CN107369698B - 有机发光二极管显示装置和连接结构的制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种具有有机发光二极管的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管具有阳极电极、有机发光层和阴极电极。所述有机发光二极管显示装置包括：低电位源线，所述低电位源线配置成提供低电位源电压；和至少一个辅助阴极电极，所述至少一个辅助阴极电极配置成连接所述低电位源线与所述阴极电极。所述至少一个辅助阴极电极包括：第一金属层，所述第一金属层连接至所述低电位源线；和第二金属层，所述第二金属层在多个第一位置处连接至所述第一金属层并且在与所述多个第一位置不同的多个第二位置处连接至所述阴极电极。

Description

有机发光二极管显示装置和连接结构的制造方法
技术领域
本公开内容涉及一种有机发光显示装置，尤其涉及一种将阴极电极连接至辅助阴极电极的连接结构的制造方法及使用该连接结构的有机发光二极管显示装置。
背景技术
近来，能够减小重量和体积(即，克服阴极射线管(CRT)的缺点)的各种平板显示装置正在被研发。这种平板显示装置的例子包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)和有机发光二极管显示器(OLED)。
平板显示装置中的OLED装置是通过激发有机化合物而发光的自发光显示装置，因为其不需要LCD中使用的背光，所以具有能够实现轻重量和纤薄外形以及简化工艺的优点。此外，因为OLED装置能够在低温制造并且具有1ms或更小的响应时间、高速响应速度以及诸如低功耗、宽视角和高对比度之类的特性，所以OLED装置被广泛使用。
OLED装置包括用于将电能转换成光能的有机发光二极管。有机发光二极管包括阳极电极、阴极电极和设置在这些电极之间的有机发光层(EML)。从阳极电极注入空穴，并且从阴极电极注入电子。当通过阳极电极和阴极电极注入的空穴和电子注入到有机发光层EML中时，形成激子，激子在以光的形式发射能量的同时发射光。
这种OLED装置包括栅极线、数据线、以及通过公共电源线的交叉而划分出的多个像素。每个像素包括开关薄膜晶体管(下文中称为“TFT”)、驱动TFT、存储电容器和有机发光二极管。当给栅极线提供扫描脉冲时，开关TFT导通并且给存储电容器和驱动TFT的栅极电极提供被提供至数据线的数据信号。驱动TFT通过响应于提供至驱动TFT的栅极电极的数据信号控制从电源线提供至有机发光二极管的电流，来调节从有机发光二极管发射的光量。尽管开关TFT断开，但存储电容器充有通过开关TFT而从数据线提供的数据电压，使得驱动TFT提供恒定的电流，直到提供下一帧的数据信号为止，因而保持有机发光二极管的发光。
下面参照图1和2描述现有技术的OLED装置。图1是现有技术的OLED装置的部分区域的平面图，图2是沿图1的线I-I’截取的OLED装置的截面图。
参照图1和2，OLED装置包括TFT基板，在TFT基板中，在每个像素区域中设置有TFTST和DT、以及连接至TFT ST和DT并被驱动的有机发光二极管OLE。
TFT基板包括开关TFT ST、连接至开关TFT ST的驱动TFT DT、以及连接至驱动TFTDT的有机发光二极管OLE。开关TFT ST邻近并设置于栅极线GL和数据线DL的交叉部分中。开关TFT ST用于选择像素。开关TFT ST包括：从栅极线GL延伸的栅极电极SG、半导体层SA、源极电极SS、和漏极电极SD。
驱动TFT DT用于驱动被开关TFT ST选择的像素的有机发光二极管OLE。驱动TFTDT包括：连接至开关TFT ST的漏极电极SD的栅极电极DG、半导体层DA、连接至高电位源线VDL的源极电极DS、和漏极电极DD。驱动TFT DT的漏极电极DD连接至有机发光二极管OLE的阳极电极ANO。覆盖大部分基板的阴极电极CAT设置在阳极电极ANO上。有机发光层OL设置在阳极电极ANO与阴极电极CAT之间。
在设置像素的显示区域的外周部分中设置有连接至栅极线GL的一端的栅极焊盘GP、连接至数据线DL的一端的数据焊盘DP、形成在高电位源线VDL的一端处的高电位源焊盘VDP、以及形成在低电位源线VSL的一端处的低电位源焊盘VSP。
进一步参照图2，开关TFT ST和驱动TFT DT的半导体层SA和DA形成在基板SUB上。栅极电极SG和DG形成在覆盖半导体层SA和DA的栅极绝缘膜GI上。栅极电极SG和DG分别与半导体层SA和DA的中心部分重叠。与栅极电极SG和DG重叠的半导体层SA和DA的区域可定义为沟道区域。此外，栅极焊盘GP可形成在栅极绝缘膜GI上。
半导体层SA和DA的一个侧部分别通过形成在栅极绝缘膜GI中的接触孔连接至源极电极SS和DS，半导体层SA和DA的另一个侧部分别通过形成在栅极绝缘膜GI中的接触孔连接至漏极电极SD和DD。源极电极SS和DS以及漏极电极SD和DD形成在覆盖栅极电极SG和DG的绝缘膜IN上。低电位源线VSL被设置在绝缘膜IN上。此外，数据焊盘DP、高电位源焊盘VDP和低电位源焊盘VSP可被设置在绝缘膜IN上。
在形成有开关TFT ST和驱动TFT DT的基板SUB上形成钝化膜PAS。在形成有钝化膜PAS的基板SUB上形成平坦化膜PL。
阳极电极ANO形成在平坦化膜PL上，阳极电极ANO通过接触孔与驱动TFT DT的漏极电极DD接触。此外，在未形成平坦化膜PL的外周部分中形成通过贯穿绝缘膜的接触孔分别连接至栅极焊盘DP、数据焊盘DP、高电位源焊盘VDP和低电位源焊盘VSP的栅极焊盘端子GPT、数据焊盘端子DPT、高电位源端子VDPT和低电位源端子VSPT。在形成有阳极电极ANO的基板SUB上形成堤图案BA。堤图案BA暴露阳极电极ANO的大部分。在暴露的阳极电极ANO上形成有机发光层OL。在形成有有机发光层OL的基板上形成阴极电极CAT。因此，形成了包括阳极电极ANO、有机发光层OL和阴极电极CAT的有机发光二极管OLE。
通过低电位源线VSL被施加低电位源电压的阴极电极CAT形成在基板SUB的整个表面的大部分中。如果像顶部发光显示装置中一样阴极电极CAT设置在上层中，则需要使用诸如氧化铟锡(ITO)之类的透明导电材料形成阴极电极CAT，因为需要确保透射率。如果使用诸如ITO之类的透明导电材料形成阴极电极CAT，则存在因为电阻增加而画面质量劣化的问题。
如果如上所述电阻增加，则存在低电位源电压在阴极电极的整个区域中不具有恒定电压值的问题。更具体地说，在大面积显示装置的情形中，因为取决于位置的电压偏差，例如取决于距被施加低电位源电压的输入部分的距离的电压偏差可能增大，所以存在亮度在整个屏幕上变得不规则的现象。
发明内容
因此，本发明涉及一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的将阴极电极连接至辅助阴极电极的连接结构的制造方法及使用该连接结构的有机发光二极管显示装置。
本发明的一个目的是提供一种能够将阴极电极的低电位源电压取决于位置的偏差最小化的OLED装置。
本发明的另一个目的是提供一种连接结构的制造方法，所述连接结构能够有效地连接辅助阴极电极和阴极电极，以将提供至阴极电极的低电位源电压的偏差最小化。
在下面的描述中将列出本发明其他的特征和优点，这些特征和优点的一部分通过所述描述将是显而易见的，或者可从本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，如具体和概括描述的，一种OLED装置包括有机发光二极管，所述有机发光二极管具有阳极电极、有机发光层和阴极电极，所述有机发光二极管显示装置包括：低电位源线，所述低电位源线被配置成提供低电位源电压；和至少一个辅助阴极电极，所述至少一个辅助阴极电极被配置成将所述低电位源线连接至所述阴极电极，其中所述至少一个辅助阴极电极包括：第一金属层，所述第一金属层连接至所述低电位源线；和第二金属层，所述第二金属层在多个第一位置处连接至所述第一金属层并且在与所述多个第一位置不同的多个第二位置处连接至所述阴极电极。
所述有机发光二极管显示装置进一步包括第一联接(link)图案，所述第一联接图案被配置成连接所述低电位源线与所述辅助阴极电极的所述第一金属层。
所述有机发光二极管显示装置进一步包括第二联接图案，所述第二联接图案连接至所述至少一个辅助阴极电极的另一端并且设置成与所述第一联接图案平行，所述第一联接图案被设置成与所述至少一个辅助阴极电极交叉。
所述有机发光二极管显示装置进一步包括至少一个第三联接图案，所述至少一个第三联接图案被配置成将所述第一联接图案连接至所述第二联接图案。
所述有机发光二极管显示装置进一步包括通过彼此交叉的栅极线和数据线划分出的像素区域，其中，在所述阴极电极和所述辅助阴极电极连接的区域中，所述辅助阴极电极的所述第一金属层设置在覆盖所述栅极线的栅极绝缘膜上，在所述第一金属层上设置有平坦化膜，所述平坦化膜具有在所述多个第一位置处暴露所述第一金属层的开口部，所述第二金属层设置在所述平坦化膜上并且在所述多个第一位置处连接至所述第一金属层，在与所述多个第一位置对应的所述第二金属层的位置处设置有残留的有机发光层，并且所述阴极电极设置在所述残留的有机发光层和所述第二金属层上并且在所述多个第二位置处连接至所述第二金属层。
所述第一联接图案设置在与所述栅极线相同的层上并且由与所述栅极线相同的材料制成，并且所述低电位源线设置在所述栅极绝缘膜上并且由与所述数据线相同的材料制成。
所述低电位源线在非显示区域中连接至通过贯穿所述栅极绝缘膜的接触孔而暴露的所述第一联接图案。
所述阴极电极在所述非显示区域中通过暴露所述低电位源线的接触孔而连接至所述低电位源线。
所述阳极电极和所述第二金属层由透明导电材料制成，并且所述第一联接图案和所述第一金属层由具有低于所述透明导电材料的比电阻的低电阻金属材料制成。
在另一个方面中，公开了一种OLED装置中的连接结构的制造方法，所述连接结构用于连接阴极电极与辅助阴极电极。所述OLED装置包括设置在通过彼此交叉的栅极线和数据线划分出的像素区域中的阳极电极、有机发光层和阴极电极。所述方法包括：在覆盖所述栅极线的栅极绝缘膜上形成第一金属层，所述第一金属层与所述数据线平行；在所述第一金属层上形成平坦化膜，所述平坦化膜暴露所述第一金属层的部分区域；在所述平坦化膜上沉积透明导电材料，并且通过图案化所述透明导电材料而形成彼此间隔开的第二金属层和所述阳极电极；沉积有机发光材料，以覆盖所述阳极电极和所述第二金属层；在形成有所述第二金属层的区域上喷射溶剂并且通过干燥所述溶剂暴露出所述第二金属层；和通过沉积透明导电材料形成覆盖暴露出的第二金属层的所述阴极电极。
所述平坦化膜包括具有凹部和凸部的凹凸形状，使得在多个第一位置处暴露出所述第一金属层。
所述第二金属层在与所述平坦化膜的所述凸部对应的多个第二位置处被暴露。
根据本发明示例实施方式的OLED装置，因为能够将阴极电极的低电位源电压取决于显示面板的位置的偏差最小化，所以优点可在于能够防止由于取决于显示面板的位置的电阻偏差导致的亮度不规则引起的故障。
此外，因为有机发光装置的阴极电极和辅助阴极电极的连接阻挡结构被有效去除，所以优点可在于能够有效地实现辅助阴极电极与阴极电极之间的接触。
应当理解，本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
提供对本发明的进一步的理解并并入本说明书而构成本说明书一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是现有技术的OLED装置的部分区域的平面图；
图2是沿图1的线I-I’截取的OLED装置的截面图；
图3是示意性图示根据本发明实施方式的OLED装置的框图；
图4是示意性图示图3中所示的显示面板的1个像素区域的等效图；
图5是图示用于给图3中所示的显示面板的阴极电极提供低电位源电压的联接图案和辅助阴极电极的平面图；
图6A和6B是示意性图示设置图5中所示的联接图案和辅助阴极电极的例子的平面图；
图7是图示图3中所示的显示面板的部分区域的平面图；
图8是沿图7的线II-II’截取的显示面板的截面图；
图9是沿图7的线III-III’截取的显示面板的截面图；
图10A到10F是图示用于连接图5的阴极电极和辅助阴极电极的制造工艺的截面图。
具体实施方式
下文中，参照附图详细描述本发明的示例性实施方式。在整个说明书中，相同的参考标记基本表示相同的元件。在下面的描述中，如果认为与本发明相关的已知功能或元件的详细描述会不必要地使本发明的主题模糊不清，则将省略该详细描述。此外，仅考虑到方便撰写该说明书而选取了随后描述中使用的元件的名称，这些元件的名称可能不同于实际部分的名称。
可使用包括序数的术语，比如“第一”和“第二”来描述各元件，但这些元件不限于这些术语唯一的含义。这些术语仅用来将一个元件与其他元件区分开来。
下面参照图3和4描述根据本发明实施方式的OLED装置。图3是示意性图示根据本发明实施方式的OLED装置的框图，图4是示意性图示图3中所示的显示面板的1个像素区域的等效图。
参照图3，根据本发明实施方式的OLED装置10包括显示驱动电路12、14和16以及显示面板DIS。
显示驱动电路包括数据驱动电路12、栅极驱动电路14和时序控制器16，显示驱动电路将输入图像的视频数据电压写入到显示面板DIS的像素中。数据驱动电路12通过将从时序控制器16接收的数字视频数据RGB转换为模拟伽马补偿电压来产生数据电压。数据驱动电路12输出的数据电压被提供至数据线D1～Dm。栅极驱动电路14通过按顺序给栅极线G1～Gn提供与数据电压同步的栅极脉冲，来选择被写入数据电压的显示面板DIS的像素。
时序控制器16从主机系统19接收诸如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、数据使能信号DE和主时钟MCLK之类的时序信号并且将数据驱动电路12和栅极驱动电路14的操作时序同步。用于控制数据驱动电路12的数据时序控制信号包括源极采样时钟SSC和源极输出使能信号SOE。用于控制栅极驱动电路14的栅极时序控制信号包括栅极起始脉冲GSP、栅极移位时钟GSC和栅极输出使能信号GOE。
主机系统19可使用TV系统、机顶盒、导航系统、DVD播放器、蓝光播放器、个人电脑(PC)、家庭影院系统和电话系统实现。主机系统19包括内置有缩放器的片上系统(SoC)，主机系统19将输入图像的数字视频数据RGB转换为适合于在显示面板DIS上显示数字视频数据的格式。主机系统19将时序信号Vsync、Hsync、DE和MCLK连同数字视频数据一起传送至时序控制器16。
显示面板DIS的像素阵列包括由数据线D1～Dm(m为正整数)和栅极线G1～Gn(n为正整数)界定的像素。每个像素包括有机发光二极管(下文中称为“OLED”)，即自发光装置。
参照图4，在显示面板DIS中，多条数据线DL和多条栅极线GL交叉，像素以矩阵形式设置在数据线和栅极线的交叉部分处。每个像素包括OLED OLE、用于控制流入OLED OLE中的电流量的驱动TFT DT、以及用于设定驱动TFT DT的栅极-源极电压的编程单元SC。
编程单元SC可包括至少一个开关TFT和至少一个存储电容器。
开关TFT响应于来自栅极线GL的扫描信号导通并且将来自数据线DL的数据电压施加至存储电容器的一侧上的电极。
驱动TFT DT通过基于充在存储电容器中的电压量控制提供至OLED OLE的电流量，来调整OLED OLE发射的光量。OLED OLE发射的光量与驱动TFT DT提供的电流量成比例。
每个像素连接至高电位源电压源EVDD和低电位源电压源EVSS并且被提供来自电力产生单元(未示出)的高电位源电压和低电位源电压。
形成像素的TFT可以以p型或n型实现。此外，形成像素的TFT的半导体层可包括非晶硅、多晶硅或氧化物。OLED OLE包括阳极电极ANO、阴极电极CAT、以及介于阳极电极ANO与阴极电极CAT之间的有机发光层。阳极电极ANO连接至驱动TFT DT。有机发光层包括发光层(EML)。可设置其间插入发光层的空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)以及电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
下面参照图5到6B描述根据本发明实施方式的OLED装置中的用于给阴极电极提供低电位源电压的构造。
图5是显示用于给图3中所示的显示面板的阴极电极提供低电位源电压的联接图案和辅助阴极电极的平面图，图6A和6B是示意性图示设置图5中所示的联接图案和辅助阴极电极的例子的平面图。
参照图5，根据本发明实施方式的OLED装置包括显示面板DIS，显示面板DIS被施加来自图3的显示驱动电路12、14和16的驱动信号和电源电压。显示面板DIS包括低电位源线VSL、阴极电极CAT、辅助阴极电极ACAT和第一联接图案LP1。
低电位源电压被施加至低电位源线VSL。例如，低电位源线VSL可连接至焊盘，所述焊盘属于焊盘单元PA中包括的焊盘并且所述焊盘被提供低电位源电压。在该情形中，焊盘单元PA可连接至诸如覆晶薄膜(COF)之类的柔性膜。电力产生单元输出的低电位源电压可通过电连接至显示面板DIS的焊盘单元PA的柔性膜而输入到显示面板DIS的低电位源线VSL。
阴极电极CAT连接至低电位源线VSL并且被提供低电位源电压。在顶部发光OLED装置的情形中，因为设置在上层中的阴极电极CAT需要透射光，所以阴极电极CAT由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或掺杂镓的氧化锌(GZO)之类的透明导电材料制成。透明导电材料具有比金属材料高的比电阻值。如果如上所述使用包括高比电阻的阴极电极CAT，则存在施加至阴极电极CAT的低电位源电压在阴极电极CAT的整个区域中不具有恒定电压值的问题。例如，因为输入部分(即施加低电位源电压的一侧上)的低电位源电压值与远离该输入部分的位置中的低电位源电压值之间的偏差，亮度可能根据位置而不是恒定的。
因此，取决于显示面板上的位置的低电位源电压值之间的偏差需要是均匀的。根据本发明实施方式的OLED装置提供了一种能够将低电位源线提供的低电位源电压均匀地提供给显示面板的结构。
为此，根据本发明实施方式的OLED装置包括：连接至低电位源线VSL的第一联接图案LP1；和多个辅助阴极电极ACAT，所述多个辅助阴极电极ACAT连接至第一联接图案LP1并且被配置成将低电位源电压从多个位置提供至阴极电极CAT。
第一联接图案LP1例如在第一接触位置CP1处连接至低电位源线VSL并且被提供低电位源电压。第一联接图案LP1在第二接触位置CP2处连接至每个辅助阴极电极ACAT的一端，因而将辅助阴极电极ACAT电连接至低电位源线VSL。
第一联接图案LP1由具有低于阴极电极CAT的电阻的材料，例如低电阻金属材料制成。第一联接图案LP1可具有沿与辅助阴极电极ACAT交叉的方向延伸的条形。
第一联接图案LP1可在多个位置(例如，第三接触位置CP3)处连接至阴极电极CAT，所述多个位置包括连接至低电位源线VSL的低电位源电压的输入部分。如果第一联接图案LP1在如上所述的多个位置处连接至阴极电极CAT，则具有能够进一步降低阴极电极CAT的电阻的优点。
多个辅助阴极电极ACAT沿与数据线平行的方向设置并且在第二接触位置CP2处连接至第一联接图案LP1。此外，多个辅助阴极电极ACAT在多个第四接触位置CP4处连接至阴极电极CAT，如图5中所示。
阴极电极CAT可通过低电位源线VSL直接接收电力产生单元(未示出)产生的低电位源电压EVSS。此外，阴极电极CAT可通过连接至低电位源线VSL的第一联接图案LP1和辅助阴极电极ACAT在多个位置处接收电力产生单元产生的低电位源电压。因此，低电位源电压可沿多个低电位源供给路径提供至阴极电极CAT。因此，有能够将阴极电极CAT产生的针对每个位置的电压偏差最小化的优点。
参照图6A和6B，根据本发明实施方式的OLED装置可进一步包括第二联接图案LP2和第三联接图案LP3至少之一。
参照图6A，第二联接图案LP2连接至每个辅助阴极电极ACAT的另一端。第二联接图案LP2由低电阻材料制成并且可由与第一联接图案LP1相同的材料制成。第二联接图案LP2与辅助阴极电极ACAT的另一端在第二接触位置CP2处互相连接。
第二联接图案LP2可具有沿与辅助阴极电极ACAT交叉的方向延伸的条形。
参照图6B，第三联接图案LP3连接至第一联接图案LP1和第二联接图案LP2，因而将第一联接图案LP1和第二联接图案LP2电连接。第三联接图案LP3由低电阻材料制成并且可由与第一联接图案LP1和/或第二联接图案LP2相同的材料制成。第一联接图案LP1、第二联接图案LP2和第三联接图案LP3可在同一层中以一体形式形成。
如果第二联接图案LP2和第三联接图案LP3包括低电阻材料，则有利于在阴极电极CAT的整个表面中形成相等的电位。因此，如果额外包括第二联接图案LP2和第三联接图案LP3，则具有能够将取决于像素位置的阴极电极CAT的低电位源电压的偏差最小化的优点。
下面参照图7到9更详细地描述根据本发明实施方式的OLED装置的构造。图7是图示图3中所示的显示面板的部分区域的平面图，图8是沿图7的线II-II’截取的显示面板的截面图，图9是沿图7的线III-III’截取的显示面板的截面图。
参照图7，根据本发明实施方式的OLED装置包括基板SUB，基板SUB包括显示图像信息的显示区域AA、以及设置有用于驱动显示区域AA的数个元件的非显示区域NA。在显示区域AA中设置有以矩阵形式布置的多个像素P。
多个像素P可以以各种形式布置。例如，像素可具有相同的尺寸或具有不同的尺寸。此外，如图5中所示，每一个像素都具有作为一个单元的以红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)表示的3个子像素，这些像素可规则地排列。下面描述像素的最简单结构。像素P可设置在由沿第一方向行进的栅极线GL和沿第二方向行进的多条数据线DL的交叉结构界定出的区域中。
焊盘单元PA设置在非显示区域NA的一侧上，焊盘单元PA包括数据焊盘、高电位源焊盘和低电位源焊盘。数据线DL电连接至焊盘单元PA的数据焊盘并被提供数据电压。高电位源线VDL电连接至焊盘单元PA的高电位源焊盘并被提供高电位源电压。低电位源线VSL电连接至焊盘单元PA的低电位源焊盘并被提供低电位源电压。阴极电极CAT直接连接至低电位源线VSL并被提供低电位源电压。因此，形成了提供低电位源电压的第一供给路径。
数据线DL设置于沿第一方向相邻的像素P之间。高电位源线VDL被设置为与数据线DL相邻并且设置于沿第一方向相邻的像素P之间。在该情形中，沿第一方向相邻的像素P之间可不必须设置高电位源线VDL。在该情形中，沿第二方向行进的任意一条高电位源线VDL可电连接至沿第一方向相邻的至少两个像素P。也就是说，沿第一方向相邻的至少两个像素P可共享一条高电位源线VDL。
辅助阴极电极ACAT设置于沿第一方向相邻的像素P之间。辅助阴极电极ACAT可与数据线DL和高电位源线VDL平行设置。沿第一方向相邻的像素P之间可不必须设置辅助阴极电极ACAT。高电位源线VDL和辅助阴极电极ACAT至少之一可与沿第二方向行进的数据线一起设置在相邻像素P之间。例如，可在相邻像素P之间设置高电位源线VDL和辅助阴极电极ACAT二者或者它们的任意一个。高电位源线VDL和辅助阴极电极ACAT可交替设置。例如，可在相邻的辅助阴极电极ACAT之间设置一条或多条高电位源线VDL。此外，可在相邻的高电位源线VDL之间设置一个或多个辅助阴极电极ACAT。
在每个像素P中设置有用于驱动OLED的TFT。TFT可形成在像素P的一侧上界定出的TFT区域TA中。OLED包括阳极电极ANO、阴极电极CAT、以及介于这两个电极ANO和CAT之间的有机发光层。可通过与阳极电极ANO重叠的有机发光层的区域确定实际发光的区域。
阳极电极ANO被形成为占据像素P的部分区域并且电连接至形成在TFT区域TA中的TFT。阳极电极ANO形成在每个像素P中。阳极电极ANO与相邻像素P的阳极电极ANO间隔开特定间隔，以使阳极电极ANO不与相邻像素P的阳极电极ANO接触。有机发光层形成在阳极电极ANO上。阴极电极CAT广泛地形成在有机发光层上，以完全覆盖至少设置有像素P的显示区域AA的区域。阴极电极CAT在第一接触位置CP1处电连接至低电位源线VSL。
第一联接图案LP1连接至每个辅助阴极电极ACAT的一端。第一联接图案LP1在第二接触位置CP2处电连接至辅助阴极电极ACAT。如果需要的话，第一联接图案LP1可在第三接触位置CP3处电连接至阴极电极CAT。第一联接图案LP1连接至低电位源线VSL，并且将低电位源线VSL提供的低电位源电压提供给辅助阴极电极ACAT。因此，形成了提供低电位源电压的第二供给路径。
第一联接图案LP1可与栅极线GL平行设置在非显示区域NA中。第一联接图案LP1与数据线DL和高电位源线VDL交叉。第一联接图案LP1、数据线DL和高电位源线VDL之间插入有一个或多个绝缘膜而设置在不同的层中，以使第一联接图案LP1、数据线DL和高电位源线VDL不会短路。
下面参照图7到9更详细地描述根据本发明实施方式的OLED装置的截面结构。显示面板DIS的基板SUB包括非显示区域NA和显示区域AA。低电位源线VSL和第一联接图案LP1设置在非显示区域NA中。开关TFT ST、驱动TFT DT和OLED OLE设置在显示区域AA中。
栅极线GL、开关TFT ST的栅极电极SG、以及驱动TFT DT的栅极电极DG设置在基板SUB的显示区域AA中。第一联接图案LP1设置在基板SUB的非显示区域NA中。
在设置有栅极线GL、栅极电极SG和DG以及第一联接图案LP1的基板SUB上设置有覆盖栅极线GL、栅极电极SG和DG以及第一联接图案LP1的栅极绝缘膜GI。
半导体沟道层SA和DA设置在栅极绝缘膜GI的显示区域AA中，使得半导体沟道层SA和DA分别与栅极电极SG和DG重叠。数据线DL、与数据线DL平行布置的辅助阴极电极ACAT的第一金属层M1、从数据线DL延伸并且设置在半导体沟道层SA和DA一侧上的源极电极SS和DS、以及与源极电极SS和DS间隔开特定间隔并且设置在半导体沟道层SA和DA另一侧上的漏极电极SD和DD被设置在栅极绝缘膜GI的显示区域AA中。
在上述结构中，开关TFT ST包括栅极电极SG、栅极绝缘膜GI、沟道层SA、源极电极SS和漏极电极SD。此外，驱动TFT DT包括连接至开关TFT ST的漏极电极SD的栅极电极DG、栅极绝缘膜GI、沟道层DA、源极电极DS和漏极电极DD。
然而，根据本发明实施方式的TFT ST和DT的结构不限于上述结构。除前述底栅结构以外，如果能够驱动OLED装置的话，TFT ST和DT的结构可包括所有结构，比如顶栅结构和双栅结构。
低电位源线VSL设置在栅极绝缘膜GI的非显示区域NA中。低电位源线VSL连接至通过贯穿栅极绝缘膜GI的接触孔而暴露的第一联接图案LP1。
钝化膜PAS和平坦化膜PL依序设置在设置有数据线DL、辅助阴极电极ACAT的第一金属层M1、TFT ST和DT的源极电极SS和DS以及漏极电极SD和DD、以及低电位源线VSL的栅极绝眼膜GI上，使得钝化膜PAS和平坦化膜PL覆盖数据线DL、辅助阴极电极ACAT的第一金属层M1、TFT ST和DT的源极电极SS和DS以及漏极电极SD和DD、以及低电位源线VSL。
平坦化膜PL具有岛形，使得平坦化膜PL在形成辅助阴极电极ACAT的第一金属层M1的区域中具有在多个位置处暴露第一金属层M1的多个开口部。
阳极电极ANO设置在平坦化膜PL的显示区域AA中。阳极电极ANO通过贯穿钝化膜PAS和平坦化膜PL的接触孔连接至驱动TFT DT的漏极电极DD。包括与阳极电极ANO相同材料的辅助阴极电极ACAT的第二金属层M2设置在平坦化膜PL上。第二金属层M2被设置成从显示区域AA延伸至非显示区域NA。阳极电极ANO和第二金属层M2在平坦化膜PL上彼此间隔开。第二金属层M2设置在岛形的平坦化膜PL以及通过岛形的平坦化膜PL的开口部暴露的第一金属层M1上，并且第二金属层M2在多个位置处与第一金属层M1接触。
堤图案BA形成在设置有阳极电极ANO和辅助阴极电极ACAT的第二金属层M2的平坦化膜PL上。堤图案BA形成为暴露阳极电极ANO和辅助阴极电极ACAT。有机发光层OL设置在通过堤图案BA的开口部暴露的阳极电极ANO上。残留的有机发光层ROL设置在辅助阴极电极ACAT的第二金属层M2上。如果在去除第二金属层M2上的有机发光材料的工艺中残留的有机发光层ROL被完美地去除，则可不存在残留的有机发光层ROL。
由透明导电材料制成的阴极电极CAT设置在堤图案BA、有机发光层OL、残留的有机发光层ROL和辅助阴极电极ACAT的第二金属层M2上。因此，形成了包括阳极电极ANO、有机发光层OL和阴极电极CAT的OLED OLE。形成了阴极电极CAT与包括第一金属层M1和第二金属层M2的辅助阴极电极ACAT连接的连接结构。
低电位源线VSL可在输入部分中连接至阴极电极CAT，并且低电位源线VSL可通过第一联接图案LP1和多个辅助阴极电极ACAT在多个位置处将低电位源电压提供至阴极电极CAT。
第一联接图案LP1由低电阻材料制成。例如，第一联接图案LP1可由包括Mo、Cu、Ag、Cr、Al或MoTi的单层或者包括Mo、Cu、Ag、Cr、Al或MoTi的堆叠的多层形成。低电位源线VSL和辅助阴极电极ACAT的第一金属层M1可由与第一联接图案LP1相同的低电阻材料制成。辅助阴极电极ACAT的第二金属层M2可由与阳极电极ANO相同的透明导电材料制成。
下面参照图9更详细地描述阴极电极CAT和辅助阴极电极ACAT的连接结构。
辅助阴极电极ACAT包括设置在显示区域AA的栅极绝缘膜GI上的第一金属层M1和连接至第一金属层M1的第二金属层M2，如图9中所示。第一金属层M1设置在堤图案BA的开口部区域中的栅极绝缘膜GI上，并且第一金属层M1在与低电位源线VSL和数据线DL相同的层中由与低电位源线VSL和数据线DL相同的材料制成。
钝化膜PAS和平坦化膜PL堆叠在第一金属层M1上，以暴露第一金属层M1。平坦化膜PL形成为在堤图案BA的开口部区域中具有岛形并且在多个位置处暴露第一金属层M1。
第二金属层M2按照堤图案BA的开口部区域而设置在平坦化膜PL以及通过平坦化膜PL暴露的第一金属层M1上。第二金属层M2在多个位置处连接至通过具有岛形的平坦化膜PL暴露的第一金属层M1。第二金属层M2设置在与阳极电极ANO相同的层中并且由与阳极电极ANO相同的材料制成。
第二金属层M2在第一金属层M1和第二金属层M2彼此接触的多个位置的每一个位置处具有凹部，并且由于具有岛形的平坦化膜PL而在平坦化膜PL的顶部位置处具有凸部。
第二金属层M2的凹部连接至第一金属层M1。残留的有机发光层ROL形成在第二金属层M2的凹部上。残留的有机发光层ROL是在第二金属层M2上的有机发光材料被溶剂溶解并干燥之后残余的有机发光材料的残留物。如果通过长期工艺去除有机发光材料，则可不存在残留的有机发光层ROL。
阴极电极CAT设置成覆盖堤图案BA、第二金属层M2和残留的有机发光层ROL。因此，阴极电极CAT通过辅助阴极电极ACAT的第二金属层M2连接至辅助阴极电极ACAT的第一金属层M1。
因此，阴极电极CAT通过图5中所示的低电位源线VSL和第一联接图案LP1被提供低电位源电压，并且还在像素区域的多个位置处通过低电位源线VSL、第一联接图案LP1和辅助阴极电极ACAT被提供低电位源电压。
下面参照图10A到10F更详细地描述阴极电极CAT和辅助阴极电极ACAT的连接结构的制造方法。按照堤图案BA的开口部形成阴极电极CAT和辅助阴极电极ACAT的连接结构。
参照图10A，通过溅射在辅助阴极电极ACAT的第一金属层M1和具有岛形的凹凸结构的平坦化膜PL上设置透明导电金属材料，辅助阴极电极ACAT的第一金属层M1形成在通过堤图案BA的开口部暴露的栅极绝缘膜GI上。通过图案化透明导电金属材料形成第二金属层M2。形成有第二金属层M2的平坦化膜PL具有岛形的凹凸结构，该凹凸结构具有多个开口部，以在多个第一位置处暴露第一金属层M1。当形成第二金属层M2时，也在平坦化膜PL上形成阳极电极ANO。
参照图10B，通过CVD(化学气相沉积)方法沉积由有机发光材料制成的有机发光层OL，使得堤图案BA、通过堤图案BA的开口部暴露的阳极电极ANO、以及辅助阴极电极ACAT的第二金属层M2被覆盖。
参照图10C到10E，使用喷墨装置INJ在其上沉积有有机发光层OL的堤图案BA的开口部中喷射溶剂。第二金属层M2上的有机发光层OL被溶剂溶解。通过干燥而原封不动残留下来的有机发光材料由于具有岛形的平坦化膜PL的凹凸结构而聚集在与平坦化膜PL的凹部对应的第二金属层M2上，因而形成残留的有机发光层ROL。第二金属层M2在与平坦化膜PL的凸部对应的多个第二位置处被暴露。也就是说，形成在平坦化膜PL上的第二金属层M2被暴露到外部，如图10E中所示。
参照图10F，通过在形成有有机发光层OL和残留的有机发光层ROL的基板SUB上沉积透明导电材料，形成阴极电极CAT。
阴极电极CAT连接至未形成残留的有机发光层并且暴露到外部的辅助阴极电极ACAT的第二金属层M2的部分，辅助阴极电极ACAT的第二金属层M2连接至第一金属层M1，并且第一金属层M1连接至第一联接图案LP1，如图8中所示。第一联接图案LP1连接至低电位源线VSL。因此，低电位源电压通过低电位源线VSL被提供至阴极电极CAT。
根据依据本发明实施方式的OLED装置，因为能够将阴极电极的低电位源电压取决于显示面板的位置的偏差最小化，所以具有能够防止由于取决于显示面板的位置的电阻偏差导致的亮度不规则引起的故障的优点。
此外，根据OLED装置，具有通过有效去除阴极电极和辅助阴极电极的连接阻挡结构，能够有效地实现辅助阴极电极与阴极电极之间的接触的优点。
在形成现有技术的OLED装置的有机发光二极管时，有机发光二极管的一些层(例如，空穴注入层、空穴传输层和发光层)可通过溶液方法(soluble method)形成，而其他层(例如，电子传输层和电子注入层)可通过蒸镀方法形成。这是因为如果通过溶液方法形成电子传输层，电子传输层中包含的溶剂材料会对发光层的质量带来负面影响。
为了解决上述问题，当通过化学气相沉积方法形成有机发光二极管的发光层时，根据本发明实施方式的OLED装置是特别有用的。
通过前述内容，在不背离本发明的技术精神的情况下，本领域技术人员可以以各种方式改变和修改本发明。
例如，在根据本发明实施方式的OLED装置中，低电位源电压被举例说明为通过低电位源线、第一联接图案和辅助阴极电极提供至阴极电极，但可省略第一联接图案，低电位源线可直接连接至辅助阴极电极。
在不背离本公开内容的精神或范围的情况下，可在本发明中进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说将是显而易见的。因而，旨在使本发明覆盖本发明的这些修改和变化，只要它们落入所附权利要求书及其等同物的范围内。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管显示装置，包括有机发光二极管，所述有机发光二极管具有阳极电极、有机发光层和阴极电极，所述有机发光二极管显示装置包括：
低电位源线，所述低电位源线被配置成提供低电位源电压；和
至少一个辅助阴极电极，所述至少一个辅助阴极电极被配置成连接所述低电位源线与所述阴极电极，
其中所述至少一个辅助阴极电极包括：第一金属层，所述第一金属层连接至所述低电位源线；和第二金属层，所述第二金属层在多个第一位置处连接至所述第一金属层并且在与所述多个第一位置不同的多个第二位置处连接至所述阴极电极，
其中，在所述阴极电极和所述辅助阴极电极连接的区域中：
平坦化膜设置在所述第一金属层上，所述平坦化膜具有在所述多个第一位置处暴露所述第一金属层的开口部，
所述第二金属层设置在所述平坦化膜上并且在所述多个第一位置处连接至所述第一金属层，
残留的有机发光层设置在与所述多个第一位置对应的所述第二金属层的位置处，并且
所述阴极电极设置在所述残留的有机发光层和所述第二金属层上并且在所述多个第二位置处连接至所述第二金属层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，进一步包括第一联接图案，所述第一联接图案被配置成连接所述低电位源线与所述辅助阴极电极的所述第一金属层。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，进一步包括第二联接图案，所述第二联接图案连接至所述至少一个辅助阴极电极的另一端并且被设置成与所述第一联接图案平行，所述第一联接图案被设置成与所述至少一个辅助阴极电极交叉。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置，进一步包括至少一个第三联接图案，所述至少一个第三联接图案被配置成将所述第一联接图案连接至所述第二联接图案。
5.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，进一步包括通过彼此交叉的栅极线和数据线划分出的像素区域，
其中，在所述阴极电极和所述辅助阴极电极连接的所述区域中：
所述辅助阴极电极的所述第一金属层设置在覆盖所述栅极线的栅极绝缘膜上。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置，其中：
所述第一联接图案设置在与所述栅极线相同的层上并且由与所述栅极线相同的材料制成，并且
所述低电位源线设置在所述栅极绝缘膜上并且由与所述数据线相同的材料制成。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中所述低电位源线在非显示区域中连接至通过贯穿所述栅极绝缘膜的接触孔而暴露的所述第一联接图案。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置，其中所述阴极电极在所述非显示区域中通过暴露所述低电位源线的接触孔连接至所述低电位源线。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置，其中：
所述阳极电极和所述第二金属层由透明导电材料制成，并且
所述第一联接图案和所述第一金属层由具有低于所述透明导电材料的电阻的低电阻金属材料制成。
10.一种有机发光二极管显示装置中的连接结构的制造方法，所述连接结构用于连接阴极电极与辅助阴极电极，在所述有机发光二极管显示装置中，在通过彼此交叉的栅极线和数据线划分出的像素区域中设置有具有阳极电极、有机发光层和阴极电极的有机发光二极管，所述方法包括：
在覆盖所述栅极线的栅极绝缘膜上形成第一金属层，所述第一金属层与所述数据线平行；
在所述第一金属层上形成平坦化膜，所述平坦化膜包括具有凹部和凸部的凹凸形状，使得在与所述凹部对应的多个第一位置处暴露出所述第一金属层；
在所述平坦化膜上沉积透明导电材料，并且通过图案化所述透明导电材料而形成彼此间隔开的第二金属层和所述阳极电极；
沉积有机发光材料，以覆盖所述阳极电极和所述第二金属层；
在形成有所述第二金属层的区域上喷射溶剂，并且通过干燥所述溶剂而在与所述平坦化膜的所述凸部对应的多个第二位置处暴露出所述第二金属层；和
通过沉积透明导电材料形成覆盖暴露出的第二金属层的所述阴极电极。
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