CN107393815A - 金刚石基场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种金刚石基场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管，涉及半导体技术领域。该方法包括：在金刚石层的上表面形成导电层；其中，所述金刚石层为高阻层；在所述金刚石层上制作有源区台面；在所述导电层上与源电极区对应的第一区域制作源电极，在所述导电层上与漏电极区对应的第二区域制作漏电极；在所述导电层上与源栅区对应的第三区域的上表面淀积光催化剂介质层，在所述导电层上与栅漏区对应的第四区域的上表面淀积光催化剂介质层；光照所述光催化剂介质层；在所述导电层上与栅电极区对应的第五区域淀积栅介质层，在所述栅介质层的上表面制作栅电极。本发明能够降低器件的导通电阻。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种金刚石基场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管。
背景技术
以单晶、多晶和纳米晶金刚石为材料基础的器件统称为金刚石基器件，例如金刚石金属半导体场效应晶体管（Metal Semiconductor Field Effect Transistor，MESFET）、金属绝缘场效性晶体(Metal Insulating Field Effect Transistor，MISFET)和结晶型场效应晶体管（Junction Field Effect Transistor，JFET）等。金刚石基器件具有工作温度高、击穿场强大、截止频率高、功率密度大等优点，是未来微波大功率领域的首选。
金刚石最为一种宽禁带半导体，存在掺杂困难，掺杂原子激活能高导致难以激活，载流子迁移率低等问题。现行的制作高效的p型导电沟道的方法通常是利用表面处理在金刚石表面形成由被C-H键所覆盖的氢端基金刚石，利用C-H键与空气中近表面吸附层中的水分子和CO2分子等极性分子相互作用，通过电子转移，在近表面形成p型导电沟道。但是，由于近表面提供受主的吸附层主要是由环境中的空气提供，这就使这个近表面系统受环境影响非常大，而易受破坏，尤其是高温工作时，极性分子会解吸附，从金刚石近表面逃逸出去，造成p型沟道性能变差，甚至失效，从而导致场效应晶体管的导通电阻增大。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种刚石场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管，以解决现有技术中金刚石基场效应晶体导通电阻大的技术问题。
本发明实施例第一方面提供一种金刚石基场效应晶体管的制备方法，包括：
在金刚石层的上表面形成导电层；其中，所述金刚石层为高阻层；
在所述金刚石层上制作有源区台面；
在所述导电层上与源电极区对应的第一区域制作源电极，在所述导电层上与漏电极区对应的第二区域制作漏电极；
在所述导电层上与源栅区对应的第三区域的上表面淀积光催化剂介质层，在所述导电层上与栅漏区对应的第四区域的上表面淀积光催化剂介质层；
光照所述光催化剂介质层；
在所述导电层上与栅电极区对应的第五区域淀积栅介质层，在所述栅介质层的上表面制作栅电极。
在第一方面第一种可能的实现方式中，所述在所述金刚石层上制作有源区台面之前，所述方法还包括：
在所述导电层的上表面淀积第一金属层。
结合第一方面第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述在所述金刚石层上制作有源区台面，具体包括：
通过光刻工艺在第一金属层上与有源区对应区域覆盖光刻胶；
通过腐蚀液去除与无源区对应区域的第一金属层；
通过刻蚀工艺去除与所述无源区对应区域的导电层；
去除所述光刻胶。
结合第一方面第二种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，在所述第一金属层上与所述源电极区和所述漏电极区对应的区域之外的区域覆盖光刻胶；
在所述第一金属层上与所述第一区域对应的区域的上表面淀积第二金属层形成源电极，在所述第一金属层上与所述第二区域对应的区域的上表面淀积第二金属层形成漏电极；
去除光刻胶。
结合第一方面第三种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中，步骤在所述导电层上与栅电极区对应的第五区域淀积栅介质层在步骤在所述导电层上与源栅区对应的第三区域的上表面淀积光催化剂介质层之前，所述在所述导电层上与栅电极区对应的第五区域淀积栅介质层，在所述栅介质层的上表面制作栅电极，具体包括：
去除所述源栅区、所述栅电极区和所述栅漏区对应区域的第一金属层；
在所述导电层的第五区域的上表面淀积栅介质层；
在所述栅介质层的上表面淀积第三金属层形成栅电极。
结合第一方面第四种可能的实现方式，在第五种可能的实现方式中，所述在所述导电层上与源栅区对应的第三区域的上表面淀积光催化剂介质层，在所述导电层上与栅漏区对应的第四区域的上表面淀积光催化剂介质层，具体包括：
淀积光催化剂介质层；
在光催化剂介质层上与源栅区对应的区域和栅漏区对应的区域均覆光刻胶；
分别去除所述源电极区、所述漏电极区、所述栅电极区和所述无源区对应区域的光催化剂介质层；
去除所述光刻胶。
在第一方面第六种可能的实现方式中，所述在所述金刚石层上制作有源区台面，具体包括：
在所述导电层上与有源区对应区域覆盖光刻胶；
去除所述无源区对应区域的导电层，形成有源区台面；
去除所述光刻胶。
在第一方面第七种可能的实现方式中，所述在所述导电层上与源电极区对应的第一区域制作源电极，在所述导电层上与漏电极区对应的第二区域制作漏电极，具体包括：
通过光刻工艺在所述第一区域和所述第二区域的之外的区域覆盖光刻胶；
在所述第一区域的上表面淀积第二金属层形成源电极，在所述第二区域的上表面淀积第二金属层形成漏电极；
去除所述光刻胶；
通过退火工艺使所述源电极区对应的导电层与所述第二金属层形成欧姆接触，以及使所述漏电极区对应的导电层与所述第二金属层形成欧姆接触。
在第一方面第八种可能的实现方式中，所述在所述导电层上第五区域淀积栅介质层，在所述栅介质层的上表面制作栅电极，具体包括：
在所述导电层第五区域之外的区域覆盖光刻胶；
在所述第五区域的上表面淀积栅介质层；
在所述栅介质层的上表面淀积第三金属层；
去除所述光刻胶。
本发明实施例第二方面提供一种金刚石基场效应晶体管包括：高阻金刚石衬底、导电层、栅介质层、源电极、漏电极和栅电极，所述高阻金刚石衬底的上表面设有导电层；所述导电层的上表面设有源电极、漏电极和栅电极，所述栅电极和所述导电层之间设有栅介质层；在所述导电层上位于所述源电极和所述栅电极之间的区域设有光催化剂介质层，在所述导电层上位于所述漏电极和所述栅电极之间的区域设有光催化剂介质层。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本发明实施例通过在源电极和栅电极之间的区域淀积光催化剂介质层，在漏电极和栅电极之间的区域淀积光催化剂介质层，当光照光催化剂介质层时，催化剂介质层中的价带电子发生跃迁，产生电子和空穴，电子将与吸附在光催化剂介质层表面的羟基和水结合形成羟基自由基，并且光催化剂介质层表面的溶解氧也会俘获电子形成超氧负离子，从而造成光催化剂介质层中的空穴过剩，过剩的空穴将吸引氢终端金刚石中的电子转移与之中和，该过程加速p型导电沟道与光催化剂介质层界面处的电子转移，进而达到为氢端基金刚石提供稳定持续的电荷供应作用，从而保证p型导电沟道具有较高的性能，能够有效降低金刚石基场效应晶体管的导通电阻。
附图说明
图1是本发明实施例一提供的金刚石基场效应晶体管的制备方法的实现流程示意图；
图2是本发明实施例二提供的金刚石基场效应晶体管的制备方法的剖面结构示意图；
图3是本发明实施例三提供的金刚石基场效应晶体管的制备方法的剖面结构示意图；
图4是本发明实施例四提供的金刚石基场效应晶体管的剖面结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下对照附图并结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参考图2（1）和图3（1），金刚石层21分为有源区和无源区，所述有源区是指台面区，即有源器件的制备区，有源区以外的部分为无源区。其中，有源区又分为源电极区、栅电极区和漏电极区，源电极区和漏电极区分别位于栅电极区的两侧。源电极区和栅电极区之间的区域为源栅区，漏电极区和栅电极区之间的区域为栅漏区。
实施例一
请参考图1，金刚石基场效应晶体管的制备方法包括以下步骤：
步骤S101，在金刚石层的上表面形成导电层；其中，所述金刚石层为高阻层。
在本发明实施例中，导电层为p型导电层。在金刚石层的上表面外延生长掺杂金刚石作为导电层，掺杂元素包括但不限于氢元素和硼元素，或通过离子注入法在金刚石层上注入掺杂离子形成导电层。注入的离子包括但不限于氢离子和硼离子。
步骤S102，在所述金刚石层上制作有源区台面。
在本发明实施例中，制作有源区台面，并实现台面隔离，在台面区制作器件。
步骤S103，在所述导电层上与源电极区对应的第一区域制作源电极，在所述导电层上与漏电极区对应的第二区域制作漏电极。
在本发明实施例中，源电极和漏电极的材料包括但不限于Au、Pd、Sn、Pt、Ni、Ti，或由以上金属中的两种或两种以上组成的合金。也可以是Ti、W、石墨烯、炭黑、不定型碳和纳米碳管中的一种或几种组合，还可以结合在惰性气体中退火形成欧姆接触。
步骤S104在所述导电层上与源栅区对应的第三区域的上表面淀积光催化剂介质层，在所述导电层上与栅漏区对应的第四区域的上表面淀积光催化剂介质层。
在本发明实施例中，光催化剂介质层的材料包括但不限于CuO、TiO2、ZnO、CdS、WO3等具有光催化剂作用的半导体材料一种或几种的组合。可以通过物理气相沉积、化学气相沉积或溶胶凝胶法淀积催化剂介质层。
步骤S105，光照所述光催化剂介质层。
在本发明实施例中，光波可以为波长为10nm至400nm的紫外光，也可以为波长为400nm至760nm的可见光。
步骤S106，在所述导电层上与所述栅电极区对应的第五区域淀积栅介质层，在所述栅介质层的上表面制作栅电极。
在本发明实施例中，栅介质层的材料包括但不限于Al2O3、SixNy、SixOy、MO3、TiO2、ZnO、WO3、HfO2、AlN和BN。栅包括但不限于为T型栅、Y型栅、直栅、鳍栅。栅电极材料包括但不限于Al、Ni、Sn、Ti和W中的一种或几种组合。
步骤S106可以在步骤S104之前执行，步骤S105也可以在步骤S106之后执行。
本发明实施例通过在源电极和栅电极之间的区域淀积光催化剂介质层，在漏电极和栅电极之间的区域淀积光催化剂介质层，当光照光催化剂介质层时，催化剂介质层中的价带电子发生跃迁，产生电子和空穴，电子将与吸附在光催化剂介质层表面的羟基和水结合形成羟基自由基，并且光催化剂介质层表面的溶解氧也会俘获电子形成超氧负离子，从而造成光催化剂介质层中的空穴过剩，过剩的空穴将吸引氢终端金刚石中的电子转移与之中和，该过程加速p型导电沟道与光催化剂介质层界面处的电子转移，进而达到为氢端基金刚石提供稳定持续的电荷供应作用，从而保证p型导电沟道具有较高的性能，能够有效降低金刚石基场效应晶体管的导通电阻。
实施例二
请参考图2，金刚石基场效应晶体管的制备方法以下包括：
步骤S201，在金刚石层的上表面形成导电层；其中，所述金刚石层为高阻层。
在本发明实施例中，请参考图2（2），在金刚石层21上形成导电层22。可以利用微波等离子体化学气相沉积（Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition，MPCVD）设备，使用氢等离子体在高阻金刚石层21上处理15分钟，在氢气气氛中温度为1000℃条件下退火20分钟，形成p型导电层22。
步骤S202，在所述导电层的上表面淀积第一金属层。
在本发明实施例中，请参考图2（3），在导电层22的上表面淀积第一金属层23。第一金属层23为钯，通过电子束蒸发工艺在p型导电层22的上表面蒸发厚度为30nm钯。
步骤S203，通过光刻工艺在第一金属层上与有源区对应区域覆盖光刻胶；通过腐蚀液去除与无源区对应区域的第一金属层；通过刻蚀工艺去除与所述无源区对应区域的导电层；去除所述光刻胶。
在本发明实施例中，请参考图2（4），去除无源区对应的导电层和第一金属层。具体工艺过程为：通过光刻胶将有源区对应的导电层和第一金属层保护，防止有源区对应的导电层和第一金属层在后续工艺中被去除。首先用KI/I2腐蚀液去除无源区对应的钯，通过氧等离子体刻蚀设备3分钟，去除无源区对应的导电层，最后去除光刻胶，从而形成台面区，实现台面隔离。
步骤S204，在所述第一金属层上与所述源电极区和所述漏电极区对应的区域之外的区域覆盖光刻胶； 在所述第一金属层上与所述源电极区对应的区域的上表面淀积第二金属层形成源电极，在所述第一金属层上与所述漏电极区对应的区域的上表面淀积第二金属层形成漏电极；去除光刻胶。
在本发明实施例中，请参考图2（5），在导电层上制作源电极24和漏电极25。具体工艺过程为：将光刻胶覆盖在源栅区、栅漏区、源电极区和无源区对应的第一金属层的上表面，露出源电极区和漏电极区对应的第一金属层，再通过电子束蒸发工艺分别在第一金属层上与源电极区对应的区域和漏电极区对应的区域依次淀积厚度为50nm的Ti，厚度为50nm的Pt和厚度为100nm的Au，最后通过剥离液剥离光刻胶，形成源电极24和漏电极25。源电极24为源电极区对应的第一金属层和第二金属层，漏电极25为漏电极区对应的第一金属层和第二金属层。
步骤S205，去除所述源栅区、所述栅电极区和所述栅漏区对应区域的第一金属层；在所述导电层的第五区域的上表面淀积栅介质层；在所述栅介质层的上表面淀积第三金属层形成栅电极。
在本发明实施例中，如图2（6）所示，在导电层22上与栅电极区对应的区域淀积栅介质层26，在栅介质层26的上表面淀积第三金属层形成栅电极27。具体工艺过程为：将光刻胶覆盖在源电极、漏电极和金刚石层无源区的上表面，利用KI/I2腐蚀液去除源栅区、栅电极区和栅漏区对应区域的第一金属层，去除光刻胶。在导电层第五区域之外的区域覆盖光刻胶，露出第五区域，在导电层第五区域的上表面沉积栅介质层26，利用电子束蒸发设备依次蒸镀厚度为50nm的Ti和厚度为100nm的Au作为栅电极，剥离光刻胶形成栅电极27。
步骤S206，淀积光催化剂介质层；在光催化剂介质层上与源栅区对应的区域和栅漏区对应的区域均覆光刻胶；分别去除所述源电极区、所述漏电极区、所述栅电极区和所述无源区对应区域的光催化剂介质层；去除所述光刻胶。
在本发明实施例中，如图2（7）所示，在导电层上与源栅区和栅漏区对应的区域淀积光催化剂介质层27。具体工艺过程为：利用原子层沉积设备（ALD）在器件表面沉积厚度为3nm的CuO薄膜作为光催化剂介质层，即在导电层第三区域的上表面、导电层第四区域的上表面、源电极的上表面、栅电极的上表面、漏电极的上表面和金刚石层无源区上表面均淀积CuO薄膜，通过光刻胶保护源栅区和栅漏区对应区域的CuO，通过腐蚀液去除源电极区、漏电极区、栅电极区和无源区对应区域的CuO，最后剥离光刻胶。
步骤S207，光照所述光催化剂介质层。
在本发明实施例中，采用波长为325nm的紫外光照射十分钟，激发电子与空穴分离，器件制作完成。
实施例三
请参考图3，金刚石基场效应晶体管的制备方法，包括：
步骤S301，在金刚石层的上表面形成导电层；其中，所述金刚石层为高阻层。
在本发明实施例中，请参考图3（2），在金刚石层31上形成导电层32。利用MPCVD设备，使用氢等离子体在高阻金刚石层31上处理10分钟，在氢气气氛中温度为800℃的条件下退火1小时，形成p型导电层32。
步骤S302，在所述导电层上与有源区对应区域覆盖光刻胶；去除所述无源区对应区域的导电层，形成有源区台面；去除所述光刻胶。
在本发明实施例中，请参考图3（3），去除无源区对应的导电层。具体工艺过程为：通过光刻胶保护有源区对应的导电层，利用氧等离子体刻蚀设备进行刻蚀，去除无源区的导电层，最后剥离光刻胶，形成有源区台面，实现台面隔离。
步骤S303，通过光刻工艺在所述第一区域和所述第二区域之外的区域覆盖光刻胶；在所述第一区域的上表面淀积第二金属层形成源电极，在所述第二区域的上表面淀积第二金属层形成漏电极；去除所述光刻胶；通过退火工艺使所述源电极区对应的导电层与所述第二金属层形成欧姆接触，以及使所述漏电极区对应的导电层与所述第二金属层形成欧姆接触。
在本发明实施例中，请参考图3（4），首先，光刻源电极和漏电极区，即通过光刻胶保护导电层第一区域和第二区域之外的区域，即将光刻胶覆盖在金刚石层上的无源区、导电层第三区域、导电层第四区域和导电层第五区域，再利用子束蒸发工艺分别淀积厚度为50nm的Ti，厚度为50nm的Pt和厚度为100nm的Au，使用剥离液去除光刻胶，最后在Ar气氛中1000℃下退火10分钟，形成欧姆接触，制作出源电极33和漏电极34。
步骤S304，在所述导电层的第三区域的上表面淀积光催化剂介质层，在所述导电层的第四区域的上表面淀积光催化剂介质层。
在本发明实施例中，请参考图3（5），在第三区域和第四区域之外的区域覆盖光刻胶，露出导电层第三区域和第四区域，利用电子束蒸发设备在沉积厚度为2nm的金属Ti薄膜，并在空气中自然氧化形成TiO2薄膜，作为光催化剂介质层，最后剥离光刻胶，制作出光催化剂介质层35。
步骤S305，光照所述光催化剂介质层。
在本发明实施例中，采用波长为266nm的紫外光照射十分钟，激发电子与空穴分离。
步骤S306，在所述导电层上与所述栅电极区对应的第五区域之外的区域覆盖光刻胶；在所述第五区域的上表面淀积栅介质层；在所述栅介质层的上表面淀积第三金属层；去除所述光刻胶。
在本发明实施例中，请参考图3（6），光刻栅电极，在第五区域之外的区域覆盖光科教，露出第五区域，沉积栅介质层36，利用电子束蒸发设备依次蒸镀厚度为150nm金属Al和厚度为1000nm的Au作为栅电极37，器件制作完成。
应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
实施例四
请参考图4，金刚石基场效应晶体管，包括：高阻金刚石衬底41、导电层42、栅介质层43、源电极44、漏电极45和栅电极46，所述高阻金刚石衬底41的上表面设有导电层42；所述导电层42的上表面设有源电极44、漏电极45和栅电极46，所述栅电极46和所述导电层42之间设有栅介质层43；在所述导电层上位于所述源电极44和所述栅电极46之间的区域设有光催化剂介质层47，在所述导电层上位于所述漏电极45和所述栅电极46之间的区域设有光催化剂介质层47。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
在金刚石层的上表面形成导电层；其中，所述金刚石层为高阻层；
在所述金刚石层上制作有源区台面；
在所述导电层上与源电极区对应的第一区域制作源电极，在所述导电层上与漏电极区对应的第二区域制作漏电极；
在所述导电层上与源栅区对应的第三区域的上表面淀积光催化剂介质层，在所述导电层上与栅漏区对应的第四区域的上表面淀积光催化剂介质层；
光照所述光催化剂介质层；
在所述导电层上与栅电极区对应的第五区域淀积栅介质层，在所述栅介质层的上表面制作栅电极。
2.如权利要求1所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述金刚石层上制作有源区台面之前，所述方法还包括：
在所述导电层的上表面淀积第一金属层。
3.如权利要求2所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述金刚石层上制作有源区台面，具体包括：
通过光刻工艺在第一金属层上与有源区对应的区域覆盖光刻胶；
通过腐蚀液去除与无源区对应的区域的第一金属层；
通过刻蚀工艺去除与所述无源区对应的区域的导电层；
去除所述光刻胶。
4.如权利要求3所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在所述导电层上与源电极区对应的第一区域制作源电极，在所述导电层上与漏电极区对应的第二区域制作漏电极，具体包括：
在所述第一金属层上与所述源电极区和所述漏电极区对应的区域之外的区域覆盖光刻胶；
在所述第一金属层上与所述源电极区对应的区域的上表面淀积第二金属层形成源电极，在所述第一金属层上与所述漏电极区对应的区域的上表面淀积第二金属层形成漏电极；
去除光刻胶。
5.如权利要求4所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，步骤在所述导电层上与栅电极区对应的第五区域淀积栅介质层在步骤在所述导电层上与源栅区对应的第三区域的上表面淀积光催化剂介质层之前；
所述在所述导电层上与栅电极区对应的第五区域淀积栅介质层，在所述栅介质层的上表面制作栅电极，具体包括：
去除所述源栅区、所述栅电极区和所述栅漏区对应区域的第一金属层；
在所述导电层的第五区域的上表面淀积栅介质层；
在所述栅介质层的上表面淀积第三金属层形成栅电极。
6.如权利要求5所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述导电层上与源栅区对应的第三区域的上表面淀积光催化剂介质层，在所述导电层上与栅漏区对应的第四区域的上表面淀积光催化剂介质层，具体包括：
淀积光催化剂介质层；
在光催化剂介质层上与源栅区对应的区域和栅漏区对应的区域均覆光刻胶；
分别去除所述源电极区、所述漏电极区、所述栅电极区和所述无源区对应区域的光催化剂介质层；
去除所述光刻胶。
7.如权利要求1所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述金刚石层上制作有源区台面，具体包括：
在所述导电层上与有源区对应区域覆盖光刻胶；
去除所述无源区对应区域的导电层，形成有源区台面；
去除所述光刻胶。
8.如权利要求1所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述导电层上与源电极区对应的第一区域制作源电极，在所述导电层上与漏电极区对应的第二区域制作漏电极，具体包括：
通过光刻工艺在所述第一区域和所述第二区域之外的区域覆盖光刻胶；
在所述第一区域的上表面淀积第二金属层形成源电极，在所述第二区域的上表面淀积第二金属层形成漏电极；
去除所述光刻胶；
通过退火工艺使所述源电极区对应的导电层与所述第二金属层形成欧姆接触，以及使所述漏电极区对应的导电层与所述第二金属层形成欧姆接触。
9.如权利要求1所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述导电层上与所述栅电极区对应的第五区域淀积栅介质层，在所述栅介质层的上表面制作栅电极，具体包括：
在所述导电层上第五区域之外的区域覆盖光刻胶；
在所述第五区域的上表面淀积栅介质层；
在所述栅介质层的上表面淀积第三金属层；
去除所述光刻胶。
10.一种金刚石基场效应晶体管，包括：高阻金刚石衬底、导电层、栅介质层、源电极、漏电极和栅电极，所述高阻金刚石衬底的上表面设有导电层；所述导电层的上表面设有源电极、漏电极和栅电极，所述栅电极和所述导电层之间设有栅介质层；其特征在于，在所述导电层上位于所述源电极和所述栅电极之间的区域设有光催化剂介质层，在所述导电层上位于所述漏电极和所述栅电极之间的区域设有光催化剂介质层。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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