CN102592679A - 一种闪存芯片的测试方法和闪存芯片 - Google Patents
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201110006680.4A CN102592679B (zh) | 2011-01-13 | 2011-01-13 | 一种闪存芯片的测试方法和闪存芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
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CN201110006680.4A CN102592679B (zh) | 2011-01-13 | 2011-01-13 | 一种闪存芯片的测试方法和闪存芯片 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102592679A true CN102592679A (zh) | 2012-07-18 |
CN102592679B CN102592679B (zh) | 2015-01-07 |
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CN201110006680.4A Active CN102592679B (zh) | 2011-01-13 | 2011-01-13 | 一种闪存芯片的测试方法和闪存芯片 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN102592679B (zh) |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 100083 Beijing City, Haidian District Xueyuan Road No. 30, large industrial building A block 12 layer Applicant after: GIGADEVICE SEMICONDUCTOR(BEIJING) Inc. Address before: 100084 Room 301, B building, Tsinghua Science and Technology Park, Beijing, Haidian District Applicant before: GigaDevice Semiconductor Inc. |
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COR | Change of bibliographic data |
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C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address | ||
CP03 | Change of name, title or address |
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