CN107326209B - 贵金属及过渡族金属纳米线及纳米网状材料的制备方法 - Google Patents

贵金属及过渡族金属纳米线及纳米网状材料的制备方法 Download PDF

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Abstract

一种贵金属及过渡族金属纳米线及纳米网状材料的制备方法,属于纳米材料制备领域。具体制备方法为：首先采用溶体快淬的方法制备Cu‑Zr‑Al‑Ag非晶合金薄带；然后选择合适的腐蚀液进行化学脱合金处理，去除Zr和Al元素，获得纳米多孔铜银复合材料；腐蚀过程结束后将纳米多孔铜银复合材料用蒸馏水和无水乙醇反复清洗，晾干之后通过离子溅射装备将贵金属或过渡族金属原子团簇溅射到纳米多孔铜银复合材料表面，生长出贵金属或过渡族金属纳米线，直径为10‑100nm，这些纳米线继续交错生长形成纳米网状材料。本发明制备方法工艺简便、经济、过程可控，制得的贵金属纳米网显示出良好的表面增强拉曼散射(SERS)等性能，在光学、电学、催化、生物等领域具有广阔的应用前景。

Description

贵金属及过渡族金属纳米线及纳米网状材料的制备方法
技术领域：
本发明涉及的是贵金属及过渡族金属纳米材料的设计与制备方法，具体而言，先采用溶体快淬的方法制备出Cu-Zr-Al-Ag非晶合金薄带，然后采用化学脱合金将合金中的Cu和Zr进行脱合金处理，得到纳米多孔铜银复合材料，再采用离子溅射装置，将贵金属或过渡族金属原子团簇溅射到纳米多孔铜银复合材料表面，从而制备出贵金属或过渡族金属纳米线或纳米网。
背景技术：
一维纳米材料是指在横向上处于纳米尺度范围(1-100nm),纵向上没有限制的材料。本发明涉及的贵金属或过渡族金属纳米线和纳米网就是属于一维纳米材料，纳米网实际为纳米线生长交错相连而成。由于一维纳米材料的大的比表面积及量子限域效应，其具有独特的电学、热学、机械学以及光学性质。由于其优异的性能，贵金属纳米材料在催化、电子、光学等领域具有重要的应用前景。许多贵金属纳米线，如Pt，Pd，Au，Ag等均表现出很高的催化活性，例如贵金属纳米线在乙醇的催化氧化以及甲酸的催化氧化过程中显示出非常高的活性。因此，贵金属纳米线引起了广泛的关注，迅速成为当今材料科学中最为活跃的研究领域。而过渡族金属纳米材料在催化领域也具有潜在的应用价值，例如镍纳米线对乙醇的电催化氧化表现出很高的电催化活性。
纳米线的合成方法有很多,主要可分为交流电沉积法和化学方法两大类。交流电沉积法主要有单频交流电沉积法和变频交流电沉积法，电沉积法的原理是在微电极之间,施加一个交流电场,使得盐溶液中的粒子产生介电泳力从而沿着特定方向排列,“由下而上”自组装成一维至三维的纳米结构，截止目前，已有不少研究者利用交流电沉积法成功制备出纯金、钯、银及金-银合金纳米线，但是交流电沉积法中的低频成核时间短,对纳米线的形貌有很大的影响,故而其可控性并不强。化学法则主要有模板法、气-液-固(VLS)法、固-液-固(SLS)法、溶剂热法等。；模板法合成一维纳米线是一种非常直接而且简单有效的方法，在合成过程中，模板作为基底框架,溶液中的不同材料会在其内部或周围形成一个与模板形貌相互补的纳米结构，最后将模板处理掉，即得到纳米材料。很多科研工作者利用不同的模板合成了纳米材料，但是合成的纳米线产量受到模板的限制；气-液-固(VLS)法是先将气体反应物加入到含金属催化剂的液滴中,然后经过单晶纳米棒的成核生长,形成纳米线，这种方法合成效率高，但是反应条件要求苛刻；固-液-固(SLS)法是选择一些溶点低的金属(如In、Sn或Bi)作为催化剂,然后通过热分解金属有机物材料就可得到目标产物。此法合成出来的产物基本上都是单晶,其晶须的直径约为10-150nm,长度可达到几个微米；溶剂热法是利用溶剂在超临界点的温度下,固体的溶解性增加,并且固体之间的反应速率加快，将前驱体和其他试剂(例如胺类)适当的比例加入到溶剂中,再将混合溶液置于高压反应釜中,然后在高温高压下发生反应,最终得到纳米线产物。研究者利用此法成功制备了一系列金属纳米线、纳米管、纳米须等，这种方法应用广泛，但是反应需要在高温高压下进行，且存在反应过程不易控制、产物分离工序复杂等不足。因此，目前急需开发一种工艺简单、高效、过程可控的纳米线制备方法，以获得性能优异的贵金属或过渡族金属纳米材料。
发明内容：
针对现有技术的不足，本发明提供一种制备微观结构可控、性能优异的贵金属或过渡族金属纳米材料(即：纳米线和纳米网)的方法，以Cu-Zr-Al-Ag非晶合金带作为前驱体，采用熔体快淬和化学脱合金的方法制备出纳米多孔铜银复合材料，然后采用离子溅射方法将贵金属原子团簇溅射到其表面上，即得到贵金属纳米材料。通过控制贵金属的溅射条件，可以控制贵金属纳米网的结构。该制备方法工艺简单，制备周期短，便于批量生产。通过该方法制备得到的贵金属纳米材料具有较佳的SERS效应和催化活性。
一种贵金属及过渡族金属纳米线及纳米网状材料的制备方法，以纳米多孔铜银复合材料为基底，采用离子溅射方法制备贵金属或过渡族金属纳米线及纳米网状材料，其特征包括以下步骤：
(1)以Cu-Zr-Al-Ag非晶合金系列作为前驱体，选择高纯度的Cu、Zr、Al、Ag金属作为原材料，按照名义成分制备预合金锭；
(2)采用熔体快淬的方法，将Cu-Zr-Al-Ag合金锭感应加热至熔融状态，利用高纯氩气将其快速吹出，使熔融的液态金属在高速旋转的铜辊上快速凝固，制备出非晶合金薄带；
(3)在酸性腐蚀溶液中进行脱合金化处理；腐蚀过程结束后，将处理后的薄带在蒸馏水和无水乙醇中反复清洗，晾干之后得到纳米多孔铜银复合材料；
(4)以纳米多孔铜银复合材料为基底，利用离子溅射装置，将贵金属或过渡族金属原子团簇溅射到纳米多孔铜银复合材料基底上，即得到贵金属或过渡族金属纳米线或纳米网状材料。
进一步的，步骤(1)中的Cu-Zr-Al-Ag预合金锭是通过将称好的Cu、Zr、Al、Ag放置在真空电弧炉中，先预抽真空并充入高纯氩气，然后通过电弧熔炼得到预合金锭。
进一步的，Cu-Zr-Al-Ag非晶薄带具有较宽的成分范围：CuxZryAl5Agz，其中30<x<60，25<y<65，2<z<10，且x+y+z+5＝100，所标成分为原子百分比。
进一步的，步骤(3)中的酸性溶液为氢氟酸，其浓度为0.005-0.025mol/L，腐蚀时间为20-25h，腐蚀温度为室温。
进一步的，步骤(4)中是利用离子溅射仪溅射出来的贵金属或过渡族金属原子团簇溅射到纳米多孔铜银复合材料上，贵金属在其表面生长为连续的贵金属或过渡族金属纳米网。
进一步的，制得的贵金属纳米网状材料结构均匀，纳米线的直径为10-100nm,其最终产率、纳米网络致密度和形貌与溅射的金属厚度有关。
进一步的，所制得的贵金属纳米网状材料可以作为均匀、稳定、高灵敏度的SERS基底，得到的贵金属纳米网具有较强的表面增强拉曼散射效应，增强因子达到106量级，过渡族金属纳米线或纳米网有潜在的催化性能。
本发明与现有技术相比所具有的优势在于：首先，制备方法简单，生产过程可控,成本低廉，且无污染物产生，是一种环境友好型的生产方式；其次，制备纳米线成分范围广，根据生产需要控制溅射的金属可以制备纯金属或合金纳米线；最后，该方法生产周期短，适用于大批量生产，是一种快速、高产的制备贵金属或过渡族金属纳米材料的方法。
附图说明
图1显示Cu50Zr45-xAl5Agx(x＝2，5，7，10)快淬薄带的XRD图谱。
图2显示常温条件下以Cu30Zr60Al5Ag5非晶合金作为前驱体脱合金之后得到纳米多孔铜银复合材料，再以其作为基底生长银纳米材料的SEM图。
图3显示常温条件下以Cu50Zr38Al5Ag7非晶合金作为前驱体脱合金之后得到纳米多孔铜银复合材料，再以其作为基底生长金纳米材料的SEM图。
图4显示常温条件下以Cu30Zr60Al5Ag5非晶合金作为前驱体脱合金之后得到纳米多孔铜银复合材料，再以其作为基底生长镍纳米材料的SEM图。
图5显示常温条件下以Cu50Zr38Al5Ag7非晶合金作为前驱体脱合金之后得到纳米多孔铜银复合材料，再以其作为基底生长金纳米材料的SEM图(a)，图(b)为图(a)中点1俄歇电子能谱。
图6显示的是纳米多孔铜、纳米多孔铜银复合材料以及金纳米网的表面增强拉曼光谱，金纳米网的增强因子达106量级。
具体实施方式
实施例1：
(1)以Cu30Zr60Al5Ag5作为初始合金名义成分，将初始合金所需的纯元素(Cu>99.9999wt％，Zr>99.9wt％，Al>99.999wt％，Ag>99.99wt％)，按照合金原子的百分比换算成质量(10g)并分别称量好，然后放置在高真空电弧炉中，将腔内真空抽到10-4Mpa以下，并充入高纯氩气(>99.9wt％)。
(2)利用高真空电弧熔炼设备对配好的Cu30Zr60Al5Ag5初始合金组分材料进行熔炼。
(3)将去除表面氧化皮的Cu30Zr60Al5Ag5初始合金锭在石英管中感应加热重新熔化，并在压力为0.2MPa左右的高纯氩气作用下连续快速喷射到水冷转速为铜辊上(铜辊直径220mm，转速3000r/min)，形成宽度1-2mm,厚度约为20μm的Cu30Zr60Al5Ag5快淬薄带，Cu30Zr60Al5Ag5薄带样品的非晶结构特征x射线衍射实验证实(如图1所示)。
(4)以0.01mol/L的HF溶液作为脱合金溶液，将薄带置于腐蚀液中，在常温条件浸泡22h，进行脱合金处理。
(5)脱合金结束后，用超纯水和无乙醇反复清洗，直至将HF腐蚀液完全清洗掉，然后再室温下晾干并保存，得到三维双连续的纳米多孔铜银复合材料。
(6)利用离子溅射设备，将银原子团簇溅射到纳米多孔铜银复合材料表面，即得到一维银纳米材料(如图2所示)。
实施例2：
(1)以Cu50Zr45-xAl5Agx(x＝2，5，7，10，x为原子百分比)作为初始合金，将初始合金所需的纯元素(Cu>99.9999wt％，Zr>99.9wt％，Al>99.999wt％，Ag>99.99wt％)，按照合金的原子百分比换算成质量(10g)并分别称量好，然后放置在高真空电弧炉中，将腔内真空抽到10-4Mpa以下，并充入高纯氩气(>99.9wt％)。
(2)利用高真空电弧炉熔炼设备对配好的Cu50Zr45-xAl5Agx(x＝2，5，7，10)初始合金组分材料进行熔炼。
(3)将去除表面氧化皮的Cu50Zr45-xAl5Agx(x＝2，5，7，10)初始合金锭在石英管中感应加热重新熔化，并在压力为0.2MPa左右的高纯氩气作用下连续快速喷射到水冷旋转铜辊上(铜辊直径220mm，转速3000r/min)，形成宽度1-2mm,厚度约为20μm的Cu50Zr45-xAl5Agx(x＝2，5，7，10)快淬薄带，Cu50Zr45-xAl5Agx(x＝2，5，7，10)薄带样品的非晶结构特征x射线衍射实验证实(如图1所示)。
(4)以0.01mol/L的HF溶液作为脱合金溶液，将薄带置于腐蚀液中，在常温条件浸泡24-28h，进行脱合金处理。
(5)脱合金结束后，用超纯水和无乙醇反复清洗，直至将HF腐蚀液完全清洗掉，然后再室温下晾干并保存，得到三维双连续的纳米多孔铜银复合材料。
(6)利用离子溅射设备，将金原子团簇溅射到纳米多孔铜银复合材料表面，即得到一维金纳米材料(如图3、5所示)。
(7)制备得到的金纳米网具有良好的SERS效应(如图6所示)。
实施例3：
(1)以Cu30Zr60Al5Ag5作为初始合金名义成分，将初始合金所需的纯元素(Cu>99.9999wt％，Zr>99.9wt％，Al>99.999wt％，Ag>99.99wt％)，按照合金原子的百分比换算成质量(10g)并分别称量好，然后放置在真空感应电弧炉中，将腔内真空抽到10-4Mpa以下，并充入高纯氩气(>99.9wt％)。
(2)利用高真空电弧炉熔炼设备对配好的Cu30Zr60Al5Ag5初始合金组分材料进行熔炼。
(3)将去除表面氧化皮的Cu30Zr60Al5Ag5初始合金锭在石英管中感应加热重新熔化，并在压力为0.2MPa左右的高纯氩气作用下连续快速喷射到水冷旋转铜辊上(铜辊直径220mm，转速3000r/min)，形成宽度1-2mm,厚度约为20μm的Cu30Zr60Al5Ag5快淬薄带，Cu30Zr60Al5Ag5薄带样品的非晶结构特征x射线衍射实验证实(如图1所示)。
(4)以0.01mol/L的HF溶液作为脱合金溶液，将薄带置于腐蚀液中，在常温条件浸泡22h，进行脱合金处理。
(5)脱合金结束后，用超纯水和无乙醇反复清洗，直至将HF腐蚀液完全清洗掉，然后再室温下晾干并保存，得到三维双连续的纳米多孔铜银复合材料。
(6)利用离子溅射设备，将镍原子团簇溅射到纳米多孔铜银复合材料表面，即得到一维镍纳米材料(如图4所示)。

Claims (3)

1.一种贵金属及过渡族金属纳米线及纳米网状材料的制备方法，以纳米多孔铜银复合材料为基底，采用离子溅射方法制备贵金属或过渡族金属纳米线及纳米网状材料，其特征在于包括以下步骤：
（1）以Cu-Zr-Al-Ag非晶合金系列作为前驱体，选择高纯度的Cu、Zr、Al、Ag金属作为原材料，按照名义成分制备预合金锭；
（2）采用熔体快淬的方法，将Cu-Zr-Al-Ag合金锭感应加热至熔融状态，利用高纯氩气将其快速吹出，使熔融的液态金属在高速旋转的铜辊上快速凝固，制备出非晶合金薄带；
（3）在酸性腐蚀溶液中进行脱合金化处理；腐蚀过程结束后，将处理后的薄带在蒸馏水和无水乙醇中反复清洗，晾干之后得到纳米多孔铜银复合材料；
（4）以纳米多孔铜银复合材料为基底，利用离子溅射装置，将贵金属或过渡族金属原子团簇溅射到纳米多孔铜银复合材料基底上，即得到贵金属或过渡族金属纳米线或纳米网状材料；
Cu-Zr-Al-Ag非晶薄带成分范围为：CuxZryAl5Agz，其中30<x<60，25<y<65，2<z<10，且x+y+z+5=100，所标成分为原子百分比；
步骤（3）中的酸性腐蚀溶液为氢氟酸，其浓度为0.005-0.025 mol/L，腐蚀时间为20-25h，腐蚀温度为室温；制得的贵金属纳米网状材料结构均匀，纳米线的直径为10-100nm,其最终产率、纳米网络致密度和形貌与溅射的金属厚度有关。
2.根据权利要求1所述的贵金属及过渡族金属纳米线及纳米网状材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中的Cu-Zr-Al-Ag预合金锭是通过将称好的Cu、Zr、Al、Ag放置在真空电弧炉中，先预抽真空并充入高纯氩气，然后通过电弧熔炼得到预合金锭。
3.根据权利要求1所述的贵金属及过渡族金属纳米线及纳米网状材料的制备方法，其特征在于所制得的贵金属纳米网状材料能作为均匀、稳定、高灵敏度的SERS基底，得到的贵金属纳米网具有较强的表面增强拉曼散射效应，增强因子达到106量级，过渡族金属纳米线或纳米网有潜在的催化性能。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107366011B (zh) * 2017-07-18 2019-03-19 河北工业大学 一种纳米多孔铜负载超细氧化铜纳米线复合材料及其制备方法和应用
CN108535234A (zh) * 2018-01-17 2018-09-14 天津大学 基于银纳米颗粒修饰的人体IgG蛋白检测SERS基片
CN108562567A (zh) * 2018-01-17 2018-09-21 天津大学 基于金纳米颗粒修饰的人体IgG蛋白检测SERS基片
CN108479799B (zh) * 2018-02-12 2021-09-21 嘉兴长维新材料科技有限公司 一种原位负载型泡沫微孔贵金属催化剂及其制备方法
CN108411335A (zh) * 2018-03-07 2018-08-17 沈阳大学 一种电化学还原二氧化碳的方法
CN108467061A (zh) * 2018-05-31 2018-08-31 济南大学 一种超细氧化锆纳米球及其制备方法
CN109678551B (zh) * 2019-01-21 2021-04-20 河北工业大学 一种多孔烧绿石陶瓷复合材料及其制备方法
CN110106551B (zh) * 2019-05-15 2021-04-06 东南大学 一种铜纳米线及其制备方法
CN111982881B (zh) * 2020-08-19 2023-04-07 东南大学 一种磁性可循环表面增强拉曼基底及其制备方法
CN113215559A (zh) * 2021-04-01 2021-08-06 北京科技大学 一类平行取向(Al-Co)xOy纳米片的制备方法
CN114150317A (zh) * 2021-12-09 2022-03-08 上海大学 一种抗氧化的铜基表面增强拉曼散射基底的制备方法
CN115094257A (zh) * 2022-07-11 2022-09-23 安阳工学院 一种一维合金纳米材料的制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101590527A (zh) * 2009-06-19 2009-12-02 山东大学 一种纳米多孔银的制备方法
CN102943187A (zh) * 2012-11-19 2013-02-27 河北工业大学 纳米多孔铜的制备方法
CN103343253A (zh) * 2013-07-03 2013-10-09 河北工业大学 一种制备纳米多孔铜的方法
CN104020715A (zh) * 2014-03-28 2014-09-03 天津大学 一种fib直写加工制备sers基底的优化加工方法
CN104831197A (zh) * 2015-04-30 2015-08-12 河北工业大学 一种纳米多孔铜银的制备方法
JP5924515B2 (ja) * 2011-04-18 2016-05-25 国立大学法人東北大学 ナノ・マイクロ突起体の製造方法
CN105702966A (zh) * 2014-11-27 2016-06-22 中国科学院大连化学物理研究所 一种多孔材料及其制备和应用

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101590527A (zh) * 2009-06-19 2009-12-02 山东大学 一种纳米多孔银的制备方法
JP5924515B2 (ja) * 2011-04-18 2016-05-25 国立大学法人東北大学 ナノ・マイクロ突起体の製造方法
CN102943187A (zh) * 2012-11-19 2013-02-27 河北工业大学 纳米多孔铜的制备方法
CN103343253A (zh) * 2013-07-03 2013-10-09 河北工业大学 一种制备纳米多孔铜的方法
CN104020715A (zh) * 2014-03-28 2014-09-03 天津大学 一种fib直写加工制备sers基底的优化加工方法
CN105702966A (zh) * 2014-11-27 2016-06-22 中国科学院大连化学物理研究所 一种多孔材料及其制备和应用
CN104831197A (zh) * 2015-04-30 2015-08-12 河北工业大学 一种纳米多孔铜银的制备方法

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