CN107305790A - 一种非挥发性存储器的自测试方法和装置 - Google Patents

一种非挥发性存储器的自测试方法和装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种非挥发性存储器的自测试方法和装置,非挥发性存储器包括自测试控制器,非挥发性存储器的第一预设存储空间存储测试设备写入的启动标志、最大测试次数和待测试项目信息,方法包括:在上电后,通过自测试控制器判断启动标志是否为使能标志;如果是,通过自测试控制器根据待测试项目信息对非挥发性存储器进行测试,直至对各待测试项目的测试次数等于最大测试次数,或直至任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效,设置第一预设存储空间中的启动标志为无效标志;通过自测试控制器记录对应的项目失效信息至非挥发性存储器的第二预设存储空间。本发明使得老化测试简单方便,大幅降低了老化测试对测试设备的要求,测试成本更低。

Description

一种非挥发性存储器的自测试方法和装置
技术领域
本发明涉及存储器技术领域,特别是涉及一种非挥发性存储器的自测试方法和一种非挥发性存储器的自测试装置。
背景技术
存储器由于容量大,器件密度高,存在严重的早期失效问题,且这个问题随着存储器工艺尺寸的缩小而加剧。存储器的失效概率与使用次数之间的关系符合图1所示浴缸曲线的特性,即开始使用时存储器的失效概率高,当达到一定使用次数后存储器的失效概率就会大幅降低,直到达到存储器的使用寿命后,存储器的失效概率会继续升高。通过老化测试能够提高存储器的可靠性。老化测试即在存储器出厂之前,对存储器进行反复地擦除、写、读等操作,让早期失效的存储器个体被检测出来,这样出厂时候的产品失效概率已经处于浴缸曲线的底部,失效概率大幅降低。
现有老化测试方法是使用老化测试设备,对存储器依次进行擦、写、校验以及所需的其他操作,并循环特定的次数,从而筛除早期失效的存储器个体。
但是,现有老化测试方法中还存在以下缺点:在批量生产存储器的时候,需要用老化测试设备对存储器进行反复的擦除、写、读等操作,时间很长,由于老化测试设备昂贵,而且单位时间的测试费用也比较昂贵,因此,现有老化测试方法的测试成本很高,造成存储器产品成本上升。
发明内容
鉴于上述问题,本发明实施例的目的在于提供一种非挥发性存储器的自测试方法和一种非挥发性存储器的自测试装置,以解决现有老化测试方法的测试成本很高,造成存储器产品成本上升的问题。
为了解决上述问题,本发明实施例公开了一种非挥发性存储器的自测试方法,所述非挥发性存储器包括自测试控制器,所述非挥发性存储器的第一预设存储空间存储测试设备写入的启动标志、最大测试次数和待测试项目信息,所述自测试方法包括以下步骤:在所述非挥发性存储器上电后,通过所述自测试控制器判断所述启动标志是否为使能标志;当所述启动标志为使能标志时,通过所述自测试控制器根据所述待测试项目信息对所述非挥发性存储器进行测试,直至对所述待测试项目信息对应的各待测试项目的测试次数等于所述最大测试次数,或直至任一待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器失效,设置所述第一预设存储空间中的所述启动标志为无效标志;其中,若任一待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器失效,则通过所述自测试控制器记录对应的项目失效信息至所述非挥发性存储器的第二预设存储空间。
可选地,在所述设置所述第一预设存储空间中的所述启动标志为无效标志时,包括:擦除所述第一预设存储空间中的所述启动标志。
可选地,在所述通过所述自测试控制器根据所述待测试项目信息对所述非挥发性存储器进行测试时,还包括:若任一待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器有效,通过所述自测试控制器记录对应的项目通过信息至所述第二预设存储空间。
可选地,所述通过所述自测试控制器根据所述待测试项目信息对所述非挥发性存储器进行测试,包括:当所述待测试项目为擦除操作测试时,通过所述自测试控制器对所述非挥发性存储器进行擦除操作和校验,若校验失败,则判断所述待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器失效;当所述待测试项目为写操作测试时,通过所述自测试控制器对所述非挥发性存储器进行写操作和校验,若校验失败,则判断所述待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器失效。
可选地,所述非挥发性存储器与所述测试设备相连,所述自测试方法还包括:通过所述非挥发性存储器接收所述测试设备发送的信息读取指令;通过所述非挥发性存储器发送所述第二预设存储空间中的信息至所述测试设备。
为了解决上述问题,本发明实施例还公开了一种非挥发性存储器的自测试装置,所述非挥发性存储器包括自测试控制器,所述非挥发性存储器的第一预设存储空间存储测试设备写入的启动标志、最大测试次数和待测试项目信息,所述自测试装置包括:判断模块,用于在所述非挥发性存储器上电后,通过所述自测试控制器判断所述启动标志是否为使能标志;测试模块,用于当所述启动标志为使能标志时,通过所述自测试控制器根据所述待测试项目信息对所述非挥发性存储器进行测试,直至对所述待测试项目信息对应的各待测试项目的测试次数等于所述最大测试次数,或直至任一待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器失效,设置所述第一预设存储空间中的所述启动标志为无效标志;其中,若任一待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器失效,则通过所述自测试控制器记录对应的项目失效信息至所述非挥发性存储器的第二预设存储空间。
可选地,所述测试模块在所述设置所述第一预设存储空间中的所述启动标志为无效标志时,包括:启动标志擦除单元,用于擦除所述第一预设存储空间中的所述启动标志。
可选地,所述测试模块在所述通过所述自测试控制器根据所述待测试项目信息对所述非挥发性存储器进行测试时,还用于:若任一待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器有效,通过所述自测试控制器记录对应的项目通过信息至所述第二预设存储空间。
可选地,所述测试模块包括:第一测试单元,用于当所述待测试项目为擦除操作测试时,通过所述自测试控制器对所述非挥发性存储器进行擦除操作和校验,若校验失败,则判断所述待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器失效;第二测试单元,用于当所述待测试项目为写操作测试时,通过所述自测试控制器对所述非挥发性存储器进行写操作和校验,若校验失败,则判断所述待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器失效。
可选地,所述非挥发性存储器与所述测试设备相连,所述自测试装置还包括:第二接收模块,用于通过所述非挥发性存储器接收所述测试设备发送的信息读取指令;发送模块,用于通过所述非挥发性存储器发送所述第二预设存储空间中的信息至所述测试设备。
本发明实施例包括以下优点:通过在非挥发性存储器中嵌入自测试控制器,和通过非挥发性存储器的第一预设存储空间存储测试设备预先写入的启动标志、最大测试次数和待测试项目信息。在非挥发性存储器上电后,首先通过自测试控制器判断启动标志是否为使能标志,如果是,通过自测试控制器根据待测试项目信息对非挥发性存储器进行测试,直至对待测试项目信息对应的各待测试项目的测试次数等于最大测试次数,或直至任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效,设置第一预设存储空间中的启动标志为无效标志;其中,通过自测试控制器记录对应的项目失效信息至非挥发性存储器的第二预设存储空间。
这样,上电后,对非挥发性存储器的老化测试由非挥发性存储器内的自测试控制器自动完成,且利用非挥发性存储器的特点,在自测试控制器对非挥发性存储器进行老化自测试过程中记录测试相关的信息例如项目失效信息,测试设备只需提前将启动标志、最大测试次数和待测试项目信息写入第一预设存储空间,和在非挥发性存储器自测试完成后读取测试相关的信息,就可以实现对失效非挥发性存储器个体的筛除,且测试设备无需对非挥发性存储器再进行最后一遍全功能的测试。本发明实施例不仅简化了老化测试流程,提高了老化测试的便利性和批量生产存储器时的产出效率,还大幅降低了老化测试对测试设备的要求,进而降低了产品老化测试成本。
附图说明
图1是存储器的失效概率与使用次数之间的关系示意图;
图2是本发明的一种非挥发性存储器的自测试方法实施例的步骤流程图;
图3是本发明的另一种非挥发性存储器的自测试方法实施例的步骤流程图;
图4是本发明的一种非挥发性存储器的自测试装置实施例的结构框图;
图5是本发明的另一种非挥发性存储器的自测试装置实施例的结构框图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
参照图2,示出了本发明的一种非挥发性存储器的自测试方法实施例的步骤流程图,非挥发性存储器包括自测试控制器,自测试控制器可以嵌入或集成在非挥发性存储器内部,非挥发性存储器的第一预设存储空间存储测试设备写入的启动标志、最大测试次数和待测试项目信息,自测试方法具体可以包括如下步骤:
S21,在非挥发性存储器上电后,通过自测试控制器判断启动标志是否为使能标志。
其中,非挥发性存储器(NVRAM,Non-volatile memory)是指当系统关闭或无电源供应时,所存储的信息不会消失的存储器。例如,EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory,可擦可编程式只读存储器)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,电子可擦除可编程式只读存储器、Flash memory(闪存存储器)等。
步骤S21可以通过自测试控制器读取第一预设存储空间存储的启动标志,进而判断启动标志是否为使能标志。具体地,启动标志可以为预设标志位,此时,可以设置启动标志的值为1时为使能标志,或可以设置启动标志的值为0时为使能标志。
S22,当启动标志为使能标志时,通过自测试控制器根据待测试项目信息对非挥发性存储器进行测试,直至对待测试项目信息对应的各待测试项目的测试次数等于最大测试次数,或直至任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效,设置第一预设存储空间中的启动标志为无效标志;其中,若任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效,则通过自测试控制器记录对应的项目失效信息至非挥发性存储器的第二预设存储空间。
步骤S22可以通过自测试控制器读取第一预设存储空间存储的最大测试次数、待测试项目信息,进而根据待测试项目信息对非挥发性存储器进行测试。
具体地,若非挥发性存储器可执行的操作为擦除操作、写操作、寻址操作、修改数据操作等操作,则待测试项目信息对应的各待测试项目可以为擦除操作测试、写操作测试、寻址操作测试、修改数据操作测试等测试项目中的一个或多个。需要说明的是,在本发明的其它实施例中,非挥发性存储器可执行的操作由非挥发性存储器自身情况决定,可以为擦除操作、写操作、寻址操作、修改数据操作或其它操作中的一个或多个。
其中,在本发明的一个实施例中,步骤S22可以通过自测试控制器根据各待测试项目依次对非挥发性存储器进行测试。步骤S22中对各待测试项目的测试次数可以理解为,通过自测试控制器根据各待测试项目依次对非挥发性存储器进行测试时,循环的次数或对非挥发性存储器进行测试的总次数。任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效,可以理解为当任一待测试项目的测试结果为测试失败时,则自测试控制器判断非挥发性存储器失效。具体地,项目失效信息可以包括失效的项目名称、失效时的测试次数以及其它与项目失效相关的信息。
需要说明的是,设置第一预设存储空间中的启动标志为无效标志后,若非挥发性存储器再次上电,步骤S21可以通过自测试控制器判断启动标志为无效标志,不会进入步骤S22,用户可以正常操作非挥发性存储器。其中,若启动标志的值为1时为使能标志,则步骤S22在设置第一预设存储空间中的启动标志为无效标志时,可以设置启动标志的值为0或擦除启动标志。
具体地,在本发明的一个实施例中,用户仅能够操作非挥发性存储器中除第一预设存储空间、第二预设存储空间之外的存储空间,例如,对于1G的非挥发性存储器,非挥发性存储器的实际存储空间可以为1G加第一预设存储空间、第二预设存储空间之和,用户仅可操作该1G存储空间。其中,第一预设存储空间的大小可以根据启动标志、最大测试次数和待测试项目信息的大小等在生产非挥发性存储器时进行设置,第二预设存储空间的大小可以根据测试需求等在生产非挥发性存储器时进行设置。
在步骤S22之后,测试设备只需读取第二预设存储空间的信息,就可以确定当前非挥发性存储器是否失效,进而确定是否筛除当前非挥发性存储器,且在该过程中,测试设备无需对该当前非挥发性存储器进行老化测试和再进行最后一遍全功能的测试等,因此,不仅简化了老化测试流程,提高了老化测试的便利性和批量生产存储器时的产出效率,还大幅降低了老化测试对测试设备的要求,进而降低了产品老化测试成本。
在本发明的一个具体实施例中,在非挥发性存储器例如Flash memory上电后,自测试控制器读取启动标志,进而判断启动标志是否为使能标志,例如判断启动标志的值是否为1,如果是,步骤S22通过自测试控制器读取最大测试次数例如10次和待测试项目信息对应的各待测试项目例如擦除操作测试和写操作测试,进而通过自测试控制器根据各待测试项目依次对非挥发性存储器进行擦除操作测试和写操作测试,直至循环的次数等于10次,或直至擦除操作测试和写操作测试中任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效,设置第一预设存储空间中的启动标志为无效标志,例如设置启动标志的值是否为0。当擦除操作测试和写操作测试中任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效时,通过自测试控制器记录对应的项目失效信息例如失效的项目名称、失效时的测试次数等至非挥发性存储器的第二预设存储空间。
本发明实施例一包括以下优点:通过在非挥发性存储器中嵌入自测试控制器,和通过非挥发性存储器的第一预设存储空间存储测试设备预先写入的启动标志、最大测试次数和待测试项目信息。在非挥发性存储器上电后,首先通过自测试控制器判断启动标志是否为使能标志。如果是,通过自测试控制器根据待测试项目信息对非挥发性存储器进行测试,直至对待测试项目信息对应的各待测试项目的测试次数等于最大测试次数,或直至任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效,设置第一预设存储空间中的启动标志为无效标志;其中,通过自测试控制器记录对应的项目失效信息至非挥发性存储器的第二预设存储空间。
这样,上电后,对非挥发性存储器的老化测试由非挥发性存储器内的自测试控制器自动完成,且利用非挥发性存储器的特点,在自测试控制器对非挥发性存储器进行老化自测试过程中记录测试相关的信息例如项目失效信息,测试设备只需提前将启动标志、最大测试次数和待测试项目信息写入第一预设存储空间,和在非挥发性存储器自测试完成后读取测试相关的信息,就可以实现对失效非挥发性存储器个体的筛除,且测试设备无需对非挥发性存储器再进行最后一遍全功能的测试。本发明实施例不仅简化了老化测试流程,提高了老化测试的便利性和批量生产存储器时的产出效率,还大幅降低了老化测试对测试设备的要求,进而降低了产品老化测试成本。
实施例二
参照图3,示出了本发明的另一种非挥发性存储器的自测试方法实施例的步骤流程图,非挥发性存储器包括自测试控制器,非挥发性存储器与测试设备相连,非挥发性存储器的第一预设存储空间存储测试设备写入的启动标志、最大测试次数和待测试项目信息,自测试方法具体可以包括如下步骤:
S31,在非挥发性存储器上电后,通过自测试控制器判断启动标志是否为使能标志。
其中,最大测试次数和待测试项目信息对应的各待测试项目可以根据非挥发性存储器特性、测试需求等在生产非挥发性存储器时进行设置。
S32,当启动标志为使能标志时,通过自测试控制器根据待测试项目信息对非挥发性存储器进行测试,直至对待测试项目信息对应的各待测试项目的测试次数等于最大测试次数,或直至任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效,设置第一预设存储空间中的启动标志为无效标志;其中,若任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效,则通过自测试控制器记录对应的项目失效信息至非挥发性存储器的第二预设存储空间;通过自测试控制器根据待测试项目信息对非挥发性存储器进行测试,可以包括:
S321,当待测试项目为擦除操作测试时,通过自测试控制器对非挥发性存储器进行擦除操作和校验,若校验失败,则判断待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效。
其中,步骤S321中,对非挥发性存储器进行校验可以为在对非挥发性存储器进行擦除操作后,对非挥发性存储器进行读操作,并判断读取结果是否为零,如果否,则校验失败。
S322,当待测试项目为写操作测试时,通过自测试控制器对非挥发性存储器进行写操作和校验,若校验失败,则判断待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效。
其中,步骤S322中,对非挥发性存储器进行校验可以为在对非挥发性存储器进行写操作后,例如写入数据A,对非挥发性存储器进行读操作,并判断读取结果是否为数据A,如果否,则校验失败。
S323,当待测试项目为除擦除操作测试、写操作测试之外的其它操作测试时,通过自测试控制器对非挥发性存储器进行相应的操作和校验,若校验失败,则判断待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效。
其中,步骤S323中,对非挥发性存储器进行校验可以为在对非挥发性存储器进行相应的操作后,对非挥发性存储器进行读操作,并判断读取结果是否为预期值,如果否,则校验失败。
其中,在本发明的一个实施例中,步骤S32在设置第一预设存储空间中的启动标志为无效标志时,可以包括:
擦除第一预设存储空间中的启动标志。
在本发明的一个实施例中,步骤S32在通过自测试控制器根据待测试项目信息对非挥发性存储器进行测试时,还可以包括:
若任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器有效,通过自测试控制器记录对应的项目通过信息至第二预设存储空间。
其中,项目通过信息可以为通过的项目名称、通过时的测试次数等。步骤S32还可以通过自测试控制器记录对应的项目通过信息至非挥发性存储器的其它存储空间。
S33,通过非挥发性存储器接收测试设备发送的信息读取指令。
S34,通过非挥发性存储器发送第二预设存储空间中的信息至测试设备。
从而,测试设备可以读取测试相关的信息(例如项目失效信息和/或项目通过信息),进而完成对失效非挥发性存储器个体的筛除。该过程中,测试设备只需将启动标志、最大测试次数和待测试项目信息写入第一预设存储空间和发送信息读取指令,且测试设备无需对非挥发性存储器再进行最后一遍全功能的测试。因此,不仅可以简化老化测试流程,提高老化测试的便利性和批量生产存储器时的产出效率,还可以大幅降低老化测试对测试设备的要求,进而降低产品老化测试成本。
本发明实施例二包括以下优点:通过在非挥发性存储器中嵌入自测试控制器,和通过非挥发性存储器的第一预设存储空间存储测试设备预先写入的启动标志、最大测试次数和待测试项目信息。在非挥发性存储器上电后,首先通过自测试控制器判断启动标志是否为使能标志。如果是,通过自测试控制器根据待测试项目信息对非挥发性存储器进行测试,直至对待测试项目信息对应的各待测试项目的测试次数等于最大测试次数,或直至任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效,设置第一预设存储空间中的启动标志为无效标志;其中,通过自测试控制器记录对应的项目失效信息至非挥发性存储器的第二预设存储空间。最后通过非挥发性存储器根据接收的信息读取指令,发送第二预设存储空间中的信息至测试设备。
这样,上电后,对非挥发性存储器的老化测试由非挥发性存储器内的自测试控制器自动完成,且利用非挥发性存储器的特点,在自测试控制器对非挥发性存储器进行老化自测试过程中记录测试相关的信息例如项目失效信息和/或项目通过信息,测试设备只需提前将启动标志、最大测试次数和待测试项目信息写入第一预设存储空间,和在非挥发性存储器自测试完成后,发送信息读取指令以读取测试相关的信息,就可以实现对失效非挥发性存储器个体的筛除,测试设备无需对非挥发性存储器再进行最后一遍全功能的测试。本发明实施例不仅简化了老化测试流程,提高了老化测试的便利性和批量生产存储器时的产出效率,还大幅降低了老化测试对测试设备的要求,进而降低了产品老化测试成本。
需要说明的是,对于方法实施例,为了简单描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本发明实施例,某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。
实施例三
参照图4,示出了本发明的一种非挥发性存储器的自测试装置实施例的结构框图,非挥发性存储器包括自测试控制器,非挥发性存储器的第一预设存储空间存储测试设备写入的启动标志、最大测试次数和待测试项目信息,自测试装置具体可以包括如下模块:
判断模块41,用于在非挥发性存储器上电后,通过自测试控制器判断启动标志是否为使能标志。
测试模块42,用于当启动标志为使能标志时,通过自测试控制器根据待测试项目信息对非挥发性存储器进行测试,直至对待测试项目信息对应的各待测试项目的测试次数等于最大测试次数,或直至任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效,设置第一预设存储空间中的启动标志为无效标志;其中,若任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效,则通过自测试控制器记录对应的项目失效信息至非挥发性存储器的第二预设存储空间。
本发明实施例三包括以下优点:通过在非挥发性存储器中嵌入自测试控制器,和通过非挥发性存储器的第一预设存储空间存储测试设备预先写入的启动标志、最大测试次数和待测试项目信息。在非挥发性存储器上电后,首先判断模块通过自测试控制器判断启动标志是否为使能标志。如果是,测试模块通过自测试控制器根据待测试项目信息对非挥发性存储器进行测试,直至对待测试项目信息对应的各待测试项目的测试次数等于最大测试次数,或直至任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效,设置第一预设存储空间中的启动标志为无效标志;其中,测试模块通过自测试控制器记录对应的项目失效信息至非挥发性存储器的第二预设存储空间。
这样,上电后,对非挥发性存储器的老化测试由非挥发性存储器内的自测试控制器自动完成,且利用非挥发性存储器的特点,在自测试控制器对非挥发性存储器进行老化自测试过程中记录测试相关的信息例如项目失效信息,测试设备只需提前将启动标志、最大测试次数和待测试项目信息写入第一预设存储空间,和在非挥发性存储器自测试完成后读取测试相关的信息,就可以实现对失效非挥发性存储器个体的筛除,测试设备无需对非挥发性存储器再进行最后一遍全功能的测试。本发明实施例不仅简化了老化测试流程,提高了老化测试的便利性和批量生产存储器时的产出效率,还大幅降低了老化测试对测试设备的要求,进而降低了产品老化测试成本。
实施例四
参照图5,示出了本发明的另一种非挥发性存储器的自测试装置实施例的结构框图,非挥发性存储器包括自测试控制器,非挥发性存储器与测试设备相连,非挥发性存储器的第一预设存储空间存储测试设备写入的启动标志、最大测试次数和待测试项目信息,自测试装置具体可以包括如下模块:
判断模块51,用于在非挥发性存储器上电后,通过自测试控制器判断启动标志是否为使能标志。
测试模块52,用于当启动标志为使能标志时,通过自测试控制器根据待测试项目信息对非挥发性存储器进行测试,直至对待测试项目信息对应的各待测试项目的测试次数等于最大测试次数,或直至任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效,设置第一预设存储空间中的启动标志为无效标志;其中,若任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效,则通过自测试控制器记录对应的项目失效信息至非挥发性存储器的第二预设存储空间。测试模块52可以包括:
第一测试单元521,用于当待测试项目为擦除操作测试时,通过自测试控制器对非挥发性存储器进行擦除操作和校验,若校验失败,则判断待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效。
第二测试单元522,用于当待测试项目为写操作测试时,通过自测试控制器对非挥发性存储器进行写操作和校验,若校验失败,则判断待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效。
第三测试单元523,用于当待测试项目为除擦除操作测试、写操作测试之外的其它操作测试时,通过自测试控制器对非挥发性存储器进行相应的操作和校验,若校验失败,则判断待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效。
其中,测试模块52在设置第一预设存储空间中的启动标志为无效标志时,可以包括:
启动标志擦除单元,用于擦除第一预设存储空间中的启动标志。
另外,测试模块52在通过自测试控制器根据待测试项目信息对非挥发性存储器进行测试时,还可以用于若任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器有效,通过自测试控制器记录对应的项目通过信息至第二预设存储空间。
第二接收模块53,用于通过非挥发性存储器接收测试设备发送的信息读取指令。
发送模块54,用于通过非挥发性存储器发送第二预设存储空间中的信息至测试设备。
本发明实施例二包括以下优点:通过在非挥发性存储器中嵌入自测试控制器,和通过非挥发性存储器的第一预设存储空间存储测试设备预先写入的启动标志、最大测试次数和待测试项目信息。在非挥发性存储器上电后,首先判断模块通过自测试控制器判断启动标志是否为使能标志。如果是,测试模块通过自测试控制器根据待测试项目信息对非挥发性存储器进行测试,直至对待测试项目信息对应的各待测试项目的测试次数等于最大测试次数,或直至任一待测试项目的测试结果为非挥发性存储器失效,设置第一预设存储空间中的启动标志为无效标志;其中,通过自测试控制器记录对应的项目失效信息至非挥发性存储器的第二预设存储空间。最后发送模块通过非挥发性存储器根据接收的信息读取指令,发送第二预设存储空间中的信息至测试设备。
这样,上电后,对非挥发性存储器的老化测试由非挥发性存储器内的自测试控制器自动完成,且利用非挥发性存储器的特点,在自测试控制器对非挥发性存储器进行老化自测试过程中记录测试相关的信息例如项目失效信息和/或项目通过信息,测试设备只需提前将启动标志、最大测试次数和待测试项目信息写入第一预设存储空间,和在非挥发性存储器自测试完成后,发送信息读取指令以读取测试相关的信息,就可以实现对失效非挥发性存储器个体的筛除,测试设备无需对非挥发性存储器再进行最后一遍全功能的测试。本发明实施例不仅简化了老化测试流程,提高了老化测试的便利性和批量生产存储器时的产出效率,还大幅降低了老化测试对测试设备的要求,进而降低了产品老化测试成本。
对于装置实施例而言,由于其与方法实施例基本相似,所以描述的比较简单,相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
本领域内的技术人员应明白,本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此,本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且,本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器,使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中,使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品,该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上,使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理,从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种非挥发性存储器的自测试方法和一种非挥发性存储器的自测试装置,进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种非挥发性存储器的自测试方法,其特征在于,所述非挥发性存储器包括自测试控制器,所述非挥发性存储器的第一预设存储空间存储测试设备写入的启动标志、最大测试次数和待测试项目信息,所述自测试方法包括以下步骤:
在所述非挥发性存储器上电后,通过所述自测试控制器判断所述启动标志是否为使能标志;
当所述启动标志为使能标志时,通过所述自测试控制器根据所述待测试项目信息对所述非挥发性存储器进行测试,直至对所述待测试项目信息对应的各待测试项目的测试次数等于所述最大测试次数,或直至任一待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器失效,设置所述第一预设存储空间中的所述启动标志为无效标志;
其中,若任一待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器失效,则通过所述自测试控制器记录对应的项目失效信息至所述非挥发性存储器的第二预设存储空间。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述设置所述第一预设存储空间中的所述启动标志为无效标志时,包括:
擦除所述第一预设存储空间中的所述启动标志。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述通过所述自测试控制器根据所述待测试项目信息对所述非挥发性存储器进行测试时,还包括:
若任一待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器有效,通过所述自测试控制器记录对应的项目通过信息至所述第二预设存储空间。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过所述自测试控制器根据所述待测试项目信息对所述非挥发性存储器进行测试,包括:
当所述待测试项目为擦除操作测试时,通过所述自测试控制器对所述非挥发性存储器进行擦除操作和校验,若校验失败,则判断所述待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器失效;
当所述待测试项目为写操作测试时,通过所述自测试控制器对所述非挥发性存储器进行写操作和校验,若校验失败,则判断所述待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器失效。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法,其特征在于,所述非挥发性存储器与所述测试设备相连,所述自测试方法还包括:
通过所述非挥发性存储器接收所述测试设备发送的信息读取指令;
通过所述非挥发性存储器发送所述第二预设存储空间中的信息至所述测试设备。
6.一种非挥发性存储器的自测试装置,其特征在于,所述非挥发性存储器包括自测试控制器,所述非挥发性存储器的第一预设存储空间存储测试设备写入的启动标志、最大测试次数和待测试项目信息,所述自测试装置包括:
判断模块,用于在所述非挥发性存储器上电后,通过所述自测试控制器判断所述启动标志是否为使能标志;
测试模块,用于当所述启动标志为使能标志时,通过所述自测试控制器根据所述待测试项目信息对所述非挥发性存储器进行测试,直至对所述待测试项目信息对应的各待测试项目的测试次数等于所述最大测试次数,或直至任一待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器失效,设置所述第一预设存储空间中的所述启动标志为无效标志;
其中,若任一待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器失效,则通过所述自测试控制器记录对应的项目失效信息至所述非挥发性存储器的第二预设存储空间。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述测试模块在所述设置所述第一预设存储空间中的所述启动标志为无效标志时,包括:
启动标志擦除单元,用于擦除所述第一预设存储空间中的所述启动标志。
8.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述测试模块在所述通过所述自测试控制器根据所述待测试项目信息对所述非挥发性存储器进行测试时,还用于:
若任一待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器有效,通过所述自测试控制器记录对应的项目通过信息至所述第二预设存储空间。
9.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述测试模块包括:
第一测试单元,用于当所述待测试项目为擦除操作测试时,通过所述自测试控制器对所述非挥发性存储器进行擦除操作和校验,若校验失败,则判断所述待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器失效;
第二测试单元,用于当所述待测试项目为写操作测试时,通过所述自测试控制器对所述非挥发性存储器进行写操作和校验,若校验失败,则判断所述待测试项目的测试结果为所述非挥发性存储器失效。
10.根据权利要求6-9中任一项所述的装置,其特征在于,所述非挥发性存储器与所述测试设备相连,所述自测试装置还包括:
第二接收模块,用于通过所述非挥发性存储器接收所述测试设备发送的信息读取指令;
发送模块,用于通过所述非挥发性存储器发送所述第二预设存储空间中的信息至所述测试设备。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116381452A (zh) * 2022-12-08 2023-07-04 杭州领策科技有限公司 一种芯片测试方法、装置、系统及可读存储介质

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1866040A (zh) * 2005-07-29 2006-11-22 华为技术有限公司 对通讯设备进行生产测试的方法
CN102142284A (zh) * 2010-01-29 2011-08-03 京元电子股份有限公司 可扩充样本储存器的储存器测试设备
CN102592679A (zh) * 2011-01-13 2012-07-18 北京兆易创新科技有限公司 一种闪存芯片的测试方法和闪存芯片
CN102737722A (zh) * 2012-07-26 2012-10-17 上海宏力半导体制造有限公司 一种内建自测系统的自检修补法
CN102842342A (zh) * 2011-06-20 2012-12-26 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 数据存储测试系统及方法
CN102969027A (zh) * 2012-11-28 2013-03-13 中国人民解放军国防科学技术大学 基于存储器内建自测试的片上存储器调试方法及装置
JP2013065376A (ja) * 2011-09-16 2013-04-11 Elpida Memory Inc 半導体装置
JP2013065365A (ja) * 2011-09-15 2013-04-11 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその試験方法
CN104412327A (zh) * 2013-01-02 2015-03-11 默思股份有限公司 内建自测试以及修复装置及方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1866040A (zh) * 2005-07-29 2006-11-22 华为技术有限公司 对通讯设备进行生产测试的方法
CN102142284A (zh) * 2010-01-29 2011-08-03 京元电子股份有限公司 可扩充样本储存器的储存器测试设备
CN102592679A (zh) * 2011-01-13 2012-07-18 北京兆易创新科技有限公司 一种闪存芯片的测试方法和闪存芯片
CN102842342A (zh) * 2011-06-20 2012-12-26 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 数据存储测试系统及方法
JP2013065365A (ja) * 2011-09-15 2013-04-11 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその試験方法
JP2013065376A (ja) * 2011-09-16 2013-04-11 Elpida Memory Inc 半導体装置
CN102737722A (zh) * 2012-07-26 2012-10-17 上海宏力半导体制造有限公司 一种内建自测系统的自检修补法
CN102969027A (zh) * 2012-11-28 2013-03-13 中国人民解放军国防科学技术大学 基于存储器内建自测试的片上存储器调试方法及装置
CN104412327A (zh) * 2013-01-02 2015-03-11 默思股份有限公司 内建自测试以及修复装置及方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116381452A (zh) * 2022-12-08 2023-07-04 杭州领策科技有限公司 一种芯片测试方法、装置、系统及可读存储介质
CN116381452B (zh) * 2022-12-08 2024-01-26 杭州领策科技有限公司 一种芯片测试方法、装置、系统及可读存储介质

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