CN107408935A - 晶体振子 - Google Patents

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Abstract

晶体振子(1)具备：晶体振动元件(100)，其包含晶体坯(110)、包围晶体坯(110)的外周的框体(120)以及连结框体(120)与晶体坯(110)的连结部件(111a、111b)；盖部件(200)；以及基座部件(300)，多个外部电极(322、324、326、328)中第一以及第二外部电极(324、328)的至少一个在连结有连结部件(111a、111b)的一侧，形成在框体(120)、盖部件(200)以及基座部件(300)各自的端面，并且，机械品质因数Qm比上述框体小。

Description

晶体振子
技术领域
本发明涉及晶体振子。
背景技术
对振荡装置、带通滤波器等所使用的基准信号的信号源广泛地使用以厚度切变振动为主振动的晶体振子。另外，如专利文献1所公开的那样，作为晶体振子的一方式，已知有在由AT切晶体材料构成的压电基板的表里主面分别通过密封材料接合盖部以及基座部，设置于基座部的外部电极经由形成在基座部的四角的雉堞的贯通电极与压电基板的引出电极电连接的构成。
然而，根据这样的构成，有从压电基板经由密封材料向盖部以及基座部的上下的基材漏出的励振振动被各基材的端面(外周侧面)反射，由于这样的反射波的影响而导致压电基板的特性劣化的情况。即在以往的构成中有通过无用振动的产生而损害晶体振子的品质的情况。
专利文献1：日本特开2012－90081号公报
发明内容
本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于通过降低无用振动实现晶体振子的品质的提高。
本发明所涉及的晶体振子具备：晶体振动元件，其包含在第一面和第二面分别设置有第一励振电极和第二励振电极的晶体坯、包围晶体坯的外周的框体、以及连结框体和晶体坯的连结部件；盖部件，其与晶体坯的第一面对置地配置，并与框体的整周接合；以及基座部件，其与晶体坯的第二面对置地配置，并与框体的整周接合，基座部件在与晶体振动元件对置的面相反侧的面具有能够与外部电连接的多个外部电极，多个外部电极具有与第一励振电极电连接的第一外部电极、和与第二励振电极电连接的第二外部电极，盖部件以及基座部件分别由晶体或者玻璃形成，第一外部电极以及第二外部电极的至少一个在设置有连结部件的一侧，形成在框体、盖部件以及基座部件各自的端面，并且机械品质因数Qm比框体小。
根据上述构成，在设置有连结部件的一侧，在框体、盖部件以及基座部件各自的端面形成外部电极，并且该外部电极的机械品质因数Qm比框体小。由此从晶体振动元件漏出的振动中的、从盖部件以及基座部件的端部向外部电极传播的振动能量在外部电极内被消耗，能够使通过外部电极而衰减的反射波反射。因此，能够使这样的反射波的影响缓和或者分散，能够抑制晶体振动元件的特性劣化，能够实现晶体振子的品质的提高。
在上述晶体振子中，第一外部电极以及第二外部电极的至少一个可以形成至盖部件的端面的上侧边缘。
在上述晶体振子中，第一外部电极以及第二外部电极的至少一个可以经由盖部件的端面形成在盖部件的与晶体振动元件对置的面相反的面。
在上述晶体振子中，在框体可以设置有与第一励振电极或者第二励振电极电连接，并且与框体的外边缘相接的连接电极，第一外部电极以及第二外部电极的至少一个在框体、盖部件以及基座部件各自的端面侧与连接电极连接。
在上述晶体振子中，框体、盖部件以及基座部件可以均具有俯视时大致矩形的外形形状。
在上述晶体振子中，框体、盖部件以及基座部件的各端面可以至少在设置有连结部件的一侧位于同一水平面，第一外部电极以及第二外部电极的至少一个被设置为覆盖位于同一平面的各端面。
在上述晶体振子中，第一外部电极以及第二外部电极的至少一个可以在框体的各边中的与设置有连结部件的侧邻接的两边的各侧，形成在框体、盖部件以及基座部件各自的端面。
在上述晶体振子中，盖部件以及基座部件可以为平板。
在上述晶体振子中，晶体坯中除了第一以及第二励振电极的部分的厚度可以与框体的厚度相同。
在上述晶体振子中，第一以及第二外部电极的至少一个可以为机械品质因数Qm比盖部件以及基座部件的任意一个小。
在上述晶体振子中，被框体、盖部件以及基座部件包围的内部空间可以为真空。
根据本发明，能够通过降低无用振动来实现晶体振子的品质的提高。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式所涉及的晶体振子的分解立体图。
图2A是图1的IIA－IIA线剖视图。
图2B是图1的IIB－IIB线剖视图。
图3是本发明的第一实施方式所涉及的基座部件的俯视图。
图4是本发明的第一实施方式所涉及的晶体振子的立体图。
图5是本发明的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。
图6是本发明的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。
图7是本发明的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。
图8是本发明的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。
图9是本发明的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。
图10是本发明的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。
图11是本发明的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。
图12是本发明的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。
图13是本发明的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。
图14是本发明的第二实施方式所涉及的基座部件的俯视图。
图15是本发明的第二实施方式所涉及的晶体振子的立体图。
图16是本发明的第二实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。
图17是本发明的第二实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。
图18是本发明的第二实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。
具体实施方式
以下对本发明的实施方式进行说明。在以下的附图的记载中，相同或者类似的构成要素由相同或者类似的附图标记表示。附图是例示，各部的尺寸、形状是示意的方式，而不应理解为将本申请发明的技术范围限定于该实施方式。
(第一实施方式)
参照图1～图4，对本发明的第一实施方式所涉及的晶体振子进行说明。这里，图1是本实施方式所涉及的晶体振子的分解立体图，图2A是图1的IIA－IIA线剖视图，图2B是图1的IIB－IIB线剖视图，图3是基座部件的俯视图。另外，图4是晶体振子的立体图。此外，在图1中省略基座部件的外部电极。
如图1所示，本实施方式所涉及的晶体振子1具备晶体振动元件100、盖部件200以及基座部件300。
晶体振动元件100例如由AT切晶体基板构成。AT切的晶体基板是在分别将使人工晶体的结晶轴亦即X轴、Y轴、Z轴中的Y轴以及Z轴绕X轴从Y轴向Z轴的方向旋转35度15分±1分30秒后的轴作为Y′轴以及Z′轴的情况下，将与由X轴以及Z′轴确定的面平行的面作为主面切出的基板。使用了AT切晶体基板的晶体振动元件在较宽的温度范围具有极高的频率稳定性，另外，经时变化特性也较优异，且能够以低成本进行制造。另外，AT切晶体振动元件使用厚度切变振动模式(Thickness Shear Mode)作为主振动的情况较多。以下，以AT切割的轴向为基准对晶体振子的各构成进行说明。此外，晶体振动元件100也可以使用由通过AT切割以外的其它的切割方式形成的晶体基板构成的基板。
盖部件200以及基座部件300是用于收纳晶体振动元件100的一部分(晶体坯)的壳体或者外壳。晶体振动元件100、盖部件200以及基座部件300分别具有大致相同的尺寸以及俯视时的外形形状(例如大致矩形的外形形状)。在采用保持晶圆状态进行到晶体坯的封装的制法(也被称为晶圆级CSP：Chip Size Package：芯片尺寸封装。)的情况下，一并切割由相当于盖部件的晶圆、相当于晶体振动元件的晶圆以及相当于基座部件的晶圆构成的三层结构来制造各个晶体振子1，所以晶体振动元件100、盖部件200以及基座部件300实际上具有相同的尺寸以及外形形状。
晶体振动元件100具备晶体坯110、包围晶体坯110的外周的框体120以及连结晶体坯110与框体120的连结部件111a、111b。晶体坯110、框体120以及连结部件111a、111b可以均由AT切晶体基板形成。晶体振动元件100作为整体，具有与X轴方向平行的长边方向、与Z′轴方向平行的短边方向以及与Y′轴方向平行的厚度方向。在图1所示的例子中，连结部件111a、111b均被配置在晶体坯110的长边方向的一端(X轴负方向侧)。即，晶体坯110与框体120分离地设置，且两者通过连结部件111a、111b连结。此外，在图1所示的例子中示出了配置在长边方向的一端侧的两个连结部件，但连结部件的个数、其配置等并不特别限定。
晶体振动元件100的各角102、104、106、108的形状并不特别限定，如图1所示可以是没有切口的角。或者，也可以与图1所示的例子不同，各角形成为具有该角的一部分切断圆筒曲面状(或者雉堞形状)而形成的切口侧面。该情况下，即使在盖部件200以及基座部件300中，各角也可以形成为具有上述切口侧面。这样的切口侧面随着采用被称为晶圆级CSP的保持晶圆状态进行到封装的制法形成的情况较多，该情况下，晶体振动元件100、盖部件200以及基座部件300中的、对应的角的各切口侧面分别在Y′轴方向一致地配置。此外，形成切口侧面的情况下的其形状也可以是圆筒曲面状以外的形状。
在晶体坯110的主面形成有第一以及第二励振电极130、140。晶体坯110中的第一以及第二励振电极130、140对置的部分成为励振部分(除了第一以及第二励振电极130、140的部分)。虽然晶体坯110的厚度并不特别限定，但如图2A所示，晶体坯110的励振部分的厚度也可以与框体120的厚度实际相同。在这样的平板结构的晶体振动元件100中，与台面结构相比振动不容易扩散，容易受到振动泄漏所带来的影响。因此，通过在平板结构采用本实施方式所涉及的构成，能够抑制泄漏振动所引起的无用振动，所以有效。另外，也可以在晶体坯110的沿着主面的法线方向的厚度上，连结部件111a、111b的厚度比晶体坯110的成为励振部分的晶体部分的厚度薄。由此，能够使晶体坯110成为与台面结构类似的构成，所以能够通过框体120的厚度保持晶体振动元件100的机械强度，并实现通过连结部件111a、111b的振动能量的封闭性的提高。
第一励振电极130形成在晶体坯110的第一面112(Y′轴正方向侧的面)，另一方面，第二励振电极140形成在晶体坯110的第二面114(Y′轴负方向侧的面)。第一以及第二励振电极130、140作为一对电极以大致整体重合的方式配置。另外，在框体120的第一面122形成有与第一励振电极130电连接的延出电极132。延出电极132从第一励振电极130通过一个连结部件111a延出，之后通过框体120的第一面122上朝向角108延出，并与形成在框体120的第二面124的连接电极134电连接。另一方面，在框体120的第二面124形成有与第二励振电极140电连接的延出电极142。延出电极142从第二励振电极140通过另一个连结部件111b延出，之后通过框体120的第二面124朝向角104延出，并与形成在框体120的第二面124的连接电极144电连接。这样，在图1所示的例子中，与第一以及第二励振电极130、140电连接的连接电极134、144配置在框体120的对置的角108、104。连接电极134、144与框体120的外边缘相接地设置。
此外，与第一以及第二励振电极130、140电连接的连接电极134、144的配置并不特别限定，例如，也可以配置在框体120的X轴负方向侧的两个角102、104。或者连接电极134、144只要与框体120的外边缘相接即可，也可以配置在框体的除了任意一个角之外的区域。
包含第一以及第二励振电极130、140的上述各电极例如以铬(Cr)层形成基底，并在铬层的表面形成金(Au)层。此外，各电极并不仅限于上述的材料。
盖部件200与晶体坯110的第一面112对置地配置在框体120的第一面122侧，基座部件300与晶体坯110的第二面114对置地配置在框体120的第二面124侧，盖部件200、晶体振动元件100以及基座部件300按照该层叠的顺序呈三层结构。盖部件200具有第一面202、和与第一面202相反并与晶体振动元件100对置的第二面204。另外，基座部件300具有与晶体振动元件100对置的第一面302、和与第一面302相反的第二面304。此外，基座部件300的第二面304也可以是与外部电连接的安装面。
如图3所示，在基座部件300的第二面304在各角形成有外部电极322、324、326、328。具体而言，在X轴负方向侧的两个角形成有外部电极322、324，在X轴正方向侧的两个角形成有外部电极326、328。若晶体振动元件100被安装于基座部件300，则外部电极328经由延出电极132以及连接电极134与第一励振电极130电连接，外部电极324经由延出电极142以及连接电极144与第二励振电极140电连接。剩余的外部电极322、326也可以是不与第一以及第二励振电极130、140的任意一个电连接的虚设电极(或者也称为浮动电极。)，该虚设电极也可以与设置在安装有晶体振子1的基板的端子且不与其它的任意的电子元件连接的端子连接(以下，关于外部电极，与虚设电极的情况相同。)。此外，在图3所示的例子中，与第一以及第二励振电极130、140电连接的外部电极324、328配置在基座部件300的对置的角，但并不限定于此也能够配置在其它的角。另外，在基座部件300的各角形成雉堞形状等的切口侧面的情况下，各外部电极也可以在对应的各角，从基座部件300的第二面304延出至到达切口侧面。此外，图3示出从安装有晶体振动元件的一侧观察到的基座部件300的俯视图。
外部电极322、324、326、328例如由铬(Cr)、金(Au)等形成。其形成方法使用溅射法或者电镀法。此外，外部电极322、324、326、328并不特别限定于上述的材料而能够使用公知的导电材料。其形成方法也能够使用上位的形成方法以外的公知的形成方法。另外，在本实施方式中示出了由四个外部电极构成的四端子结构，但外部电极的数目并不特别限定，例如也可以应用由两个外部电极构成的两端子结构(两端子结构参照后述的第二实施方式)。
盖部件200以及基座部件300也可以是平板的基板。另外，盖部件200以及基座部件300的材质既可以由玻璃(例如硅酸盐玻璃，或者以硅酸盐以外为主成分的材料，且由于升温具有玻璃化转变现象的材料)构成，或者也可以由与晶体振动元件100相同的材质亦即晶体(例如AT切晶体)构成。这样盖部件200以及基座部件300为平板的基板的情况下，基于通过连结部件漏出到盖部件200以及基座部件300的励振振动的振动容易传播到晶体振动元件100。另外，在盖部件200以及基座部件300是与晶体振动元件100相同的材质的情况下，振动容易在两者间传播。即，由于在这些构成的任意一个构成中均需求无用振动的降低，所以若采用本实施方式所涉及的构成则有效。
如图1以及图2A所示，盖部件200经由第一密封部件170与框体120的第一面122的整周接合，另一方面，基座部件300经由第二密封部件172与框体120的第二面124的整周接合。第一以及第二密封部件170、172设置于框体120的各面的整周，从而晶体坯110被密封在内部空间(空腔)。内部空间的压力是比大气压力低压的真空状态能够降低第一励振电极130、第二励振电极140的氧化所引起的经时变化等所以优选。第一以及第二密封部件170、172只要能够将各部件的接合面彼此接合并且密封内部空间则并不限定其材料，例如，既可以是低熔点玻璃(例如铅硼酸系、锡磷酸系等)等玻璃粘合材料，或者也可以使用树脂粘合剂。在使用包含与玻璃粘合材料相比机械品质因数Qm小的树脂材料的粘合材料，与盖部件200以及基座部件300接合框体120的情况下，从框体120经由第一以及第二密封部件170、172传播的振动被粘合材料更大地消耗所以优选。另外，在第一以及第二密封部件170、172从晶体振动元件的端面向内侧具有规定的缝隙的情况下，设置在端面的外部电极324a能够配置为进入到规定的缝隙。该情况下，能够增大引出到端面的布线与外部电极324a的接合面积，所以接合强度提高从而优选。并且，在外部电极324a与第一或者第二密封部件170、172直接接触的情况下，与外部电极324a在与第一或者第二密封部件170、172之间隔有空气层的情况相比，能够减小声学阻抗之差，所以能够减小振动的反射。
在本实施方式中，如图2A所示，在框体120的连结了连结部件111b的X轴负方向侧，外部电极324a(与第二励振电极140电连接)形成在框体120、盖部件200以及基座部件300各自的端面，并且该外部电极324a的机械品质因数Qm比框体120小。由此，从晶体振动元件100的晶体坯110漏出的振动在与框体120相比机械品质因数Qm小的外部电极324a内消耗成热能等。因此，能够使传播到外部电极324a，并从外部电极324a的端面反射的反射波的振动能量衰减，所以能够使这样的反射波的影响缓和或者分散。由此，能够抑制晶体振动元件100的特性由于无用振动而劣化。特别是，晶体振动元件100的振动泄漏经由连结部件111a、111b传播到框体120、盖部件200以及基座部件300，所以通过至少针对连结了连结部件111a、111b的一侧的框体120的一边，在各部件的端面形成外部电极324a，能够有效地降低反射波所引起的无用振动。并且，若是外部电极324a的Qm比框体120、盖部件200以及基座部件300的任意一个的Qm小的构成，则更大地衰减从晶体坯110泄漏的振动能量所以更优选。
另外如图2B所示，外部电极324a在框体120、盖部件200以及基座部件300各自的端面侧，与和框体120的外边缘相接设置的连接电极144(连接电极144经由延出电极142与第二励振电极140电连接。)连连接。另外，如图2B所示，框体120、盖部件200以及基座部件300的各端面在设置有连结部件111b的一侧位于同一水平面，外部电极324a设置为覆盖该位于同一水平面的各端面。据此，能够抑制框体120、盖部件200以及基座部件300的层叠结构的各部件从边界的泄漏产生。因此，也能够实现耐泄漏性的提高。
此外，作为外部电极324a的形成方法，例如既可以通过溅射法等对导电材料进行成膜来形成，也可以在溅射法等之后，进一步通过电镀处理追加形成导电材料。外部电极324a形成在盖部件200、晶体振动元件100以及基座部件300各自的端面。具体而言，能够在采用上述的被称为晶圆级CSP的制法，经由第一以及第二密封部件170、172将各晶圆相互接合，其后通过进行切割得到的由盖部件200、晶体振动元件100以及基座部件300构成的层叠体的露出面(端面)形成外部电极324a。
进一步具体地进行说明，在图4所示的例子中，在晶体振子1的X轴负方向侧的Y′Z′面(由Y′轴以及Z′轴确定的面。以下对于其它的面也相同。)形成有外部电极324a以及外部电极322a，一个外部电极324a与和第二励振电极140电连接的外部电极324电连接，另一个外部电极322a与上述虚设电极亦即外部电极322电连接。晶体振子1的Y′Z′面由盖部件200、晶体振动元件100以及基座部件300的各端面构成，各外部电极324a、322a延出至遍及盖部件200、晶体振动元件100以及基座部件300各自的端面的区域。另外，各外部电极324a、322a相互分离地配置，由此两者不会电导通。另外，各外部电极324a、322a设置为与晶体振子1的Y′Z′面上的Y′轴正方向侧的边缘(即盖部件200的上侧缘)隔开规定间隔(即，盖部件200的端面中上侧边缘附近露出)。
根据这样的构成，能够将外部电极324a(以及外部电极322a)形成在晶体振子1的Y′Z′面的一部分(其中，包含遍及盖部件200、晶体振动元件100以及基座部件300各自的端面的区域。)。因此，经由晶体振动元件100的连结部件111a、111b漏出到盖部件200以及基座部件300的振动中的、从盖部件200以及基座部件300的端部在外部电极324a传播并反射的反射波被衰减，所以能够使这样的反射波的影响缓和或者降低。此外，为了减小在晶体振子1(框体120)的端部产生的反射，例如，优选外部电极324a具有设置在端部的表面的第一电极层、和设在第一电极层的外侧的第二电极层，且第一电极层的声学阻抗是第二电极层与晶体的声学阻抗之间的声学阻抗。
这样根据本实施方式所涉及的晶体振子1，能够使反射波的影响降低，通过降低反射波的影响所带来的无用振动能够实现晶体振子的品质的提高。
此外，形成在晶体振子1的Y′Z′面的外部电极324a、322a的层结构以及材质既可以与形成在基座部件300的第二面的外部电极324、322相同，或者也可以根据反射波的衰减、和良好的电连接等各目的而使用更合适的不同的方式。
另外在上述实施方式中，示出了晶体坯110的两个连结部件111a、111b配置在同一边侧(X轴负方向侧)的例子，但例如也可以两个连结部件中一个连结部件配置在X轴负方向侧，另一个连结部件配置在X轴正方向侧，该情况下，至少在配置有一个连结部件的一侧，在框体120、盖部件200以及基座部件300的各端面形成外部电极即可。该情况下，优选在两个连结部件中振动的传播量小的一方的端面形成外部电极。并且，若外部电极形成在一个连结部件侧和另一个连结部件侧这双方的端面，则能够进一步减少反射波的影响所以优选。
另外在上述实施方式中，对在框体120的连结了连结部件111b的X轴负方向侧，框体120、盖部件200以及基座部件300各自的端面在Y′Z′面位于同一平面的方式进行了说明，但并不限定于此，例如也可以各个端面相互偏移地配置。
本实施方式所涉及的外部电极的方式能够进行各种变形来进行应用。以下，参照图5～图13，对本实施方式所涉及的晶体振子的变形例进行说明。此外，在以下的说明中对与上述实施方式所说明的内容不同的点进行说明。
图5是本实施方式的变形例所涉及的晶体振子2的立体图。该晶体振子2包含基座部件305，在基座部件305的与和晶体振动元件100对置的面相反的面(安装面)中X轴负方向侧形成有已经说明的外部电极322、324。在本变形例中，在晶体振子2的Y′Z′面仅形成外部电极324b(与外部电极324电连接。)，在这一点本变形例与图4所示的构成不同。外部电极324b形成为覆盖晶体振子2的Y′Z′面上的Z′轴方向的宽度整体，另外，设置为与Y′轴正方向侧的边缘(即盖部件200的上侧边缘)隔开规定间隔(即，盖部件200的端面中上侧边缘附近露出)。此外，外部电极324b不与虚设电极亦即外部电极322电连接。
图6是本实施方式的变形例所涉及的晶体振子3的立体图。该晶体振子3包含基座部件306，在基座部件306的与晶体振动元件100对置的面相反的面(安装面)中X轴负方向侧形成有已经说明的外部电极322、324。在晶体振子3的Y′Z′面形成有外部电极324c以及外部电极322c，一个外部电极324c与和第二励振电极电连接的外部电极324电连接，另一个外部电极322c与虚设电极亦即外部电极322电连接。而且，在本变形例中，各外部电极324c、322c形成至晶体振子3的Y′Z′面上的Y′轴正方向侧的边缘(即，盖部件200的端面中的上侧边缘)，在这一点本变形例与图4所示的构成不同。
图7是本实施方式的变形例所涉及的晶体振子4的立体图。该晶体振子4包含基座部件307，在基座部件307的与晶体振动元件100对置的面相反的面(安装面)中X轴负方向侧形成有已经说明的外部电极322、324。在晶体振子4的Y′Z′面形成有外部电极324d(与外部电极324电连接。)。而且，在本变形例中，外部电极324d形成至晶体振子4的Y′Z′面上的Y′轴正方向侧的边缘(即，盖部件200的端面中的上侧边缘)，在这一点本变形例与图5所示的构成不同。
图8是本实施方式的变形例所涉及的晶体振子5的立体图。该晶体振子5包含基座部件308，在基座部件308的与晶体振动元件100对置的面相反的面(安装面)中X轴负方向侧形成有已经说明的外部电极322、324。在晶体振子5的Y′Z′面形成有外部电极324e(与外部电极324电连接。)。另外，在盖部件200的与晶体振动元件100对置的面相反的面形成有外部电极324f以及外部电极332，一个外部电极324f与Y′Z′面的外部电极324e电连接，另一个外部电极332成为不与任何的外部电极电连接的虚设电极。盖部件200的外部电极324f被配置为与基座部件308的外部电极322在Y′轴方向上一致，另一方面，盖部件200的外部电极332被配置为与基座部件308的外部电极324在Y′轴方向上一致。这样通过以绕晶体振子的X轴旋转对称的方式形成外部电极，能够在表里的任意一面均以相同的电极配置进行安装。此外，外部电极322以及外部电极332分别不与和第二励振电极电连接的外部电极324、324e、324f电连接。
图9是本实施方式的变形例所涉及的晶体振子6的立体图。该晶体振子6包含基座部件309，在基座部件309的与晶体振动元件100对置的面相反的面(安装面)中X轴负方向侧形成有外部电极322、325。外部电极325除了与外部电极322相比面积较大这一点之外，能够应用与已经说明的外部电极324相同的构成。在晶体振子6的Y′Z′面形成有外部电极325a(与外部电极325电连接。)。另外，在盖部件200的与晶体振动元件100对置的面相反的面形成有外部电极325b以及外部电极332，一个外部电极325b与Y′Z′面的外部电极325a电连接，另一个外部电极332成为不与任何的外部电极电连接的虚设电极。盖部件200的外部电极325b以与基座部件309的外部电极322部分重叠的方式配置在Y′轴方向的上方，另一方面，盖部件200的外部电极332以与基座部件309的外部电极325部分重叠的方式配置在Y′轴方向的上方。而且，盖部件200的外部电极325b具有与基座部件309的外部电极325实际相同的面积，另外，与作为虚设电极的外部电极322以及外部电极332相比面积大，在这一点本变形例与图8所示的构成不同。
图10是本实施方式的变形例所涉及的晶体振子7的立体图。该晶体振子7包含基座部件310，在基座部件310的与晶体振动元件100对置的面相反的面(安装面)中X轴负方向侧形成有外部电极323、324。外部电极323如图示那样被设置为与晶体振子7的Y′Z′面分离，除了这一点之外，能够应用与已经说明的外部电极322相同的构成。在晶体振子7的Y′Z′面形成有外部电极324g(与外部电极324电连接。)。另外，在盖部件200的与晶体振动元件100对置的面相反的面形成有外部电极324h以及外部电极333，一个外部电极324h与Y′Z′面的外部电极324g电连接，另一个外部电极333成为不与任何的外部电极电连接的虚设电极。盖部件200的外部电极324h以与基座部件310的外部电极323部分重叠的方式配置在Y′轴方向的上方，另一方面，盖部件200的外部电极333以与基座部件310的外部电极324部分重叠的方式配置在Y′轴方向的上方。而且，盖部件200的外部电极333与基座部件310的外部电极323相同，如图示那样被设置为与晶体振子7的Y′Z′面分离，外部电极324g形成在晶体振子7的Y′Z′面的整个面。
图11是本实施方式的变形例所涉及的晶体振子8的立体图，是已经说明的图9以及图10的各构成的组合所涉及的变形例。该晶体振子8包含基座部件311，在基座部件311的与晶体振动元件100对置的面相反的面(安装面)中X轴负方向侧形成有外部电极325、323。在晶体振子8的Y′Z′面形成有外部电极325c(与外部电极325电连接。)。另外，在盖部件200的与晶体振动元件100对置的面相反的面形成有外部电极325d以及外部电极333，一个外部电极325d与Y′Z′面的外部电极325c电连接，另一个外部电极333成为不与任何的外部电极电连接的虚设电极。盖部件200的外部电极325d以与基座部件311的外部电极323部分重叠的方式配置在Y′轴方向的上方，另一方面，盖部件200的外部电极333以与基座部件311的外部电极325部分重叠的方式配置在Y′轴方向的上方。与第二励振电极电连接的外部电极325、325d与分别作为虚设电极的外部电极323、333相比面积大。而且，盖部件200的外部电极333与基座部件311的外部电极323相同，如图示那样被设置为与晶体振子8的Y′Z′面分离，外部电极325c形成在晶体振子8的Y′Z′面的整个面。
图12是本实施方式的变形例所涉及的晶体振子9的立体图。该晶体振子9包含基座部件312，在基座部件312的与和晶体振动元件100对置的面相反的面(安装面)中X轴负方向侧形成有已经说明的外部电极322、324。在晶体振子9的Y′Z′面形成有外部电极324i(与外部电极324电连接。)。外部电极324i形成至晶体振子9的Y′Z′面上的Y′轴正方向侧的边缘(即，盖部件200的端面中上侧边缘)。而且，在本变形例中，还在盖部件200的与和晶体振动元件100对置的面相反的面形成外部电极324j，在这一点本变形例与图7所示的构成不同。此外，盖部件200的外部电极324j形成为覆盖盖部件200的XZ′面上的Z′轴方向的宽度整体，并朝向X轴正方向延出与基座部件312的外部电极322、324的长度相同的程度。
图13是本实施方式的变形例所涉及的晶体振子10的立体图。该晶体振子10包含基座部件313，在基座部件313的与晶体振动元件100对置的面相反的面(安装面)中X轴负方向侧形成有已经说明的外部电极322、324。在晶体振子10的Y′Z′面形成有外部电极324e(与外部电极324电连接。)。另外，在盖部件200的与晶体振动元件100对置的面相反的面形成有外部电极324f以及外部电极332，一个外部电极324f与Y′Z′面的外部电极324e电连接，另一个外部电极332成为不与任何的外部电极电连接的虚设电极。盖部件200的外部电极324f被配置为与基座部件313的外部电极322在Y′轴方向一致，另一方面，盖部件200的外部电极332被配置为与基座部件313的外部电极324在Y′轴方向一致。而且，在本变形例中，在与晶体振动元件100的X轴负方向侧的边，即与配置有连结部件111a、111b的一侧的边(参照图1)邻接的两边侧，在晶体振子10的各个的XY′面形成外部电极324k、324l。具体而言，外部电极324k形成在Z′正方向侧的XY′面，外部电极324l形成在Z′负方向侧的XY′面。晶体振子10的各XY′面由盖部件200、晶体振动元件100以及基座部件313的各端面构成，各外部电极324k、324l延出至遍及盖部件200、晶体振动元件100以及基座部件313各自的端面的区域。另外，外部电极324k被设置为与盖部件200的上侧边缘隔开规定间隔以使得不与盖部件200的作为虚设电极的外部电极332电连接，另一方面，外部电极324l也被设置为与基座部件313的下侧边缘隔开规定间隔以使得不与基座部件313的作为虚设电极的外部电极322电连接。
如以上那样，在上述各变形例所说明的任意的构成中，均能够在晶体振子的Y′Z′面的至少一部分(其中，包含遍及盖部件、晶体振动元件以及基座部件各自的端面的区域。)形成外部电极，所以能够使从盖部件以及基座部件的端部反射的反射波衰减。优选这样的外部电极尽可能宽地覆盖晶体振子的Y′Z′面，例如若形成至盖部件200的端面(Y′Z′面)的上侧边缘(Y′轴正方向侧的边缘)(参照图6、7、10～12等)，则能够有效地使在盖部件200的端部反射的反射波衰减所以优选。另外，典型而言如图12所示，如用于使反射波衰减的外部电极经由晶体振子的Y′Z′面也形成到盖部件的与晶体振动元件对置的面相反的面，则除了上述之外还能够得到在外部电极传播的振动能量的消耗效果，所以能够进一步抑制反射波所引起的影响。另外，如图13那样，通过不仅在连结了连结部件的一侧，而在与其邻接的两边的各个侧也在晶体振子的端面设置外部电极，能够更有效地使来自盖部件以及基座部件的端部的反射波衰减。
此外，在图4～图13中，对X轴负方向侧的Y′Z′面上的外部电极324、322的构成进行了说明，但也可以X轴正方向侧的Y′Z′面上的外部电极328、326也采用相同的构成。该情况下，也可以以绕晶体振子的X轴以及Z′轴分别旋转对称的方式应用外部电极的构成。
(第二实施方式)
参照图14以及图15，对本发明的第二实施方式所涉及的晶体振子进行说明。此外，在以下的实施方式中，对与上述第一实施方式不同的部分进行说明，省略与已经说明的内容重复的部分。这里，图14是本实施方式所涉及的基座部件的俯视图，图15是晶体振子的立体图。
本实施方式所涉及的晶体振子在采用由两个外部电极构成的两端子结构这一点，与上述第一实施方式不同。即，在本实施方式中，如图14所示，在基座部件400的第二面404(即与晶体振动元件对置的面相反的面)，对于作为其长度方向的X轴方向，在X轴负方向侧的一端形成有外部电极424，在X轴正方向侧的另一端形成有外部电极428。此外，晶体振动元件100等的构成如第一实施方式所说明的那样(例如参照图1)，若晶体振动元件100安装到基座部件400，则连结部件111a、111b配置在基座部件400的X轴负方向侧，另外，外部电极428经由延出电极132与第一励振电极130电连接，外部电极424经由延出电极142与第二励振电极140电连接。此外，图14示出从安装了晶体振动元件的一侧观察到的基座部件400的俯视图。
如图15所示，在晶体振子11的Y′Z′面形成有外部电极424a，该外部电极424a与外部电极424(与第二励振电极电连接。)电连接。晶体振子11的Y′Z′面由盖部件200、晶体振动元件100以及基座部件400的各端面构成，外部电极424a延出至遍及盖部件200、晶体振动元件100以及基座部件400各自的端面的区域。另外，外部电极424a设置为与晶体振子11的Y′Z′面上的Y′轴正方向侧的边缘(即盖部件200的上侧边缘)隔开规定间隔(即，盖部件200的端面中上侧边缘附近露出)。
在这样的构成中，也与上述第一实施方式相同，能够在晶体振子11的Y′Z′面的一部分(其中，包含遍及盖部件200、晶体振动元件100以及基座部件400各自的端面的区域。)形成外部电极424a，所以经由晶体振动元件100的连结部件漏出到盖部件200以及基座部件400的振动中，传播到在晶体振动元件100、盖部件200以及基座部件400的端面连续地设置的外部电极424a的振动由于在外部电极424a内部传播时的振动能量的消耗，而从外部电极424a的端部反射衰减后的反射波，所以能够使这样的反射波的影响缓和或者分散。
在本实施方式中，外部电极的方式也能够进行各自变形来应用。以下，参照图16～图18，对本实施方式所涉及的晶体振子的变形例进行说明。此外，在以下的说明中对与上述实施方式所说明的内容不同的点进行说明。
图16是本实施方式的变形例所涉及的晶体振子12的立体图。该晶体振子12包含基座部件405，在基座部件405的与晶体振动元件100对置的面相反的面(安装面)中X轴负方向侧形成有已经说明的外部电极424。在晶体振子12的Y′Z′面形成有外部电极424b(与外部电极424电连接。)。而且，在本变形例中，外部电极424b形成至晶体振子12的Y′Z′面上的Y′轴正方向侧的边缘(即，盖部件200的端面中上侧边缘)，在这一点本变形例与图15所示的构成不同。
图17是本实施方式的变形例所涉及的晶体振子13的立体图。该晶体振子13包含基座部件406，在基座部件406的与晶体振动元件100对置的面相反的面(安装面)中X轴负方向侧形成有已经说明的外部电极424。在晶体振子13的Y′Z′面形成有外部电极424b(与外部电极424电连接。)。外部电极424b形成至晶体振子13的Y′Z′面上的Y′轴正方向侧的边缘(即，盖部件200的端面中上侧边缘)。而且，在本变形例中，还在盖部件200的与晶体振动元件100对置的面相反的面形成外部电极424c，在这一点本变形例与图16所示的构成不同。此外，盖部件200的外部电极424c形成为覆盖盖部件200的XZ′面上的Z′轴方向的宽度整体，并朝向X轴正方向延出与基座部件406的外部电极424的长度相同的程度。
图18是本实施方式的变形例所涉及的晶体振子14的立体图。该晶体振子14包含基座部件407，在基座部件407的与晶体振动元件100对置的面相反的面(安装面)中X轴负方向侧形成有已经说明的外部电极424。在晶体振子14的Y′Z′面形成有外部电极424b(与外部电极424电连接。)。另外，在盖部件200的与晶体振动元件100对置的面相反的面形成有外部电极424c，外部电极424c与Y′Z′面的外部电极424b电连接。而且，在本变形例中，在与晶体振动元件100的X轴负方向侧的边，即与配置有连结部件111a、111b的一侧的边(参照图1)邻接的两边侧，在晶体振子14的各个的XY′面形成有外部电极424d、424e。具体而言，外部电极424d形成在Z′轴正方向侧的XY′面，外部电极424e形成在Z′轴负方向侧的XY′面。晶体振子14的XY′面由盖部件200、晶体振动元件100以及基座部件313的各端面构成，各外部电极424d、424e延出至遍及盖部件200、晶体振动元件100以及基座部件407各自的端面的区域。此外，外部电极424d、424e形成为覆盖晶体振子的XY′面上的Y′轴方向的宽度整体，并朝向X轴正方向延出与外部电极424、424c的长度相同的程度。
如以上那样，在上述各变形例所说明的任意的构成中，均如已经说明的那样，能够使反射波的影响缓和或者分散，通过降低无用振动能够实现晶体振子的品质的提高。
此外，在以上说明的各实施方式(包含变形例。)中，作为AT切晶体振动元件的一个例子，对具有与X轴方向平行的长边方向以及与Z′轴方向平行的短边方向的方式进行了说明，但本发明并不限定于此，例如，也可以将本发明应用于具有与Z′轴方向平行的长边方向、以及与X轴方向平行的短边方向的AT切晶体振动元件。另外，虽然在以上的说明中对具有两个连结部件的方式进行了说明，但连结部件的个数并不限定，例如也可以通过一个连结部件连结晶体坯与框体。
此外，以上说明的各实施方式是用于使本发明的理解变得容易的实施方式，并不对本发明进行限定解释。本发明在不脱离其主旨的范围内，能够进行变更/改进，并且在本发明也包含有其等效物。即，本领域技术人员对各实施方式适当地附加设计变更的实施方式只要具备本发明的特征，则包含在本发明的范围。例如，各实施方式具备的各要素以及其配置、材料、条件、形状、尺寸等并不限定于例示的方式而能够适当地变更。另外，各实施方式具备的各要素只要在技术上可能则能够进行组合，将它们进行组合的实施方式只要包含本发明的特征则也包含在本发明的范围。
附图标记说明
1～14…晶体振子，100…晶体振动元件，110…晶体坯，111a、111b…连结部件，130…第一励振电极，140…第二励振电极，200…盖部件，300、305～313…基座部件，324、324a～l…外部电极，325、325a～d…外部电极，400、405～407…基座部件，424、424a～e…外部电极。

Claims (11)

1.一种晶体振子，其中，具备：
晶体振动元件，其包含分别在第一面和第二面设置有第一励振电极和第二励振电极的晶体坯、包围该晶体坯的外周的框体、以及连结该框体与上述晶体坯的连结部件；
盖部件，其与上述晶体坯的上述第一面对置地配置，并与上述框体的整周接合；以及
基座部件，其与上述晶体坯的上述第二面对置地配置，并与上述框体的整周接合，
上述基座部件在与上述晶体振动元件对置的面相反侧的面具有能够与外部电连接的多个外部电极，
上述多个外部电极具有与上述第一励振电极电连接的第一外部电极、和与上述第二励振电极电连接的第二外部电极，
上述盖部件以及上述基座部件分别由晶体或者玻璃形成，
上述第一外部电极以及第二外部电极的至少一个在设置有上述连结部件的一侧，形成在上述框体、上述盖部件以及上述基座部件各自的端面，并且机械品质因数Qm比上述框体小。
2.根据权利要求1所述的晶体振子，其中，
上述第一外部电极以及第二外部电极的至少一个形成至上述盖部件的上述端面的上侧边缘。
3.根据权利要求1或者2所述的晶体振子，其中，
上述第一外部电极以及第二外部电极的至少一个经由上述盖部件的上述端面形成在上述盖部件的与上述晶体振动元件对置的面相反的面。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的晶体振子，其中，
在上述框体设置有与上述第一励振电极或者第二励振电极电连接，并且与上述框体的外边缘相接的连接电极，
上述第一外部电极以及第二外部电极的至少一个在上述框体、上述盖部件以及上述基座部件各自的端面侧与上述连接电极连接。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的晶体振子，其中，
上述框体、上述盖部件以及上述基座部件均具有俯视时大致矩形的外形形状。
6.根据权利要求5所述的晶体振子，其中，
上述框体、上述盖部件以及上述基座部件的各端面至少在设置有上述连结部件的一侧位于同一水平面，
上述第一外部电极以及第二外部电极的至少一个被设置成覆盖上述位于同一水平面的各端面。
7.根据权利要求5或者6所述的晶体振子，其中，
上述第一外部电极以及第二外部电极的至少一个在上述框体的各边中与设置有上述连结部件的一侧邻接的两边的各侧，形成在上述框体、上述盖部件以及上述基座部件各自的端面。
8.根据权利要求1～7中任意一项所述的晶体振子，其中，
上述盖部件以及上述基座部件为平板。
9.根据权利要求1～8中任意一项所述的晶体振子，其中，
上述晶体坯中除了上述第一励振电极以及第二励振电极的部分的厚度与上述框体的厚度相同。
10.根据权利要求1～9中任意一项所述的晶体振子，其中，
上述第一外部电极以及第二外部电极的至少一个的上述机械品质因数Qm比上述盖部件以及上述基座部件的任意一个小。
11.根据权利要求1～10中任意一项所述的晶体振子，其中，
被上述框体、上述盖部件以及上述基座部件包围的内部空间为真空。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6500915B2 (ja) * 2015-01-29 2019-04-17 株式会社大真空 水晶振動板、及び水晶振動デバイス
WO2019054349A1 (ja) * 2017-09-13 2019-03-21 株式会社村田製作所 水晶振動素子およびその製造方法
JP2020123881A (ja) * 2019-01-31 2020-08-13 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、振動モジュール、電子機器および移動体
JP7367311B2 (ja) * 2019-02-28 2023-10-24 セイコーエプソン株式会社 振動素子、振動デバイス、発振器、電子機器および移動体
WO2021229872A1 (ja) * 2020-05-13 2021-11-18 株式会社村田製作所 圧電振動子

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6531806B1 (en) * 1999-08-23 2003-03-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Chip-type piezoelectric component
JP2006211310A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Kyocera Kinseki Corp 振動子パッケージ
CN102474237A (zh) * 2009-07-23 2012-05-23 日本电波工业株式会社 表面安装用晶体振子

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11168345A (ja) * 1997-12-04 1999-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電共振部品およびその製造方法
JP5262946B2 (ja) * 2009-04-15 2013-08-14 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス
JP5595218B2 (ja) 2010-10-20 2014-09-24 日本電波工業株式会社 圧電デバイス及び圧電基板の製造方法
JP5788728B2 (ja) * 2011-07-21 2015-10-07 日本電波工業株式会社 圧電振動片、圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法
JP2013051560A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイス
JP2013251775A (ja) * 2012-06-01 2013-12-12 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電振動片及び圧電デバイス

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6531806B1 (en) * 1999-08-23 2003-03-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Chip-type piezoelectric component
JP2006211310A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Kyocera Kinseki Corp 振動子パッケージ
CN102474237A (zh) * 2009-07-23 2012-05-23 日本电波工业株式会社 表面安装用晶体振子

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