、発光素子層５が構成する発光素子がＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）である場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、発光素子層５が構成する発光素子は、例えば、無機発光ダイオードまたはＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）であってもよい。

　封止層６は透光性であり、第２電極２５を覆う第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６よりも上側に形成される有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う第２無機封止膜２８とを含む。発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。

　第１無機封止膜２６及び第２無機封止膜２８はそれぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、第１無機封止膜２６及び第２無機封止膜２８よりも厚い、透光性有機膜であり、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　本実施形態においては、第１無機封止膜２６と第２無機封止膜２８との間に有機封止膜２７を備えた、１層の有機膜と２層の無機膜から構成される封止層６を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、封止層６は、１層以上の無機膜または１層以上の有機膜のみで形成されてもよく、２層以上の無機膜と２層以上の有機膜とで形成されてもよい。

　なお、本実施形態においては、第１電極２２が光反射性を有し、第２電極２５が透光性を有する場合、すなわち、積層体１である表示装置がトップエミッション型である場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、積層体１である表示装置は、第１電極２２が透光性を有し、第２電極２５が光反射性を有するボトムエミッション型であってもよい。

　図１は、母基板１１から剥離された積層体１である表示装置の概略構成を示す図である。

　図２に示す母基板１１と積層体１とを含む照射対象基板３０に対して、レーザー光を、母基板１１側から、母基板１１と積層体１との界面に照射することで、母基板１１から積層体１を剥離することができる。このようなLaser Lift Off工程（ＬＬＯ工程）により、図１に図示する積層体１からなるフレキシブル表示装置を得ることができる。また、本実施形態では、母基板１１と、母基板１１と接する積層体１の樹脂層１２とにおいて、樹脂層１２の屈折率が母基板１１の屈折率よりも小さいものが選択されており、表示装置の製造装置では、エバネッセント光によりＬＬＯを行うエバネッセント光ＬＬＯモードが実行される。

　図３は、上述したＬＬＯ工程に用いられる実施形態１の表示装置の製造装置４０の概略構成を示す図である。

　図３に示す表示装置の製造装置４０は、母基板１１の対向表面ＤＨ側に設けられて、レーザー光Ｌ０を照射する照射源３１Ｌを含む照射装置３１と、母基板１１の対向表面ＤＨ側に設けられて、レーザー光Ｌ０が照射されるプリズム３２と、母基板１１の対向表面ＤＨとプリズム３２との間に設けられた液体層３３とを、備えている。

　プリズム３２は、レーザー光を、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射させるために必要な母基板１１と積層体１との界面ＫＭに垂直な方向の線ＫＭ’に対して全反射角（臨界角）以上の角度θのレーザー光の入射角度を確保するために用いている。本実施形態においては、プリズム３２の長手方向（図５の（ａ）及び図５の（ｂ）の左右方向）と直交する方向（図５の（ａ）及び図５の（ｂ）の上下方向）に沿って切断した断面が三角形状であるプリズムを用いているが、レーザー光を、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射させるために必要な入射角度を確保できるのであれば、これに限定されることはない。

　プリズム３２を用いずに、母基板１１と積層体１との界面ＫＭと平行な母基板１１の対向表面ＤＨからレーザー光を直接入射させた場合には、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射させるために必要な入射角度は、物理的に得られない。

　また、母基板１１の対向表面ＤＨとプリズム３２との間に設けられた液体層３３は、対向表面ＤＨと液体層３３とが形成する界面及びプリズム３２と液体層３３とが形成する界面のそれぞれにおいて、界面反射が生じないように、母基板１１の屈折率及びプリズム３２の屈折率と近い屈折率を有する材料を選択することが好ましいが、これに限定されることはない。液体層３３とプリズム３２との界面や液体層３３と母基板１１との界面で、屈折率差による界面反射が生じないのであれば、例えば、液体層３３の屈折率、プリズム３２の屈折率及び母基板１１の屈折率はそれぞれ異なってもよい。すなわち、屈折率差による界面反射が生じないのであれば、液体層３３、プリズム３２及び液体層３３の材料は適宜選択できる。

　本実施形態においては、プリズム３２として、母基板１１の材料と同一材料である高屈折率透明ガラス材料を用いており、液体層３３として、その屈折率が約１．５１であるアニソール（有機溶媒）を用いた場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。屈折率差による界面での反射が生じないのであれば、例えば、液体層３３として、その屈折率が約１．３であるＰＦＰＥ（フッ素含有有機溶媒）またはその屈折率が約１．３３である水を用いてもよい。

　以上のように、本実施形態においては、液体層３３と、プリズム３２との界面、及び液体層３３と、母基板１１との界面において、何れも界面反射が発生しないように、母基板１１の材料、プリズム３２の材料、及び液体層３３の材料を選択しているので、図３に示すように、照射装置３１の照射源３１Ｌからのレーザー光Ｌ０は、レーザー光Ｌ１のように、プリズム３２への入射角度をほぼ維持しながら、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに入射される。

　図３に示すように、照射装置３１の照射源３１Ｌからのレーザー光Ｌ０は、プリズム３２と、液体層３３と、母基板１１とを順次通過して、レーザー光Ｌ１として、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに垂直な方向の線ＫＭ’（母基板１１と積層体１との界面ＫＭに垂直な方向）に対して全反射角（臨界角）以上の角度θで、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに照射され、かつ、エバネッセント光Ｌ２により、母基板１１から積層体１を剥離させる。なお、上述した全反射角（臨界角）以上の角度θは、母基板１１と積層体１との界面ＫＭ、すなわち、母基板１１と樹脂層１２との界面ＫＭと、積層体１が母基板１１から剥離した後の母基板１１と空気層との界面とで全反射を実現するための角度である。

　図４の（ａ）、図４の（ｂ）及び図４の（ｃ）は、図３に図示した表示装置の製造装置４０がエバネッセント光ＬＬＯモードで、母基板１１から積層体１を剥離する場合を説明するための図である。

　図４の（ａ）に示すように、レーザー光Ｌ１が、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに垂直な方向の線ＫＭ’に対して全反射角（臨界角）以上の角度θで、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに入射されると、スポットＳＰＴ１では、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射が生じるとともに、積層体１の樹脂層１２（図２参照）でエバネッセント光Ｌ２の吸光が生じる。したがって、スポットＳＰＴ１では、積層体１の樹脂層１２でのエバネッセント光Ｌ２の吸光により、母基板１１から積層体１が完全に剥離し、図４の（ｂ）に示すスポットＳＰＴ１’となる。

　なお、図４の（ａ）に示すように、積層体１の樹脂層１２でエバネッセント光Ｌ２の吸光が一度生じた後のレーザー光Ｌ１ａは、母基板１１の対向表面ＤＨで全反射され、再び、スポットＳＰＴ２では、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに入射されるが、積層体１の樹脂層１２でのエバネッセント光Ｌ２’の吸光の波長成分は弱い。

　また、図４の（ａ）に示すように、積層体１の樹脂層１２でエバネッセント光Ｌ２・Ｌ２’の吸光が生じた後のレーザー光Ｌ１ｂは、母基板１１の対向表面ＤＨで全反射され、再び、スポットＳＰＴ３では、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに入射されるが、積層体１の樹脂層１２でのエバネッセント光Ｌ２’’の吸光の波長成分はさらに弱い。

　図４の（ｂ）に示すように、既に、母基板１１から積層体１が剥離した部分、すなわち、スポットＳＰＴ１’では、母基板１１と積層体１との間に空気層が形成され、積層体１の樹脂層１２でのエバネッセント光Ｌ２の吸光は生じず、レーザー光Ｌ１は、そのまま、母基板１１と空気層との界面で全反射が生じる。そして、母基板１１から積層体１が剥離されていない部分、すなわち、スポットＳＰＴ２に伝搬されたレーザー光Ｌ１により、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射が生じるとともに、積層体１の樹脂層１２でエバネッセント光Ｌ２の吸光が生じる。

　なお、図４の（ｂ）に示すように、積層体１の樹脂層１２でエバネッセント光Ｌ２の吸光が一度生じた後のレーザー光Ｌ１ａは、母基板１１の対向表面ＤＨで全反射され、再び、スポットＳＰＴ３では、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに入射されるが、積層体１の樹脂層１２でのエバネッセント光Ｌ２’の吸光の波長成分は弱い。

　図４の（ｃ）に示すように、既に、母基板１１から積層体１が剥離した部分、すなわち、スポットＳＰＴ１’・ＳＰＴ２’では、母基板１１と積層体１との間に空気層が形成され、積層体１の樹脂層１２でのエバネッセント光Ｌ２の吸光は生じず、レーザー光Ｌ１は、そのまま、母基板１１と空気層との界面で全反射が生じる。そして、母基板１１から積層体１が剥離されていない部分、すなわち、スポットＳＰＴ３に伝搬されたレーザー光Ｌ１により、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射が生じるとともに、積層体１の樹脂層１２でエバネッセント光Ｌ２の吸光が生じる。

　なお、図４の（ｃ）に示すように、積層体１の樹脂層１２でエバネッセント光Ｌ２の吸光が一度生じた後のレーザー光Ｌ１ａは、母基板１１の対向表面ＤＨで全反射され、再び、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに入射されるが、積層体１の樹脂層１２でのエバネッセント光の吸光の波長成分は弱い。

　図３に示す照射装置３１は、レーザー光Ｌ０を照射する照射源３１Ｌと、レーザー光Ｌ０を照射する照射源３１Ｌを第１方向Ｄ１または第２方向Ｄ２などに移動させる照射源移動機構（図示せず）とを、備えており、照射装置３１は、前記照射源移動機構によって、第１方向Ｄ１または第２方向Ｄ２などに移動可能である。なお、本実施形態においては、照射源３１Ｌからのレーザー光Ｌ０は、プリズム３２の長手方向の長さとほぼ同じ幅を有するが、これに限定されることはない。

　図３に示す欠陥ＤＥＦは、母基板１１の対向表面ＤＨに存在する、例えば、傷や異物などであり、母基板１１において、照射源３１Ｌからのレーザー光Ｌ０の通過を妨害する部分を意味する。

　図５の（ａ）は、表示装置の製造装置４０が、照射源３１Ｌを含む照射装置３１及びプリズム３２と、積層体１を含む母基板１１とのうちの一方を、他方に対して、第１方向Ｄ１に相対的に移動しながら、レーザー光を照射する場合を示す図であり、図５の（ｂ）は、表示装置の製造装置４０が、照射源３１Ｌを含む照射装置３１及びプリズム３２と、積層体１を含む母基板１１とのうちの一方を、他方に対して、第２方向Ｄ２に相対的に移動しながら、レーザー光を照射する場合を示す図である。

　表示装置の製造装置４０は、照射源３１Ｌを含む照射装置３１及びプリズム３２を、積層体１を含む母基板１１に対して、第１方向Ｄ１または、第２方向Ｄ２に相対的に移動させることができる機構を備えていてもよく、積層体１を含む母基板１１を、照射源３１Ｌを含む照射装置３１及びプリズム３２に対して、第１方向Ｄ１または、第２方向Ｄ２に相対的に移動させることができる機構を備えていてもよい。

　また、詳しくは後述するように、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに対するレーザー光の入射方向は、第１方向Ｄ１に移動中と、第２方向Ｄ２に移動中とで、異なる。

　本実施形態においては、表示装置の製造装置４０が、照射装置３１が備えている照射源移動機構と、プリズム移動機構３４と、母基板移動機構３５ａ・３５ｂとを、全て備えている場合を一例挙げて説明するが、これに限定されることはない。例えば、表示装置の製造装置４０は、母基板移動機構３５ａ・３５ｂは備えてなく、照射装置３１が備えている照射源移動機構と、プリズム移動機構３４のみを備えていてもよい。また、表示装置の製造装置４０は、照射装置３１が備えている照射源移動機構と、プリズム移動機構３４とは備えてなく、母基板移動機構３５ａ・３５ｂのみを備えていてもよい。

　表示装置の製造装置４０の場合、プリズム移動機構３４及び照射装置３１が備えている照射源移動機構と、母基板移動機構３５ａ・３５ｂとのうちの一方を、他方に対して、第１方向Ｄ１または、第２方向Ｄ２に相対的に移動させることで、例えば、照射源３１Ｌを含む照射装置３１及びプリズム３２を、積層体１を含む母基板１１に対して、第１方向Ｄ１または、第２方向Ｄ２に相対的に移動させることができる。

　また、表示装置の製造装置４０が、母基板移動機構３５ａ・３５ｂは備えてなく、照射装置３１が備えている照射源移動機構と、プリズム移動機構３４のみを備えている場合には、積層体１を含む母基板１１は固定されているので、プリズム移動機構３４及び照射装置３１が備えている照射源移動機構を、第１方向Ｄ１または、第２方向Ｄ２に移動させることで、照射源３１Ｌを含む照射装置３１及びプリズム３２を、積層体１を含む母基板１１に対して、第１方向Ｄ１または、第２方向Ｄ２に相対的に移動させることができる。

　さらに、表示装置の製造装置４０が、照射装置３１が備えている照射源移動機構と、プリズム移動機構３４とは備えてなく、母基板移動機構３５ａ・３５ｂのみを備えている場合には、照射装置３１とプリズム３２とは固定されているので、母基板移動機構３５ａ・３５ｂを、第１方向Ｄ１または、第２方向Ｄ２に移動させることで、照射源を含む照射装置３１及びプリズム３２を、積層体１を含む母基板１１に対して、第１方向Ｄ１または、第２方向Ｄ２に相対的に移動させることができる。

　なお、本実施形態においては、照射装置３１が照射源３１Ｌを第１方向Ｄ１または第２方向Ｄ２などに移動させる照射源移動機構を備えている場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはない。例えば、照射源３１Ｌを含む照射装置３１は固定された状態で、中間光路を伸縮させる光学系を用いて、移動するプリズム３２にレーザー光を入射させる構成であってもよい。

　図５の（ａ）及び図５の（ｂ）に示すように、表示装置の製造装置４０においては、照射源３１Ｌを含む照射装置３１及びプリズム３２と、積層体１を含む母基板１１とのうちの一方は、他方に対して、第１方向Ｄ１と、第１方向Ｄ１とは異なる第２方向Ｄ２とに移動され、前記移動中には、照射源３１Ｌからのレーザー光は、プリズム３２と、液体層３３と、母基板１１とを順次通過して、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに垂直な方向の線ＫＭ’に対して全反射角（臨界角）以上の角度θで、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに照射され、かつ、エバネッセント光により、母基板１１から積層体１を剥離させる。

　本実施形態においては、第１方向Ｄ１が下方向であり、第２方向Ｄ２が上方向である場合を、一例に挙げて説明するが、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とが異なる方向であるならば、その方向は特に限定されない。例えば、第１方向Ｄ１が上方向であり、第２方向Ｄ２が下方向であってもよく、第１方向Ｄ１が右方向であり、第２方向Ｄ２が左方向であってもよく、第１方向Ｄ１が左方向であり、第２方向Ｄ２が右方向であってもよい。また、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とは、反対方向に限定されることはなく、例えば、直交する方向などであってもよく、母基板１１の対向表面ＤＨに存在する欠陥ＤＥＦの大きさや位置などを考慮して、適宜設定することができる。

　本実施形態においては、照射源３１Ｌを含む照射装置３１及びプリズム３２と、積層体１を含む母基板１１とのうちの一方を、他方に対して、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に相対的に移動しながら、レーザー光を照射する場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されない。例えば、照射源３１Ｌを含む照射装置３１は固定された状態で、中間光路を伸縮させる光学系を用いて、移動するプリズム３２にレーザー光を入射させる構成の場合、プリズム３２を、積層体１を含む母基板１１に対して、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に相対的に移動しながら、レーザー光を照射することとなる。

　図６の（ａ）は、図５の（ａ）に示す場合であって、母基板１１の対向表面ＤＨに欠陥ＤＥＦが存在する場合を説明するための図であり、図６の（ｂ）は、図５の（ｂ）に示す場合であって、母基板１１の対向表面ＤＨに欠陥ＤＥＦが存在する場合を説明するための図である。

　図６の（ａ）に示すように、第１方向Ｄ１に相対的に移動中の照射装置３１の照射源３１Ｌからのレーザー光Ｌ０は、照射装置３１と同じ速度で第１方向Ｄ１に相対的に移動中のプリズム３２と、母基板１１の対向表面ＤＨとプリズム３２との間に設けられた液体層３３と、母基板１１とを順次通過して、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに垂直な方向の線ＫＭ’に対して全反射角（臨界角）以上の角度θで、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに照射され、かつ、エバネッセント光により、母基板１１から積層体１を剥離させる。しかし、母基板１１の対向表面ＤＨに欠陥ＤＥＦが存在する箇所では、照射源３１Ｌからのレーザー光Ｌ０は、その一部が欠陥ＤＥＦによって散乱光Ｌ３となり、残りの一部がレーザー光Ｌ４として、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに照射されるが、レーザー光Ｌ４は弱く、エバネッセント光Ｌ５も、母基板１１から積層体１を剥離させるには不十分である。

　このような箇所では、剥離不具合が生じる恐れがあるため、表示装置の製造装置４０においては、図６の（ｂ）に示すように、第２方向Ｄ２に相対的に移動中の照射装置３１の照射源からのレーザー光Ｌ０は、照射装置３１と同じ速度で第２方向Ｄ２に相対的に移動中のプリズム３２と、母基板１１の対向表面ＤＨとプリズム３２との間に設けられた液体層３３と、母基板１１とを順次通過して、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに垂直な方向の線ＫＭ’に対して全反射角（臨界角）以上の角度θで、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに照射され、かつ、エバネッセント光により、母基板１１から積層体１を剥離させる。

　なお、図６の（ａ）及び図６の（ｂ）に示すように、表示装置の製造装置４０においては、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに対する、第１方向Ｄ１に移動中のレーザー光の入射方向と、第２方向Ｄ２に移動中のレーザー光の入射方向とが、異なるので、欠陥ＤＥＦの影響による第１方向Ｄ１に移動中のレーザー光の不十分な照射量を、第２方向Ｄ２に移動中のレーザー光の照射量で補っている。

　したがって、表示装置の製造装置４０においては、母基板１１の対向表面ＤＨに欠陥ＤＥＦが存在する場合であっても、剥離不具合が生じるのを抑制できる。

　なお、図３、図６の（ａ）及び図６の（ｂ）に示すように、母基板１１の対向表面ＤＨとプリズム３２との間に設けられた液体層３３は、少なくともプリズム３２と重畳し、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射されたレーザー光の光路とは、重畳しないように、形成及び除去することが好ましい。

　液体層３３が、少なくともプリズム３２と重畳することが好ましい理由、すなわち、レーザー光の光路として液体層３３が必要である理由は、プリズム３２と母基板１１間に屈折率差の大きい空気層が存在すると、それらの界面で臨界角以上の入射角を有するレーザー光は全反射され、空気層を通過できないからである。

　また、液体層３３が、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射されたレーザー光の光路とは、重畳しないことが好ましい理由は、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射されたレーザー光の光路であって、母基板１１の対向表面ＤＨに液体層３３が存在すると、当該液体層３３で母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射されたレーザー光が散乱する可能性があるからである。

　図７は、実施形態１の第１変形例である表示装置の製造装置４１の概略構成を示す図である。

　図７に示すように、表示装置の製造装置４１は、照射源３１Ｌを含む照射装置３１とともに、照射源３１Ｌを含む第２照射装置３１’をさらに備えている点において、上述した表示装置の製造装置４０とは異なる。

　図７に示すように、表示装置の製造装置４１の場合、一つのプリズム３２に対して、複数の方向からレーザー光Ｌ０を同時に照射することができる。例えば、照射源３１Ｌを含む照射装置３１からのレーザー光Ｌ０は、プリズム３２の斜め左上方向から照射することができ、照射源３１Ｌを含む第２照射装置３１’からのレーザー光Ｌ０は、プリズム３２の斜め右上方向から照射することができる。

　表示装置の製造装置４１の場合、一つのプリズム３２に対して、複数の方向からレーザー光Ｌ０を同時に照射することができるので、照射源３１Ｌを含む照射装置３１、照射源３１Ｌを含む第２照射装置３１’及びプリズム３２と、積層体１を含む母基板１１とのうちの一方を、他方に対して、第１方向Ｄ１または第２方向Ｄ２に相対的に移動しながら、レーザー光を照射すればよい。したがって、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に相対的に移動しながら、レーザー光を照射する上述した表示装置の製造装置４０と比較すると、剥離工程にかかる時間を大幅に短縮することができるとともに、母基板１１の対向表面ＤＨに欠陥ＤＥＦが存在する場合であっても、剥離不具合が生じるのを抑制できる。

　なお、図７に示した構成以外に、例えば、一つの照射装置３１だけを設けて、第２照射装置３１’からのレーザー光Ｌ０に代えて、照射装置３１からのレーザー光Ｌ０の経路の中間点に設けたビームスプリッタで２分割して照射する構成としてもよく、このような構成でも、図７に図示した表示装置の製造装置４１と同様の効果を得ることができる。

　図８の（ａ）は、実施形態１の表示装置の製造装置４０または、実施形態１の第１変形例である表示装置の製造装置４１において、レーザー光Ｌ０が、プリズム３２と、液体層３３と、母基板１１とを順次通過する様子を模式的に示した図であり、図８の（ｂ）及び図８の（ｃ）は、比較例の表示装置の製造装置において、レーザー光がプリズムと、液体層と、母基板とを順次通過する様子を模式的に示した図である。

　図８の（ａ）に示すように、実施形態１の表示装置の製造装置４０または、実施形態１の第１変形例である表示装置の製造装置４１においては、液体層３３と、プリズム３２との界面、及び液体層３３と、母基板１１との界面において、何れも界面反射が発生しないように、母基板１１の材料、プリズム３２の材料、及び液体層３３の材料を選択しているので、これらの界面において反射は生じていない。したがって、照射源３１Ｌからのレーザー光Ｌ０は、界面反射によるレーザー光の損失なく、レーザー光Ｌ１として、基板１１と積層体１との界面ＫＭに照射される。

　一方、図８の（ｂ）に示すように、液体層３３Ｒの屈折率が、プリズム３２Ｒの屈折率及び母基板１１Ｒの屈折率より大きくなるように、液体層３３Ｒの材料、プリズム３２Ｒの材料及び母基板１１Ｒの材料が選択された場合、液体層３３Ｒと、プリズム３２Ｒとの界面、及び液体層３３Ｒと、母基板１１Ｒとの界面の何れにおいても界面反射が発生している。したがって、照射源３１Ｌからのレーザー光Ｌ０は、界面反射によるレーザー光の損失により、レーザー光Ｌ１’として、基板１１と積層体１との界面ＫＭに照射される。このように界面反射が生じると、レーザー光の利用効率が低下してしまうので、好ましくない。

　また、図８の（ｃ）に示すように、液体層３３Ｒ’の屈折率が、プリズム３２Ｒ’の屈折率及び母基板１１Ｒ’の屈折率より小さくなるように、液体層３３Ｒ’の材料、プリズム３２Ｒ’の材料及び母基板１１Ｒ’の材料が選択された場合、液体層３３Ｒ’と、プリズム３２Ｒ’との界面、及び液体層３３Ｒ’と、母基板１１Ｒ’との界面の何れにおいても界面反射が発生している。したがって、照射源３１Ｌからのレーザー光Ｌ０は、界面反射によるレーザー光の損失により、レーザー光Ｌ１’’として、基板１１と積層体１との界面ＫＭに照射される。このように界面反射が生じると、レーザー光の利用効率が低下してしまうので、好ましくない。

　図９は、実施形態１の第２変形例である表示装置の製造装置において、レーザー光Ｌ０が、プリズム３２’と、液体層３３と、母基板１１’とを順次通過する様子を模式的に示した図である。

　図９に示すように、母基板１１’の場合、上述した母基板１１の液体層３３側の表面に傾斜屈折率構造をさらに備えている点において、上述した母基板１１とは異なる。また、プリズム３２’の場合、上述したプリズム３２の液体層３３側の表面に傾斜屈折率構造をさらに備えている点において、上述したプリズム３２とは異なる。なお、傾斜屈折率構造とは、液体層３３に近づくにつれて、当該液体層３３の屈折率の大きさに近づく構造を意味する。

　図９に示すように、傾斜屈折率構造を備えた母基板１１’と、傾斜屈折率構造を備えたプリズム３２’とを用いた場合には、液体層３３と、プリズム３２’との界面、及び液体層３３と、母基板１１’との界面において、何れも界面反射が発生しない。したがって、照射源３１Ｌからのレーザー光Ｌ０は、界面反射によるレーザー光の損失なく、レーザー光Ｌ１として、基板１１’と積層体１との界面ＫＭに照射される。

　なお、上述した母基板１１の液体層３３側の表面（対向表面ＤＨ）及び上述したプリズム３２の液体層３３側の表面を、公知の表面改質処理することにより、傾斜屈折率構造を取り入れてもよい。あるいは、別に作製された、屈折率が断続的に変化する傾斜屈折率構造を、プリズム３２の表面や母基板１１の表面（対向表面ＤＨ）に張り付けてもよい。さらには、母基板１１’及プリズム３２’のそれぞれ自体を、傾斜屈折率構造とし、液体層３３との界面で界面反射の発生を防ぐ構成としてもよい。

　以上のように、図９に示す実施形態１の第２変形例である表示装置の製造装置においては、プリズム３２’及び母基板１１’のそれぞれの少なくとも液体層３３側には、液体層３３に近づくにつれて、当該液体層３３の屈折率の大きさに近づく傾斜屈折率構造が設けられている。

　図１０は、実施形態１の表示装置の製造装置４０に備えらえたプリズム３２に入射されるレーザー光Ｌが平行光である場合における、全反射角（臨界角）以上の角度θを決定する条件を説明するための図である。

　図１０に示す、ｘは、レーザー光Ｌの照射幅であり、θは、レーザー光Ｌが入射されるプリズム３２の入射面とレーザー光Ｌが出射されるプリズム３２の出射面（母基板１１の対向表面ＤＨと対向する面）とが成す角度であり、かつ、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射が生じる全反射角（臨界角）以上の角度である。また、ｄは、母基板１１の厚さであり、ａは、レーザー光Ｌの母基板１１内の光路長であり、２ａは、レーザー光Ｌの母基板１１内の往復光路長であり、ｂは、レーザー光Ｌの母基板１１への入射幅である。なお、プリズム３２の入射面に入射されるレーザー光Ｌは、平行光であるものとし、さらに、レーザー光Ｌは、プリズム３２の入射面に対して、垂直に入射されるものとする。

　図１０において点線で示すように、プリズム３２の出射面（母基板１１の対向表面ＤＨと対向する面）の図中の左右方向の幅が、すなわち、プリズム３２の長手方向と直交する方向に沿って切断した断面における下辺の長さが、母基板１１内の往復光路長２ａ以上である場合、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射されたレーザー光がプリズム３２を通じて外部へ出てしまう。したがって、プリズム３２の長手方向と直交する方向に沿って切断した断面における下辺の長さは、母基板１１内の往復光路長２ａ未満である必要がある。

　プリズム３２の長手方向と直交する方向に沿って切断した断面における下辺の長さは、レーザー光Ｌの母基板１１への入射幅ｂとすることが好ましいので、２ａ＞ｂとなる。

　母基板１１内の往復光路長２ａを、母基板１１の厚さｄと上述した角度θとから求めると、２ａ＝２ｄ×tanθとなる。また、レーザー光Ｌの母基板１１への入射幅ｂを、レーザー光Ｌの照射幅ｘと上述した角度θとから求めると、ｂ＝ｘ/cosθとなる。

　以上から、（２ｄ×tanθ）＞（ｘ/cosθ）となり、２ｄ×sinθ＞ｘという式（Ａ）を得ることができる。

　既知の値である、母基板１１の厚さｄと、レーザー光Ｌの照射幅ｘとから、上記式（Ａ）を満たす全反射角（臨界角）以上の角度θを決定することで、母基板１１内でレーザー光Ｌを繰り返し全反射させることができる。

　なお、図１０におけるレーザー光ＬのスポットＳＰＴ１・ＳＰＴ２の各々は、母基板１１と積層体１との界面に、一度に照射されるレーザー光Ｌの大きさである。

　図１１は、実施形態１の表示装置の製造装置４０に備えらえたプリズム３２に入射されるレーザー光Ｌが拡がり光である場合における、全反射角（臨界角）以上の角度θを決定する条件を説明するための図である。

　図１１に示す、ｘは、プリズム３２に入射されるレーザー光Ｌが平行光である場合のレーザー光Ｌの照射幅であり、ｘ’は、プリズム３２に入射されるレーザー光Ｌが、ディクリネーション角φ（φ＞０）、すなわち、拡がり角φを有する拡がり光である場合のレーザー光Ｌの照射幅である。θ-φは、レーザー光Ｌが入射されるプリズム３２の入射面とレーザー光が出射されるプリズム３２の出射面（母基板１１の対向表面ＤＨと対向する面）とが成す角度であり、かつ、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射が生じる全反射角（臨界角）以上の角度である。また、ｄは、母基板１１の厚さであり、ａは、母基板１１と積層体１との界面に垂直な方向に対してθ-φの角度で入射されるレーザー光の母基板１１内の光路長であり、２ａは、母基板１１と積層体１との界面に垂直な方向に対してθ-φの角度で入射されるレーザー光の母基板１１内の往復光路長であり、３ａは、母基板１１と積層体１との界面に垂直な方向に対してθ-φの角度で入射されるレーザー光の母基板１１内の１往復と１片道の光路長である。なお、ａ’は、母基板１１と積層体１との界面に垂直な方向に対してθ＋φの角度で入射されるレーザー光の母基板１１内の光路長であり、ｂは、拡がり角φを有するレーザー光の母基板１１への入射幅である。

　図１１において点線で示すように、プリズム３２の出射面（母基板１１の対向表面ＤＨと対向する面）の図中の左右方向の幅が、すなわち、プリズム３２の長手方向と直交する方向に沿って切断した断面における下辺の長さが、母基板１１内の往復光路長２ａ以上である場合、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射されたレーザー光がプリズム３２を通じて外部へ出てしまう。したがって、プリズム３２の長手方向と直交する方向に沿って切断した断面における下辺の長さは、母基板１１内の往復光路長２ａ未満である必要がある。

　プリズム３２の長手方向と直交する方向に沿って切断した断面における下辺の長さは、レーザー光の母基板１１への入射幅ｂとすることが好ましいので、２ａ＞ｂとなる。

　母基板１１内の往復光路長２ａを、母基板１１の厚さｄと上述した角度θ-φとから求めると、２ａ＝２ｄ×tan（θ-φ）となる。また、レーザー光の母基板１１への入射幅ｂを、レーザー光の照射幅ｘと上述した角度θとから求めると、ｂ＝ｘ/cosθとなる。

　以上から、（２ｄ×tan（θ-φ））＞（ｘ/cosθ）となり、２ｄ×cosθ×tan（θ-φ）＞ｘという式（Ｂ）を得ることができる。

　また、図１１に示すように、レーザー光ＬのスポットＳＰＴ１・ＳＰＴ２・ＳＰＴ３・ＳＰＴ４同士が重なる条件は、３ａ＜ｂ＋ａ’である。３ａは３ｄ×tan（θ-φ）であり、ｂは（ｘ/cosθ）であり、ａ’は、ｄ×tan（θ＋φ）であるので、ｄ×cosθ×（３tan（θ-φ）－tan（θ＋φ））＜ｘという式（Ｃ）を得ることができる。

　したがって、上記式（Ｂ）及び上記式（Ｃ）から、ｄ×cosθ×（３tan（θ-φ）－tan（θ＋φ））＜ｘ＜２ｄ×cosθ×tan（θ-φ）という式（Ｄ）を得ることができる。

　既知の値である、母基板１１の厚さｄと、レーザー光の照射幅ｘと、ディクリネーション角φとから、上記式（Ｄ）を満たす全反射角（臨界角）以上の角度θを決定することで、母基板１１内でレーザー光を繰り返し全反射させることができる。

　本実施形態の表示装置の製造方法は、所定波長領域の光を通す母基板１１に、発光素子層５を含む積層体１を形成する積層体形成工程と、母基板１１の積層体１が形成された面と対向する対向表面ＤＨ側に設けられた照射源からのレーザー光Ｌ０を、対向表面ＤＨ側に設けられたプリズム３２と、対向表面ＤＨとプリズム３２との間に設けられた液体層３３と、母基板１１とを順次通過させて、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに垂直な方向の線ＫＭ’（母基板１１と積層体１との界面ＫＭに垂直な方向）に対して全反射角（臨界角）以上の角度θで、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに照射し、かつ、エバネッセント光Ｌ２により、母基板１１から積層体１を剥離する剥離工程と、を含む。

　さらに、本実施形態の表示装置の製造方法は、前記剥離工程においては、前記照射源及びプリズム３２と、積層体１を含む母基板１１とのうちの一方を、他方に対して、移動しながら、前記照射源からのレーザー光Ｌ０を、プリズム３２と、液体層３３と、母基板１１とを順次通過させ、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに垂直な方向の線ＫＭ’（母基板１１と積層体１との界面ＫＭに垂直な方向）に対して全反射角（臨界角）以上の角度θで、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに照射し、かつ、エバネッセント光Ｌ２により、母基板１１から積層体１を剥離する。

　さらに、本実施形態の表示装置の製造方法は、前記剥離工程においては、前記照射源及びプリズム３２と、積層体１を含む母基板１１とのうちの一方は、他方に対して、第１方向Ｄ１及び第１方向Ｄ１とは異なる第２方向Ｄ２に移動され、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに対する、第１方向Ｄ１に移動中のレーザー光の入射方向と、第２方向Ｄ２に移動中のレーザー光の入射方向とは、異なることが好ましい。

　〔実施形態２〕
　次に、図１２及び図１３に基づき、本発明の実施形態２について説明する。本実施形態の表示装置の製造装置４０’は、母基板１１と積層体１との界面ＫＭからの全反射光を検出する検出器３９を、さらに備えている点において、実施形態１とは異なり、その他については実施形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１２の（ａ）及び図１２の（ｂ）は、検出器３９をさらに備えた実施形態２の表示装置の製造装置４０’の概略構成を示す図である。

　図１２の（ａ）及び図１２の（ｂ）に示すように、表示装置の製造装置４０’は、母基板１１の対向表面ＤＨ側に、母基板１１と積層体１との界面ＫＭからの全反射光を検出する検出器３９を、備えている。

　表示装置の製造装置４０’においては、母基板１１と積層体１との界面ＫＭからの全反射光Ｌ６・Ｌ６’を、検出器３９で検出できるように、プリズム３２及び液体層３３を、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射されたレーザー光の光路と重畳させている。

　なお、照射装置３１に備えられた照射源からのレーザー光Ｌ０の全反射光の一部を検出器３９で検出できればよいので、レーザー光Ｌ０の母基板１１と積層体１との界面ＫＭからの全反射光の一部のみが、母基板１１と液体層３３とプリズム３２とを通過して、検出器３９に入射されればよい。

　本実施形態においては、検出器３９が検出する全反射光Ｌ６・Ｌ６’が、照射装置３１に備えられた照射源からのレーザー光Ｌ０の全反射光である場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。例えば、表示装置の製造装置４０’は、母基板１１の対向表面ＤＨ側に、上述したレーザー光Ｌ０以外に、赤外光、紫外光及び可視光の少なくとも一つを照射する第２照射源３１Ｌ’を、さらに備えていてもよく、この場合、検出器３９が検出する全反射光は、前記赤外光、前記紫外光及び前記可視光の少なくとも一つである。なお、赤外光、紫外光及び可視光の少なくとも一つを照射する第２照射源３１Ｌ’は、レーザー光Ｌ０を照射する照射源３１Ｌとともに、照射装置３１に含まれていてもよい。

　なお、赤外光、紫外光及び可視光の少なくとも一つを照射する第２照射源３１Ｌ’は、レーザー光Ｌ０を照射する照射源３１Ｌと同時に照射するようにする必要はなく、独立的に照射してもよい。

　図１２の（ａ）に示すように、検出器３９で検出される全反射光Ｌ６が、母基板１１の対向表面ＤＨに存在する欠陥ＤＥＦの影響を受けていない場合には、検出器３９では比較的強い光が検出される。一方、図１２の（ｂ）に示すように、検出器３９で検出される全反射光Ｌ６’が、母基板１１の対向表面ＤＨに存在する欠陥ＤＥＦの影響を受けている場合（欠陥ＤＥＦによって一部のレーザー光Ｌ０が散乱光Ｌ３となった場合）には、検出器３９では比較的弱い光が検出される。

　したがって、表示装置の製造装置４０’の場合、検出器３９を備えているので、検出器３９によって、母基板１１の対向表面ＤＨのどの位置に欠陥ＤＥＦが存在するかを把握することができる。上述したように、母基板１１において、欠陥ＤＥＦが存在する部分の周辺では、レーザー光の照射量不足による母基板１１と積層体１との界面ＫＭでの剥離不具合が発生しやすいため、母基板１１の対向表面ＤＨのどの位置に欠陥ＤＥＦが存在するかを把握できれば、追加のレーザー光の照射をどの位置で行えばよいかも把握できる。

　図１３の（ａ）は、表示装置の製造装置４０’が、照射源３１Ｌを含む照射装置３１及びプリズム３２と、積層体１を含む母基板１１とのうちの一方を、他方に対して、第１方向Ｄ１に相対的に移動しながら、レーザー光を照射する場合を示す図であり、図１３の（ｂ）は、表示装置の製造装置４０’が、照射源３１Ｌを含む照射装置３１及びプリズム３２と、積層体１を含む母基板１１とのうちの一方を、他方に対して、第２方向Ｄ２に相対的に移動しながら、レーザー光を照射する場合を示す図である。

　図１３の（ａ）に示すように、表示装置の製造装置４０’は、例えば、照射源３１Ｌを含む照射装置３１及びプリズム３２が、積層体１を含む母基板１１に対して、第１方向Ｄ１に相対的に移動時に、母基板１１における照射源からのレーザー光の通過を妨害する欠陥ＤＥＦの位置を、検出器３９が検出できる。そして、検出器３９が検出した母基板１１における照射源３１Ｌからのレーザー光の通過を妨害する欠陥ＤＥＦの位置に関するデータに基づいて、図１３の（ｂ）に示すように、第２方向Ｄ２へ移動しながらレーザー光の照射を開始する位置を決定することができる。すなわち、母基板１１の対向表面ＤＨに欠陥ＤＥＦが存在する特定領域Ｒ１についてのみ追加のレーザー光の照射を行うことができるので、剥離工程にかかる工程時間を短縮することができる。

　なお、表示装置の製造装置４０’の場合も、図６の（ａ）及び図６の（ｂ）に示す表示装置の製造装置４０の場合と同様に、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに対する、第１方向Ｄ１に移動中のレーザー光の入射方向と、第２方向Ｄ２に移動中のレーザー光の入射方向とが、異なるようにし、欠陥ＤＥＦの影響による第１方向Ｄ１に移動中のレーザー光の不十分な照射量を、第２方向Ｄ２に移動中のレーザー光の照射量で補うようにすることが好ましい。

　〔実施形態３〕
　次に、図１４及び図１５に基づき、本発明の実施形態３について説明する。本実施形態の表示装置の製造装置４０’’に備えられたプリズム３２’’は、例えば、台形状に構成されており、母基板１１と積層体１との界面ＫＭからの全反射光Ｌ６を、プリズム３２’’の内部で反射して、再帰光Ｌ７として、母基板１１側に照射し、再帰光Ｌ７は、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに垂直な方向の線ＫＭ’に対して全反射角（臨界角）以上の角度θで、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに照射され、かつ、エバネッセント光Ｌ８により、母基板１１から積層体１を剥離させる点において、実施形態１及び２とは異なり、その他については実施形態１及び２において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１及び２の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１４は、実施形態３の表示装置の製造装置４０’’の概略構成を示す図である。

　図１４に示すように、表示装置の製造装置４０’’に備えられたプリズム３２’’は、母基板１１と積層体１との界面ＫＭからの全反射光Ｌ６を、プリズム３２’’の内部で反射して、再帰光Ｌ７として、母基板１１側に照射する。再帰光Ｌ７は、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに垂直な方向の線ＫＭ’（母基板１１と積層体１との界面ＫＭに垂直な方向）に対して全反射角（臨界角）以上の角度θで、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに照射され、かつ、エバネッセント光Ｌ８により、母基板１１から積層体１を剥離させる。母基板１１の対向表面ＤＨに欠陥ＤＥＦが存在する箇所では、全反射されたレーザー光の一部が欠陥ＤＥＦによって散乱光Ｌ９となり、残りの一部がレーザー光Ｌ１０として、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに照射されるが、レーザー光Ｌ１０・Ｌ１２は弱く、エバネッセント光Ｌ１１も、母基板１１から積層体１を剥離させるには不十分である。

　したがって、表示装置の製造装置４０’’の場合も、図６の（ａ）及び図６の（ｂ）に示す表示装置の製造装置４０の場合と同様に、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに対する、第１方向Ｄ１に移動中のレーザー光の入射方向と、第２方向Ｄ２に移動中のレーザー光の入射方向とが、異なるようにし、欠陥ＤＥＦの影響による第１方向Ｄ１に移動中のレーザー光の不十分な照射量を、第２方向Ｄ２に移動中のレーザー光の照射量で補うようにすることが好ましい。

　表示装置の製造装置４０’’の場合、図１４に示すように、長手方向と直交する方向に沿って切断した断面が台形状であるプリズム３２’’を備えており、プリズム３２’’を用いて、母基板１１と積層体１との界面ＫＭからの１次全反射の戻り光Ｌ６を、再帰光Ｌ７として、もう一度、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射するように、再利用することができる。したがって、欠陥ＤＥＦによる散乱や母基板１１自身の吸光による減衰がない限り、再帰光Ｌ７を、母基板１１内で全反射で伝搬させることができる。

　図１５は、実施形態３の表示装置の製造装置４０’’に備えらえたプリズム３２’’の好ましい形状を説明するための図である。

　図１５に示す、ｘは、レーザー光Ｌの照射幅であり、θは、レーザー光Ｌが入射されるプリズム３２’’の入射面とレーザー光Ｌが出射されるプリズム３２’’の出射面（母基板１１の対向表面ＤＨと対向する面）とが成す角度であり、かつ、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射が生じる全反射角（臨界角）以上の角度である。ｄは、母基板１１の厚さであり、ｄ’は、プリズム３２’’の入射面以外の部分の厚さである。ａは、レーザー光Ｌの母基板１１内の光路長であり、２ａは、レーザー光Ｌの母基板１１内の往復光路長であり、ａ’は、全反射されたレーザー光のプリズム３２’’内の光路長であり、２ａ’は、全反射されたレーザー光のプリズム３２’’内の往復光路長であり、ｂは、レーザー光Ｌの母基板１１への入射幅である。なお、プリズム３２’’の入射面に入射されるレーザー光Ｌは、平行光であるものとし、さらに、レーザー光Ｌは、プリズム３２’’の入射面に対して、垂直に入射されるものとする。

　図１５において点線で示すように、プリズム３２’’の出射面（母基板１１の対向表面ＤＨと対向する面）の図中の左右方向の幅が、すなわち、プリズム３２’’の長手方向と直交する方向に沿って切断した断面における下辺の長さが、２ａ＋２ａ’＋２ａ以上である場合、母基板１１と積層体１との界面ＫＭで全反射されたレーザー光がプリズム３２’’を通じて外部へ出てしまう。したがって、プリズム３２’’の長手方向と直交する方向に沿って切断した断面における下辺の長さは、２ａ＋２ａ’＋２ａ未満である必要がある。

　また、プリズム３２’’の長手方向と直交する方向に沿って切断した断面における下辺の長さが、ｂ＋２ａ＋２ａ’以下である場合、レーザー光Ｌの照射幅ｘに対して、プリズム３２’’の内部で反射した後の母基板１１への入射幅が不足する。

　したがって、プリズム３２’’の長手方向と直交する方向に沿って切断した断面における下辺の長さＺは、下記式（Ｅ）を満たすことが好ましい。

　（ｂ＋２ａ＋２ａ’）＜Ｚ＜（４ａ＋２ａ’）　　式（Ｅ）
　なお、ｂ＝ｘ/cosθであり、２ａ＝２ｄ×tanθであり、２ａ’＝２ｄ’×tanθであるので、プリズム３２’’の長手方向と直交する方向に沿って切断した断面における下辺の長さは、下記式（Ｆ）となる。

　（ｘ/cosθ＋（２ｄ×＋２ｄ’）×tanθ）＜Ｚ＜（４ｄ＋２ｄ’）×tanθ　式（Ｆ）
　なお、本実施形態においては、プリズム３２’’の長手方向と直交する方向に沿って切断した断面における上辺の長さＺ‘を、プリズム３２’’の長手方向と直交する方向に沿って切断した断面における下辺の長さＺ－ｂに設定した場合を一例に挙げて説明するが、母基板１１と積層体１との界面ＫＭからの１次全反射の戻り光を、再帰光として、もう一度、母基板１１と積層体１との界面ＫＭに全反射できる長さであれば、その長さは特に限定されない。

　〔実施形態４〕
　次に、図１６に基づき、本発明の実施形態４について説明する。本実施形態においては、積層体１’’の屈折率が母基板１１’’の屈折率よりも大きく、エバネッセント光を用いずに、照射したレーザー光にてＬＬＯを行う場合、すなわち、表示装置の製造装置が通常ＬＬＯモードである点において、実施形態１とは異なり、その他については実施形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１６の（ａ）、図１６の（ｂ）及び図１６の（ｃ）は、図３に図示した表示装置の製造装置４０が通常ＬＬＯモードで、母基板１１’’から積層体１’’を剥離する場合を説明するための図である。

　図１６の（ａ）に示すように、積層体１１’’の屈折率が１．７で、母基板１１’’の屈折率が１．５である場合、レーザー光Ｌ１は、積層体１’’と母基板１１’’との界面ＫＭのスポットＳＰＴ１において、ＬＬＯ（つまり、母基板１１’’からの積層体１’’の剥離）を生じさせる。そして、図１６の（ｂ）に示すように、ＬＬＯが生じたスポットＳＰＴ１’では、積層体１’’と母基板１１’’との間が微小に離間して空気層（図示せず）が生じる。

　この空気層の屈折率は１．０であり、母基板１１’’の屈折率よりも小さい当該空気層によりレーザー光Ｌ１は、図１６の（ｂ）に示すように、積層体１’’と母基板１１’’との界面ＫＭのスポットＳＰＴ２、すなわち、母基板１１’’内を図の右側に進行しながら、ＬＬＯを生じさせる。そして、図１６の（ｃ）に示すように、ＬＬＯが生じたスポットＳＰＴ２’では、積層体１’’と母基板１１’’との間が微小に離間して空気層（図示せず）が生じる。

　母基板１１’’の屈折率よりも小さい当該空気層によりレーザー光Ｌ１は、図１６の（ｃ）に示すように、積層体１’’と母基板１１’’との界面ＫＭのスポットＳＰＴ３、すなわち、母基板１１’’内を図の右側に進行しながら、ＬＬＯを生じさせる。

　なお、本実施形態においては、上述した実施形態１における表示装置の製造装置４０が通常ＬＬＯモードである場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、上述した実施形態２及び実施形態３の構成でも通常ＬＬＯモードを実現することができるのは勿論である。

　〔まとめ〕
　〔態様１〕
　母基板と、
　前記母基板上に形成された発光素子層を含む積層体と、を備え、
　前記母基板の前記積層体が形成された面と対向する面が、前記母基板の対向表面であり、
　前記対向表面側に設けられて、レーザー光を照射する照射源と、
　前記対向表面側に設けられて、前記レーザー光が照射されるプリズムと、
　前記対向表面と前記プリズムとの間に設けられた液体層とを、さらに備え、
　前記照射源からのレーザー光は、前記プリズムと、前記液体層と、前記母基板とを順次通過して、前記母基板と前記積層体との界面に垂直な方向に対して全反射角以上の角度で、前記母基板と前記積層体との界面に照射され、前記母基板から前記積層体を剥離させる、表示装置の製造装置。

　〔態様２〕
　前記積層体は、前記母基板と接する樹脂層を含むフレキシブル積層体である、態様１に記載の表示装置の製造装置。

　〔態様３〕
　前記積層体を含む前記母基板を移動させる母基板移動機構と、前記プリズムを移動させるプリズム移動機構との少なくとも一方を、さらに備える、態様１または２に記載の表示装置の製造装置。

　〔態様４〕
　前記照射源を移動させる照射源移動機構を、さらに備える、態様１から３の何れかに記載の表示装置の製造装置。

　〔態様５〕
　前記プリズムと、前記積層体を含む前記母基板とのうちの一方は、他方に対して、移動され、
　前記移動中には、前記照射源からのレーザー光は、前記プリズムと、前記液体層と、前記母基板とを順次通過して、前記母基板と前記積層体との界面に垂直な方向に対して全反射角以上の角度で、前記母基板と前記積層体との界面に照射され、前記母基板から前記積層体を剥離させる、態様１から４の何れかに記載の表示装置の製造装置。

　〔態様６〕
　前記プリズムと、前記積層体を含む前記母基板とのうちの一方は、他方に対して、第１方向及び前記第１方向とは異なる第２方向に移動され、
　前記母基板と前記積層体との界面に対する前記レーザー光の入射方向は、前記第１方向に移動中と、前記第２方向に移動中とで、異なる、態様５に記載の表示装置の製造装置。

　〔態様７〕
　前記対向表面側に、前記母基板と前記積層体との界面からの全反射光を検出する検出器を、さらに備える、態様１から６の何れかに記載の表示装置の製造装置。

　〔態様８〕
　前記検出器が検出する前記全反射光は、前記レーザー光である、態様７に記載の表示装置の製造装置。

　〔態様９〕
　前記対向表面側に設けられて、赤外光、紫外光及び可視光の少なくとも一つを照射する第２照射源を、さらに備え、
　前記検出器が検出する前記全反射光は、前記赤外光、前記紫外光及び前記可視光の少なくとも一つである、態様７に記載の表示装置の製造装置。

　〔態様１０〕
　前記照射源と、前記第２照射源とは、一つの照射装置に含まれている、態様９に記載の表示装置の製造装置。

　〔態様１１〕
　前記液体層は、少なくとも前記プリズムと重畳し、前記母基板と前記積層体との界面で全反射されたレーザー光の光路とは、重畳しない、態様１から６の何れかに記載の表示装置の製造装置。

　〔態様１２〕
　前記プリズムは、長手方向と直交する方向に沿って切断した断面が三角形状である、態様１から１１の何れかに記載の表示装置の製造装置。なお、ここでいう三角形状には、例えば、母基板と積層体との界面と、前記界面に対して成す角が臨界角以上になるレーザーの入射光線が法線となる面との２面に垂直な面に切断した断面の形状が概三角形であるものを含み、その頂点が丸みを帯びて形成されたものも含む。

　〔態様１３〕
　前記プリズムは、長手方向と直交する方向に沿って切断した断面が台形状である、態様１から１０の何れかに記載の表示装置の製造装置。なお、ここでいう台形状には、例えば、母基板と積層体との界面と、前記界面に対して成す角が臨界角以上になるレーザーの入射光線を法線となる面との２面に垂直な面に切断した断面の形状が概台形であるものを含み、その頂点が丸みを帯びて形成されたものも含む。

　〔態様１４〕
　前記プリズムは、前記母基板と前記積層体との界面からの全反射光を、前記プリズムの内部で反射して、再帰光として、前記母基板側に照射し、
　前記再帰光は、前記母基板と前記積層体との界面に垂直な方向に対して全反射角以上の角度で、前記母基板と前記積層体との界面に照射され、前記母基板から前記積層体を剥離させる、態様１３に記載の表示装置の製造装置。

　〔態様１５〕
　前記液体層は、水または有機溶媒である、態様１から１４の何れかに記載の表示装置の製造装置。

　〔態様１６〕
　前記液体層は、フッ素含有有機溶媒である、態様１から１４の何れかに記載の表示装置の製造装置。

　〔態様１７〕
　前記プリズム及び前記母基板のそれぞれの少なくとも前記液体層側には、前記液体層に近づくにつれて、当該液体層の屈折率の大きさに近づく傾斜屈折率構造が設けられている、態様１から１６の何れかに記載の表示装置の製造装置。

　〔態様１８〕
　前記積層体の屈折率が前記母基板の屈折率よりも小さく、
　前記照射源からのレーザー光は、前記プリズムと、前記液体層と、前記母基板とを順次通過して、前記母基板と前記積層体との界面に垂直な方向に対して全反射角以上の角度で、前記母基板と前記積層体との界面に照射され、かつ、エバネッセント光により、前記母基板から前記積層体を剥離させる、態様１から１７の何れかに記載の表示装置の製造装置。

　〔態様１９〕
　所定波長領域の光を通す母基板に、発光素子層を含む積層体を形成する積層体形成工程と、
　前記母基板の前記積層体が形成された面と対向する対向表面側に設けられた照射源からのレーザー光を、前記対向表面側に設けられたプリズムと、前記対向表面と前記プリズムとの間に設けられた液体層と、前記母基板とを順次通過させて、前記母基板と前記積層体との界面に垂直な方向に対して全反射角以上の角度で、前記母基板と前記積層体との界面に照射し、前記母基板から前記積層体を剥離する剥離工程と、を含む、表示装置の製造方法。

　〔態様２０〕
　前記剥離工程においては、前記プリズムと、前記積層体を含む前記母基板とのうちの一方を、他方に対して、移動しながら、前記照射源からのレーザー光を、前記プリズムと、前記液体層と、前記母基板とを順次通過させ、前記母基板と前記積層体との界面に垂直な方向に対して全反射角以上の角度で、前記母基板と前記積層体との界面に照射し、前記母基板から前記積層体を剥離する、態様１９に記載の表示装置の製造方法。

　〔態様２１〕
　前記剥離工程においては、前記プリズムと、前記積層体を含む前記母基板とのうちの一方は、他方に対して、第１方向及び前記第１方向とは異なる第２方向に移動され、
　前記母基板と前記積層体との界面に対する前記レーザー光の入射方向は、前記第１方向に移動中と、前記第２方向に移動中とで、異なる、態様２０に記載の表示装置の製造方法。

　〔態様２２〕
　前記剥離工程においては、前記液体層を、少なくとも前記プリズムと重畳し、前記母基板と前記積層体との界面で全反射されたレーザー光の光路とは、重畳しないように、形成及び除去する、態様１９から２１の何れかに記載の表示装置の製造方法。

　〔態様２３〕
　前記剥離工程においては、前記第１方向への移動時に、検出器が検出した前記母基板における前記照射源からのレーザー光の通過を妨害する欠陥の位置に関するデータに基づいて、前記第２方向へ移動しながら前記レーザー光の照射を開始する位置を決定する、態様２１に記載の表示装置の製造方法。

　〔態様２４〕
　前記剥離工程においては、前記母基板と前記積層体との界面に生じたエバネッセント光を用いて、前記母基板からの前記積層体の剥離が行われる、態様１９から２３の何れかに記載の表示装置の製造方法。

　〔付記事項〕
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

　本発明は、表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法に利用することができる。

　１、１’’　積層体（表示装置）
　５　　　　　　　発光素子層
　１１、１１’、１１’’　ガラス基板（母基板）
　３０　　　　　　照射対象基板
　３１　　　　　　照射装置
　３１Ｌ　　　　　照射源
　３１Ｌ’　　　　第２照射源
　３１’　　　　　第２照射装置
　３２、３２’、３２’’　プリズム
　３３　　　　　　液体層
　３４　　　　　　プリズム移動機構
　３５ａ、３５ｂ　母基板移動機構
　３９　　　　　　検出器
　４０、４０’　　表示装置の製造装置
　４０’’　　　　表示装置の製造装置
　４１　　　　　　表示装置の製造装置
　ＤＨ　　　　母基板の対向表面
　ＫＭ　　　　母基板と積層体との界面
　ＫＭ’　　　母基板と積層体との界面に垂直な方向の線
　Ｌ０、Ｌ１、Ｌ４　レーザー光
　Ｌ２、Ｌ５、Ｌ８、Ｌ１１　エバネッセント光
　Ｌ６、Ｌ６’　全反射されたレーザー光
　Ｌ７　　　　再帰光
　Ｌ３、Ｌ９　散乱光
　θ　　　　　全反射角以上の角度
　ＤＥＦ　　　欠陥
　Ｄ１　　　　第１方向
　Ｄ２　　　　第２方向

Claims

　母基板と、
　前記母基板上に形成された発光素子層を含む積層体と、を備え、
　前記母基板の前記積層体が形成された面と対向する面が、前記母基板の対向表面であり、
　前記対向表面側に設けられて、レーザー光を照射する照射源と、
　前記対向表面側に設けられて、前記レーザー光が照射されるプリズムと、
　前記対向表面と前記プリズムとの間に設けられた液体層とを、さらに備え、
　前記照射源からのレーザー光は、前記プリズムと、前記液体層と、前記母基板とを順次通過して、前記母基板と前記積層体との界面に垂直な方向に対して全反射角以上の角度で、前記母基板と前記積層体との界面に照射され、前記母基板から前記積層体を剥離させる、表示装置の製造装置。
　前記積層体は、前記母基板と接する樹脂層を含むフレキシブル積層体である、請求項１に記載の表示装置の製造装置。
　前記積層体を含む前記母基板を移動させる母基板移動機構と、前記プリズムを移動させるプリズム移動機構との少なくとも一方を、さらに備える、請求項１または２に記載の表示装置の製造装置。
　前記照射源を移動させる照射源移動機構を、さらに備える、請求項１から３の何れか１項に記載の表示装置の製造装置。
　前記プリズムと、前記積層体を含む前記母基板とのうちの一方は、他方に対して、移動され、
　前記移動中には、前記照射源からのレーザー光は、前記プリズムと、前記液体層と、前記母基板とを順次通過して、前記母基板と前記積層体との界面に垂直な方向に対して全反射角以上の角度で、前記母基板と前記積層体との界面に照射され、前記母基板から前記積層体を剥離させる、請求項１から４の何れか１項に記載の表示装置の製造装置。
　前記プリズムと、前記積層体を含む前記母基板とのうちの一方は、他方に対して、第１方向及び前記第１方向とは異なる第２方向に移動され、
　前記母基板と前記積層体との界面に対する前記レーザー光の入射方向は、前記第１方向に移動中と、前記第２方向に移動中とで、異なる、請求項５に記載の表示装置の製造装置。
　前記対向表面側に、前記母基板と前記積層体との界面からの全反射光を検出する検出器を、さらに備える、請求項１から６の何れか１項に記載の表示装置の製造装置。
　前記検出器が検出する前記全反射光は、前記レーザー光である、請求項７に記載の表示装置の製造装置。
　前記対向表面側に設けられて、赤外光、紫外光及び可視光の少なくとも一つを照射する第２照射源を、さらに備え、
　前記検出器が検出する前記全反射光は、前記赤外光、前記紫外光及び前記可視光の少なくとも一つである、請求項７に記載の表示装置の製造装置。
　前記照射源と、前記第２照射源とは、一つの照射装置に含まれている、請求項９に記載の表示装置の製造装置。
　前記液体層は、少なくとも前記プリズムと重畳し、前記母基板と前記積層体との界面で全反射されたレーザー光の光路とは、重畳しない、請求項１から６の何れか１項に記載の表示装置の製造装置。
　前記プリズムは、長手方向と直交する方向に沿って切断した断面が三角形状である、請求項１から１１の何れか１項に記載の表示装置の製造装置。
　前記プリズムは、長手方向と直交する方向に沿って切断した断面が台形状である、請求項１から１０の何れか１項に記載の表示装置の製造装置。
　前記プリズムは、前記母基板と前記積層体との界面からの全反射光を、前記プリズムの内部で反射して、再帰光として、前記母基板側に照射し、
　前記再帰光は、前記母基板と前記積層体との界面に垂直な方向に対して全反射角以上の角度で、前記母基板と前記積層体との界面に照射され、前記母基板から前記積層体を剥離させる、請求項１３記載の表示装置の製造装置。
　前記液体層は、水または有機溶媒である、請求項１から１４の何れか１項に記載の表示装置の製造装置。
　前記液体層は、フッ素含有有機溶媒である、請求項１から１４の何れか１項に記載の表示装置の製造装置。
　前記プリズム及び前記母基板のそれぞれの少なくとも前記液体層側には、前記液体層に近づくにつれて、当該液体層の屈折率の大きさに近づく傾斜屈折率構造が設けられている、請求項１から１６の何れか１項に記載の表示装置の製造装置。
　前記積層体の屈折率が前記母基板の屈折率よりも小さく、
　前記照射源からのレーザー光は、前記プリズムと、前記液体層と、前記母基板とを順次通過して、前記母基板と前記積層体との界面に垂直な方向に対して全反射角以上の角度で、前記母基板と前記積層体との界面に照射され、かつ、エバネッセント光により、前記母基板から前記積層体を剥離させる、請求項１から１７の何れか１項に記載の表示装置の製造装置。
　所定波長領域の光を通す母基板に、発光素子層を含む積層体を形成する積層体形成工程と、
　前記母基板の前記積層体が形成された面と対向する対向表面側に設けられた照射源からのレーザー光を、前記対向表面側に設けられたプリズムと、前記対向表面と前記プリズムとの間に設けられた液体層と、前記母基板とを順次通過させて、前記母基板と前記積層体との界面に垂直な方向に対して全反射角以上の角度で、前記母基板と前記積層体との界面に照射し、前記母基板から前記積層体を剥離する剥離工程と、を含む、表示装置の製造方法。
　前記剥離工程においては、前記プリズムと、前記積層体を含む前記母基板とのうちの一方を、他方に対して、移動しながら、前記照射源からのレーザー光を、前記プリズムと、前記液体層と、前記母基板とを順次通過させ、前記母基板と前記積層体との界面に垂直な方向に対して全反射角以上の角度で、前記母基板と前記積層体との界面に照射し、前記母基板から前記積層体を剥離する、請求項１９に記載の表示装置の製造方法。
　前記剥離工程においては、前記プリズムと、前記積層体を含む前記母基板とのうちの一方は、他方に対して、第１方向及び前記第１方向とは異なる第２方向に移動され、
　前記母基板と前記積層体との界面に対する前記レーザー光の入射方向は、前記第１方向に移動中と、前記第２方向に移動中とで、異なる、請求項２０に記載の表示装置の製造方法。
　前記剥離工程においては、前記液体層を、少なくとも前記プリズムと重畳し、前記母基板と前記積層体との界面で全反射されたレーザー光の光路とは、重畳しないように、形成及び除去する、請求項１９から２１の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
　前記剥離工程においては、前記第１方向への移動時に、検出器が検出した前記母基板における前記照射源からのレーザー光の通過を妨害する欠陥の位置に関するデータに基づいて、前記第２方向へ移動しながら前記レーザー光の照射を開始する位置を決定する、請求項２１に記載の表示装置の製造方法。
　前記剥離工程においては、前記母基板と前記積層体との界面に生じたエバネッセント光を用いて、前記母基板からの前記積層体の剥離が行われる、請求項１９から２３の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。