CN107376971A - 一种类石墨氮化碳/二硫化钼纳米复合材料的合成方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种类石墨氮化碳/二硫化钼(g‑C3N4/MoS2)纳米复合材料的合成方法，包括如下步骤：1)称取一定量的尿素放入刚玉坩埚中；2)将盛有尿素的刚玉坩埚放入马弗炉中在一定温度下进行煅烧，获得g‑C3N4；3)称取一定量的钼酸铵((NH4)6Mo7O24·4H2O)和硫代乙酰铵(CH3CSNH2)分别溶于去离子水中，获得均匀的溶液；4)将钼酸铵溶液缓慢滴加至硫代乙酰铵溶液中；5)搅拌后移入反应釜中，在195℃水热条件下保温30h，获得MoS2纳米粉，进行分离、洗涤和干燥；6)取一定量的g‑C3N4和一定量的MoS2溶于无水乙醇中，恒温超声2h后在40℃的水浴锅中烘干后获得最终产物。本发明合成工艺简单，比表面积大(65～75m2/g)，具有优异的可见光光催化性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种氧化物半导体纳米粉体的化学合成方法，具体涉及一种类石墨氮化碳/二硫化钼(g-C3N4/MoS2)纳米复合材料的合成方法。
背景技术
石墨相氮化碳(g-C3N4)是一种有机聚合物纳米半导体，不含有金属成分，具有类似石墨烯的片状结构。以优异的化学稳定性、半导体性能、热稳定性、高比表面积、合适的能级结构，使其在光解水制氢气、催化有机反应及光催化降解有机物等领域有广泛应用引起了许多科研工作者的重视。然而，纯相g-C3N4带隙宽，可见光利用效率低，光生电子-空穴对复合速率快。因此为了拓宽g-C3N4光吸收光谱范围，本发明采用与其它半导体复合的方式对g-C3N4进行改性。
二硫化钼(MoS2)是一种典型的层状过渡金属化合物，具有三种晶体结构，分别是1T型，2H型，3R型。但其中最稳定和研究最多的为2H型，具有和石墨烯相似的层状结构。2H-MoS2纳米材料属于六方晶系。每个单元为S-Mo-S的结构，两个单元构成一个晶胞，层内原子由共价键结合在一块，层与层之间通过范德华力进行链接。MoS2的禁带宽度为1.78eV左右，在可见光源的照射下具有较好的光催化活性，同时纳米结构的MoS2比表面积较大，在光催化反应过程中对催化反应基质的吸附量有较大的吸收，以提高其反应速率，因此MoS2可以被应用于光催化降解有机污染物等催化反应。
本发明选取带隙宽度不同的MoS2与g-C3N4构建纳米复合材料，能够促进光生电子空穴对的转移，有效降低光生电子和空穴的复合几率，提高了光生载流子的分离效率，增大其量子效率，从而提高光催化性能。复合半导体材料的特点是可以通过调节组分含量来控制其禁带宽度，也可以使宽带隙半导体和窄带隙半导体复合来拓宽光谱响应范围，可以提高太阳能利用率。采用热聚合法合成g-C3N4纳米粉，然后采用快速超声法制备g-C3N4/MoS2纳米复合材料，该产物在可见光条件下有望获得优异的光催化性能，然而g-C3N4/MoS2纳米复合材料的合成方法尚未见相关报导。
发明内容
本发明的目的在于提供一种类石墨氮化碳/二硫化钼(g-C3N4/MoS2)纳米复合材料的合成方法，该方法工艺简单、易操作，反应合成的产物纯度高，比表面积大，具有优异的光催化性能，填补了类石墨氮化碳/二硫化钼(g-C3N4/MoS2)纳米复合材料合成技术领域的空白。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种类石墨氮化碳/二硫化钼(g-C3N4/MoS2)纳米复合材料的合成方法，包括如下步骤：
(1)称取一定量的尿素经玛瑙研钵研磨后放入刚玉坩埚中；
(2)将步骤(1)中的刚玉坩埚加盖后放入马弗炉中煅烧，升温速率为3～5℃/min，保温温度为570～600℃，保温时间为3～4h；之后冷却至室温，取出，收集产物g-C3N4；
(3)将钼酸铵((NH4)6Mo7O24·4H2O)和硫代乙酰铵(CH3CSNH2)分别溶解至去离子水中，充分搅拌溶解后获得均匀的钼酸铵溶液和硫代乙酰铵溶液，其中，钼酸铵溶液、硫代乙酰铵溶液中Mo4+、硫代乙酰铵的浓度分别为1mol/L、2mol/L；
(4)取1份钼酸铵溶液以0.5ml/min的滴加速率加入至2.5份硫代乙酰铵溶液中，持续搅拌后获得均匀的混合溶液，所得混合溶液中Mo4+与硫代乙酰铵的摩尔比为1:4，上述溶液经搅拌后加入反应釜中，控制反应釜内温度为195℃，保温30～50h，之后将反应釜降温至室温，获得水热产物；
(5)将步骤(4)得到的水热产物转移至高速离心分离机中进行离心分离，离心分离后取固体沉淀物，并对其进行清洗，将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在60～80℃温度下干燥10～12h，获得MoS2纳米粉；
(6)将g-C3N4和MoS2纳米粉溶于无水乙醇中，在25℃条件下超声2h，然后在40℃的水浴加热条件下将溶剂缓慢蒸干，所得产物经离心分离，离心分离后取固体沉淀物，并对其进行清洗，将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在60～80℃温度下干燥10～12h，获得g-C3N4/MoS2纳米复合材料。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的一种类石墨氮化碳/二硫化钼(g-C3N4/MoS2)纳米复合材料的合成方法，其中，步骤(1)所述的一定量的尿素是指坩埚中尿素的填充度为(50～60)％。
前述的一种类石墨氮化碳/二硫化钼(g-C3N4/MoS2)纳米复合材料的合成方法，其中，步骤(4)中的溶液转移至反应釜后，反应釜内溶液的填充度为80％。
前述的一种类石墨氮化碳/二硫化钼(g-C3N4/MoS2)纳米复合材料的合成方法，其中，步骤(5)中所述的清洗方法为：依次采用去离子水和无水乙醇对得到的固体沉淀物进行交替洗涤3～5次。
前述的一种类石墨氮化碳/二硫化钼(g-C3N4/MoS2)纳米复合材料的合成方法，其中，步骤(6)所得g-C3N4/MoS2纳米复合材料中MoS2纳米粉的质量分数为(1～10)％，g-C3N4的质量分数为(90～99)％。
前述的一种类石墨氮化碳/二硫化钼(g-C3N4/MoS2)纳米复合材料的合成方法，其中，所得合成产物g-C3N4/MoS2中包含g-C3N4和MoS2两相，g-C3N4为片状结构，其厚度为20～30nm，g-C3N4表面附着有MoS2纳米颗粒，MoS2纳米颗粒的直径为5～25nm。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，借由上述技术方案，本发明一种类石墨氮化碳/二硫化钼(g-C3N4/MoS2)纳米复合材料的合成方法可达到相当的技术进步性及实用性，并具有产业上的广泛利用价值，其至少具有下列优点：
1、采用两步法合成g-C3N4/MoS2纳米复合材料，所用的合成工艺简便、避免了高温煅烧和球磨等后续工艺引入杂质，造成结构缺陷，易操作、反应合成的产物纯度高。
2、该方法制备的g-C3N4/MoS2纳米复合材料，具有介孔结构特征以及较大的表面积(65～75m2/g)，在可见光(氙灯)照射下对罗丹明B(RhB)溶液进行光催化降解实验，显示了优异的光催化性能。
综上所述，本发明一种类石墨氮化碳/二硫化钼(g-C3N4/MoS2)纳米复合材料的合成方法在技术上有显著的进步，并具有明显的积极效果，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1为实施例1制备的g-C3N4/MoS2的XRD图；
图2是实施例1制备的g-C3N4/MoS2的TEM图；
图3是实施例1制备的g-C3N4/MoS2降解罗丹明B溶液的浓度变化曲线图；
图4是实施例1制备的g-C3N4/MoS2与g-C3N4在相同测试条件下的光催化结果比较图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的一种g-C3N4/MoS2纳米复合材料的合成方法，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
实施例1：
(1)称取一定量的尿素经玛瑙研钵研磨后放入刚玉坩埚中；
(2)将步骤(1)中的刚玉坩埚加盖后放置马弗炉中煅烧，升温速率为3℃/min，保温温度为570℃，保温时间为3h，冷却至室温后取出，收集产物g-C3N4。
(3)称取一定量的钼酸铵和硫代乙酰铵分别溶解至溶剂去离子水中，充分搅拌溶解后获得均匀的钼酸铵溶液和硫代乙酰铵溶液，其中，钼酸铵溶液、硫代乙酰铵溶液中Mo4+、硫代乙酰铵的浓度分别为1mol/L、2mol/L；
(4)取1份钼酸铵溶液以0.5ml/min的滴加速率加入至2.5份硫代乙酰铵溶液中，经持续搅拌后获得均匀的混合溶液，所得混合溶液中Mo4+与硫代乙酰铵的摩尔比为1:4，上述溶液经搅拌后加入反应釜中，控制反应釜内温度为195℃，保温30h，之后将反应釜降温至室温，获得溶剂热产物；
(5)将步骤(4)得到的溶剂热产物转移至高速离心分离机中进行离心分离，取固体沉淀物，之后对得到的固体沉淀物进行清洗，再将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在60℃温度下干燥12h，获得MoS2纳米粉；
(6)取一定量g-C3N4和一定量的MoS2纳米粉(MoS2的质量分数为4％，g-C3N4的质量分数为96％)溶于无水乙醇中，在25℃条件下恒温超声2h后在40℃的水浴锅中烘干，所得产物经离心分离，离心分离后取固体沉淀物，并对其进行清洗，将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在60℃温度下干燥12h，获得最终产物g-C3N4/MoS2纳米复合材料。
将本实施例得到的g-C3N4/MoS2纳米复合材料进行XRD与TEM测试，测试结果如图1和图2所示，由图可知：合成产物中包含g-C3N4和MoS2两相，g-C3N4为片状结构，其表面附着有MoS2纳米颗粒，其粒径为5～25nm左右。
对合成产物进行光催化性能测试，分别取0.05g的g-C3N4(作为对照样)和本实施例合成的g-C3N4/MoS2作为光催化剂，以罗丹明B(RhB)为目标降解物(浓度为7mg/L)，体积为50ml，选用150W的氙光灯作为光源，样品距灯的距离为15cm，进行光催化降解实验。结果如图3和图4所示，光照30min后，g-C3N4/MoS2对RhB溶液降解几乎完全，而g-C3N4降解RhB降解67％(图4所示)，可见形成复合半导体后光催化性能明显提升。
实施例2：
(1)称取一定量的尿素经玛瑙研钵研磨后放入刚玉坩埚中；
(2)将步骤(1)中的刚玉坩埚加盖后放置马弗炉中煅烧，升温速率为5℃/min，保温温度为600℃，保温时间为4h，冷却至室温后取出，收集产物g-C3N4。
(3)称取一定量的钼酸铵和硫代乙酰铵分别溶解至溶剂去离子水中，充分搅拌溶解后获得均匀的钼酸铵溶液和硫代乙酰铵溶液，其中，钼酸铵溶液、硫代乙酰铵溶液中Mo4+、硫代乙酰铵的浓度分别为1mol/L、2mol/L；
(4)取1份钼酸铵溶液以0.5ml/min的滴加速率加入至2.5份硫代乙酰铵溶液中，经持续搅拌后获得均匀的混合溶液，所得混合溶液中Mo4+与硫代乙酰铵的摩尔比为1:4，上述溶液经搅拌后加入反应釜中，控制反应釜内温度为195℃，保温50h，之后将反应釜降温至室温，获得溶剂热产物；
(5)将步骤(4)得到的溶剂热产物转移至高速离心分离机中进行离心分离，取固体沉淀物，之后对得到的固体沉淀物进行清洗，再将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在80℃温度下干燥10h，获得MoS2纳米粉；
(6)取一定量g-C3N4和一定量的MoS2纳米粉(MoS2的质量分数为7％，g-C3N4的质量分数为93％)溶于无水乙醇中，在25℃条件下恒温超声2h后在40℃的水浴锅中烘干，所得产物经离心分离，离心分离后取固体沉淀物，并对其进行清洗，将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在65℃温度下干燥10h，获得最终产物g-C3N4/MoS2纳米复合材料。
实施例3：
(1)称取一定量的尿素经玛瑙研钵研磨后放入刚玉坩埚中；
(2)将步骤(1)中的刚玉坩埚加盖后放置马弗炉中煅烧，升温速率为4℃/min，保温温度为580℃，保温时间为4h，冷却至室温后取出，收集产物g-C3N4。
(3)称取一定量的钼酸铵和硫代乙酰铵分别溶解至溶剂去离子水中，充分搅拌溶解后获得均匀的钼酸铵溶液和硫代乙酰铵溶液，其中，钼酸铵溶液、硫代乙酰铵溶液中Mo4+、硫代乙酰铵的浓度分别为1mol/L、2mol/L；
(4)取1份钼酸铵溶液以0.5ml/min的滴加速率加入至2.5份硫代乙酰铵溶液中，经持续搅拌后获得均匀的混合溶液，所得混合溶液中Mo4+与硫代乙酰铵的摩尔比为1:4，上述溶液经搅拌后加入反应釜中，控制反应釜内温度为195℃，保温40h，之后将反应釜降温至室温，获得溶剂热产物；
(5)将步骤(4)得到的溶剂热产物转移至高速离心分离机中进行离心分离，取固体沉淀物，之后对得到的固体沉淀物进行清洗，再将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在70℃温度下干燥11h，获得MoS2纳米粉；
(6)取一定量g-C3N4和一定量的MoS2纳米粉溶于无水乙醇中(MoS2的质量分数为6％，g-C3N4的质量分数为94％)，在25℃条件下恒温超声2h后在40℃的水浴锅中烘干，所得产物经离心分离，离心分离后取固体沉淀物，并对其进行清洗，将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在70℃温度下干燥11h，获得最终产物g-C3N4/MoS2纳米复合材料。
实施例4：
(1)称取一定量的尿素经玛瑙研钵研磨后放入刚玉坩埚中；
(2)将步骤(1)中的刚玉坩埚加盖后放置马弗炉中煅烧，升温速率为5℃/min，保温温度为590℃，保温时间为3h，冷却至室温后取出，收集产物g-C3N4。
(3)称取一定量的钼酸铵和硫代乙酰铵分别溶解至溶剂去离子水中，充分搅拌溶解后获得均匀的钼酸铵溶液和硫代乙酰铵溶液，其中，钼酸铵溶液、硫代乙酰铵溶液中Mo4+、硫代乙酰铵的浓度分别为1mol/L、2mol/L；
(4)取1份钼酸铵溶液以0.5ml/min的滴加速率加入至2.5份硫代乙酰铵溶液中，经持续搅拌后获得均匀的混合溶液，所得混合溶液中Mo4+与硫代乙酰铵的摩尔比为1:4，上述溶液经搅拌后加入反应釜中，控制反应釜内温度为195℃，保温40h，之后将反应釜降温至室温，获得溶剂热产物；
(5)将步骤(4)得到的溶剂热产物转移至高速离心分离机中进行离心分离，取固体沉淀物，之后对得到的固体沉淀物进行清洗，再将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在75℃温度下干燥10h，获得MoS2纳米粉；
(6)取一定量g-C3N4和一定量的MoS2纳米粉溶于无水乙醇中(MoS2的质量分数为8％，g-C3N4的质量分数为92％)，在25℃条件下恒温超声2h后在40℃的水浴锅中烘干，所得产物经离心分离，离心分离后取固体沉淀物，并对其进行清洗，将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在75℃温度下干燥10h，获得最终产物g-C3N4/MoS2纳米复合材料。
实施例5：
(1)称取一定量的尿素经玛瑙研钵研磨后放入刚玉坩埚中；
(2)将步骤(1)中的刚玉坩埚加盖后放置马弗炉中煅烧，升温速率为3℃/min，保温温度为600℃，保温时间为4h，冷却至室温后取出，收集产物g-C3N4。
(3)称取一定量的钼酸铵和硫代乙酰铵分别溶解至溶剂去离子水中，充分搅拌溶解后获得均匀的钼酸铵溶液和硫代乙酰铵溶液，其中，钼酸铵溶液、硫代乙酰铵溶液中Mo4+、硫代乙酰铵的浓度分别为1mol/L、2mol/L；
(4)取1份钼酸铵溶液以0.5ml/min的滴加速率加入至2.5份硫代乙酰铵溶液中，经持续搅拌后获得均匀的混合溶液，所得混合溶液中Mo4+与硫代乙酰铵的摩尔比为1:4，上述溶液经搅拌后加入反应釜中，控制反应釜内温度为195℃，保温48h，之后将反应釜降温至室温，获得溶剂热产物；
(5)将步骤(4)得到的溶剂热产物转移至高速离心分离机中进行离心分离，取固体沉淀物，之后对得到的固体沉淀物进行清洗，再将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在78℃温度下干燥10h，获得MoS2纳米粉；
(6)取一定量g-C3N4和一定量的MoS2纳米粉溶于无水乙醇中(MoS2的质量分数为10％，g-C3N4的质量分数为90％)，在25℃条件下恒温超声2h后在40℃的水浴锅中烘干，所得产物经离心分离，离心分离后取固体沉淀物，并对其进行清洗，将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在80℃温度下干燥10h，获得最终产物g-C3N4/MoS2纳米复合材料。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (6)
1.一种g-C3N4/MoS2纳米复合材料的合成方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)称取一定量的尿素经玛瑙研钵研磨后放入刚玉坩埚中；
(2)将步骤(1)中的刚玉坩埚加盖后放入马弗炉中煅烧，升温速率为3～5℃/min，保温温度为570～600℃，保温时间为3～4h；之后冷却至室温，取出，收集产物g-C3N4；
(3)将钼酸铵和硫代乙酰铵分别溶解至去离子水中，充分搅拌溶解后获得均匀的钼酸铵溶液和硫代乙酰铵溶液，其中，钼酸铵溶液、硫代乙酰铵溶液中Mo4+、硫代乙酰铵的浓度分别为1mol/L、2mol/L；
(4)取1份钼酸铵溶液以0.5ml/min的滴加速率加入至2.5份硫代乙酰铵溶液中，持续搅拌后获得均匀的混合溶液，所得混合溶液中Mo4+与硫代乙酰铵的摩尔比为1:4，上述溶液经搅拌后加入反应釜中，控制反应釜内温度为195℃，保温30～50h，之后将反应釜降温至室温，获得水热产物；
(5)将步骤(4)得到的水热产物转移至高速离心分离机中进行离心分离，离心分离后取固体沉淀物，并对其进行清洗，将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在60～80℃温度下干燥10～12h，获得MoS2纳米粉；
(6)将g-C3N4和MoS2纳米粉溶于无水乙醇中，在25℃条件下超声2h，然后在40℃的水浴加热条件下将溶剂缓慢蒸干，所得产物经离心分离，离心分离后取固体沉淀物，并对其进行清洗，将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在60～80℃温度下干燥10～12h，获得g-C3N4/MoS2纳米复合材料。
2.根据权利要求1所述的一种g-C3N4/MoS2纳米复合材料的合成方法，其特征在于步骤(1)所述的一定量的尿素是指坩埚中尿素的填充度为(50～60)％。
3.根据权利要求1所述的一种g-C3N4/MoS2纳米复合材料的合成方法，其特征在于步骤(4)中的溶液转移至反应釜后，反应釜内溶液的填充度为80％。
4.根据权利要求1所述的一种g-C3N4/MoS2纳米复合材料的合成方法，其特征在于步骤(5)中所述的清洗方法为：依次采用去离子水和无水乙醇对得到的固体沉淀物进行交替洗涤3～5次。
5.根据权利要求1所述的一种g-C3N4/MoS2纳米复合材料的合成方法，其特征在于步骤(6)所得g-C3N4/MoS2纳米复合材料中MoS2纳米粉的质量分数为(1～10)％，g-C3N4的质量分数为(90～99)％。
6.根据权利要求1所述的一种g-C3N4/MoS2纳米复合材料的合成方法，其特征在于所得合成产物g-C3N4/MoS2中包含g-C3N4和MoS2两相，g-C3N4为片状结构，其厚度为20～30nm，g-C3N4表面附着有MoS2纳米颗粒，MoS2纳米颗粒的直径为5～25nm。
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Application publication date: 20171124 Assignee: HENAN DAZHANG FILTER EQUIPMENT Co.,Ltd. Assignor: LUOYANG INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY Contract record no.: X2024980000517 Denomination of invention: Synthesis method of a type of graphite nitride carbon/molybdenum disulfide nanocomposite material Granted publication date: 20200121 License type: Common License Record date: 20240111 |